下面参照图6说明半导体激光器驱动电路的现有技术例。在图6中， SL是高输出紫光半导体激光器[GaN系半导体激光器(激光两极管)]，DSL 是该半导体激光器SL的驱动电路。下面参照图7的定时图详细说明该半导 体激光器驱动电路。另外，图7的定时程序是考虑把半导体激光器SL使用 在后述的光盘记录再生装置(记录再生方法)的光学头上的情况示出的。
该驱动电路DSL由带开关的电流源电路SIK和输出晶体管Qb构成。 带开关的电流源电路SIK由开关晶体管(例如NPN型晶体管)Qa、电流源IS、 电阻器R10、R11、R12构成。输出晶本管Qb由例如NPN型晶体管构成。
晶体管Qa的发射极接地，其基极通过基极偏流电阻器接地。晶体管 Qa的集电极通过电流源IS和电阻器R10连接在Vcc＝10V的电源上。电流 源IS和电阻器R10的连接中点连接在晶体管Qb的基极上。晶体管Qb的发 射极连接在Vcc＝10V的电源上，其集电极连接在半导体激光器(激光两极 管)SL的正极上，半导体激光器的负极接地。
来自输入端子T2的控制信号CS通过电阻器R12供给晶体管Qa的基 极，控制晶体管Qa的导通、截止。该控制信号CS如图7C所示，在记录 时交替变化为“1”、“0”，在再生时常时为“1”。另外，来自输入端子T1的峰 值电流设定信号CI供给电流源IS，如图7B所示，控制记录时的峰值电流 IP，以使其比再生时的峰值电流变大。另外图6和图7A的Vop表示半导体 激光器SL的工作电压。图6的Iop表示半导体激光器SL的动作电流。
开关晶体管Qa在再生时常时导通，在记录时响应定时(或响应记录数 据)导通、截止。因此半导体激光器SL的工作电压Vop在再生时是一定的 电压，例如5.5V，在记录时变成为例如使7.0V和接近0V的电压交替重复 的脉冲电压。半导体激光器SL的动作电流Iop，在再生时为一定的电流例 如50mA，在记录时是平均电流例如为110mA。
另外，在再生时，为了减少噪声，而存在把数百MHz的小振幅的正弦 波叠加在半导体激光器SL的工作电流Iop上的情况，但因与半导体激光器 电路DSL的动作没有直接关系，所以图中未示出。
在图6的半导体激光器的驱动电路DSL中，虽然是就用NPN型晶体管 作为带开关电流源电路SIK的开关晶体管Qa，用PNP型晶体管作为PNP 型晶体管作为输出晶体管Qb描述的，但如图8所示，也可以使用PNP型 晶体管作为开关晶体管Qa，使用NPN型晶体管作为输出晶体管Qb。
下面参照图8说明该情况下的半导体激光器驱动电路。在图8中，凡 与图6相应的部分附上同一符号进行说明。该驱动电路DSL由带开关电流 源电路SIK和输出晶体管Qb构成。带开关电流源电路SIK由开关晶体管 (PNP型晶体管)Qa、电流源IS、电阻器R10、R11、R12构成。输出晶体管 Qb由NPN型晶体管构成。
晶体Qa的发射极连接在Vcc＝10V的电源上，其基极通过基极偏置用 电阻器连接在Vcc＝10V的电源上。晶体管Qa的集电极通过电流源IS和电 阻器R10接地，电流源IS和电阻器R10的连接中点连接在晶体管Qb的基 极上。晶体管Qb的发射极接地，其集电极连接在半导体激光器(激光二极 管)SL的正极上，其正极连接在Vcc＝10V的电源上。
来自输入端子的控制信号CS通过电阻器供给晶体管Qa的基极，控制 晶体管的导通、截止。该控制信号CS在记录时交替变换为“1”、“0”，在再 生时是常时“0”。另外，控制来自输入端子T1的峰值电流Ip，以使其比再 生的峰值电流Ip变大。Vop表示半导体激光器SL的工作电压。Iop表示半 导体SL的动作电流。
例如就图6的半导器的驱动电路进行描述。
P＝(Vcc-Vop)×Iop                              (1)
在该(1)式中，如将Vcc＝10V、Vop＝5.5V(最小值)和Iop＝110mA(最大值) 代入后计算，则输出晶体管Qb的消耗电功率P如下面的(2)式所示，
P＝(10-5.5V)×110mA＝495mW                     (2)
因此，在红光半导体激光情况下，如将Vcc＝5V、Vop＝1.8V(最小值)、 Iop＝120mA(最大值)代入后计算，则输出晶体管Qb的消耗电功率如下式式 (3)所示
p＝(5-1.8)V×110mA＝352mW                      (3)
与高输出紫光半导体激光器相比，输出晶体管Qb的消耗电功率比较小
从上述可清楚看出，因为在使用高输出紫光半导体激光器时的输出晶 体管Qb的消耗电功率比在使用红光半导体时的输出晶体管Qb的消耗功率 高得相当多，所以必需在该输出晶体管Qb上安装大型散热器。于是因为半 导体激光器的驱动电路与半导体激光器一起组装入光学头(拾光器)，所以当 在输出晶体管Qb上设置散热器时，就会使光学头(拾光器)大型化。因此如 在输出晶体管Qb上设置大型散热器，则由于输出晶体管Qb的发热而使光 学头(拾光器)和半导体激光器的寿命变短。
鉴于这点，本发明打算建议在通过在输出晶体管的集电极和发射极之 间和半导体激光器的串联电路上施加电源电压来控制半导体激光器的激光 功率的半导体激光器的功率控制方法和装置中能减少输出晶体管的消耗电 功率的方案。
另外，本发明打算建议在控制半导体激光器的激光功率的光磁记录媒 体的记录方法中能减少输出晶体管的消耗电率的方案，所述的方法把由半 导体激光器的激光而来的会聚激光照射在光磁记录媒体上加热，在已加热 过的光磁记录媒体的加热的部分上产生与记录信息有关的磁场以便记录信 息，同时把由半导体激光器的激光而来的会聚激光照射在记录有信息的光 磁记录媒体上，根据来自记录有该信息的光磁记录媒体的出射光进行再生 信息，在输出晶体管的集电极和发射极之间以及半导体激光器的串联电路 上施加电源电压，控制半导体激光器的激光功率。
另外，本发明打算建议在控制半导体激光器的激光功率的光磁记录媒 体的记录再生装置中能减少输出晶体管消耗的电功率的方案，所述的装置 是下述的装置：具有产生由半导体激光器的激光而来的会聚激光的光学头、 和把根据上述记录信息产生的磁场供给光磁记录媒体上的磁场产生手段， 把来自上述光学头的会聚激光照射在上述记录媒体上加热，把来自上述的 磁场产生手段的磁场供给上述光磁记录媒体加热过的部分以便记录信息， 同时把来自上述光学头的会聚光照射在已记录信息的光磁记录媒体上，以 便从光学头上得到由已记录该信息的光磁记录媒体的出射激光而来的再生 信息信号。把电源电压供给输出晶体管的集电极与发射极之间和半导体激 光器的串联电路上。
另外，本发明打算建议在控制半导体激光器的激光功率的光记录媒体 的记录再生方法中能够减少输出晶体管的电功率消耗的方案，所述的方法 按下述方式工作：把由半导体激光器的激光而来的并被信息进行光调制过 的激光的会聚激光照射在记录媒体上，以便记录上述信息，同时把由半导 体激光器的激光而来的会聚激光照射在已记录有信息的记录媒体上，根据 从已记录该信息的光记录媒体射出的激光进行再生信息，在输出晶体管的 集电极与发射极之间以及半导体的激光器的串联电路上施加电源电压。
另外，本发明打算建议在控制半导体激光器的激光功率的光记录媒体 的再生装置中能减少输出晶体管的方案，所述光记录媒体的记录再生装置 是一种下述的装置：具有产生把由半导体激光器的激光而来的并被信息进 行光调制过的激光的会聚激光和不被信息进行光调制的会聚光的光学头， 把来自上述光学头的被信息进行光调制过的激光的会聚激光照射在光记录 媒体上进行信息记录，同时把来自上述光学头的没被信息进行光调制的激 光的会聚激光照射在已记录信息的光记录媒体上，从上述光学头上得到由 已记录该信息的光记录媒体射出激光而来的再生信息信号。

本发明提供一种记录装置，将半导体激光器的激光照射到光磁记录媒 体上，从而在光记录媒体上记录信息。所述记录装置包括：发光波形生成 部件，根据上述信息生成上述半导体激光器的发光波形；驱动部件，根据 上述发光波形生成部件的输出而驱动上述半导体激光器；检测部件，检测 上述半导体激光器的发光功率的峰值时的上述半导体激光器的工作电压； 以及控制部件，控制被连接在上述半导体激光器的可变电源电压的电压和 被上述检测部件检测的上述半导体激光器的工作电压之差。
本发明提供一种记录法方法，将半导体激光器的激光照射到光磁记录 媒体，从而在光记录媒体上记录信息。所述记录方法包括：根据上述信息 生成上述半导体激光器的发光波形；根据上述生成的发光波形来驱动上述 半导体激光器；检测上述半导体激光器的发光功率的峰值时的上述半导体 激光器的工作电压；控制被连接在上述半导体激光器上的可变电源电压的 电压和被检测的上述半导体激光器的工作电压之差。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的光磁盘的记录再生装置的方框电路图。
图2是表示本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控制电路一例 的电路图。
图3是表示本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控制电路的各 部分电压和波形的图。
图4是表示本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控制电路的另 一例的电路图。
图5是表示本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控制电路的又 一例的电路图。
图6是表示半导体激光器的驱动电路的现有技术例的电路图。
图7(A)～图7(C)是表示半导体激光器的驱动电路的现有技术例的 定时图。
图8是表示半导体激光器的驱动电路的现有技术另一例的电路图。

下面参照图1说明具有后述的半导体激光器的激光控制电路的本发明 的实施方式的光磁盘的记录再生装置。在图1中，1是光磁盘，经过主轴电 动机由主轴伺服电动机旋转驱动。主轴电动机SM通过主轴电动机伺服电路 2驱动伺服系统。另外，该伺服电路2被控制装置(内装微机的)8控制。
3是光学头(拾光器)，来自内装在其内的半导体激光器的激光通过光学 系统入射在物镜上，该出射会聚激光照射在光磁盘1的记录面上。光学头3 被聚焦和跟踪伺服电路4控制。来自半导体激光器的激光功率由激光功率 控制电路根据来自控制装置8的记录再生激光功率设定控制信号来控制。
5是电磁铁，被设置在与光磁盘1的物镜的相反侧，被电磁铁驱动电路 驱动。在记录时，被光磁盘1的记录面的会聚激光加热到居里点温度以上， 在随后温度下降的部分上被电磁铁5赋予对应记录数据的“1”、“0”的极性的 磁场，在光磁盘1的记录面上进行记录数据的记录。来自输入端子9a的记 录数据供给ECC附加电路9，将ECC(错误订正符号)附加在记录数据中后， 将该记录数据供给调制电路10后进行数字调制，把该调制后的记录数据供 给电磁铁驱动电路11。另外来自该调制电路的调制后的记录数据还供给激 光功率控制电路6。
在再生时，将来自光学头3的弱的再生用激光照射在光磁盘1的记录 面上，该反射光返回光学头，输出MO(光磁)RF(高频波)信号和PIT(坑)(光 强度)RF信号。RF信号供给RF二值化电路13后得到二值信号。该二值信 号供给数字解调电路14进行解调，该解调后的数字信号供给ECC解码电路 15进行错误订正处理，该错误订正处理后的再生数据输出给输出端子15a 。另外，来自光学头3的PIT、RF信号供给头部信息解码电路7进行解码， 所得到的头部信息数据供给控制装置8。
也可以采用下述的构成代替图1的记录再生装置中的光磁盘1：在采用 利用相变方式的光盘和用色素等的光盘的情况下，省略电磁铁5和电磁铁 驱动电路11，将来自调制电路的调制后的记录数据直接供给激光功率控制 电路6，根据该记录数据使半导体激光器的工作电压接通、断开。
下面参照图2详细说明本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控 制装置一例。另外在图2中，凡与图6相应的部分附加同一符号。DSL表 示半导体激光器的驱动电路，由与在图6中说明的同样电路构成的带开关 电流源电路SIK和输出晶体管Qb构成。于是与图6相同，输出晶体管Qb 的集电极连接在内装在图1中的光学头3内的半导体激光器SL的正极上， 该半导体激光器SL的负极接地，在本说明书中，虽然是GaN系的高输出 紫光半导体激光器(高输出紫光激光二极管)，但不限于此。
PS是作为能得到可变输电源电压的可变电源装置的DC-DC转换器。 在电源装置PS接地的同时，该可变电源电压Vcc施加在输出晶体管Qb和 半导体激光器SL的串联电路上，同时施加在带开关的电流源电路SIK上。
半导体激光器的工作电压Vop施加在峰值保持电路PH上，进行峰值 保持。该峰值保持电路PH由起二极管作用的NPN型晶体管Qc和保持电容 C1构成。在晶体管Qc的集电极上施加来自电源装置PS的可变电源电压 Vcc。晶体管Qc的基极连接在输出晶体管Qb的集电极上。晶体管Qc的发 射极通过保持电容C1接地。
在通过由该峰值保持电路PH保持工作电压Vop使半导体激光器SL进 行脉冲发光时，因为电源电压Vcc瞬时响应工作电压Vop，所以带开关的电 流源电路SIK能在输出晶体管Qb中流过必需的电流。
电源装置PS的可变电源电压Vcc和峰值保持电路PH的峰值电压(将其 称为Vh)分别通过由电阻器R1、R2的串联电路组成的分压器和由电阻器 R3、R4的串联电路组成的电阻分压器按同一比率分压，该各个分压输出分 别供给微机MC的各A/D变换器b、c。当把电阻器R1～R4的电阻值用相 同符号R1～R4表示时，下式(4)的关系成立
R1/(R1+R2)＝R3/(R3+R4)                         (4)
如整理(4)式，便得到下式(5)
R1/R2＝R3/R4                                   (5)
微机MC除具有上述的A/D变换器b、c之外，还具有CPUa，分别连 接在CPUa上的ROMd、RAMe和对来自CPUa的数字信号进行D/A变换的 D/A变换器f。
该微机MC根据存储在ROMd中的程序如图3所示那样，从D/A变换 器f输出使电源装置PS的可变电源电压和峰值保持电路PH的保持电压Vn 的差的电压变成一定(大致一定)的电压Vcons那样的模拟控制信号(也可以 是指令信号、PWM信号等)，供给电源装置PS，控制电源装置PS的可变电 源电压Vcc。另外在图3中，Vop表示半导体激光器SL的工作电压，该工 作电压Vop与半导体激光器SL是高输出紫光半导体激光器时就图7A的说 明相同。
下面就图2进一步说明。在记录时，来自输入端子T3的控制信号CS 供给D型触发器电路D-FF的D输入端子。该控制信号CS如就图7所述那 样，响应记录时的记录定时或记录数据交替变化为“1”、“0”，在再生时常时 为“1”。来自输入端子T4的半导体激光器驱动用时钟信号CLK供给D型触 发器电路D-FF的时钟反相输入端子，该D型触发器D-FF的时钟的非反相 输出(脉冲)通过输入端子T2供给带开关的电流源电路SIK的开关晶体管的 基极。
在再生时，常时“1”的“1”的控制信号CS通过D型触发器电路D-FF和 输出端子T2供给带开关的电流源电路SIK的开关晶体管的基极。另外，来 自输入端子T4的时钟信号CLK供给分频器FD。按规定的分频比N(N是2 以上的整数)进行分频，由于该分频后的时钟信号clk供给微机MC和电源 装置PS，所以来自微机MC、该微机MC内的数字计算电路的模拟控制信 号(指令信号、PWM信号等)的时钟信号CLK对半导体激光器SL有不良影 响，该时钟信号CLK可使半导体激光器SL的发光波形的飞入减少。
下面参照图4详细说明本发明的实施方式的半导体激光器的激光功率 控制装置的另一例，在图4中，凡与图2和图3相应的部分附加同一符号， 并省略重复部分的说明。在该例中，用减法电路SUB代替图2的微机MC， 另外用由升压型DC-DC变换器构成的电源装置PS1代替获得可变电压的电 源装置PS。
减法电路SUB具有运算放大器OP1～OP3。来自由电阻器R1、R2组 成的电阻大压电路的分压电压供给输出端子连接在反相输入端子上的运算 放大器OP1的非反相输入端子上，该运算放大器OP1的输出电压通过电阻 器R5供给输出端子和反相输入端子间通过电阻器R8连接的运算放大器 OP3的非反相输入端子。来自由电阻器R3、R4组成的电阻分压电组成的电 路的分压电压供给输出端子连接在反相输入端子上的运算放大器OP2的非 反相输入端子，该运算放大器OP2的输出电压通过电阻器R7供给运算放大 器OP3的反相输入端子。另外如用符号R1～R8表示电阻器R1～R8的电阻 值，则这些电阻器R1～R8的电阻为了满足下式(6)的关系而被设定。
R1/R2＝R3/R4，R5/R6＝R/R8                      (6)
由升压型DC-DC变换器组成的电源装置PS1由使减法电路SUB的运 算放大器OP3的输出电压与基准电源h的基准电压进行比较的比较器g、 NOR门i、j、p型MOS-FET k、和二极管m构成。电平比较器g的比较输 出输入给NOR门j，来自分频器D的时钟信号输出给NOR门j，另一NO 门的输出输入给一个NOR门i，一个NOR门i的输出输入给p MOS-FET k 门。MOS-FET k的源极接地，并且其漏极连接在二极管m的正极上，来自 该二极管的可变电源电压Vcc施加在输出晶体管Qb和半导体激光器SL的 串联电路上，同时施加在带开关的电流源电路SIK上。
于是，如图3所示，电源装置PS的可变电源电压Vcc与峰值保持电路 PH的峰值保持电压Vn的差电压(Vcc-Vh)变成一定(大致一定)的电压Vconst 那样的来自减法电路SUB的减法输出电压供给电源装置PS1的电平比较器 g，控制电源装置PS1的可变电源电压Vcc。
另外，在该图4的例子中，由于把来自分频器FD的时钟信号ClK输 入给电源装置PSI的NOR门i，所以来自电源装置PSI的时钟信号CLK可 以使半导体激光器SL的发光波形的飞入减少。
下面参照图5详细说明本发明实施方式的半导体激光器的激光功率控 制装置的另一例子。在图5中，凡与图2、图3和图4相对应的部分附加相 同的标号，并省略局部重复说明。在该例中，该例是使用由串联调节器组 成的可变电源装置PS代替图4的升压型DC-DC变换器组成的可变电源装 置PS2的情况。
电源装置具有将来自与图4的例同样的减法电路SUB的运算放大器 OP3的输出电压与电源装置PS2的基准电压h的基准电压比较的比较器g 。该电源装置PS2除具有基准电压源h和比较器g外，还具有例如NPN型 晶体管n，将比较g的比较输出供给晶体管n的基极。于是在晶体管n的集 电极上施加来自直流电源DS的一定直流电压(基准电压)(例如+10V)。然后 根据来自电平比较器g的比较输出控制晶体管n的集电极与发射极间的阻 抗。也就是说，把电源装置PS2的可变电源电压Vcc与峰值保持电路PH 的峰值电压的差电压(Vcc-Vh)变成为一定(大致一定)的电压Vconst那样的 来自减法电路SUB减法输出供给电源装置PS2，控制电源装置PS2的可变 电源电压Vcc。
在图5的情况下，来自输入端子T2的控制信号CS直接供给带开关的 电流源电路SIK。
在该图5的半导体激光器的激光功率控制电路的例中，使消耗的电功 率分散在输出晶体管Qb、电源装置PS2的晶体管n上。
按照本发明第一方面，由于把可变电压施加在输出晶体管和半导体激 光器的串联电路上，以使该可变电源电压与半导体激光器的工作电压的峰 值保持电差的差大致一定的方式控制可变电源电压，所以可以得到能减少 在输出晶体管中的消耗电功率的半导体激光器的激光功率的控制方法。
按照本发明第二方面，因为具有输出晶体管和半导体激光器的串联电 路、把可变电源电压施加在该串联电路上的电源装置、获得半导体激光器 的工作电压的峰值保持电压的峰值保持电路，以使可变电源电压与峰值保 持电压的差电压变成为大致一定电压的方式控制可变电源装置的控制手 段，所以可以提供能减少输出晶体管中消耗电功率的半导体激光器功率的 控制装置。
按照本发明的第三方面，是以下述方式工作的方法：把由半导体激光 器的激光而来的会聚激光照射在光磁记录媒体上进行加热，在上述光磁记 录媒体上进行加热，在上述光磁记录媒体加热后的部分上产生与记录信息 的有关磁场以便记录信息，同时把由上述半导体激光器的激光而来的会聚 激光照射在记录有上述信息的光磁记录媒体上，根据来自记录有该信息的 光磁记录媒体的出射激光进行再生信息；因为在输出晶体管和上述半导体 激光器的串联电路上施加可变电源电压，以使上述可变电源电压与上述半 导体激光器的工作电压的差变成为大致一定，所以可以得到能减少输出晶 体管中的电功率的光磁记录媒体的记录再生方法。
按照本发明的第四方面，该装置是下述的装置：具有产生由半导体激 光器的激光而来的会聚激光束的光学头和把根据上述记录信息的磁场供给 光磁记录媒体上的磁场产生手段，把来自上述光学头的会聚激光照射在上 述记录媒体上加热，把来自上述的磁场产生手段的磁场供给上述光磁记录 媒体过加热的部分以便记录信息，同时把来自上述光学头的会聚光照射在 已记录信息的磁光记录媒体上，以便形成从上述光学头得到由已记录信息 的光磁记录媒体射出的光而来的再生信息信号，因为还具有：输出晶体管 和上述半导体激光器串联电路，在该串联电路上施加可变电源电压的可变 电源装置，获得上述半导体激光器的工作电压的峰值保持电压的峰值保持 电路，和为了使上述可变电源电压与上述峰值保持电压的差变成大致一定 而控制上述可变电源装置的控制手段，所以可以得到能减少输出晶体管中 的消耗电功率的光磁记录媒体的记录再生装置。
按照本发明的第五方面，是按下述方式工作的方法：把由半导体激光 器的激光而来的并被信息进行光调制过的激光的会聚激光照射在光记录媒 体上，以便记录上述信息，同时把由上述半导体激光器的激光而来的会聚 激光束照射在已记录信息的记录媒体上，根据从已记录该信息的光记录媒 体射出的激光进行再生信息，因为在输出晶体管和上述半导体激光器的串 联电路中施加可变电源电压，并控制上述可变电源电压，以使可变电源电 压和上述半导体激光器的工作电压的峰值保持电压的差大致变成一定。所 以可以得到能减少输出晶体管中的电功率消耗的光记录媒体的记录再生方 法。
按照本发明的第六方面，是一种下述的光记录媒体的记录再生装置： 具有产生由半导体激光器的激光而来的并被信息进行光调制过的激光的会 聚激光和不被信息进行光调制的会聚光的光学头，把来自上述光学头的被 信息进行光调制过的激光的会聚激光照射在光记录媒体上进行信息记录， 同时把来自上述光学头的没有被信息进行光调制的会聚激光照射在已记录 信息的光记录媒体上，从上述光学头上得到根据从记录过该信息的光记录 媒体射出激光的再生信息信号；因为具有：输出晶体管和上述半导体激光 器的串联电路；把可变电源电压施加在该串联电路上的可变电源装置；获 得上述半导体激光器的工作电压的峰值保持电压的峰值保持电路；控制上 述可变电源电压装置，为了使上述可变电源电压和上述峰值保持电压差的 电压变成大致一定而控制上述可变电源装置的控制手段。所以可以提供能 减少输出晶体管中的消耗电功率的光记录媒体的记录再生装置。
按照本发明的第一～第六方面，因为可以减少输出晶体管的电功率消 耗，所以不需要对输出晶体管的散热器，即使需要也是小型的。
按照本发明的第一～第六方面，因为可以减少输出晶体管的电功率消 耗，所以可以防止半导体激光器、光学头和激光功率控制电路的动作不良 和寿命下降。另外在随着搭载它们的装置温度上升范围的提高而必需使该 装置的大小比规定的小，也能使该装置小型化。
通常半导体激光器随着时间推移工作电压上升，因这个电压接近半导 体激光器的激光功率控制电路输出晶体管的电源电压而寿命到头，但因为 按照本发明第一～第六方面，可以使该电源电压比现有技术的高，所以可 以延长半导体激光器的寿命。
在本发明第一～第六方面中，在半导体激光器是高输出紫光半导体激 光器的情况下，可以输出晶体管中的电功率消耗减少的效果显著。
本发明是以下专利申请的分案申请：申请号：200610006170.6，申请 日：2001.11.16，发明名称：记录装置及其方法