1.一种处理系统，其包括：
等离子体源，其用于提供等离子体，
工件固持器，其经布置以接收来自所述等离子体的离子；以及
脉冲偏压电路，其电耦合到所述等离子体源，所述脉冲偏压电路可操作以将供应到所述等离子体源的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于所述接地处于负偏压。
2.根据权利要求1所述的处理系统，其还包括安置于所述等离子体源与所述工件固持器之间的提取板，所述提取板经布置以在所述高电压状态期间界定离子束。
3.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述脉冲偏压电路包括高电压电路，所述高电压电路包含用于在所述偏压电压切换到所述高电压状态时将电流放电到所述等离子体源中的电容器。
4.根据权利要求3所述的处理系统，所述高电压电路包括：高电压电力供应器，其供应正电压；以及高电压开关，其可操作以交替地连接和断开所述高电压电力供应器与所述等离子体源。
5.根据权利要求4所述的处理系统，其包括低电压电路，所述低电压电路包含：
低电压电力供应器，其输出负电压；以及
低电压开关，其可操作以交替地连接和断开所述低电压供应器与所述等离子体源。
6.根据权利要求3所述的处理系统，由所述等离子体源界定的所述高电压状态相对于所述工件固持器具有+100伏特以上的电位。
7.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述脉冲偏压电路包括低电压电路，所述低电压电路包含用于在所述偏压电压切换到所述低电压状态时将电流从所述等离子体源放电的电容器。
8.根据权利要求7所述的处理系统，由所述等离子体源界定的所述低电压状态相对于所述工件固持器具有约-2伏特与-100伏特之间的电位。
9.根据权利要求1所述的处理系统，其还包括指导所述脉冲偏压电路输出包括所述高电压状态和所述低电压状态的交替部分的电压脉冲串的控制器，所述控制器可操作以改变所述电压脉冲串的占空比。
10.一种在处理系统中处理工件的方法，其包括：
使用等离子体源点燃等离子体；
将工件固持器接地以接收来自所述等离子体的离子；以及
将电压脉冲串施加到所述等离子体源，所述电压脉冲串包括高电压部分和低电压部分，在所述高电压部分中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压部分中，所述等离子体源相对于接地处于负偏压。
根据权利要求10所述的方法，其包括引导电子通过安置于所述等离子体源与所述工件固持器之间的提取板，其中所述离子界定包括以一角度范围朝所述工件固持器入射的离子的离子束。
11.根据权利要求10所述的方法，其包括在偏压电压切换到高电压状态时将电流从电容器放电到所述等离子体源中。
12.根据权利要求10所述的方法，其包括在所述偏压电压切换到低电压状态时将电流从所述等离子体源放电到电容器中。
13.根据权利要求10所述的方法，其包括将等离子体源电位设置为相对于所述工件固持器处于+100伏特以上的所述高电压状态。
14.根据权利要求10所述的方法，其包括将等离子体源电位设置为相对于所述工件固持器处于约-2伏特与-100伏特之间的所述低电压状态。
15.根据权利要求10所述的方法，其还包括：
在所述电压脉冲串施加到所述等离子体源之后监视所述工件处的电荷；以及通过响应于所述电荷而改变以下各者中的一者或一者以上来设置第二电压脉冲串：所述高电压状态中的设置电压、所述低电压状态中的设置电压、所述高电压状态的持续时间以及所述低电压状态的持续时间。
16.一种离子注入系统，其包括：
等离子体源；
可移动工件固持器，其耦合到接地以在移动所述工件固持器的同时接收来自由所述等离子体源供应的等离子体的离子；
提取板，其安置于所述等离子体源与所述工件固持器之间且经布置以将离子以一角度范围导向所述工件固持器；以及
脉冲偏压电路，其可操作以将供应到所述等离子体源和所述工件固持器的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于负偏压。
17.根据权利要求17所述的离子注入系统，其中所述脉冲偏压电路包括：
高电压电路，其包含用于在所述偏压电压切换到所述高电压状态时将电流放电到所述等离子体源中的电容器；以及
低电压电路，其包含用于在所述偏压电压切换到所述低电压状态时将电流从所述等离子体源放电的电容器。
18.根据权利要求18所述的离子注入系统，由所述等离子体源界定的所述高电压状态相对于接地具有+100伏特以上的电位，且由所述等离子体源界定的所述低电压状态相对于接地具有约-2伏特与-100伏特之间的电位。