1.一改变超导体磁化之方法，此方法包括自动化控制一磁场产生磁通变化波，此波通过所述超导体表面。
2.按照权利要求1叙述方法中超导被置放于包含铁磁材料的磁路中，此方法包含在充磁中和充磁后调节磁路参数。
3.按照权利2叙述之方法，调节是通过控制铁磁材料的温度实现的。
4.按照权利要求2或3叙述之方法，调节还包括打开所述磁路。
5.按照权利要求4方法中所述打开磁路是通过将铁磁材料加热超过居里点实现的。
6.前述的改变超导材料磁化强度的方法是通过自动控制前述磁体在超导表面产生磁场驻波。
7.前述的改变超导材料磁化强度的方法，其中施加磁场的上升和下降时间是不同的。
8.前述的改变超导材料磁化强度的方法中所施加的驻波周期相对于施加驻波的间隔时间而言，时间上的差别可以是10％，50％，100％或者200％。
9.前述的改变超导材料磁化强度的方法中的磁体为电磁体，而在充磁结束后所述超导体表面的磁化强度要比电磁体施加的最大磁场强度高。
10.前述的改变超导材料磁化强度的方法中的磁体为电磁体，电磁体的控制包括使电磁体产生幅值随时间变化的周期波。
11.按照权利要求10叙述之幅值是随着时间减小的。
12.一种应用在磁场成像系统中，使用上述手段来控制超导的磁化强度的方法。
13.一用来磁化超导体之设备，此系统包括自动控制磁铁在超导体表面产生磁场波。
14.按照权利要求13叙述的设备包含一个磁路，超导体被置放于该磁路中，此设备还包括在充磁过程中和充磁后改变磁路的磁阻的方法。
15.按照权利要求13或14叙述的设备是电磁体，其进一步包含控制此电磁体所之产生幅值随时间变化的周期磁场波。
16.按照权利要求13，14或15叙述的设备中，自动控制超导体表面磁场波包含了在超导表面产生磁场驻波的概念。
17.包含了13，14，15或16设备的磁场成像设备。
18.通过控制超导表面外加磁场幅值的大小来控制超导体磁化速率的方法。
19.通过控制超导表面外加磁场幅值的大小来改变超导体最大磁化强度的方法。
20.如18或19所述通过控制超导表面外加磁场幅值的大小来改变超导体磁化强度的方法，其中不同幅值的磁场波在充磁的不同阶段被用到。
21.通过控制超导表面外加磁场幅值的大小来改变超导体磁化强度的方法，外加磁场的复制随着时间增加而减小。
22.如21所述的通过控制超导表面外加磁场幅值的大小来改变超导体磁化强度的方法，后续的变化磁场波有连续减小的幅值。
23.如22所述的改变超导磁化强度的方法包括了为超导材料充磁的概念。
24.按照权利要求18到23叙述的方法，超导体被置放于包含铁磁材料的磁路中，在充磁过程中和充磁后改变磁路的磁阻。
25.按照权利要求24叙述的方法，改变磁阻是通过改变铁磁材料的温度实现的。
26.按照权利要求24，25叙述的方法，改变磁阻是包含打开磁路的概念。
27.按照权利要求26叙述的打开磁路的方法是通过将铁磁材料加热到居里点温度以上实现的。
28.按照权利要求18到27所叙述的应用在磁场成像设备上的改变磁体磁化强度的方法。
29.改变超导磁化强度的设备，包括施加变化磁场波的方法，而且此波的幅值随着时间增加而减小。
30.按照权利要求29叙述的设备，超导体被置放于包含铁磁材料的磁路中，设备提供在充磁过程中和充磁后改变磁路磁阻的方法。
31.包含权利要求29或30设备的磁场成像设备。