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用于具有温度补偿的集成电路
申请号	CN201710609978.1	申请日	2017-07-25	公开(公告)号	CN107390760A	公开(公告)日	2017-11-24
申请人	西安电子科技大学;			发明人	李迪; 费春龙; 周歧发; 杨银堂; 柴常春; 李娅妮;
摘要	本发明公开了用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出；所述补偿电路包括铂热电阻 D1，铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2 串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，改变补偿电路的回路电阻，从而改变补偿电路的补偿电压，该补偿电压通过电阻R2补偿给电压输入端口的电压。
权利要求	1.用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，其特征在于，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出；所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，改变补偿电路的回路电阻，从而改变补偿电路的补偿电压。 2.根据权利要求1所述用于具有温度补偿的集成电路，其特征在于，所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1的一端接三极管Q1的基极和电阻R1的一端，三极管Q1的发射极接电阻R1的一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接三极管Q1的基极、铂热电阻D1的另一端以及电源+20V，电阻R1的另一端接电阻R2的一端和三极管Q2的发射极。 3.根据权利要求2所述用于具有温度补偿的集成电路，其特征在于，所述整流电路包括晶闸管D2，晶闸管D2的正极接电阻R2的另一端、晶闸管D3的负极和电阻R3的一端以及三端可控硅Q1的阳极，晶闸管D2的负极接电容C2的一端和三端可控硅Q1的控制极，电容C2的另一端接晶闸管D3的正极，电阻R3的另一端接电容C1和电阻R4、R6的一端、二极管D4的负极，电容C1、电阻R4的另一端和二极管D4的正极接地。 4.根据权利要求1-3任一权利要求所述用于具有温度补偿的集成电路，其特征在于，所述运放电路包括运放器AR1，运放器AR1的正相输入端接电阻R6的另一端和电阻R7、电容C4的一端，电阻R7的另一端接电容C3的一端，运放器AR1的反相输入端接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，运放器AR1的输出端接电容C4、C3的另一端和信号输出端。
说明书全文	用于具有温度补偿的集成电路技术领域 [0001] 本发明涉及电路技术领域，特别是涉及用于具有温度补偿的集成电路。背景技术 [0002] 目前，温度补偿电路采用的是热敏电阻通过一个可调电位器连接到运放电路实现温度补偿，在集成电路内使用该补偿电路不能自动调控温度补偿，由于集成电路需要补偿电压不断调整，通过手动调节电位器调整，效果不佳，且由于人为操作，很容易出现故障，浪费了人力，且效率不高。 [0003] 所以本发明提供一种新的方案来解决此问题。发明内容 [0004] 针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明之目的在于提供用于具有温度补偿的集成电路，具有构思巧妙、人性化设计的特性，有效地解决了温度补偿的集成电路内不能自动调控温度补偿很容易出现故障，浪费了人力，且效率不高的问题。 [0005] 其解决的技术方案是，用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出； [0006] 所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，改变补偿电路的回路电阻，从而改变补偿电路的补偿电压。 [0007] 优选地，所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1的一端接三极管Q1的基极和电阻R1的一端，三极管Q1的发射极接电阻R1的一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接三极管Q1的基极、铂热电阻D1的另一端以及电源+20V，电阻R1的另一端接电阻R2的一端和三极管Q2的发射极。 [0008] 由于以上技术方案的采用，本发明与现有技术相比具有如下优点，利用铂热电阻D1的温度正线性变化特性，温度的变化引起铂热电阻D1的变化，由于铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，因此铂热电阻D1的变化可以改变三极管Q1的基极电位变化，控制三极管Q1的导通和截止，同理也可以控制三极管Q2基极电位变化，控制三极管Q2的导通和截止，也即是改变补偿电路的回路电阻，从而自动改变补偿电路的补偿电压，有效地解决了温度补偿的集成电路内不能自动调控温度补偿很容易出现故障，浪费了人力，且效率不高的问题。附图说明 [0009] 图1为本发明用于具有温度补偿的集成电路的电路原理图。 [0010] 图2为本发明用于具有温度补偿的集成电路的补偿电路原理图。具体实施方式 [0011] 有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图1至附图2对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。 [0012] 下面将参照附图描述本发明的各示例性的实施例。 [0013] 实施例一，用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出； [0014] 所述补偿电路利用铂热电阻D1的温度正线性变化特性，温度的变化引起铂热电阻D1的变化，由于铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，因此铂热电阻D1的变化可以改变三极管Q1的基极电位变化，控制三极管Q1的导通和截止，同理也可以控制三极管Q2基极电位变化，控制三极管Q2的导通和截止，也即是改变补偿电路的回路电阻，从而自动改变补偿电路的补偿电压，该补偿电压通过电阻R2补偿给电压输入端口的电压；所述补偿电路包括铂热电阻D1，铂热电阻D1的一端接三极管Q1的基极和电阻R1的一端，三极管Q1的发射极接电阻R1的一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极接三极管Q1的基极、铂热电阻D1的另一端以及电源+20V，电阻R1的另一端接电阻R2的一端和三极管Q2的发射极。 [0015] 实施例二，在实施例一的基础上，所述整流电路补偿电路的信号作为驱动信号通过晶闸管D2控制三端可控硅Q1的导通和截止，利用电容C2、C1和电阻R3、R4对补偿后的输入电压整流，整流后的电压通过运放电路比例放大(此为现有技术，故不再详述)由电压输出端口输出；晶闸管D2的正极接电阻R2的另一端、晶闸管D3的负极和电阻R3的一端以及三端可控硅Q1的阳极，晶闸管D2的负极接电容C2的一端和三端可控硅Q1的控制极，电容C2的另一端接晶闸管D3的正极，电阻R3的另一端接电容C1和电阻R4、R6的一端、二极管D4的负极，电容C1、电阻R4的另一端和二极管D4的正极接地；所述运放电路包括运放器AR1，运放器AR1的正相输入端接电阻R6的另一端和电阻R7、电容C4的一端，电阻R7的另一端接电容C3的一端，运放器AR1的反相输入端接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，运放器AR1的输出端接电容C4、C3的另一端和信号输出端。 [0016] 本发明具体使用时，用于具有温度补偿的集成电路，包括补偿电路、整流电路和运放电路，所述补偿电路利用电压分压的原理和三极管逐级导通原理实现温度补偿，为电压输入端口提供补偿电压，补偿后的电压经整流电路运用晶闸管和三端可控硅整流，最后经运放电路利用运放器放大处理后输出；所述补偿电路利用铂热电阻D1的温度正线性变化特性，温度的变化引起铂热电阻D1的变化，由于铂热电阻D1与电阻R1、R2为三级分压，三极管Q1和Q2分别与电阻R1、R2串联，三极管Q1和Q2的导通和截止控制电阻R1、R2回路的导通和截止，因此铂热电阻D1的变化可以改变三极管Q1的基极电位变化，控制三极管Q1的导通和截止，同理也可以控制三极管Q2基极电位变化，控制三极管Q2的导通和截止，也即是改变补偿电路的回路电阻，从而自动改变补偿电路的补偿电压，该补偿电压通过电阻R2补偿给电压输入端口的电压，所述整流电路补偿电路的信号作为驱动信号通过晶闸管D2控制三端可控硅Q1的导通和截止，利用电容C2、C1和电阻R3、R4对补偿后的输入电压整流，整流后的电压通过运放电路比例放大由电压输出端口输出。 [0017] 以上所述是结合具体实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明具体实施仅局限于此；对于本发明所属及相关技术领域的技术人员来说，在基于本发明技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本发明保护范围之内。

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