1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：
基底；
堆叠层，所述堆叠层在所述基底上形成，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层；
沟道孔，设置在所述堆叠层中；
ONO层，所述ONO层沉积在所述沟道孔中；
N+漏极层，所述N+漏极层沉积在所述ONO层表面；
P+源极层，所述P+源极层沉积在所述N+漏极层上。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，还包括：
Ox层，所述Ox层填充在所述P+源极层内。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述ONO层，包括沿字线方向依次填充的Ox、Ni以及Ox。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，还包括：
N+塞，所述N+塞形成在所述沟道孔的顶部。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，还包括：
第一金属，所述第一金属通过过孔与所述N+塞相连，所述第一金属作为搜书存储器件的位线。
6.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成堆叠层，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层；
在所述堆叠层中形成沟道孔；
在所述沟道孔中，沉积ONO层；
在所述ONO层表面沉积N+漏极层；
在所述N+漏极层上沉积P+源极层。
7.根据权利要求6所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述沉积ONO层，包括：
沿字线方向依次填充有Ox、Ni以及Ox。
8.根据权利要求6所述的存储器件的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述沟道孔的顶部形成N+塞。
9.根据权利要求8所述的存储器件的制造方法，其特征在于，还包括：
所述N+塞通过过孔与第一金属相连，所述第一金属作为所述存储器件的位线。