[0001] 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，具体是一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃。

[0002] 随着CIGS薄膜太阳能电池的迅速发展，将大幅拉动CIGS薄膜太阳能电池用背板玻璃的需求，背板玻璃具有高电导率，并与CIGS薄膜形成欧姆接触，还能够阻挡硒的腐蚀，该类型的玻璃产品市场空间巨大，有利于我国光伏产业的持续健康发展。同时，国内玻璃产业面临产能过剩的局面，急需转型升级，如该项目产品推广应用，将促进玻璃产业新发展。

[0003] 目前制备背板玻璃，一般为普通钠钙玻璃+Mo膜的结构，这种结构有以下缺点：一、 普通钠钙玻璃中Na+向CIGS吸收层扩散是不可控的，过多的Na+扩散反而会降低CIGS太阳能电池转换效率；并且在后期高温硒化过程中普通钠钙玻璃容易导致背板玻璃变形，两者都会导致产品良率下降；
二、由于传统Mo背电极中Mo膜较厚，导致薄膜应力大，与基板玻璃附着强度较低；且Mo膜制备成本较高。

[0004] 本发明的目的在于提供一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃，该背板玻璃具有高应变点、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且多层膜结构与玻璃基底附着强度高，能够阻挡玻璃基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。

[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底的应变点≥570℃、软化点≥800℃；所述玻璃基底顶面由下至上依次设有SiN膜层、CuZn膜层、ZnAl膜层、降阻膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；
所述降阻膜层为Ti膜层或Cu膜层；
所述防腐蚀膜层为MoN、MoO、TiN或TiON膜层；
所述SiN膜层的厚度为80～120 nm，CuZn膜层的厚度为50～90 nm，ZnAl膜层的厚度为
30～60 nm，降阻膜层的厚度为15～35 nm，防腐蚀膜层的厚度为20～50 nm，Mo膜层的的厚度为35～65 nm。

[0006] 本发明的有益效果是；一、采用高应变点玻璃作为玻璃基底，应变点和软化点较高，550℃以上的制程温度使得玻璃基底在后期硒化过程中不会产生形变；
二、采用多层膜结构，SiN膜层可有效阻挡玻璃基底中的Na+扩散至CuZn膜层，且保持CuZn膜层中金属离子与SiN膜层及玻璃基底的绝缘性，有益CIGC薄膜太阳能电池效率的提高。CuZn膜层可以抗腐蚀并降低光伏背板玻璃整体的电阻率。

[0007] 三、ZnAl膜层使CuZn膜层至降阻膜层有较好的结合力，减小整体光伏背板玻璃膜层的薄膜内应力。

[0008] 四、降阻膜层可相对降低ZnAl膜层至防腐蚀膜层的电阻率，防腐蚀膜层能够防止后期硒化过程中硒对CuZn膜层的腐蚀。

[0009] 五、Mo膜层使得硒与Mo反应适量并可控，并与CIGS薄膜形成良好的欧姆接触。附图说明

[0010] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：图1是本发明的结构示意图。

[0011] 如图1所示，本发明提供一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃，包括玻璃基底1，玻璃基底1的应变点≥570℃、软化点≥800℃、热膨胀系数≤ 85×10-7/℃，2mm厚度的玻璃基底1在波长400～800nm时的光透过率≥92%；所述玻璃基底1顶面由下至上依次设有SiN膜层2、CuZn膜层3、ZnAl膜层4、降阻膜层5、防腐蚀膜层6与Mo膜层7；
所述降阻膜层5为Ti膜层或Cu膜层；
所述防腐蚀膜层6为MoN、MoO、TiN或TiON膜层；
所述SiN膜层2的厚度为80～120 nm，CuZn膜层3的厚度为50～90 nm，ZnAl膜层4的厚度为30～60 nm，降阻膜层5的厚度为15～35 nm，防腐蚀膜层6的厚度为20～50 nm，Mo膜层7的的厚度为35～65 nm。

[0012] 可采用磁控溅射法，在玻璃基底1顶面由下至上依次溅射生长各个膜层。

[0013] 将上述得到薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃分别进行方阻测试、耐摩擦测试与耐腐蚀测试：方阻0.7Ω/□，采用刮膜器进行实验后发现没有脱模，并进行双85耐腐蚀测试，发现整体光伏背板玻璃曝露在高湿度下能够抵抗湿气长期渗透。

[0014] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。