只读全息记录介质的记录再生方法、以及只读全息记录介质 |
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| 申请号 | CN200980128100.X | 申请日 | 2009-07-17 | 公开(公告)号 | CN102099752A | 公开(公告)日 | 2011-06-15 |
| 申请人 | 新日铁化学株式会社; | 发明人 | 安藤敏男; 清水健博; 正木一嘉; | ||||
| 摘要 | 对全息记录介质的第1面照射记录 信号 光与记录参照光，在上述全息记录介质中记录作为干涉条纹的信息，接下来，使反射层与上述全息记录介质的与上述第1面相向的第2面上密接并设置，接下来，对上述全息记录介质的上述第1面照射再生参照光，使其在上述反射层反射，将来自上述全息记录介质的再生信号光在上述全息记录介质的上述第1面侧进行读出。 | ||||||
| 权利要求 | 1. 一种只读全息记录介质的记录再生方法，其特征在于，具备： |
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| 说明书全文 | 只读全息记录介质的记录再生方法、以及只读全息记录介质 技术领域[0001] 本发明涉及利用全息术对信息进行记录再生的只读全息记录介质的记录再生方法，以及该只读全息记录介质。 背景技术[0002] 对全息记录介质的记录是通过以下方式进行，即，将带有图像信息的信号光与参照光照射到记录层，作为干涉条纹而将信息记录在记录介质。从全息记录介质的再生通过以下方式进行，即，对上述记录了图像信息的记录层照射参照光，读出图像信息。 [0003] 因为全息记录是将上述图像信息作为1页面（page），能够用页面单位进行成批记录、再生，并且能够在介质的同一处所将页面多重记录，所以是期待作为代替在现有的CD、DVD、蓝光光盘中采用的逐位（bit-by-bit）的记录方式的高速且大容量的光记录方式的技术。 [0004] 全息记录介质中大致可以分类为不设置反射层而使光线透过来进行记录再生的透过型介质，和设置反射层而利用反射光来进行记录再生的反射型介质。 [0005] 在透过型介质中还具有：对介质面从同一侧照射信号光与参照光来进行记录，将参照光对记录位置照射而使全息图引起衍射光透过来进行再生的方法(在全息图的分类上是透过型全息图)；和对介质面从相互不同侧照射信号光与参照光来进行记录，将参照光对记录位置照射而使全息图引起的衍射光反射来进行再生的方法(在全息图的分类上是反射型全息图)。 [0006] 其中在透过型全息图中，从与在记录时照射信号光和参照光的一侧的相反面的一侧照射参照光并将信号作为相位共轭光进行再生，将其称作相位共轭再生，其作为在再生时抵消以透镜系统的像差为代表的起因于光学系统的失真大部分，对S/N良好且失真少的图像信息进行再生的单元特别有效。但是在透过型介质中，无论透过型全息图还是反射型全息图，都需要对介质面在两方向具有记录再生光学系统，因此会导致记录再生装置变得大型。 [0007] 另一方面，在反射型介质中，因为光学系统能够相对于介质面仅设置在单侧，因此能够使记录再生装置紧凑。因此，在将全息记录应用于光盘的场合等下，使用反射型介质是有利的。可是在反射型介质的情况下，在记录及再生时存在由于反射光的影响而产生噪声光的情况，噪声光对策变成反射型介质中的课题之一，在专利文献1、非专利文献1中提出了作为解决课题的介质及记录再生方法。 [0008] 即，在专利文献l中记述了在照射记录信号光与记录参照光的面设置反射层，从与反射层相反面的一侧照射再生参照光来进行全息再生的方法。 [0009] 此外，在非专利文献1中记述了将相变化反射层、全息记录层依次层叠而成的全息记录介质。并且在进行全息记录时，使相变化反射层为反射率低的非晶质，在再生时为反射率高的结晶状态。由此也降低了多余的衍射光栅的形成，因此再生时的S/N比高，且减少记录时的多余曝光，因此可增大记录多重度。 [0010] 现有技术文献专利文献 专利文献1：日本特开2006-235364公报； 专利文献2：日本特开2008-116896公报； 非专利文献 非专利文献1：T.Ando, et al. : Jpn.J.App1.Phys. 46, 6B(2007)3855； 非专利文献2：T.Ando, et al. : ISOM'07 Tech. Dig., Th-K-03(2007)。 发明内容[0011] 发明要解决的课题在专利文献1所示的在照射记录信号光和记录参照光的面的一侧，以与该面远离的方式设置反射层，从与反射层相反面的一侧照射再生参照光来进行全息再生的方法中，再生参照光经由反射层而在基板中往复。再有，在一般的光记录中，为了确保介质的刚性、强度，采用具有500µm以上的厚度的基板。 [0012] 在这里，在再生参照光相对于介质面具有某个入射角而被照射的情况下，在其入射位置与再生参照光照射到全息记录区域的位置之间会产生偏移。虽然能够预先计算偏移的量而对入射位置进行补正，但设置补正机构会导致复杂化、繁杂化。进而在使参照光的入射角变化而进行多重记录的情况下需要更复杂的补正。 [0013] 另一方面，在非专利文献1所示的全息记录介质中，由于相变化反射层与全息记录层几乎密接，因此消除了上述问题。可是在进行记录时，相变化反射层的反射率即使在非晶质状态下仍有约4%，反射光对全息记录层进行曝光。 [0014] 在将入射光、反射光强度分别设为Ii、Ir时，在反射率为4%的情况下，Ir=0.04�Ii。 [0015] 另一方面，在将入射光、反射光的振幅分别设为Ai、Ar时，2 2 Ii=Ai、Ir=Ar 因为有上述关系，所以 Ar=0.2�Ai 当将入射光与反射光产生的干涉条纹中的最大、最小的振幅分别设为Amax、Amin，将强度分别设为Imax、Imin时，成为 ，是以2倍以上的强度差形成干涉条纹。 [0016] 因此，在全息记录层中，不仅通过入射的记录信号光及记录参照光而被曝光，而且通过在反射层被反射回来的记录信号光及记录参照光而被曝光，因此在全息记录层会造成多余的曝光，所以进一步的低噪声化、提高S/N及记录多重度是有极限的。 [0017] 此外，相变化反射层的反射率即使在结晶状态下也只有30%前后，获得大的再生信号光是有极限的，妨碍S/N的提高、传输速率的提高。 [0019] 此外，在再生全息记录介质之前，为了提高相变化层的反射率需要促使其结晶化。结晶化是通过使温度上升至结晶化温度以上并进行缓冷来实现，但由于结晶化温度是200℃前后，因此必须不对全息记录层的其它部分造成热损伤而仅使相变化层高效率地升温。在全息记录介质是盘状的情况下，必须使用在相变化型光盘出货时使用的初始化装置那样的特殊装置，使激光以规定的功率、规定的速度在介质面进行扫描，导致制造工程的进一步的复杂化。 [0020] 此外，在全息记录介质不是盘状的情况下，需要重新进行与目的相对应的装置的设计、制作，进一步导致制造的困难。 [0021] 因此，本发明正是鉴于前述课题而提出的，其目的在于提供一种能够以简单的介质结构实现全息记录介质的方法，该全息记录介质在记录时防止在全息记录层中形成多余的曝光及多余干涉条纹，能够实现低噪声且大记录多重度，并且能够以高S/N、高传输速率进行再生。 [0022] 用于解决课题的方案为了达成上述目的，本发明涉及一种只读全息记录介质的记录再生方法，其特征在于，具备：对全息记录介质的第1面照射记录信号光和记录参照光，在所述全息记录介质对作为干涉条纹的信息进行记录的步骤；使反射层密接于所述全息记录介质的与所述第1 面相向的第2面上并进行设置的步骤；以及对所述全息记录介质的所述第1面照射再生参照光，使其在所述反射层反射，将来自所述全息记录介质的再生信号光在所述全息记录介质的所述第1面侧进行读出的步骤。 [0023] 此外，本发明涉及一种只读全息记录介质，对照射记录信号光和记录参照光而作为干涉条纹记录的信息，照射再生参照光而获得再生信号光，其特征在于，以与所述全息记录介质的与所述记录信号光、所述记录参照光以及所述再生参照光的照射侧的相反的一侧密接的方式设置有反射层。 [0024] 根据本发明，在对全息记录介质照射记录信号光和记录参照光而形成干涉条纹，实施记录操作之后，以与所述全息记录介质的照射所述记录信号光和所述记录参照光的一侧的相向的一侧密接的方式设置反射层，之后，照射再生参照光而获得再生信号光。 [0025] 在该情况下，由于与所述全息记录介质密接地设置有反射层，所以再生参照光的入射位置与对全息记录区域照射再生参照光的位置之间难以发生偏移。即，由于能够将再生参照光照射到靠近所述全息记录区域的位置，所以不需要设置用于补正入射位置的补正机构。 [0026] 此外，在上述专利文献1中，由于全息记录介质与反射层隔离设置，所以当上述全息记录介质表面有凹凸时，由于空气与上述全息记录介质的折射率差的原因，再生参照光被折射、散射，有时无法进行良好的全息记录。 [0027] 相对于此，在本发明中，即使上述全息记录介质表面有凹凸，这样的凹凸部通过上述反射层或以下详述的粘接剂而被埋设。一般而言，因为上述记录介质与上述反射层及上述粘接剂的折射率差小，所以通过上述那样的凹凸部的埋设，它们之间的折射率实质上被抵消。因此，即使在上述全息记录介质表面有凹凸的情况下，再生参照光也不折射、散射，能够进行良好的全息再生。 [0028] 进而，在本发明中，由于在全息记录时不存在反射层，所以可防止在全息记录介质中形成多余的曝光及多余的干涉条纹，能够实现噪声的降低及记录多重度的提高此外，由于再生时能够利用反射层的高反射率来获得大的再生输出，所以能够达成更高的S/N及高传输速率。 [0029] 此外，在本发明的一个方式中，上述全息记录介质的上述第2面与上述反射层经由粘接剂而密接接合。由此，能够简易且良好地进行上述反射层与上述全息记录介质的密接固定，而且如上述那样，埋设上述全息记录介质表面的凹凸，能够防止依赖于上述全息记录介质与空气之间的大小、折射率差等的再生参照光的折射、散射，能够进行良好的全息记录。 [0030] 此外，在本发明的一个方式中，上述全息记录介质被设置在透明基板上，记录信号光和记录参照光从上述透明基板侧照射到上述全息记录介质。由此，即使在全息记录介质表面有凹凸的情况下，也能够抑制起因于空气与全息记录层的折射率差的记录光的折射及散射，能够进行良好的全息记录。 [0031] 进而，在本发明的一个方式中，上述全息记录介质被设置在透明基板与防反射体之间，上述第1面位于上述透明基板侧，上述防反射体在上述信息记录后且上述反射层形成前被除去。由此，在全息记录时，能够将记录信号光与记录参照光效率良好地封闭在上述全息记录介质中，即使在记录信号光及记录参照光的强度小的情况下，也能够有效率地进行全息记录。此外，全息记录介质的形成变得容易，并且厚度的管理变得容易。 [0032] 进而，在本发明的一个方式中，上述反射层能够在被保持于支承基板上的状态下，与上述全息记录介质的上述第2面密接并设置。在该情况下，由于能够将上述反射层预先形成在上述支承基板上，所以对上述全息记录介质的接合能够在任意阶段中简易地进行。 [0033] 发明的效果如以上说明的那样，根据本发明，其目的在于提供一种能够以简单的介质结构简便地实现全息记录介质的方法，该全息记录介质在记录时能够防止在全息记录层中形成多余的曝光及多余的干涉条纹，能够实现低噪声且大的记录多重度，且能够以高S/N、高传输速率进行再生。 附图说明 [0034] 图1是表示本发明的全息记录再生的一例中的记录再生的步骤的说明图。 [0035] 图2同样是表示本发明的全息记录再生的一例中的记录再生的步骤的说明图。 [0036] 图3同样是表示本发明的全息记录再生的一例中的记录再生的步骤的说明图。 [0037] 图4同样是表示本发明的全息记录再生的一例中的记录再生的步骤的说明图。 [0038] 图5是图1~4所示的全息记录再生的变形例。 [0039] 图6是表示用于进行全息记录的光学装置的一例的概略结构图。 [0040] 图7是表示图6所示的光学装置的使空间光调制器显示的点图案的一例的图。 [0041] 图8是表示用于进行全息再生的光学装置的一例的概略结构图。 [0042] 图9是表示实施例中的再生图像的一例的图。 [0043] 图10是表示实施例中的S/N及BER(bit error rate，误比特率)的推移的图表。 [0044] 图11同样是表示实施例中的再生图像的一例的图。 [0045] 图12同样是表示实施例中的S/N及BER(bit error rate，误比特率)的推移的图表。 具体实施方式[0046] 以下，针对本发明的实施形态，参照附图详细地进行说明。 [0047] (全息记录再生的概要)首先，针对本发明的全息记录再生的概要进行说明。图1~4是表示本发明的全息记录再生的一例中的记录再生的步骤的说明图。 [0048] 首先，如图1所示，准备全息记录介质11，在其第1面11A的上方配置第1光源12及第2光源13。接下来，从第1光源12及第2光源13分别将记录信号光A及记录参照光B照射到全息记录介质11上，形成干涉条纹以形成存储规定的信息而成的记录区域14。 [0049] 全息记录介质11例如是以折射率、透过率、反射率、偏振特性等某些光学常数能够在通过记录信号光与记录参照光的干涉所产生的光的亮部与暗部中产生变化的材料构成，该材料例如是光聚合物、光致折射结晶、光折变晶体、硫族化合物、光致变色材料、热致变色材料等构成。 [0050] 此外，在本例中虽然没有特别图示，但全息记录介质11能够对应于需要在由透明玻璃、塑料等构成且平滑(光学平坦)的基板上涂敷而形成。在该情况下，能够将透明基板侧当作记录信号光A及记录参照光B的入射侧，也能够将全息记录介质11侧当作记录信号光A及记录参照光B的入射侧。 [0051] 但是，在前者的情况下，即使在全息记录介质11表面有凹凸的情况下，也能够抑制起因于空气与全息记录介质的折射率差的记录光的折射及乱射，能够进行良好的全息记录。 [0052] 接下来，如图2所示，准备支承基板15，在该支承基板15上通过真空蒸镀法、溅射法等的干式法、电镀法等湿式法、旋涂法等涂敷法而形成反射层16，进而在反射层16上涂敷形成粘接层17。再有，虽然没有特别图示，但为了保护反射层16的表面，也可以设置透明的薄膜、树脂等的保护层。 [0053] 此外，也可以代替图2所示的方法，不在反射层16上形成粘接层17，而在全息记录介质11的第2面11B直接形成。 [0054] 反射层16由相对于在进行以下说明的全息再生时使用的再生参照光示出高反射率的、优选是50%以上的反射率的材料构成。例如可举出Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Ta、W、Pd、Pt、Au、Pb等金属以及它们的合金。此外，通过采用将对上述再生参照光的波长选择性地示出50%以上的反射率的折射率相异的层相互层叠而成的波长选择多层膜，例如将各层以从MgF2、SiO2、Al2O3、ZnS、TiO2、Si3N4、Ta2O5、V2O5、ZnO、ZrO2、Nb2O5、In2O3、SnO2、WO3、PbO等中选择出的材料来适宜地选择形成而做成多层膜，能够做成上述的波长选择多层膜。此外，也可以使用上述材料的混合物、例如三元类、四元类来做成上述波长选择多层膜。 [0055] 粘接层17没有特别限制，可对应于目的适宜地选择，例如能够举出紫外线固化型、1液固化型、2液固化型等各种粘接剂，能够将各个公知的粘接剂任意地组合来使用。可是，优选粘接层17是在全息记录介质11的折射率±0.1的范围，更优选是在±0.05的范围，特别优选是与全息记录介质相同的组成物。 [0056] 即使在全息记录介质11表面存在凹凸的情况下，这样的凹凸部通过粘接层17而被埋设。因此，通过如上述那样较小地保持全息记录介质11与粘接层17的折射率差，能够使它们之间的折射率差实质上被抵消。因此，即使在全息记录介质11表面有凹凸的情况下，再生参照光也不会被折射、散射，能够进行良好的全息再生。 [0057] 此外，粘接层17的涂敷厚度虽然没有特别限制，但为了即使在再生参照光相对于介质面以某个入射角而照射的情况下，也较小地抑制入射位置与对全息记录介质照射再生参照光的位置之间的偏移，所以优选是0.1~200µm，更优选是0.1~100µm，进一步优选是0.1~10µm。 [0058] 接下来，使粘接层17与全息记录介质11的与第1面11A相向的第2面接合并使其密接，获得如图3所示的只读全息记录介质。在粘接时，为了防止气泡的混入，在减压下进行是有效的。 [0059] 接下来，如图4所示，在全息记录介质11的第1面11A的上方配置第3光源17，从该光源17将再生参照光C照射到全息记录介质11的记录区域14，并且通过反射层16反射，获得再生信号光D。 [0060] 经过以上的操作，进行向全息记录介质11的记录及再生。 [0061] 依据本例的全息记录介质的记录再生方法，对全息记录介质11从第1面11A侧照射记录信号光A及记录参照光B而形成干涉条纹(记录区域14)，在实施记录操作后，以密接于全息记录介质11的与第1面11A相向一侧的第2面11B的方式设置反射层16，然后照射再生参照光C而获得再生信号光D。 [0062] 在该情况下，因为反射层16是密接于全息记录介质而被设置，所以再生参照光C的入射位置与对全息记录区域14照射再生参照光C的位置之间难以发生偏移。即，由于能够对靠近全息记录区域14的位置照射再生参照光C，所以不需要设置用于补正入射位置用的补正机构。 [0063] 进而在本发明中，由于在全息记录时不存在反射层，所以能够防止在全息记录介质中形成多余的曝光及多余的干涉条纹，能够实现噪声的降低及记录多重度的提高此外，因为在再生时能够利用反射层的高反射率来获得大的再生输出，所以能够达成更高的S/N及高传输速率。 [0064] 此外如上述那样，即使在全息记录介质11表面有凹凸，这样的凹凸部也被粘接层17埋设，使折射率差抵消，因此再生参照光不会折射、散射，能够进行良好的全息再生。 [0065] 再有，在上述例子中，在准备支承基板15，在该支承基板l5上形成反射层16而形成了支承体之后，使该支承体接触于全息记录介质11而进行接合。在该情况下，因为在支承基板15上预先形成有反射层16，所以能够在任意的阶段中简易地进行向全息记录介质11的接合。 [0066] 此外，也能够不像上述那样使用支承基板15，而是在全息记录介质11的第2面11B上直接以溅射法等形成反射层16。 [0067] 进而，也可以在反射层16的表面形成硬镀敷材料等的保护层，实施确保强度、刚性，防止刮伤、防止腐蚀的处理。 [0068] 图5是上述全息记录再生的变形例。在图5中，将全息记录介质11以被透明基板21和防反射体22夹入的方式形成。 [0069] 透明基板21由玻璃或塑料构成，由表面平滑的材料构成。再有，对应于需要优选在表面设置有防反射膜。在该情况下，优选与空气层的界面的反射率是1%以下。 [0070] 防反射体22使用薄膜、偏振板、偏振薄膜、光吸收板、光吸收薄膜、防反射膜等。再有，在使用偏振板、偏振薄膜的情况下，以与进行全息记录时的记录信号光A、记录参照光B的偏振方向成为约90°的方式设置。 [0071] 此外，因为防反射体22在全息记录后被除去，所以预先设有脱模剂的话容易除去，是优选的。 [0072] 在本例中，在全息记录时，能够将记录信号光A与记录参照光B有效率地封闭在全息记录介质11中，即使在记录信号光A及记录参照光B的强度较小的情况下也能够有效率地进行全息记录。此外，全息记录介质11的形成变得容易，厚度的管理变得容易。 [0073] 再有，如图3所示那样的全息记录介质11与反射层16的接合，在防反射体22对再生参照光具有光吸收性的情况下是在将其除去后才进行，之后，以图4所示那样的过程来实施再生操作。因此，在本例中，在全息再生中也能够获得与上述例子同样的作用效果。 [0074] 此外，在使用光吸收性薄膜、防反射膜等的膜体来构成防反射体22的情况下，例如在厚度200µm以下的透明基板上(与全息记录介质相向一侧的面)形成。 [0075] 再有，透明基板21可以对应于需要而适宜地省略。 [0076] (全息记录再生的具体例)图6是表示用于进行全息记录的光学装置的一例的概略结构图。如图6所示，本例中的光学装置40具有激光器41，沿着光路依次设置有：1/2波长板(以下也称作半波板half wave plate/HWP)42、偏振分束器43、扩束器44、快门45、光圈46、HWP47、偏振分束器43及空间调制器49。此外，在偏振分束器43的与空间光调制器49相向的一侧设置有聚光透镜 51，在偏振分束器48的下方设置有角度扫描机构52。 [0077] 再有，全息记录介质53被配置在聚光透镜51的前方，在记录操作时，采用图1或5所示的结构。此外，全息记录介质53被安装在未图示的在垂直方向(φ)上旋转的旋转工作台上。 [0078] 激光器41例如能够由半导体激光器等构成。HWP42用于调整光学系统整体的功率，HWP47用于调整信号光与参照光的功率的比率。此外，空间光调制器49调制激光而使其成为例如明暗的点图案，生成记录信号光A。此外，角度扫描机构52用于使记录参照光B的入射角θ变化，基于2光束干涉法来进行多重记录。 [0079] 在图7中表示使空间光调制器49显示的点图案的一例。左边是1页面的整体，将50×50点排列为7×7，构成122.5k比特。右边是将正中央的50×50点的放大的图。 [0080] 从激光器41发出的激光在HWP42中接受功率的调整后，在偏振分束器43被向下方反射，到达扩束器44而扩大光束直径。之后，打开快门45而使全息记录介质53为曝光状态。接下来，以光圈46使光束直径缩窄后，以偏振分束器48进行分波，将一方导入空间光调制器49而使其重叠图7所示的点图案的信号并作为记录信号光A。记录信号光A在聚光透镜51被聚光后，照射到全息记录介质53的记录区域上。 [0081] 另一方面，在偏振分束器48被分波的另一方的激光被导入角度扫描机构52，在受到规定的角度扫描后以入射角θ被照射到全息记录介质53的上述记录区域上。 [0082] 此时，使空间光调制器49显示第1页面的信号，设定为θ与φ，使快门45打开规定时间而使其曝光，对全息记录介质记录第1页面。接下来，使空间光调制器49显示第2页面的信号，将θ与φ设定为下一个规定的值，使快门45打开规定的时间而使其曝光而记录第2页面。以下，反复上述操作，直到达到规定的多重度为止。对应于需要使介质移动至规定位置使记录信号光及记录参照光照射到，反复上述操作而依次进行记录。 [0083] 在记录结束后，对应于需要特别是在全息记录介质是光聚合物的情况下，为了使残存的单体全部聚合而实现稳定化的目的，进行整面曝光照射(定型处理)。但是在以下的再生操作中，在对全息记录介质将反射层隔着由紫外线固化树脂构成的粘接层而进行接合的情况下，能够省略本整面曝光工程。 [0084] 图8是表示用于进行全息再生的光学装置的一例的概略结构图。在图8所示的光学装置60中，是在图6所示的光学装置40中将HWP47、偏振分束器48及空间光调制器49拆除，取代其在空间光调制器49的位置配置有CMOS、CCD那样的图像传感器55。再有，在该情况下，因为进行全息再生，所以全息记录介质53例如像图3所示那样成为被接合有反射层的状态。 [0085] 因此，在再生中，从激光器41发出的激光在快门45打开的状态下，经由HWP42、偏振分束器43、扩束器44而到达角度扫描机构52，作为再生参照光C照射到全息记录介质53上。此时，设定为与规定的(希望再生的)页面对应的θ与φ将再生参照光C照射到介质53，进行曝光而取出再生信号光D，在图像传感器55获得再生图像，对应于需要实施信号处理而获得再生信号此时，优选光学系统是相位共轭再生的结构。即，优选相对于记录时的记录信号光及记录参照光，再生参照光是相位共轭光。由此，透镜系统的像差等的失真在再生时被抵消，能够获得失真少的再生信号。在进行相位共轭再生时，能够通过使φ为相对于记录时旋转 180°的位置而实现。 实施例 [0086] (实验例1)作为上述全息记录介质的材料，在氮气氛下调制由下述组成构成的光聚合物组成物。 [0087] 六亚甲基二异氰酸酯（hexamethylene diisocyanate，东京化成工业（株式会社）制）（折射率nD=1.453）30.8重量部；聚氧化丙烯三醇（polyether triol，（株式会社）ADEKA制，G-400，平均分子量409）（折射率nD=1.469）48.1重量部；9,9’-双(4-羟基苯)芴二缩水甘油醚的丙烯酸衍生物（9,9-Bis(4-hydroxyphenyl)fluorine containing acrylic acid，新日铁化学（株式会社）制，ASF-400）（折射率nD= 1.616）4.0重量部；二月桂酸二丁基锡（束京化成工业（株式会社）制）0.03重量部；双(η5-2,4-环戊二烯-l-y1)-双(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-yl)-苯基)钛(bis(η5-2,4-cyclopentadien-l-y1)-bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrol-1-yl)–p henyl)titanium）（Ciba Specialty Chemicals制，IRGACURE784）1.2重量部；苊烯（acenaphthylene，新日铁化学（株式会社）制）（折射率nD =1.678）4.0重量部；O-乙酰柠檬酸三丁酯（束京化成工业（株式会社）制）（折射率nD=1.441）11.8重量部。通过以上，记录材料的系统全体的折射率nD是1.475。 [0088] 接下来，将光聚合物组成物，在氮气氛下，在折射率nD为约1.523的0.5mm厚的玻璃基板(B270)，与内侧涂敷有脱模剂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET，n=1.57)薄膜之间，以成为厚度700µm的方式注入，静置一晚后，以60℃加热处理5小时，得到全息记录介质。此时，以使得PET薄膜不被记录材料拉伸变形的方式，在外侧施加张力并保持平面性。此外，上述加热处理，是为使物基（matrix）的聚合更为可靠而进行的处理，若在处理前聚合就已经充分进展的话就能够省略。 [0089] 接下来，在PET薄膜的背面，为了防止反射而涂敷黑色的涂料。此时，当532nm波长的光从记录材料侧入射时，在PET薄膜面的反射率约为2%。再有，上述黑色涂料是以防止反射为目的而涂敷的，因此如果使用实施了光吸收或防反射处理的薄膜的话，就不需要上述黑色涂料的涂敷。 [0090] 接下来，表示用以上方法制作的介质的记录再生例。在全息记录中，从基板侧使用图6所示的光学系统40来进行，使空间光调制器49显示图7所示图案并生成记录信号光。 [0091] 在全息记录介质的规定场所，将θ从51°至66°以1°步长而进行l6多重，将φ从0°至168°以12°步长而进行15多重，合计进行16×15=240多重，进而，将θ从51°至66°以0.6°步长而进行26多重，将φ从0°至171°以9°步长而进行20多重，合计进行26×20=520多重记录。再有，记录光从玻璃基板侧入射而进行了全息记录。 [0092] 在全息记录结束后，使用中心波长约530nm的LED来对介质进行整面曝光，进行定型处理。其后，将上述PET薄膜剥离除去。 [0093] 接下来，作为粘接剂的材料，在氮气氛下调制由下述组成构成的粘接剂组成物。 [0094] 六亚甲基二异氰酸酯（hexamethylene diisocyanate，东京化成工业（株式会社）制）（折射率nD=1.453）33.6重量部；聚氧化丙烯三醇（polyether triol，（株式会社）ADEKA制，G-400，平均分子量409）（折射率nD=1.469）52.7重量部；9,9’-双(4-羟基苯)芴二缩水甘油醚的丙烯酸衍生物（9,9-Bis(4-hydroxyphenyl)fluorine containing acrylic acid，新日铁化学（株式会社）制，ASF-400）（折射率nD= 1.616）4.0重量部；二月桂酸二丁基锡（束京化成工业（株式会社）制）0.03重量部；萘（naphthylene，新日铁化学（株式会社）制）（折射率nD =1.638）4.0重量部；O-乙酰柠檬酸三丁酯（束京化成工业（株式会社）制）（折射率nD=1.441）4.5重量部。 [0095] 通过以上，粘接剂的系统全体的折射率nD是和记录材料同等的大约1.475。上述粘接剂是为了成为透明而不会发生光聚合反应，且使折射率接近于记录材料的目的而采用上述组成，只要能够符合本目的的话组成为任意的。 [0096] 接下来，在设置有对532nm波长的反射率是87%的反射层的支承基板上，在气温25℃、温度40%的气氛下将上述粘接剂组成物以旋转涂敷机进行旋镀而成为厚度100µm后，以不使气泡侵入的方式迅速与上述基板贴合，在氮气氛下静置一晚后，以60℃加热处理5小时，由此获得设有反射层的记录后的介质。再有，上述加热处理是为了使物基的聚合更可靠而进行的处理，如果在处理前聚合就已经充分进展的话就能够省略。 [0097] 此时，在全息记录介质表面，即使有通过PET薄膜的凹凸直接转印而产生的凹凸，或是因为聚合收缩而在表面产生变形，因为通过上述粘接剂使表面平整而变得平滑，因此能够实现良好的全息再生。 [0098] 接下来，使用图8所示的全息再生光学系统60，进行240多重记录的最终页面也就是第240页面的再生。激光器使用与记录时相同的激光器。为了进行相位共轭再生，将φ设定在相当于记录时旋转了180°的位置。 [0099] 在图9中放大表示再生所得的图像中的中心的50×50比特。可知明暗的对比度良好，记录信号被良好地再现此外，在图10中表示对同介质进行了520多重记录时的S/N及BER(bit error rate，-3 误比特率)的推移。S/N、BER的平均值分别为2.53、3.9×10 。由于记录时的反射光的影响少，因此噪声低，此外由于再生时反射层的反射率高，所以信号高，结果能够获得高S/N、低BER。 [0100] 在这里，S/N(signal to noise ratio，信号噪声比)以与文献2所示的SNR相同的方法来求取。此外，BER是将再生所得的图像按每一像素对强度进行统计处理，作为期望值而被计算。 [0101] (实验例2)将全息记录介质的材料与实验例1同样地进行调制。接下来，将光聚合物组成物在氮气氛下，在折射率nD为大约1.523的0.5mm厚的玻璃基板(B270)之间，以成为厚度700µm的方式注入，静置一晚后，以60℃加热处理5小时而获得全息记录介质。 [0102] 接下来，在0.2mm厚的玻璃基板的背面，为了防反射的目的而将黑色的粘着胶带以不使气泡侵入的方式进行粘贴。此时，当使532nm波长的光从记录材料侧入射时，在玻璃基板与粘着胶带界面的反射率是约1%。此外，由于上述粘着胶带是为了防止反射的目的而粘贴，因此涂敷具有光吸收性的涂料，在全息记录后去除，也能获得同样的效果。 [0103] 接下来，和实验例1同样地，进行520多重记录。此时使记录光从0.5mm厚的玻璃基板侧入射而进行了全息记录。全息记录结束后，使用中心波长约530nm的LED对介质进行整面曝光，进行定型处理。 [0104] 其后，在将上述粘着胶带剥离去除后，在该面使用溅射法而将Ag成膜约50nm。此时，当532nm波长的光从记录材料侧入射时的反射率约为50%。 [0105] 然后，520多重记录记录时的S/N、BER的平均值分别为3.30、1.6×10-4。记录时的反射光的影响更少且噪声降低，结果可获得高S/N、低BER。 [0106] (实验例3)将全息记录介质的材料与实验例1-1同样地调制。接下来，将光聚合物组成物，在氮气氛下，在折射率nD为1.487且厚度为0.5mm与0.2mm的玻璃基板(OHARA S-FSL5)之间，以成为厚度700µm的方式注入，静置一晚后以60℃加热处理5小时，得到全息记录介质。此时以使防反射膜朝向外侧的方式设置基板。此时，在使532nm波长的光从记录材料侧入射时，在0.2mm的玻璃基板的外侧的面(形成有防反射膜的面)上的反射率约为0.5%。 [0107] 接下来，和实验例1同样地，进行520多重记录。此时使记录光从0.5mm厚的玻璃基板侧入射而进行了全息记录。 [0108] 在全息记录结束后，使用中心波长约530nm的LED对介质进行整面曝光，进行定型处理。 [0109] 其后，在0.2mm的玻璃基板的外侧的面(形成有防反射膜的面)，使用溅射法将Ag成膜约100nm。此时，使532nm波长的光从记录材料侧入射时的反射率约为80%。 [0110] 然后，520多重记录记录时的S/N、BER的平均值分别为4.34、2.3×10-6。由于记录时的反射光的影响更少且噪声降低，而且将反射层成膜100nm而再生时的反射率提高，所以结果可获得高S/N、低BER。 [0111] (实验例4)在玻璃基板上，依次形成Ag全反射层、ZnS-SiO2电介质层、GeSbTe相变化层、ZnS-SiO2电介质层，作为相变化反射层。Ag及GeSbTe是使用DC溅射法而成膜，ZnS-SiO2是使用RF溅射法而成膜。在其上形成厚度0.8mm的作为全息记录介质的的光聚合物，由此准备记录用介质。此时，相变化层是非晶质，相变化反射层的反射率约为4%。 [0112] 接下来，与之前的实验例同样地，进行合计240多重的全息记录。在全息记录结束后，使用中心波长约530nm的LED对介质进行整面曝光，进行定型处理。 [0113] 接下来，准备在相变化型光盘的制造过程中使用的初始化装置，实施相变化层的结晶化处理。结晶化后的相变化反射层的反射率是27%。接下来，使用图8所示的全息再生光学系统，进行多重记录的最终页面也就是第240页面的再生。为了进行相位共轭再生，将φ设定在相对于记录时旋转了180°的位置。 [0114] 在图11中放大表示再生获得的图像的中心的50×50比特。明暗的对比不鲜明，对记录信号的再现性差。由于记录时的反射光的影响而噪声高，此外再生时反射层的反射率低，所以信号低，结果S/N变低。进而，在光聚合物聚合的过程中容易发生体积收缩，因收缩的影响而导致反射层发生翘曲等变形，也是造成S/N劣化的主因。 [0115] (实验例5)以和实验例1同样的要领，在基板上设置作为全息记录介质的光聚合物。 [0116] 接下来，将PET薄膜剥离除去之后，从全息记录介质侧、即与上述基板相反的一侧照射记录信号光、记录参照光，与之前的实验例同样地，进行520多重的全息记录。在全息记录结束后，使用中心波长约530nm的LED而对介质进行整面曝光，进行定型处理。 [0117] 接下来，在全息记录介质侧以与之前的实验例同样的要领设置反射层。接下来，使用图8所示的全息再生光学系统，从上述基板侧照射再生参照光而进行全息再生。为了进行相位共轭再生，将φ设定为相对于记录时旋转了180°的位置。 [0118] 在图12中表示进行了520多重记录时的S/N及BER的推移。S/N、BER的平均值-2分别为1.59、4.6×10 。 [0119] 由于全息记录介质表面不一定平滑，在表面有凹凸，且从全息记录介质侧照射记录光，所以在全息记录介质表面发生不均匀的折射，由此不能进行良好的记录，所以与实验例1相比S/N变低、BER变高。 [0120] 以上虽然基于上述具体例子详细地说明了本发明，但本发明并不限定于上述具体例子，只要不脱离本发明的范畴就能进行所有变形、变更。 [0121] 附图标记说明11：全息记录介质 11A：(全息记录介质的)第1面 11B：(全息记录介质的)第2面 12：第1光源 13：第2光源 14：全息记录区域 15：支承基板 16：反射层 17：粘接层 19：第3光源 |
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