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一种多层自带绒面的AZO 薄膜
申请号	CN201611188632.0	申请日	2016-12-21	公开(公告)号	CN107527959A	公开(公告)日	2017-12-29
申请人	蚌埠玻璃工业设计研究院; 中国建材国际工程集团有限公司;			发明人	彭寿; 姚婷婷; 杨勇; 金克武; 李刚; 沈洪雪; 曹欣; 徐根保; 王芸;
摘要	本发明公开一种多层自带绒面的AZO 薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层 AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加；将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。
权利要求	1.一种多层自带绒面的AZO 薄膜，其特征在于，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加。 2.根据权利要求1所述的一种多层自带绒面的AZO薄膜，其特征在于，所述底层AZO薄膜的晶粒尺寸为200～300nm、中间层AZO薄膜的晶粒尺寸为350～450nm、顶层AZO薄膜的晶粒尺寸为500～600 nm。 3.根据权利要求1或2所述的一种多层自带绒面的AZO薄膜，其特征在于，每层AZO薄膜的厚度均为200～250nm。
说明书全文	一种多层自带绒面的AZO 薄膜技术领域 [0001] 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，具体是一种多层自带绒面的AZO薄膜。背景技术 [0002] 在当今世界能源危机日益严重的形势下，人们对太阳能电池的研究取得了很大的发展。高质量的太阳能电池，特别是薄膜太阳能电池，其性能强烈地依赖于作为窗口电极的透明导电膜层的性能。 [0003] 目前ZnO:Al透明导电材料以其自身的一些优势成为了太阳能电池窗口层最常用的材料。因此，与太阳能电池的制备工艺整合起来研究AZO透明导电薄膜的制备，对于太阳能电池光转化效率的提高和整个光伏产业的发展具有重大的意义。发明内容 [0004] 本发明的目的在于提供一种多层自带绒面的AZO薄膜，该薄膜能够提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。 [0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加。 [0006] 进一步的，所述底层AZO薄膜的晶粒尺寸为200～300nm、中间层AZO薄膜的晶粒尺寸为350～450nm、顶层AZO薄膜的晶粒尺寸为500～600 nm。 [0007] 进一步的，每层AZO薄膜的厚度均为200～250nm。 [0008] 本发明的有益效果是，将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。附图说明 [0009] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：图1是本发明的结构示意图。具体实施方式 [0010] 如图1所示，本发明提供一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜1、中间层AZO薄膜2与顶层AZO薄膜3，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，作为优选的，底层AZO薄膜1的晶粒尺寸为200～300nm、中间层AZO薄膜的晶粒尺寸为350～450nm、顶层AZO薄膜的晶粒尺寸为500～600 nm；作为优选的，每层AZO薄膜的厚度均为200～250nm；每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加，形成多层绒面结构的AZO薄膜。 [0011] 将上述得到的AZO薄膜分别进行透过率测试、雾度测试、电阻率测试与XRD测试，可见光平均透过率为84.7%、雾度为17.6%、电阻率为4.8*10-4Ω•cm，XRD图谱表明AZO薄膜在2θ=34.4°出现强衍射峰，对应六角纤锌矿ZnO结构（002）衍射峰。 [0012] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

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