1.一种包括结型场效应晶体管即JFET的半导体器件，其包括：
衬底，其具有包括顶侧表面的第一类型半导体表面(半导体表面)；
顶部栅极，其包括在所述半导体表面形成的第二类型；
第一类型漏极和第一类型源极，其在所述半导体表面的所述顶部栅极的相对侧上形成；
第一深沟槽隔离区，其具有围绕所述顶部栅极、所述漏极和所述源极的第一内沟槽壁和第一外沟槽壁，并且从所述顶侧表面垂直地延伸深沟槽深度；
第二类型下沉区，其形成在所述第一外沟槽壁的横向外侧的所述半导体表面上，所述下沉区从所述顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于所述深沟槽深度也在所述第一内沟槽壁之内横向地延伸，以提供底部栅极。
2.根据权利要求1所述的器件，其进一步包括横向定位在垂直地延伸到所述深沟槽深度的所述第一外沟槽壁之外的第二深沟槽隔离区，其中所述下沉区位于所述第一外沟槽壁和所述第二深沟槽隔离区之间。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述深部具有不连续型式。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述JFET包括p-JFET。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述JFET包括n-JFET。
6.根据权利要求1所述的器件，其进一步包括在所述第一内沟槽壁内围绕所述顶部栅极、所述源极和所述漏极的浅沟槽隔离即STI。
7.一种形成包括结型场效应晶体管即JFET的半导体器件的方法，其包括：
提供衬底，所述衬底具有包括顶侧表面的第一类型半导体表面(半导体表面)；
在所述半导体表面中形成包括第二类型的顶部栅极；
在所述半导体表面中的所述顶部栅极的相对侧上形成第一类型漏极和第一类型源极；
形成第一深沟槽隔离区，所述第一深沟槽隔离区具有围绕所述顶部栅极、所述漏极和所述源极的第一内沟槽壁和第一外沟槽壁，并且从所述顶侧表面垂直地延伸深沟槽深度；
以及
在所述第一外沟槽壁的横向外侧的所述半导体表面中形成第二类型下沉区，所述下沉区从所述顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于所述深沟槽深度也在横向上位于所述第一内沟槽壁之内，以提供底部栅极。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述深部具有不连续型式。
9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括形成横向定位在垂直延伸到所述深沟槽深度的所述第一外沟槽壁之外的第二深沟槽隔离区，其中所述下沉区在所述第一外沟槽壁和所述第二深沟槽隔离区之间。
10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述第一内沟槽壁内形成浅沟槽隔离即STI，其中所述STI围绕所述顶部栅极、所述源极和所述漏极。
11.一种使用结型场效应晶体管即JFET以确定从沟槽隔离起的横向扩散长度的方法，其包括：
测量电学数据，所述电学数据包括形成于集成电路即IC上的至少一个JFET的从源极到漏极的电流(源极到漏极电流)或在所述漏极和所述源极之间的击穿电压即Bvdss，所述IC包括衬底，所述衬底具有包括顶侧表面的第一类型半导体表面(半导体表面)，所述JFET包括：
顶部栅极，其包括在所述半导体表面中形成的第二类型；
所述源极和所述漏极，其为在所述半导体表面中的所述顶部栅极的相对侧上形成的第一类型；
第一深沟槽隔离区，其具有围绕所述顶部栅极、所述漏极和所述源极的第一内沟槽壁和第一外沟槽壁，并且从所述顶侧表面垂直地延伸深沟槽深度；以及
第二类型下沉区，其形成在所述第一外沟槽壁的横向外侧的所述半导体表面上，所述下沉区从所述顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于所述深沟槽深度也在所述第一内沟槽壁之内横向地延伸，以提供底部栅极；以及
使用存储的特征数据由所述电学数据确定所述底部栅极相对于所述第一内沟槽壁的横向扩散长度。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电学数据包括所述源极到漏极电流并且所述存储的特征数据包括所述源极到漏极电流作为限定所述JFET的宽度的第一内沟槽壁之间的间距的函数。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述电学数据包括所述Bvdss并且所述存储的特征数据包括所述Bvdss与所述底部栅极相对于所述第一内沟槽壁的所述横向扩散长度的相对关系。
14.一种使用结型场效应晶体管即JFET来监测沟槽深度的方法，其包括：
测量电学数据，所述电学数据包括在形成于集成电路即IC上的至少一个JFET的底部栅极与第一类型半导体表面(半导体表面)之间的击穿电压，所述IC包括衬底，所述衬底具有包括顶侧表面的所述半导体表面，所述JFET包括：
顶部栅极，其包括在所述半导体表面中形成的第二类型；
源极和漏极，其为在所述半导体表面中的所述顶部栅极的相对侧上形成的第一类型；
第一深沟槽隔离区，其具有围绕所述顶部栅极、所述漏极和所述源极的第一内沟槽壁和第一外沟槽壁，并且从所述顶侧表面垂直地延伸深沟槽深度；以及
第二类型下沉区，其形成在所述第一外沟槽壁的横向外侧的所述半导体表面上，所述下沉区从所述顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于所述深沟槽深度也在所述第一内沟槽壁之内横向地延伸，以提供所述底部栅极；以及
使用存储的特征数据确定所述深沟槽深度，所述存储的特征数据与在所述底部栅极和所述半导体表面之间的所述击穿电压以及所述深沟槽深度相关。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述衬底包括晶片，并且所述至少一个JFET包括遍及所述晶片的区域分布的多个所述JFET；并且所述方法进一步包括生成晶片图，其估计遍及所述晶片的所述深沟槽深度的均匀度。