光刻系统 |
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| 申请号 | CN201621353213.3 | 申请日 | 2016-12-09 | 公开(公告)号 | CN206584158U | 公开(公告)日 | 2017-10-24 |
| 申请人 | 应用材料公司; | 发明人 | B·M·约翰斯通; J·怀特; T·莱帝克; | ||||
| 摘要 | 本实用新型提供一种 光刻 系统。在一个实施方式中，一种光刻系统包括：卡盘，所述卡盘具有 基板 接收表面；处理单元，所述处理单元设置在所述卡盘上方；一个或多个通气口，所述一个或多个通气口设置在所述处理单元上方；气源，所述气源耦接到所述一个或多个通气口；以及排放端口，所述排放端口设置在所述卡盘下方。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种光刻系统，所述光刻系统包括： |
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| 说明书全文 | 光刻系统技术领域[0001] 本公开的实施方式总体涉及用于处理一个或多个基板的系统和方法，并且更具体地，涉及用于执行光刻工艺的系统和方法。 背景技术[0002] 光刻广泛地用于制造半导体器件和显示设备(诸如液晶显示器(LCD))。通常在 LCD的制造中利用大面积基板。LCD或者平板常常用于有源矩阵显示器，诸如计算机、触摸面板设备、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、电视机监视器等等。一般来说，平板可以包括液晶材料层，该液晶材料层形成夹在两个板之间的像素。当将来自电源的电力施加在液晶材料上时，可在像素位置处控制穿过液晶材料的光的量，从而使得图像被生成。 [0003] 显微光刻技术一般用来创建作为形成像素的液晶材料层的部分而并入的电学特征。根据这项技术，通常将光敏型光刻胶涂覆到基板的至少一个表面。接着，图案产生器用光来使光敏型光刻胶的作为图案的部分的所选区域曝光，以便导致所选区域中的光刻胶的化学变化，从而使这些所选区域准备好进行后续材料去除和/或材料添加工艺以创建电学特征。在处理过程中，环境空气中的颗粒可能存留在基板上，并且因此污染基板。 [0004] 因此，需要改进的光刻系统。实用新型内容 [0005] 本公开的实施方式总体涉及用于执行光刻工艺的系统和方法。在一个实施方式中，在操作过程中，在光刻系统内提供层状气流。通过在所述系统内利用层状气流替代湍动气流，对设置在所述系统内的基板的位置的测量的准确度因干涉仪的信号完整性提高而得以提高。 [0006] 在一个实施方式中，光刻系统包括：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面；处理单元，所述处理单元设置在所述卡盘上方；一个或多个通气口(gas vent)，所述一个或多个通气口设置在所述处理单元上方；气源，所述气源耦接到所述一个或多个通气口；以及排放端口，所述排放端口设置在所述卡盘下方。 [0007] 在另一实施方式中，光刻系统包括：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面；处理单元，所述处理单元设置在所述卡盘上方；一个或多个通气口，所述一个或多个通气口设置在所述卡盘上方；气源，所述气源耦接到所述一个或多个通气口；以及排放端口，所述排放端口设置在所述处理单元下方。 [0008] 在另一实施方式中，光刻系统包括：处理单元；以及卡盘，所述卡盘具有基板接收表面。所述卡盘设置在所述处理单元下方，并且能够沿X方向和Y方向移动。所述光刻系统进一步包括用于测量所述卡盘沿所述X方向和所述Y方向的位移的多个干涉仪。附图说明 [0009] 因此，为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可参考实施方式得出上文所简要概述的本公开的更具体的描述，一些实施方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅仅示出本公开的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施方式。 [0010] 图1是根据本文所公开的实施方式的系统的立体图。 [0011] 图2是根据本文所公开的实施方式的用于包封图1所示系统的罩壳的示意性立体图。 [0012] 图3A至图3B是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的支撑件的示意性立体图。 [0013] 图4是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的示意性顶视图。 [0014] 图5A至图5B是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的示意性顶视图。 [0015] 图6是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的干涉仪的示意性顶视图。 [0016] 图7是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的卡盘的一部分的示意性侧视图。 [0017] 图8是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的卡盘和干涉仪的示意性顶视图。 [0018] 为了促进理解，已尽可能使用相同附图标记来标示各图所共有的相同要素。另外，一个实施方式的要素可有利地适用于本文中描述的其他实施方式。 具体实施方式[0019] 本公开的实施方式总体涉及用于执行光刻工艺的系统和方法。在一个实施方式中，在操作过程中，在光刻系统内提供层状气流。通过在所述系统内利用层状气流替代湍动气流，对设置在所述系统内的基板的位置的测量的准确度因干涉仪的信号完整性提高而得以提高。 [0020] 图1是根据本文所公开的实施方式的系统100的立体图。系统100包括底架110、板件120、两个或更多个卡盘130以及处理装置160。底架110可搁置于制造厂房的地面上，并且可以支撑板件120。被动式空气隔离器112可定位在底架110与板件120之间。板件120可为整块的花岗岩，并且可将两个或更多个卡盘130设置在板件120上。在一些实施方式中，两个卡盘130设置在板件120上，并且两个卡盘130在第一方向(诸如X方向)上对准，如图1所示。基板140可由两个或更多个卡盘130中的每一个支撑。多个孔(未示出)可形成在每个卡盘130中以允许多个升降销(未示出)延伸穿过其中。升降销可升到伸展位置以便接收基板140，诸如从传送机械手(未示出)处接收。传送机械手可将基板140定位在升降销上，并且此后，升降销可将基板140缓慢降低到每个卡盘130上。 [0021] 基板140可例如由碱土金属硼-铝硅酸盐玻璃制成，并且用作平板显示器的部分。在其他实施方式中，基板140可由其他材料(诸如聚合材料)制成。在一些实施方式中，基板 140可以具有形成在其上的光刻胶层。光刻胶是对辐射敏感的，并且可以是正性光刻胶或负性光刻胶，这意味着光刻胶的暴露于辐射的部分将相应地为可溶于或不可溶于在图案写入光刻胶后涂覆到光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学组分确定光刻胶将是正性光刻胶还是负性光刻胶。例如，光刻胶可包括以下至少一者：重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二酰亚胺)和SU-8。以此方式，可在基板140的表面上创建图案，以便形成电子电路。 [0022] 系统100可进一步包括一对支撑件122和一对轨道124。这对轨道124可由这对支撑件122支撑，并且两个或更多个卡盘130可沿轨道124在X方向上移动。轨道124和支撑件122可在操作期间通过空气轴承系统(未示出)进行升降。在一个实施方式中，这对轨道124是一对平行磁性通道。如图所示，这对轨道124中的每个轨道124是线性的。在其他实施方式中，轨道124可以具有非线性的形状。线缆载体126可耦接到每个卡盘130。通常，系统可以包括用于测量基板140的位置信息的编码器(未示出)。卡盘130在Z方向上离编码器某个距离，并且所述距离可为200至250mm。由于结构刚度，卡盘130在X方向或Y方向上的实际位置和由编码器所测量的卡盘130在X方向或Y方向上的位置可能存在偏差。为了在操作过程中更准确地测量基板140的位置，可将多个干涉仪142设置在板件120上，并且干涉仪142与耦接到每个卡盘130的镜子144 对准。镜子144在Z方向上比编码器更靠近基板140，由此干涉仪142测量到的位置信息比编码器测量到的位置信息更准确。卡盘130可为真空卡盘，它可将基板140固定到卡盘130，以最小化卡盘130与基板140之间的位置差异。干涉仪142可为任何合适的干涉仪，诸如高稳定性平面镜干涉仪。干涉仪142测量到的基板140的位置信息可提供到控制器(未示出)，并且控制器控制卡盘130的运动。 [0023] 处理装置160可以包括支撑件162和处理单元164。可将支撑件162设置在板件120 上，并且支撑件162可以包括开口166以供两个或更多个卡盘130穿过处理单元164下方。一个或多个干涉仪142可设置在支撑件162下方的板件120上。处理单元164可由支撑件162支撑。在一个实施方式中，处理单元164是图案产生器，该图案产生器被配置成将光刻胶暴露在光刻工艺下。在一些实施方式中，图案产生器可配置成执行无掩模式光刻工艺。处理单元164可以包括多个图像投影系统，这些图像投影系统设置在壳体 165中。处理装置160可以用来执行无掩模式直接图案化。在操作期间，两个或更多个卡盘130中的一个在X方向上从装载位置(如图1所示)移动到处理位置。处理位置可指卡盘130在卡盘130穿过处理单元164下方时所处一个或多个位置。在操作过程中，两个或更多个卡盘130可由多个空气轴承(未示出)进行升降，并且可沿这对轨道124 从装载位置移动到处理位置。多个竖直导向空气轴承(未示出)可耦接到每个卡盘130 并定位成与每个支撑件122的内壁128相邻，以便稳定卡盘130的移动。两个或更多个卡盘130中的每一个还可通过沿轨道150移动来在Y方向上移动，以对基板140进行处理和/或转位(index)。 [0024] 图2是根据本文所公开的实施方式的用于包封图1所示系统的罩壳200的示意性立体图。系统100在操作期间可被包封在罩壳200中。为了防止污染基板140，气体可以流过罩壳200。气体可以包括空气、氮气或一种或多种任何其他合适气体。为了维持干涉仪142的信号完整性，罩壳200内的气流可控制为层状。如图2所示，罩壳200可以包括顶板202和侧壁204。在一个实施方式中，可将通气口206设置在顶板202中，并经由气体管道205连接到气源 210。在操作过程中，气体从气源210供应到通气口206，并且气体从顶板202流动到底板220，系统100和罩壳200被支撑在底板220上。排放端口222可以形成在底板220中。换句话说，气流从罩壳200的顶部被引导到该罩壳的底部。气源210可以位于处理单元164上方，并且排放端口222可以位于处理单元164 下方。从排放端口222离开罩壳200的气体可送回到气源 210。在一些实施方式中，气源210并不引入除了离开罩壳200的气体之外的任何气体。换句话说，气体循环进出罩壳200。气源210可以用来确保进入罩壳200的气体的温度保持恒定。 温度控制设备211 (诸如热交换器)可以位于气源210内部。小的温度变化可对系统100的准确度造成影响，因为系统100的部件会热生长。罩壳200内的气流可为层状，它在气源210处受到控制或通过耦接到气体管道205的流调节器214进行控制。 [0025] 或者，可将通气口208设置在侧壁204中的一个中。通气口208可经由气体管道209 连接到气源212。在操作过程中，气体从气源212供应到通气口208，并且气流从侧壁 204被引导到相对的侧壁204。排放端口226可以形成在相对侧壁204中。换句话说，气体侧到侧地流动。同样，从排放端口226离开罩壳200的气体可送回到气源212。在一些实施方式中，气源212并不引入除了离开罩壳200的气体之外的任何气体。换句话说，气体循环进出罩壳200。 气源212可以用来确保进入罩壳200的气体的温度保持恒定。温度控制设备213(诸如热交换器)可以位于气源212内部。罩壳200内的气流可为层状，它在气源212处受到控制或通过耦接到气体管道209的流调节器216进行控制。罩壳200内的侧到侧的层状气流可减少形成气体涡流的可能性，这是因为气体障碍物(诸如底架110和板件120)被避开。 [0026] 图3A是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统100的支撑件162的示意性立体图。如图3A所示，支撑件162可以包括：底座350，所述底座设置在板件120上；以及多个梁352，所述多个梁用于支撑处理单元164(图1)。一个或多个间隙354可形成在相邻梁352之间。无掩模式直接图案化可由处理单元164通过相邻梁352之间的间隙354在基板140(图1)上执行。梁352可以是基本上平行的。由于可将干涉仪142 设置在间隙354中(即，邻近底座 350、不在梁352下方)，所以由通气口206、208提供的层状气流可以到达干涉仪。 [0027] 图3B是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统100的支撑件162的示意性立体图。如图3B所示，支撑件162可以包括顶板302以用于支撑处理单元164(图1)。处理单元164在顶板302上的位置通过由虚线限定的区域306示出。顶板302可以基本上平行于板件120(图1)。支撑件162可进一步包括支撑顶板302的侧壁304。侧壁 304可以基本上平行于彼此。顶板302和侧壁304可以限定开口166(图1)。由于可将干涉仪142设置在开口166内(即，邻近侧壁304并在顶板302下方)，所以通气口可以形成在支撑件162中，以便在设有干涉仪142的区域中提供层状气流。在一个实施方式中，一个或多个通气口308可以形成在顶板302中，并且一个或多个通气口308可以位于干涉仪142正上方。每个通气口308可具有在X方向(图1)上的纵向轴线309。一个或多个通气口308可经由一个或多个气体管道314耦接到气源312。 气体可以包括空气、氮气或一种或多种任何其他合适气体。在一个实施方式中，两个通气口 308形成在顶板302中，并且区域306位于通气口308之间。每个通气口被耦接到一个气体管道 314，并且两个气体管道314均被耦接到气体管道315。气体管道315被耦接到气源312。在其他实施方式中，每个气体管道314被耦接到不同气源。气流从顶板302被引导到板件120(图1)。换句话说，该气流是从顶部至底部的。干涉仪142的区域内的气流可为层状，它在气源312处受到控制或通过耦接到气体管道315的流调节器316进行控制。 [0028] 一种用于在干涉仪142的区域中提供层状气流的替代方法是具有形成在一个侧壁 304中的通气口310，并且通气口310可经由气体管道320耦接到气源318。通气口310 可具有在X方向(图1)上的纵向轴线311。气流从一个侧壁304被引导到另一侧壁304。换句话说，该气流是侧到侧的。同样，干涉仪142的区域内的气流可为层状，它在气源 318处受到控制或通过耦接到气体管道320的流调节器322进行控制。在通气口206、 208(图2)之外或代替通气口206、208(图2)可提供通气口308、310。如果利用在支撑件162和罩壳200两者中的通气口，那么提供在支撑件162和罩壳200两者中的顶部至底部或侧到侧的气流。除了气源210或 212之外，还可存在气源312或318，并且气源312或318还可分别包括温度控制设备313或319以用于维持层状气流的温度。 [0029] 图4是根据本文所公开的实施方式的系统100的示意性顶视图。为了更好地示出卡盘130和干涉仪402、404、406、408、410，省略处理装置160。干涉仪402、404、406、 408、410可为图1所示干涉仪142。如图4所示，多个镜子412、414、416、418、420、 422可耦接到卡盘401、403，并且镜子412、414、416、418可分别与干涉仪402、404、 406、408在X方向和Z方向上对准。镜子420、422可与干涉仪410在Z方向上对准。卡盘401、403可为图1所示卡盘130，并且镜子412、414、416、418、420、422可为图1所示镜子144。卡盘401处于处理位置，如图4所示。卡盘401、403在X方向上对准，并且干涉仪402、404和干涉仪406、408沿Y方向设置，Y方向基本上垂直于X 方向。在一些实施方式中，镜子412、414和镜子416、418可为单块镜子，该单块镜子覆盖了每个卡盘401、403的侧部的整个长度。 [0030] 激光源424可用来提供被引导到第一分束器426的激光射束440。激光射束440可以具有任何合适波长，诸如约550nm。第一分束器426将激光射束440分成第一子射束 442和第二子射束444。第一子射束442可被引导到第二分束器428，第二分束器将第一子射束442分成第三子射束446和第四子射束448。第三子射束446可被引导到第三分束器430，并且第四子射束448可被引导到干涉仪410。第四子射束448可以是从干涉仪410离开、被引导到镜子420的射束411，并且镜子420将射束411反射(示为反射射束413)回干涉仪410。射束411与反射射束413之间的信号相位变化用于检测干涉仪410与镜子420之间的距离的任何变化，即，Y方向上的任何变化。在操作过程中， Y方向上的任何变化可转化到设置在卡盘401上的基板(未示出)相对于Y方向的位置中。在一个实施方式中，一个干涉仪410设置在卡盘401、403之间。在操作过程中，干涉仪410测量设置在处于操作位置的卡盘401或403上的基板(未示出)相对于Y方向的位置。 [0031] 第三分束器430将第三子射束446分成被引导到干涉仪402的第五子射束450和被引导到干涉仪404的第六子射束452。类似地，干涉仪402将射束460引导到镜子412，镜子412将反射射束462引导回干涉仪402，并且干涉仪404将射束456引导到镜子414，镜子414将反射射束458引导回干涉仪404。干涉仪402、404分别检测在干涉仪402、 404与镜子412、414之间的距离的任何变化，即，X方向上的任何变化。在操作过程中， X方向上的任何变化可转化到设置在卡盘401上的基板(未示出)相对于X方向的位置中。 [0032] 第二子射束444可被引导到镜子432，镜子432将第二子射束444引导到第四分束器434。第四分束器434将第二子射束444分成被引导到波长跟踪器436的第七子射束 468和被引导到第五分束器438的第八子射束464。激光射束的波长可能受环境条件(诸如温度、压力或湿度)影响。波长跟踪器436跟踪空气的折射率变化，以便在光学上补偿环境变化。第五分束器438将第八子射束464分成被引导到干涉仪408的第九子射束 472和被引导到干涉仪 406的第十子射束470。类似地，干涉仪408将射束473引导到镜子418，镜子418将反射射束 480引导回干涉仪408，并且干涉仪406将射束474引导到镜子416，镜子416将反射射束476引导回干涉仪406。干涉仪406、408分别检测在干涉仪406、408与镜子416、418之间的距离的任何变化，即，X方向上的任何变化。在操作过程中，X方向上的任何变化可转化到设置在卡盘 403上的基板(未示出)相对于X方向的位置中。如图4所示，针对每个卡盘，使用两个干涉仪测量基板相对于X 方向的位置，而对两个卡盘来说，使用一个干涉仪测量基板相对于Y方向的位置。分束器的位置和数量可以变化。 [0033] 由虚线限定的区域415位于图3所示通气口308正下方。因此，射束411、413可暴露于由通气口308提供的层状气流。类似地，所有射束可暴露于由通气口308、206 或通气口310、208提供的层状气流。由于层状气流，得以维持干涉仪的信号完整性。 [0034] 图5A是根据另一实施方式的系统100的示意性顶视图。系统100可以包括卡盘401、403。第一卡盘401包括第一侧部502、与第一侧部502相对的第二侧部504、连接第一侧部502和第二侧部504的第三侧部506、以及与第三侧部506相对的第四侧部508。在一些实施方式中，第一侧部502和第二侧部504是基本上平行的，并且第三侧部506 和第四侧部508是基本上平行的。镜子501、503可分别设置在卡盘401的侧部506、508 上。第二卡盘403包括第一侧部514、与第一侧部514相对的第二侧部516、连接第一侧部514和第二侧部516的第三侧部 518、以及与第三侧部518相对的第四侧部520。在一些实施方式中，第一侧部514和第二侧部 516是基本上平行的，并且第三侧部518 和第四侧部520是基本上平行的。镜子505、507可分别设置在卡盘403的侧部518、520 上。镜子501、503可在Z方向对准，镜子505、507可在Z方向对准，但是镜子501或 503不在Z方向上分别与镜子505或507对准。镜子501、503、505、507可各自分别包括表面570、572、574、576以用于反射激光射束。表面570、572、574、576可分别基本上垂直于侧部506、508、518、520。 [0035] 在操作过程中，卡盘401或403沿X方向移动到处理位置，所述处理位置示为由虚线表示的卡盘560。表示处于处理位置的卡盘401或卡盘403的卡盘560包括侧部550、 552。如图5A所示，干涉仪510、580可设置在与侧部552相邻的位置，并且干涉仪512、 582可设置在与侧部550相邻的位置。干涉仪510、580、512、582可设置在开口166内。干涉仪510用于测量设置在卡盘401上的基板相对于X方向的位置，并且干涉仪580用于测量设置在卡盘403上的基板相对于X方向的位置。因此，干涉仪510和镜子501在 Z方向上对准，并且干涉仪580和镜子505在Z方向上对准。干涉仪510和镜子501在 Z方向上未与干涉仪580和镜子505对准，以便防止镜子501或505在操作过程中撞击干涉仪580或510。干涉仪512用于测量设置在卡盘401上的基板相对于X方向的位置，并且干涉仪582用于测量设置在卡盘403上的基板相对于X方向的位置。因此，干涉仪 512和镜子503在Z方向上对准，并且干涉仪582和镜子507在Z方向上对准。干涉仪 512和镜子503在Z方向上未与干涉仪582和镜子507对准，以便防止镜子 503或507 在操作过程中撞击干涉仪582或512。干涉仪510、512分别检测在干涉仪510、512与镜子501、503之间的距离的任何变化，即，X方向上的任何变化。在操作过程中，X 方向上的任何变化可转化到设置在卡盘401上的基板(未示出)相对于X方向的位置中。从干涉仪 510、512到镜子501、503的射束路径因干涉仪510、512的位置而分别被缩短。通过缩短射束路径，可实现对位置测量准确度的改进。干涉仪580、582分别检测在干涉仪580、582与镜子 505、507之间的距离的任何变化，即，X方向上的任何变化。在操作过程中，X方向上的任何变化可转化到设置在卡盘403上的基板(未示出)相对于X方向的位置中。从干涉仪580、582到镜子505、507的射束路径因干涉仪580、582 的位置而分别被缩短。通过缩短射束路径，可实现对位置测量准确度的改进。干涉仪530 可设置在干涉仪512、582之间，以便检测干涉仪 530与镜子420或422之间的距离的任何变化，即，Y方向上的任何变化。在操作过程中，Y方向上的任何变化可转化到设置在卡盘401或403上的基板(未示出)相对于Y方向的位置中。 [0036] 另外，干涉仪510、512、580、582可设置在区域562内，当使用如图3A所示支撑件162时，所述区域562对应于间隙354(图3A)。在区域562之间的区域564位于梁 352(图3A)正下方。因此，来自和去往干涉仪510、512、580、582的射束可暴露于由通气口206或208提供的层状气流。由于层状气流，得以维持干涉仪的信号完整性。 [0037] 或者，当使用如图3B所示支撑件162时，干涉仪512、530、582可设置在区域415 内，并且位于图3B所示通气口308正下方。因此，来自和去往干涉仪512、530、582 的射束可暴露于由通气口308提供的层状气流。类似地，干涉仪510、580可设置在由虚线限定的区域532内，并且区域532可在图3B所示的另一通气口308正下方。因此，来自和去往干涉仪510、580的射束可暴露于由该另一通气口308提供的层状气流。由于层状气流，得以维持干涉仪的信号完整性。 [0038] 图6是根据本文所公开的实施方式的一个干涉仪142的示意性顶视图。如图6所示，管道602可耦接到干涉仪142，并且管道602可为可沿X方向延伸或回缩的伸缩管道。管道602可包括耦接干涉仪142的第一端部606和与第一端部606相对的第二端部608。管道604可耦接到干涉仪142，并且管道604可为可沿Y方向延伸或回缩的伸缩管道。管道604可包括耦接干涉仪142的第一端部610和与第一端部610相对的第二端部612。管道602、604可包封由干涉仪142发送和接收的射束，以便保护射束并且维持干涉仪 142的信号完整性。 [0039] 在操作过程中，管道602、604可基于干涉仪142与对应的镜子之间的距离在长度上延伸或回缩。随着干涉仪142与对应的镜子之间的在X方向上的距离增加，管道602 可以延伸以便覆盖干涉仪142与对应的镜子之间的射束的大部分。随着干涉仪142与对应的镜子之间的在X方向上的距离减少，管道602可以回缩以便覆盖干涉仪142与对应的镜子之间的射束的大部分。类似地，随着干涉仪142与对应的镜子之间的在Y方向上的距离增加，管道604可以延伸以便覆盖干涉仪142与对应的镜子之间的射束的大部分。随着干涉仪142与对应的镜子之间的在Y方向上的距离减少，管道604可以回缩以便覆盖干涉仪142与对应的镜子之间的射束的大部分。在管道602或604的延伸或回缩过程中，在管道602或604的第二端部608或612与对应的镜子之间可存在间隙。所述间隙确保在操作过程中，镜子和管道602或604不会接触，这种接触可能使镜子或干涉仪损坏。管道602、604可耦接到设置在系统100内的所有干涉仪142，以便保护由干涉仪 142发送和接收的射束。 [0040] 图7是根据本文所公开的实施方式的图1所示系统的卡盘130的一部分的示意性侧视图。如图7所示，第一气体整流罩702可耦接到镜子144，并且第二气体整流罩704 可耦接到卡盘130与镜子144相对的端部703。第一气体整流罩702可具有基本上垂直于X方向的纵向轴线706，并且第二气体整流罩704可具有基本上垂直于X方向的纵向轴线708。当卡盘130在操作过程中沿X方向移动时，气体整流罩702、704帮助降低阻力，由此减少可形成气体湍流的气体涡流。任何合适气体整流罩都可用于气体整流罩 702、704。在一个实施方式中，气体整流罩702、704可各自具有弯曲的外表面。设置在系统100内的所有卡盘130均可包括气体整流罩702、704。 [0041] 图8是根据本文所公开的实施方式的卡盘130和干涉仪142的示意性顶视图。如图 8所示，气体整流罩702、704被耦接到卡盘130的相对的端部，使用两个干涉仪142测量卡盘 130在X方向上的位置，并且使用一个干涉仪142测量卡盘130在Y方向上的位置。一个管道 602被耦接到测量卡盘130在X方向上的位置的每个干涉仪142，并且一个管道604被耦接到测量卡盘130在Y方向上的位置的干涉仪142。如上所述，在操作过程中，间隙G可形成在管道 602与气体整流罩702之间，并形成在管道604与镜子 144之间，以便保护镜子144和干涉仪 142。 [0042] 总之，公开一种光刻系统。光刻系统内的环境可受控制，以便系统内的气流是层状的。层状气流帮助维持设置在光刻系统内的传感器的信号完整性。传感器的示例可为干涉仪。维持干涉仪的信号完整性使得对设置在光刻系统内的基板的位置的测量准确度提高。 |
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