X-ray microscopy and x-ray microscopic method |
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申请号 | JP2008520103 | 申请日 | 2006-06-02 | 公开(公告)号 | JP4826632B2 | 公开(公告)日 | 2011-11-30 |
申请人 | 株式会社日立製作所; | 发明人 | 義弘 阿南; 雅成 高口; | ||||
摘要 | |||||||
权利要求 | 試料を保持する試料台と、 該試料の表面上で電子線を収束、走査するための照射光学系と、 該電子線の走査により試料を透過したエックス線を検出する検出器と、 該電子線の走査により試料を透過した電子線を検出する検出器と、 該検出器で検出された信号から前記試料の透過像を形成する手段と、 該透過像を表示する手段と 、 X線を発生させる薄膜とを有し、 前記試料には 、薄片化した試料であって該電子線の入射側に 前記薄膜を形成した試料を用いることを特徴とするエックス線顕微鏡。 請求項1に記載の試料台には、試料の温度を調整する機構を設けることを特徴とするエックス線顕微鏡。 請求項2に記載の試料の温度を調整する機構において、 液体窒素、液体酸素、液体ヘリウム、ペルティエ素子で試料を冷却する機構と、ヒータで試料を加熱する機構を備えることを特徴とするエックス線顕微鏡。 電子線が透過できる厚さを有し、且つ該電子線を照射してエックス線を発生させる薄膜が形成された試料を保持する試料台と、 前記電子線を前記試料に照射し走査する照射光学系と、 該電子線の走査により試料を透過する電子を検出する透過電子検出器と、 該電子線の走査により試料を透過するエックス線を検出するエックス線検出器と、 前記透過電子検出器で検出される前記試料の画像情報または前記エックス線検出器で検出される前記試料の画像情報から、前記試料の透過像またはエックス線像を形成し表示する画像形成手段と、 前記透過電子検出器で検出される前記試料の画像情報から、前記エックス線像を取得するための前記電子線の照射位置を制御する手段を備えることを特徴とするエックス線顕微鏡。 請求項4記載のエックス線顕微鏡において、 前記電子線の照射により前記試料から散乱した電子線を検出する散乱電子検出器を備え、 当該散乱電子検出器で検出される前記試料の画像情報から、前記試料の散乱電子像を前記画像形成手段に表示できることを特徴とするエックス線顕微鏡。 試料内部の構造物を観察するエックス線顕微方法において、 前記構造物を露出させ、前記構造物を電子線が透過できるように前記試料を研磨し、 前記試料の研磨された箇所に前記電子線を照射してエックス線を発生させる薄膜を形成し、 研磨後の前記試料に前記電子線を照射して前記構造物の透過像を形成し、 前記形成された透過像を基に、前記構造物への前記電子線の照射位置を決定し、 当該照射位置に前記電子線を照射して発生するエックス線を検出してエックス線像を取得することを特徴とするエックス線顕微方法。 電子線が透過できる厚さを有し、且つ該電子線を照射してエックス線を発生させる薄膜が形成された試料を保持する試料台と、 前記電子線を前記試料に照射し走査する照射光学系と、 該電子線の走査により試料を透過する電子を検出する透過電子検出器と、 該電子線の照射により前記試料から散乱した電子線を検出する散乱電子検出器と、 該電子線の走査により試料を透過するエックス線を検出するエックス線検出器と、 前記透過電子検出器で検出される前記試料の画像情報、前記散乱電子検出器で検出される前記試料の画像情報または前記エックス線検出器で検出される前記試料の画像情報から、前記試料の透過像、散乱電子像またはエックス線像を形成し表示する画像形成手段と、 前記透過電子検出器または前記散乱電子検出器で検出される前記試料の画像情報から、前記エックス線像を取得するための前記電子線の照射位置を制御する手段を備えることを特徴とするエックス線顕微鏡。 |
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说明书全文 | 本発明は、走査透過電子顕微鏡をベースとしたエックス線顕微鏡および顕微方法に関する。 本発明は、半導体デバイスやバイオ材料などをナノメートルレベルの高空間分解能で非破壊にて透視する新たな計測手法を供するものである。 この明細書で参照される文献は以下の通りである。 文献は、その文献番号によって参照されるものとする。 電子線より透過能が高く、光より高空間分解能で透過像が得られるエックス線顕微鏡(以下、X線顕微鏡)については、多くの研究や実用化装置が市販されている。 これらは大別して、(1)走査透過型結像法、(2)投射投影型結像法の2種に大別される。 本発明では、走査透過型結像法をベースに上記課題である空間分解能と像S/Nとを向上させたX線顕微鏡およびX線顕微方法を提供する。 図1は、インレンズ型走査透過電子顕微鏡(STEM)をベースにしたX線顕微鏡の構成例である。 図1には、本発明の1実施例を示す。 ここでは、通常、走査透過電子顕微鏡 (STEM:Scanning Transmission Electron microscope)と呼ばれる装置を電子線装置として用いている。 すなわち、電子銃11から放射された1次電子線26は照射レンズ12、コンデンサ絞り13、軸ずれ補正用偏向器14、スティグメータ15、イメージシフト用偏向器16、走査用偏向器17、対物レンズ18で微小に成形されて試料ステージ20上に固定された試料24にフォーカスされて照射される。 本発明においては、試料24上に直接X線ターゲットとなる薄膜を形成する。 例えば図1においては、試料24上に蒸着膜25を蒸着により形成しており、1次電子線26はまず蒸着膜25に入射する。 従って、試料24の直上で電子線に励起されたX線27が発生し、これが試料24を透過し、シンチレータ33を介して、CCDカメラ34に入射する。 ここでCCDカメラ34は光像を検知するものであり、直接X線を照射しても結像することができるが、X線は透過能が高く、CCDの分光感度特性と合わせるためには、シンチレータ33でCCDの受光感度(変換量子効率)の高い500nm光にX線を変換することとした。 ここでは、例えばCeをドープしたYAG単結晶などを用いることが有効である。 図1では、CCDカメラ34は大気中に設置する構造とした。 すなわち、X線27はX線窓付き真空フランジ32を透過してシンチレータ33上に結像する。 しかしながら、X線のエネルギーが低い場合、シンチレータ33とCCDカメラ34は真空中に設置される場合もある。 CCDカメラ34は、高感度化、すなわち像S/N向上の観点でペルティエ素子、もしくは水冷されること、信号の読み出し速度を遅くするいわゆるスロースキャンの機能を有するものとする。 図2には、本発明の1実施例を示す。 ここでは、通常、走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron microscope)と呼ばれる装置を電子線装置として用いている。 すなわち、電子銃11から放射された1次電子線26は照射レンズ12、コンデンサ絞り13、軸ずれ補正用偏向器14、スティグメータ15、イメージシフト用偏向器16、走査用偏向器17、対物レンズ18で微小に成形されて試料ステージ20上に固定された試料24にフォーカスされて照射される。 本発明においては、実施例1と同様、試料24上に直接X線ターゲットとなる薄膜を形成する。 1次電子線26はまず蒸着膜25に入射する。 従って、試料24の直上で電子線に励起されたX線27が発生し、これが試料24過し、シンチレータ33を介して、CCDカメラ34に入射する。 CCDカメラ34は大気中に設置する構造とした。 すなわち、X線27はX線窓付き真空フランジ32過してシンチレータ33結像する。 電子銃11射レンズ12、コンデンサ絞り13、軸ずれ補正用偏向器14、スティグメータ15、イメージシフト用偏向器16、走査用偏向器17、対物レンズ18はそれぞれ電子銃制御回路11'、照射レンズ制御回路12'、コンデンサ絞り制御回路13'、軸ずれ補正用偏向器制御回路14'、スティグメータ制御回路15'、イメージシフト用偏向器制御回路16'、走査用偏向器制御回路17'、対物レンズ制御回路18'を介してシステム制御・表示計算機22から制御される。 同様に、試料ステージ20は、試料ステージ制御回路20'を介してシステム制御・表示計算機22から制御される。 本実施例では、試料24近傍にX線もしくは2次電子検出器19、上方に、E×B偏向器42、2次電子もしくは反射電子検出器31を設置する。 これも実施例1と同様、ビームを精度良く蒸着膜25上に収束させるためである。 E×B偏向器42はE×B偏向器制御回路42'、2次電子もしくは反射電子検出器31は2次電子もしくは反射電子検出器制御回路31'により、システム制御・表示計算機22から制御される。 ここでは、図3から図7を用い、X線顕微方法、特に半導体デバイス評価を例に試料前処理について説明する。 図3(a)前処理前の典型的な構造を有する半導体デバイスの断面構造図である。 すなわち、シリコン基板上にプラグやゲート構造があり、さらに上方にこれらを電気的に繋ぐ配線構造がある。 図中において太実線は試料の表面輪郭を示しており、太点線は、点線を介して隣接した場所にも構造が繋がっている事を示している。 半導体デバイス解析においては、表面から下の配線やプラグ構造の断線、ボイド、また、プラグ基板間の変質層の有無や基板中結晶欠陥の有無を迅速に評価することが求められている。 従来は、収束イオンビームを用い、半導体ウェハから目的の薄膜試料を摘出し、これを透過電子顕微鏡などで高分解能観察していたが、試料摘出のために時間がかかり、試料へのダメージなども問題であることから、層間膜のような変形しやすい構造体の評価への適用も困難であった。 このため、X線のような透過能の高いプローブによる評価が求められるが、既に述べたように、電子線のように高空間分解能での評価が難しいという問題があった。 例えば、上記の評価課題について、配線では100nm以下(ボイドなどでは10nm変質層や欠陥の評価では1nm分解能が求められる。このために、試料に直接X線ターゲット膜を設けることで高分解能化を図ることを実施例1、2で述べて来た。これに対応し、図3では最もシンプルなX線ターゲット膜形成法を示した。すなわち、試料24上に直接蒸着膜25を形成する。この時、X線の入射方向は図中上から下向きである。これにより、蒸着膜25で発生したX線は試料24中を透過する。この際、組成や密度によりX線の吸収量が異なることから、試料を透過したX線分布を2次元的にとらえることで、試料中の組成や密度分布を得ることが出来る。蒸着膜の厚さは電子線が十分に停止し、かつX線が内部で吸収されない厚さが理想的である。通常、電子線の加速電圧をE(KV)、ターゲット試料の密度ρ(g/cc)の場合、電子線が侵入する深さとして、飛程Rρ(mg/cm 2 )が以下の式(数1)で与えられる。
本発明では、試料上にX線源となるターゲット膜を直接形成することから、試料の温度上昇というこれまでの方法にはない固有の問題が発生する。 すなわち、できるだけ多くのX線を発生させることから、電子線はマイクロアンペア以上の電流を照射する必要があり、試料形状にもよるが、温度上昇は数100°に及ぶ可能性がある。 この場合、試料の変形や流動、溶解などの問題が発生する。 このため、図8に示す試料ステージを考案した。 図8において、配線構造を残して研磨された試料24は試料ホルダ20上に固定されている。 蒸着膜25側から1次電子線26を照射し、発生したX線27が試料24中を透過し、試料ホルダ20に設けられた孔を通って下方に非図示のCCDカメラ34方向に投影される。 試料ホルダ20は冷却棒38を介して液体窒素タンク36中の液体窒素37に熱的に接触している。 試料24を効果的に冷却するために、試料24を取り囲む形で冷却冶具35が配置される。 液体窒素37と液体窒素タンク36は大気中に設置する必要があるため、冷却棒38は電子顕微鏡鏡体44に対してオーリングを介して真空シールされる。 すなわち、試料24は真空中で液体窒素温度に冷却される。 一方、試料を出し入れする際には、結露を起こさないために試料24は常温に戻っている必要がある。 このため、試料ホルダ20中にはヒータ制御電源40で制御されたヒータ39が埋め込まれるものとし、出し入れの際は試料温度を液体窒素温度から常温に戻すこととする。 半導体デバイスやバイオ材料などをナノメートルレベルの高空間分解能で非破壊にて透視できる新たな計測手法を供する。 |