1.光学存储介质，包括基板层、所述基板层上具有在道中设置的标记/间隔结构的数据层以及覆盖层，其特征在于，一条道包括正型标记而相邻的道(T2、T4)包括负型标记，所述正型标记对应于凸起而所述负型标记对应于凹坑。
2.根据权利要求1所述的光学存储介质，其中所述光学存储介质包括具有超分辨率近场结构的掩模层，并且其中所述数据层是只读数据层。
3.根据权利要求1或2所述的光学存储介质，其中所述道设置为螺旋线，其中每隔一道标记结构被反转，并且其中一条螺旋线特别仅包括凸起而相邻的螺旋线特别仅包括凹坑。
4.根据权利要求1或2所述的光学存储介质，其中两条相邻的道的道节距在可用于读取所述光学存储介质的数据的光学检波器的光学分辨率极限之下，所述道节距对于蓝光型检波器的使用特别在150-250nm的范围内。
5.用于制造包括根据前述权利要求之一所述的数据层(3)的光学存储介质(1)的压模，其特征在于，所述压模包括用于制造所述数据层(3)的具有正型和负型标记的表面，所述正型标记对应于凸起而所述负型标记对应于凹坑。
6.根据权利要求5所述的压模，其特征在于，所述压模的表面包括设置为螺旋线的道，其中一条螺旋线包括凸起而相邻的螺旋线包括凹坑。
7.母版的制造方法，该母版用于制造根据权利要求5或6所述的压模，该方法包括以下连续步骤：
照射第一板的负型光致抗蚀剂以制造具有正型标记的第一数据结构，所述第一板包括被正型光致抗蚀剂覆盖的基板(10)，所述正型光致抗蚀剂被所述负型光致抗蚀剂覆盖，施加不影响所述正型光致抗蚀剂的第一溶剂以去除未暴露区的所述负型光致抗蚀剂，照射所述正型光致抗蚀剂以制造具有负型标记的第二数据结构，
施加不影响剩余的负型光致抗蚀剂的所述正型标记的第二溶剂以去除暴露区的所述正型光致抗蚀剂，从而制造具有带有正型和负型标记的数据结构的第二板，所述正型标记对应于凸起而所述负型标记对应于凹坑。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述凸起和所述凹坑设置成两条螺旋线，第一螺旋线包括凸起和间隔而第二螺旋线包括凹坑和间隔，并且其中所述第二板用作制造光盘压模的母版。
9.母版的制造方法，该母版用于制造根据权利要求5或6所述的压模，该方法包括以下连续步骤：
照射第一板的负型光致抗蚀剂以制造具有正型标记的第一螺旋线，所述第一板包括被非光敏材料的层覆盖的基板，所述非光敏材料的层被所述负型光致抗蚀剂覆盖，施加不影响所述非光敏材料的第三溶剂以去除未暴露区的所述负型光致抗蚀剂，从而制造包括第一螺旋线的第二板，
用正型光致抗蚀剂涂覆所述第二板，
用母版制造机照射所述正型光致抗蚀剂以制造包括负型标记的第二螺旋线，施加第四溶剂以去除暴露区的所述正型光致抗蚀剂，
用第五溶剂来施加蚀刻工艺以去除所述非光敏材料的未被所述正型光致抗蚀剂覆盖的部分，
通过使用第六溶剂来去除所述正型光致抗蚀剂的剩余部分，从而制造具有正型和负型标记的数据结构的第三板，所述正型标记对应于凸起而所述负型标记对应于凹坑。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第五溶剂不影响所述正型光致抗蚀剂，其中所述第六溶剂不影响所述基板、所述非光敏材料和具有所述凸起的所述第一螺旋线，并且其中所述第三板被用作制造用于光盘的压模的母版。
11.母版的制造方法，该母版用于制造根据权利要求5或6所述的压模，该方法包括以下连续步骤：
照射第一板的第一负型光致抗蚀剂以制造正型标记从而获得第二板，所述第一板包括被所述第一负型光致抗蚀剂覆盖的非金属基板，
施加第七溶剂以去除未暴露区的所述第一负型光致抗蚀剂从而获得第三板，在所述第三板之上设置金属层，以获得第四板，
从所述第四板去除所述非金属基板和剩余的第一负型光致抗蚀剂，以获得金属基板，用第二负型光致抗蚀剂覆盖所述金属基板以获得第五板，
用母版制造机照射所述第五板以产生正型标记，
使用第八溶剂来去除未暴露区的所述第二负型光致抗蚀剂，以及
将剩余的金属基板用作用于压模制造的金属母版，该金属母版包括具有正型标记的道和具有负型标记的道，所述正型标记对应于凸起而所述负型标记对应于凹坑。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：在从所述金属基板去除剩余的第一负型光致抗蚀剂和所述非金属基板之后并在施加所述第二负型光致抗蚀剂之前，用层涂覆所述金属基板，从而改善所述第二负型光致抗蚀剂的粘附性并减少所述金属基板和所述第二负型光致抗蚀剂之间的化学反应。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述金属基板包括镍或镍合金，所述非金属基板包括玻璃、Si或SiO2，并且其中所述第一负型光致抗蚀剂和所述第二负型光致抗蚀剂是相同的光致抗蚀剂。