1.一种M绕组耦合电感器，M为大于1的整数，所述耦合电感器包括：
第一端部磁元件；
第二端部磁元件；
M个连接磁元件，每个所述连接磁元件设在所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件之间并且连接所述第一和第二端部磁元件；
M个绕组，每个所述绕组至少部分地绕所述M个连接磁元件中的相应的一个连接磁元件缠绕；以及
至少一个顶部磁元件，与所述M个连接磁元件中的至少两个连接磁元件相邻，并且至少部分在所述至少两个连接磁元件上延伸，以提供用于所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件之间的磁通量的通路，
所述至少一个顶部磁元件在所述第一端部磁元件之上延伸并与所述第一端部磁元件隔开第一间隙，所述至少一个顶部磁元件在所述第二端部磁元件之上延伸并与所述第二端部磁元件隔开第二间隙，所述第一间隙和所述第二间隙中的每一个包括各自的间隙材料，所述各自的间隙材料具有比形成所述磁元件的一种或多种磁性材料低的导磁率。
2.如权利要求1所述的耦合电感器，每个所述绕组各自的漏电感值是所述第一间隙的厚度的函数以及所述第二间隙的厚度的函数。
3.如权利要求2所述的耦合电感器，还包括选自胶和非磁性间隔件的非磁性材料，所述非磁性材料将所述至少一个顶部磁元件与所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件隔开。
4.如权利要求2所述的耦合电感器，所述M个绕组中的至少一个充当所述至少一个顶部磁元件与所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件之间的间隔件。
5.如权利要求1所述的耦合电感器，M是大于2的整数。
6.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件包括单独的顶部磁元件。
7.如权利要求1所述的耦合电感器，每个所述绕组均为具有矩形横截面的单层和单匝绕组。
8.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件形成外表面，所述外表面的至少一部分是平坦的。
9.如权利要求1所述的耦合电感器，每个所述连接磁元件均具有各自的宽度，相邻的连接磁元件之间的分隔距离小于每一相邻的连接磁元件中的各自的宽度的25％。
10.如权利要求1所述的耦合电感器，每个所述连接磁元件具有各自的宽度，相邻的连接磁元件之间的分隔距离小于每一相邻的连接磁元件中的各自的宽度的10％。
11.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件与所述M个连接磁元件的全部相邻并在之上延伸。
12.如权利要求1所述的耦合电感器，所述耦合电感器具有第一侧，所述第一侧与第二侧相对，所述M个绕组中的每一个具有朝所述耦合电感器的所述第一侧延伸的各自第一端，并且所述M个绕组中的每一个具有朝所述耦合电感器的所述第二侧延伸的各自第二端。
13.一种M相电源，M为大于1的整数，所述电源包括：
耦合电感器，包括：
第一端部磁元件，
第二端部磁元件，
M个连接磁元件，每个所述连接磁元件均设在所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件之间并且连接所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件，
M个绕组，每个所述绕组至少部分地绕所述M个连接磁元件的相应的一个连接磁元件缠绕，每个所述绕组均具有各自的第一端、各自的第二端，每个所述第一端与公共第一节点电耦合，以及
至少一个顶部磁元件，与所述M个连接磁元件中的至少两个连接磁元件相邻，并且至少部分在所述至少两个上连接磁元件延伸，以提供用于所述第一端部磁元件和所述第二端部磁元件之间的磁通量的通路，
所述至少一个顶部磁元件在所述第一端部磁元件之上延伸并与所述第一端部磁元件隔开第一间隙，所述至少一个顶部磁元件在所述第二端部磁元件之上延伸并与所述第二端部磁元件隔开第二间隙，所述第一间隙和所述第二间隙中的每一个包括各自的间隙材料，所述各自的间隙材料具有比形成所述磁元件的一种或多种磁性材料低的导磁率，每个所述绕组各自的漏电感值为所述第一间隙的厚度的函数和所述第二间隙的厚度的函数；以及M个切换电路，每个所述切换电路与相应的绕组的第二端电耦合，且被构造为使所述第二端在至少两个不同的电压之间切换。
14.如权利要求13所述的电源，M是大于2的整数。
15.如权利要求13所述的电源，每个所述连接磁元件具有各自的宽度，相邻的连接磁元件之间的分隔距离小于每一相邻的连接磁元件中的各自的宽度的25％。
16.如权利要求13所述的电源，每个切换电路配置为在至少20千赫的频率下使其相应的第二端在至少两个不同的电压之间切换。
17.如权利要求13所述的电源，所述电源配置成作为选自升压型变换器、降压型变换器以及降压-升压型变换器的直流-直流变换器来操作。