검사 장치, 검사 방법 및 제조 방법 |
|||||||
| 申请号 | KR20187004493 | 申请日 | 2016-08-01 | 公开(公告)号 | KR20180030163A | 公开(公告)日 | 2018-03-21 |
| 申请人 | ASML NETHERLANDS BV; | 发明人 | QUINTANILHA RICHARD; | ||||
| 摘要 | 제품구조체(407, 330')는결함(360-366)을가지고형성된다. 적어도부분간섭성인 EUV 방사선의스폿(S)이제품구조체(604) 상에제공되어상기제품구조체에의해산란된후에방사선에의해형성되는적어도하나의회절패턴(606)을캡쳐한다. 레퍼런스데이터(612)는공칭제품구조체를기술한다. 제품구조체의적어도하나의합성이미지(616)가캡쳐된이미지데이터로부터계산된다. 합성이미지로부터의데이터가레퍼런스데이터와비교되어제품구조체내의결함(660-666)을식별한다. 일실시예에서, 복수개의회절패턴이직렬중첩스폿(S(1)-S(N))을사용하여획득되고, 합성이미지는회절패턴및 상대변위에대한지식을사용하여계산된다. EUV 방사선은관심대상구조체의치수에가까운, 5 내지 50 nm의범위에속하는파장을가질수 있다. | ||||||
| 权利要求 | |||||||
| 说明书全文 | |||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈