1.一种衰减数模转换器(DAC)中的杂散的方法，包括：
向接地低压降稳压器内的放大器中注入参考电压；
测量所述接地低压降稳压器的输出；
将所述接地低压降稳压器的输出与所述参考电压相比较；以及
基于所述比较来调节所述放大器的输出，以消除接地引起的噪声杂散，其中在所述输出的比较指示所述参考电压高于所述接地低压降稳压器的输出的情况下，将所述放大器的输出调节到接地。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述输出的比较指示所述参考电压低于所述接地低压降稳压器的输出的情况下，调节所述放大器的输出以匹配所述参考电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其中调节所述放大器的输出包括：
将传输晶体管偏置到规定的传导条件；
将噪声接地信号路由到经偏置的传输晶体管；以及
改变所述经偏置的传输晶体管对所述噪声信号的部分的传导性。
4.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述放大器的输出包括：
将传输晶体管偏置到规定的传导条件；
将噪声接地信号路由到经偏置的传输晶体管；以及
改变所述经偏置的传输晶体管对所述噪声信号的部分的传导性。
5.根据权利要求3所述的方法，其中传导性被改变的所述噪声接地信号的部分是所述噪声信号的交流(AC)部分。
6.根据权利要求4所述的方法，其中传导性被改变的所述噪声接地信号的部分是所述噪声接地信号的交流(AC)部分。
7.一种用于发射数模转换器(DAC)杂散衰减的装置，包括：
接地低压降稳压器(GND LDO)，包括：
放大器，其反相输入连接至参考电压并且其非反相输入连接至所述接地低压降稳压器的输出；
第一晶体管，其栅极连接至所述放大器的输出，其漏极连接至电压源，并且其源极连接至第二晶体管的栅极以及第三晶体管的漏极；
所述第二晶体管，其漏极连接至所述接地低压降稳压器的输出，其源极连接至噪声接地以及所述第三晶体管的源极；
所述第三晶体管，其栅极连接至第四晶体管的栅极；以及
所述第四晶体管，其栅极和漏极连接至恒流源。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管是金属氧化硅场效应晶体管(MOSFET)。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述放大器是反相放大器。
10.根据权利要求7所述的装置，其中所述GND LDO连接到所述第四晶体管。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第四晶体管也连接到噪声接地。
12.一种用于衰减发射数模转换器(DAC)中的杂散的装置，包括：
用于向接地低压降稳压器内的放大器中注入参考电压的部件；
用于测量所述接地低压降稳压器的输出的部件；
用于将所述接地低压降稳压器的输出与所述参考电压相比较的部件；
用于基于所述比较来调节所述放大器的输出以消除接地引起的噪声杂散的部件；以及用于在所述输出的比较指示所述参考电压高于所述接地低压降稳压器的输出的情况下将所述放大器的输出调节到接地的部件。
13.根据权利要求12所述的装置，还包括：用于在所述比较指示所述接地低压降稳压器的输出低于所述参考电压的情况下调节所述放大器的输出以匹配所述参考电压的部件。
14.根据权利要求12所述的装置，还包括：
用于将传输晶体管偏置到规定的传导条件的部件；
用于将噪声接地信号路由到经偏置的传输晶体管的部件；以及
用于改变所述经偏置的传输晶体管对所述噪声接地信号的部分的传导性的部件。
15.根据权利要求13所述的装置，还包括：
用于将传输晶体管偏置到规定的传导条件的部件；
用于将噪声接地信号路由到经偏置的传输晶体管的部件；以及
用于改变所述经偏置的传输晶体管对所述噪声信号的部分的传导性的部件。