1.一种真空断路器，具有布置在同心杯形AMF线圈内的双共轴触头布置，其中，内部触头具有TMF状或销形的形状；所述真空断路器在每一侧，即，在静止触头布置侧以及能够移动的触头布置侧，具有单层或多层布置的触头部件，
所述真空断路器的特征在于，
外部杯形触头由单层、或双层或多层布置制成，其中至少一层由硬钢或钢合金制成，并且在多层布置的情况下，至少第二层由具有高导热性的材料制成。
2.根据权利要求1所述的真空断路器，
其特征在于，
所述具有高导热性的材料是铜、银、银合金或铜合金。
3.根据权利要求1所述的真空断路器，
其特征在于，
所述硬钢或钢合金是不锈钢。
4.根据权利要求1、2或3所述的真空断路器，
其特征在于，
双层或多层触头布置中的内部层由不锈钢或具有相似刚性的其它材料制成，并且外部层或第二层由铜制成。
5.根据权利要求1、2或3所述的真空断路器，
其特征在于，
在杯形触头布置的情况下，触头布置的内部层由铜制成，而另一层或外部层由不锈钢制成。
6.根据前述权利要求1至4中的一项所述的真空断路器，
其特征在于，
采用耐高压材料制成的最高100μm厚的非常薄的层覆盖或涂覆所述外部层。
7.根据权利要求6所述的真空断路器，其特征在于，
薄层材料是镍、钢或钢合金。
8.根据前述权利要求1至3和5中的一项所述的真空断路器，
其特征在于，
采用由铜、银或铜合金制成的最高100μm厚的非常薄的层覆盖或涂覆所述外部层。
9.根据前述的权利要求1至8当中的一项所述的真空断路器，
其特征在于，
所述触头部件被定位成使得当所述真空断路器处于闭合位置时，仅内部触头相接触，并且全部标称电流经内部触头流过。
10.根据前述的权利要求1至8当中的一项所述的真空断路器，
其特征在于，
在所述真空断路器的断开位置处，内部触头之间和外部触头之间的相应间隙距离保持相同。
11.根据前述的权利要求1至8当中的一项所述的真空断路器，
其特征在于，
在所述真空断路器的断开位置处，外部触头之间的间隙距离小于内部触头之间的间隙距离。
12.根据前述的权利要求1、9至11所述的真空断路器，
其特征在于，
在所述真空断路器的闭合位置处，全部或准全部标称电流经内部触头流过。
13.根据前述的权利要求1和9所述的真空断路器，
其特征在于，
当在电流断路过程期间断开(分离)真空断路器的触头时，电弧点燃在内部触头之间发生，随后在对应于流经外部触头的电流产生的AMF的作用下部分地或全部地交换至外部触头并且转换成分散的电弧。
14.根据前述的权利要求1和10至12所述的真空断路器，
其特征在于，
当在电流断路过程期间断开(分离)真空断路器的触头时，电弧点燃在外部触头之间发生，随后在对应于流经外部触头的电流产生的AMF的作用下快速转换成分散的电弧。