1.一种用以在一含有处理器及存储器的系统里产生其中含有一T线圈网络的一个电路设计的方法，该方法包含：
决定电感器的电感以及该T-线圈网络的一个寄生桥接电容；
比较该寄生桥接电容与一负载电容测度，该测度是根据耦接于该T-线圈网络的一个输出的一个负载的寄生电容而定；
按照该寄生桥接电容和该负载电容测度的比较，由该处理器选择性地调整该电路设计中耦接于该T-线圈网络输出的静电放电保护的一个量值或该T-线圈网络的电感器的一个参数；以及
输出该电路设计，其中该电路设计包含所述电感器的电感、静电放电保护的量值以及所述电感器的绕线的宽度。
2.如申请专利范围第1项所述的方法，其中选择性地调整包含调整在该T-线圈网络的一个输入节点处该寄生桥接电容对未包含一个实体电容器在内的负载电容测度的比例。
3.如申请专利范围第1或2项所述的方法，其中决定该寄生桥接电容包含根据该T-线圈网络内的一终端电阻器的一个寄生电容，标注为CTM、一耦接于该T-线圈网络的一输入处的一个输入/输出焊垫的一个寄生电容，标注为CPD、以及所述电感器的一个绕线间电容，标注为CBI，以决定该寄生桥接电容。
4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述的方法，进一步包含根据CB=[(CTM*CPD)/(CTM+CPD)]+CBI以计算该寄生桥接电容，其中该寄生桥接电容标注为CB。
5.如申请专利范围第1、3或4项中任一项所述的方法，其中选择性地调整包含当该桥接电容小于该负载电容测度时，增加所述电感器的绕线的宽度。
6.如申请专利范围第1、3或4项中任一项所述的方法，其中选择性地调整包含当该桥接电容超过该负载电容测度时，增加静电放电保护的量值。
7.如申请专利范围第1、2、4、5或6项中任一项所述的方法，其中决定电感器的电感以及该T-线圈网络的寄生桥接电容包含：
决定该T-线圈网络内的一终端电阻器的寄生电容，标注为CTM、一耦接于该T-线圈网络的一输入处的一个输入/输出焊垫的一寄生电容，标注为CPD、以及该负载的寄生电容，的初始值；
估计所述电感器的初始值；
根据所述电感器的初始值决定所述电感器的绕线间电容的一个初始值，标注为CBI；以及
决定寄生桥接电容的一个初始值，标注为CB，其中该寄生桥接电容根据CTM、CPD和CBI各者而定。
8.如申请专利范围第1至7项中任一项所述的方法，进一步包含选择该负载电容测度为该负载的寄生电容的十二分之一。
9.一种计算机程序产品，其包含一计算机程序用以实施申请专利范围第1至8项中任一项的方法。
10.一种用以产生其中含有一个T-线圈网络的一电路设计的系统，该系统包含：
一存储器，用以储存程序代码；以及
一处理器，其耦接于该存储器，而在执行该程序代码时，经组态设定以执行多个步骤，所述步骤包含：
决定电感器的电感以及该T-线圈网络的一个寄生桥接电容；
比较该寄生桥接电容与一负载电容测度，此测度是根据耦接于该T-线圈网络的一个输出的一负载的寄生电容而定；
按照该寄生桥接电容与该负载电容测度的比较，选择性地调整该电路设计中耦接于该T-线圈网络的输出的静电放电保护的量值或该T-线圈网络的电感器的一个参数；以及输出该电路设计，其中该电路设计包含所述电感器的电感、静电放电保护的量值及所述电感器的绕线的宽度。
11.如申请专利范围第10项所述的系统，其中选择性地调整包含调整在该T-线圈网络的一个输入节点处该寄生桥接电容对未包含一个实体电容器在内的该负载电容测度的比例。
12.如申请专利范围第10或11项所述的系统，其中决定该寄生桥接电容包含根据该T-线圈网络内的一终端电阻器的一个寄生电容，标注为CTM、一耦接于该T-线圈网络的一输入处的一个输入/输出焊垫的一寄生电容，标注为CPD、以及所述电感器的一绕线间电容，标注为CBI，以决定该寄生桥接电容。
13.如申请专利范围第10至12项中任一项所述的系统，进一步包含根据CB=[(CTM*CPD)/(CTM+CPD)]+CBI以计算该寄生桥接电容，其中该寄生桥接电容标注为CB。
14.如申请专利范围第10、12或13项中任一项所述的系统，其中选择性地调整包含当该桥接电容小于该负载电容测度时，增加所述电感器的绕线的宽度。
15.如申请专利范围第10、12或13项中任一项所述的系统，其中选择性地调整包含当该桥接电容超过该负载电容测度时，增加静电放电保护的量值。