1.一种材料，其包含：
有效充当闪烁体的第一金属卤化物；其中所述第一金属卤化物排除碘化铯和溴化铯；
和
布置在所述第一金属卤化物表面上的包含第二金属卤化物的表面层；其中所述第二金
属卤化物具有比第一金属卤化物更低的水溶解度。
2.权利要求1所述的材料，其进一步包含布置在所述第二金属卤化物表面上的另一层；
其中所述另一层包含具有比第二金属卤化物更低水溶解度的第三金属卤化物。
3.权利要求1所述的材料，其中所述第一金属卤化物具有由式(1)表示的组成：
M1X1a:Yb                                                          (1)
其中M1为金属，该金属为锂、钠、钾、铷、铯、铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钙、铈、钇、钪、钆、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕，X1为卤素，其中该卤素为氯、溴、碘、砹或其组合，Y为共掺质并包含铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钆、钙、钾、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕中的一种或多种，其中M1和Y为不同的元素，其中a具有1至4的值，并且其中b具有0至约1的值，并且其中第二金属卤化物具有由式(5)表示的组成
M1X2a:Yb                                                          (5)
其中M1、Y、a和b在上文式(1)中详细描述，其中式(5)中的X2为卤素，该卤素为氟、氯、溴、碘、或其组合并且具有至少一种具有比式(1)中的X1更低原子量的卤素原子。
4.权利要求1所述的材料，其中b具有约0.001至约0.5的值，并且其中“a”具有1、2或3的
值。
5.权利要求3所述的材料，其中当X2和X1都涉及卤素原子组合时，X2的组合原子量少于
X1，或者当X2涉及卤素原子组合，但X1只包含单一卤素原子时，则X2包含至少一种具有比在X1中包含的单一卤素原子更低原子量的卤素原子。
6.权利要求1所述的材料，其中所述第一金属卤化物具有由式(2)、式(3)或式(4)表示
的组成：
M1lM2mX1a:Yb                                                           (2)
M1lM2mM3nX1a:Yb                              (3) 和
M1lM2mM3nM4o X1a:Yb                       (4),
其中在式(2)、(3)和(4)中，在适用的情况下，M1为锂、钠、钾、钙、铷、钆、铯、铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钙、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕，M2选自硼、铝、镓、铟、钠、钾、钙、钆、铷、铯、铊、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕，M3和M4彼此不同，并且为锶、钙、钡、钆、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、
1
镝、铒、铥或钕中的一种，X为选自氯、溴、碘、砹、或其组合的卤素；Y为共掺质并包含铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钆、钙、钾、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕中的一种或多种，其中l为0至3，m为0至3，n为0至3，和o为0至3，其中式(2)中的l+ m的总和不等于0，其中在式(3)中，l + m、m + n、l + n和l + m + n的总和不等于
0，并且其中在式(4)中，l + m、m + n、l + n、l +o、m + o、n + o和l + m +n +o的总和不等于0；其中在式(2)、(3)和(4)中，“a”为1至8，和“b”为0至约1；其中在式(2)中，M1、M2和Y彼此不同，并且M1或M2的仅一个为稀土金属；其中在式(3)中，M1、M2、M3和Y彼此不同并且M1、M2和M3中的至少一个为稀土金属，并且其中在式(3)中，M2、M3和Y彼此不同，并且都可以是或可以不是稀土金属，并且其中在式(4)中，M1、M2、M3和M4与Y彼此各不相同，并且M1、M2、M3和M4中的至少一个和Y为稀土金属。
7.权利要求6所述的材料，其中所述第二金属卤化物具有由式(5)表示的组成
M1X2a:Yb                                                          (5)
其中M1为金属，该金属为锂、钠、钾、铷、铯、铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钙、铈、钇、钪、钆、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕，X1为卤素，其中该卤素为氯、溴、碘、砹或其组合，并且Y为共掺质并包含铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钆、钙、钾、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕中的一种或多种，其中M1和Y是不同的元素，其中a具有1至4的值，并且其中b具有0至约1的值，并且其中式(5)中的X2为卤素，该卤素为氟、氯、溴、碘、或其组合并具有至少一种具有比式(2)、(3)和(4)中的
1
X更低原子量的卤素原子。
8.权利要求6所述的材料，其中所述第二金属卤化物具有由式(6)至(8)表示的组成
M1lM2mX2a:Yb                                                            (6)
M1lM2mM3nX2a:Yb                               (7) 和
1 2 3 4 2
MlMmMnMo Xa:Yb                        (8),
其中来自式(6)、(7)和(8)的M1、M2、M3、M4、X、Y、l、m、n、o、a和b在上文式(2)、(3)和(4)中定义，并且其中来自式(6)、(7)和(8)的X2具有比式(2)、(3)和(4)中的X1更低的原子量。
9.权利要求7所述的材料，其中当X2和X1都涉及卤素原子组合时，X2的组合原子量低于
X1，或者当X2涉及卤素原子组合，但X1只包含单一卤素原子时，则X2包含至少一种具有比在X1中包含的单一卤素原子更低的原子量的卤素原子。
10.权利要求7所述的材料，其中当X2和X1都涉及卤素原子组合时，X2的组合原子量少于
X1，或者当X2涉及卤素原子组合，但X1只包含单一卤素原子时，则X2包含至少一种具有比在X1中包含的单一卤素原子更低的原子量的卤素原子。
11.权利要求7所述的材料，其中b具有约0.001至约0.5的值，并且其中“a”具有2至7的
值。
12.权利要求1所述的材料，其中所述第一金属卤化物包含NaI:Tl、KI:Tl、CsI:Tl、
LaCl3:Ce、LaBr3:Ce、LuCl3:Ce、LuBr3:Ce、SrI2:Eu或其组合。
13.权利要求1所述的材料，其中所述第二金属卤化物包含NaF:Tl、CsF:Tl、BaF2、CaF2
(Eu)、LaF3:Ce、LaBr3:Ce、LuCl3:Ce、LuBr3:Ce、SrF2:Eu、LaFBr2、LaF2Br或其组合。
14.包含权利要求1所述的材料的制品。
15.权利要求14所述的制品，其中所述制品为正电子发射断层成像装置、计算机断层成
像装置、或单质子发射计算机断层成像装置。
16.一种方法，其包括：
将包含第二金属卤化物的层布置在第一金属卤化物的表面上，其中所述第一金属卤化
物为闪烁体并且排除碘化铯和溴化铯；其中所述第二金属卤化物具有比第一金属卤化物更
低的水溶解度。
17.权利要求16所述的方法，其进一步包括将第三金属卤化物布置在所述第二金属卤
化物的表面上，其中所述第三金属卤化物具有比第二金属卤化物更低的水溶解度。
18.权利要求16所述的方法，其中所述第一金属卤化物具有由式(1)表示的组成：
M1X1a:Yb                                                          (1)
其中M1为金属，该金属为锂、钠、钾、铷、铯、铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钙、铈、钇、钪、钆、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕，X1为卤素，其中该卤素为氯、溴、碘、砹或其组合，并且Y为共掺质并包含铊、铜、银、铅、铋、铟、锡、锑、钽、钨、锶、钡、硼、镁、钆、钙、钾、铈、钇、钪、镧、镥、镨、铽、镱、钐、铕、钬、镝、铒、铥或钕中的一种或多种，其中M1和Y为不同的元素，其中a具有1至4的值，并且其中b具有0至约1的值，并且其中所述第二金属卤化物具有由式(5)表示的组成
M1X2a:Yb                                                          (5)
其中M1、Y、a和b在上文式(1)中详细描述，其中式(5)中的X2为卤素，该卤素为氟、氯、溴、碘、或其组合并具有至少一种具有比在式(1)中的X1更低的原子量的卤素原子。
19.权利要求18所述的方法，其中b具有约0.001至约0.5的值，并且其中“a”具有1、2或3
的值。
20.权利要求18所述的方法，其中当X2和X1都涉及卤素原子组合时，X2的组合原子量少
于X1，或者当X2涉及卤素原子组合，但X1只包含单一卤素原子时，则X2包含至少一种具有比
1
在X中包含的单一卤素原子更低原子量的卤素原子。
21.权利要求16所述的方法，其中通过氯化或氟化第一金属卤化物的表面产生对第二
金属卤化物的布置。