1.增强铈掺杂正硅酸钇镥LYSO单晶体响应高能辐照的性能的方法，所述单晶体具有空间群为C2/c的单斜晶体结构，该方法包括：
通过在含氧环境中加热LYSO单晶体一段时间将氧扩散到LYSO单晶体中。
2.权利要求1的方法，其中进行扩散以便将LYSO单晶体完全氧化。
3.权利要求1的方法，其中进行扩散但不将铈进一步氧化成4+态。
4.权利要求1的方法，其中进行扩散但LYSO单晶体在视觉上不呈现黄色。
5.权利要求1的方法，进一步包括形成其至少一维尺度不大于20mm的LYSO单晶体。
6.权利要求5的方法，其中该晶体的形成包括形成棒状的晶体。
7.权利要求5的方法，其中该晶体的形成包括形成矩形的晶体。
8.权利要求1的方法，其中该含氧环境包括大气压力下的空气。
9.权利要求1的方法，其中该含氧环境处于高于大气压力的压力下。
10.权利要求1的方法，其中该含氧环境具有高于空气的氧浓度。
11.权利要求1的方法，其中LYSO单晶体的加热包括将该晶体加热到1100℃至1400℃的温度。
12.权利要求1的方法，其中LYSO单晶体的加热包括将该晶体加热到1100℃的温度。
13.权利要求1的方法，其中该时间周期是30至120小时。
14.权利要求1的方法，其中该时间周期是30至100小时。
15.权利要求1的方法，其中该扩散导致基于LYSO单晶体光输出的增强性能。
16.权利要求1的方法，其中该扩散导致基于LYSO单晶体的改善的能量分辨率的增强性能。
17.权利要求1的方法，其中该扩散导致基于单晶体能量分辨率改善至少10％的增强性能。
18.一种增强铈掺杂正硅酸钇镥LYSO单晶体响应高能辐照的性能的方法，所述单晶体具有空间群为C2/c的单斜晶体结构，所述LYSO单晶体中具有氧空位，该方法包括：
供应氧填充LYSO单晶体中的至少一部分氧空位。
19.权利要求18的方法，其中进行供应以便将LYSO单晶体完全氧化。
20.权利要求18的方法，其中进行供应但不将铈进一步氧化成4+态。
21.权利要求18的方法，其中进行供应但LYSO单晶体在视觉上不呈现黄色。
22.权利要求18的方法，进一步包括形成至少一维尺度不大于20mm的LYSO单晶体。
23.权利要求18的方法，其中供应包括使LYSO单晶体在高温下与大气压力的空气接触。
24.权利要求23的方法，其中供应的高温是1100℃至1400℃。
25.权利要求23的方法，其中该接触的持续时间是30至120小时。
26.权利要求18的方法，其中该扩散导致基于LYSO单晶体的光输出和LYSO单晶体的能量分辨率至少其中之一的增强性能。