1.一种低功耗的基准电压源，包括偏置电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路、高温调整电路、电流求和以及电流-电压转换电路，其特征在于：
偏置电路产生偏置电压为PTAT电流产生电路提供偏置；
PTAT电流产生电路通过加权热电势VT用来产生与温度正相关的线性电流，该电流通过共栅共源电流镜镜像到电流求和电路；
所述CTAT电流产生电路包括7个PMOS管、2个NMOS管和1个PNP型三极管；CTAT电流产生电路通过调整不同类型MOS管的宽长比的比值，在三极管基极-发射极电压VBE的基础上叠加一个非线性电压进而产生一个与温度负相关的线性电流，该电流通过共栅共源电流镜镜像到电流求和电路；
PMOS管：MP17、MP18、MP19、MP20、MP21、MP22、MP23；NMOS管：MN11、MN12；PNP型三极管Q1；
其中MP17、MP18、MP19、MP20组成共源共栅电流镜且衬底都接各自的源极，MP17的栅极接MP17的漏极、MP18的栅极和MN11的漏极，MP17的源极接MP19的漏极、MP19的栅极和MP20的栅极，MP18的漏极接MN12的栅极、MN12的漏极和MN11的栅极，MP18的源极接MP20的漏极，MP19和MP20的源极都接电源电压VDD，MP21、MP22、MP23的衬底都接各自的源极，MP21、MP22、MP23的栅极都接地电位，MP21的漏极接MP22的源极，MP21的源极接MN11的源极，MP22的漏极接MP23的源极，MP23的漏极接地电位；PNP型三极管Q1的基极和集电极接地电位，发射极接MN12的源极，两个NMOS管的衬底都接地电位；
MN11、MN12管工作在亚阈值区，MN11、MN12管的宽长比的比值为K：1，K为正整数，且两个管子的类型不同，流过两个管子的电流相等；
由CTAT电流产生电路的连接方式可知CTAT电流的表达式为：
其中，VEB代表PNP三极管的发射极-基极电压， 代表MOS管的宽长比的比值η代表亚阈值斜率因子，VT代表热电势，μn代表NMOS管的迁移率，Coxn代表NMOS管的单位面积栅氧化层电容，Vthn代表NMOS管的阈值电压，VGSp代表PMOS管的栅源电压，Vthp代表PMOS管的阈值电压，R1代表PMOS管工作在线性区等效的电阻值；
高温调整电路在温度≥60℃时会产生纳安级别的电流，对60℃以上的电流求和电路产生的电流进行补偿；
电流求和电路用来将上述PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路求和，并输出近零温度系数的电流至电流-电压转换电路；
电流-电压转换电路将电流求和电路输出的电流转换成电压；
MOS管工作在亚阈值区，为防止MOS管工作在亚阈值区和饱和区的边界，MOS管的栅源电压应小于阈值电压，且漏源电压至少大于0.1V。
2.如权利要求1所述低功耗的基准电压源，其特征在于：
所述偏置电路包括，PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4和NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5；其中，4个PMOS管组成共源共栅电流镜且衬底都接各自的源极，MP1的栅极接MP2的漏极、MP2的栅极和MN2的漏极，MP1的漏极接MN1的漏极、MN1的栅极和MN2的栅极，MP1的源极接MP3的漏极，MP2的源极接MP4的漏极、MP4的栅极和MP3的栅极，MP3、MP4的源极接电源电压VDD；5个NMOS管衬底和MN1管的源极接地电位，MN2的源极接MN3的漏极，MN3、MN4、MN5的栅极都接输出参考电压VREF，MN3的源极接MN4的漏极，MN4的源极接MN5的漏极，MN5的源极接地电位。
3.如权利要求1所述低功耗的基准电压源，其特征在于：
所述PTAT电流产生电路包括，PMOS管MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14、MP15、MP16，NMOS管MN6、MN7、MN8、MN9、MN10和运算放大器OPA；其中，MP5、MP6、MP7、MP8管组成共源共栅电流镜且衬底都接各自的源极，MP5的栅极接MP1的栅极和MP6的栅极，MP5的漏极接MN6的漏极、MN6的栅极和MN7的栅极，MP5的源极接MP7的漏极，MP6的漏极接MN8的漏极、MN8的栅极和MN9的栅极，MP6的源极接MP8的漏极，MP7的栅极接MP3的栅极和MP8的栅极，MP7和MP8的源极都接电源电压VDD，MP9、MP10、MP11、MP12管组成另一个共源共栅电流镜且衬底都接各自的源极，MP9的栅极接MP9的漏极、MP10的栅极和MN10的漏极，MP9的源极接MP11的漏极、MP11的栅极和MP12的栅极，MP10的漏极接MP16的源极，MP10的源极接MP12的漏极，MP11和MP12的源极都接电源电压VDD，MP13、MP14、MP15、MP16的衬底都接各自的源极，MP13、MP14、MP15、MP16的栅极、MP13的漏极和MP14的漏极都接地电位，MP13的源极接MP15的漏极，MP14的源极接MP16的漏极，MP15的源极接MN10的源极和运算放大器OPA的反向输入端，形成负反馈；5个NMOS管的衬底都接到地电位，MN6的源极接MN7的漏极和MN9的源极，MN7的源极接地电位，MN8的源极接MN9的漏极和运算放大器OPA的同向输入端，MN10的栅极接运算放大器OPA的输出端。
MN7和MN6管的宽长比的比值为1：N，MN9和MN8管的宽长比的比值为1：M，其中N和M都是正整数，这两个比值通过电路功耗确定，流过MN6、MN7、MN8、MN9管的电流都相等，都等于偏置电路产生的PTAT电流；
MN7和MN6管的宽长比的比值为1：N，MN9和MN8管的宽长比的比值为1：M，其中N和M都是正整数，这两个比值通过电路功耗确定，流过MN6、MN7、MN8、MN9管的电流都相等，都等于偏置电路产生的PTAT电流；
由PTAT电流产生电路的连接方式可知PTAT电流的表达式为：
其中，R2是PMOS管工作在线性区的等效的电阻值，，μp代表PMOS管的迁移率，Coxp代表PMOS管的单位面积栅氧化层电容。
4.如权利要求1所述低功耗的基准电压源，其特征在于：
所述电流求和电路包括，PMOS管MP24、MP25、MP26、MP27、MP28、MP29和开关SW1、SW2；其中，6个PMOS管的衬底都接到各自的源极，MP24的栅极接MP9的栅极，MP24的漏极接输出参考电压VREF，MP24的源极接MP25的漏极，MP25的栅极接MP11的栅极，MP26的栅极和MP27的栅极接MP17的栅极，MP26的漏极接开关SW1的一端，MP26的源极接MP28的漏极，MP27的漏极接开关SW2的一端，MP27的源极接MP29的漏极，M28的栅极和MP29的栅极接MP19的栅极，MP25、MP28、MP29的源极都接电源电压VDD；开关SW1和SW2的另一端接输出参考电压VREF。
5.如权利要求1所述低功耗的基准电压源，其特征在于：
所述高温调整电路包括，PMOS管MP30、MP31，NMOS管MN13、MN14和开关SW3、SW4、SW5、SW6；2个PMOS管的衬底都接电源电压VDD，MP30的栅极接MP30的源极和电源电压VDD，MP30的漏极接开关SW3的一端，MP31的栅极接MP31的源极和电源电压VDD，MP31的漏极接开关SW4的一端；开关SW3和SW4的另一端接输出参考电压VREF；MN13的栅极接MN13的源极和开关SW5的一端，MN14的栅极接MN14的源极和开关SW6的一端，MN13和MN14的漏极接输出参考电压VREF；开关SW5和SW6的另一端接地电位；
高温调整电路后，输出基准电压源的表达式为：
VREF＝(A·IPTAT+B·ICTAT+IHT)·R3   (5)
其中，R3也代表PMOS管工作在线性区的等效电阻值，IHT代表高温时的补偿电流，A、B是电流比例常数。