一种掩膜板 |
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| 申请号 | CN201620514549.7 | 申请日 | 2016-05-30 | 公开(公告)号 | CN205880497U | 公开(公告)日 | 2017-01-11 |
| 申请人 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司; 京东方科技集团股份有限公司; | 发明人 | 史大为; | ||||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种掩膜板，包括：完全透光区和完全不透光区；在完全透光区和完全不透光区的交界 位置 处设置有半透光结构，且半透光结构的透光性从靠近完全透光区的一侧向靠近完全不透光区的一侧逐渐减弱。本实用新型所提供的掩膜板，在完全透光区和完全不透光区的边界位置处设置半透光结构，且该半透光结构的透光性从靠近完全透光区的一侧向靠近完全不透光区的一侧逐渐减弱，可以对由该掩膜板在 树脂 层上形成的挖空区域的边界处斜坡的坡度进行控制改良，与 现有技术 中相比，斜坡的坡度缓和，从而避免了由于树脂层挖空区域边界处斜坡较陡峭而导致的树脂层上下层金属发生 短路 的现象的发生。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种掩膜板，包括：完全透光区和完全不透光区；其特征在于， |
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| 说明书全文 | 一种掩膜板技术领域[0001] 本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板。 背景技术[0002] 目前显示面板在制造过程中，会使用有机树脂材料，形成树脂层，树脂层的有些区域，例如FPC IC(柔性电路板上的驱动电路)位置，需要将树脂层进行挖空处理，树脂层下面有金属走线暴露，而树脂层上需要做ITO(氧化铟锡)电极层，甚至有金属(metal)走线，用以改善ITO电阻或者做引线使用。若树脂层的挖空边界处有金属残留，会导致树脂层下面的电路走线出现短路(short)，而导致显示面板无法正常显示。具体原因在于： [0003] 现有技术中，如图1和图2所示，显示面板的树脂层1的挖空区域11的边界处斜坡12会比较陡峭，且树脂层1挖空后下面的金属走线2暴露出来，之后沉积金属层3进行光刻工序时，由于树脂层1的挖空区域11边界的斜坡12的坡度较大，在边界的斜坡12位置上光刻胶涂覆厚度较大，且曝光的光线照射到斜坡12的倾斜界面后，反射光散乱无规律，影响了曝光的效率和光刻胶对紫外光的吸收，导致显影后树脂层1的挖空区域11边界处的斜坡位置仍然有光刻胶残留，后续金属层3的刻蚀由于光刻胶的保护而无法刻蚀彻底，从而在该树脂层1的斜坡位置处会存在金属，金属会导致树脂层下面的金属走线2之间发生short，造成显示异常，功能失效。 [0004] 目前，为了解决上述问题，通常增加金属层光刻胶的灰化时间，来进行工艺补正措施。但是树脂较厚，树脂层挖空区域的边界斜坡坡度较陡峭，效果不理想，对CD(Critical Dimension，关键尺寸)影响过大。实用新型内容 [0005] 本实用新型的目的在于提供一种掩膜板，其是通过对掩膜板进行改进，可以使得利用该掩膜板形成的例如树脂层的挖空区域边界位置处的斜坡形状(profile)进行改良，从而避免树脂层上下层金属发生短路的现象发生。 [0006] 本实用新型所提供的技术方案如下： [0007] 一种掩膜板，包括：完全透光区和完全不透光区； [0008] 在所述完全透光区和所述完全不透光区的交界位置处设置有半透光结构，且所述半透光结构的透光性从靠近所述完全透光区的一侧向靠近所述完全不透光区的一侧逐渐减弱。 [0009] 进一步的，所述半透光结构包括：在所述完全透光区和所述完全不透光区的交界位置处，沿所述完全透光区和所述完全不透光区的交界线间隔排列的多个遮光块。 [0010] 进一步的，相邻两个遮光块之间的间隙为能够使得在相邻两个遮光块之间发生光衍射现象的预设间隙，所述预设间隙小于掩膜工艺所采用的曝光机的分辨率。 [0011] 进一步的，从靠近所述完全透光区一侧到靠近所述完全不同区的一侧的方向上，相邻两个遮光块之间的距离处处相等。 [0012] 进一步的，所述遮光块为完全不透光的矩形块结构。 [0013] 进一步的，所述掩膜板用于进行树脂层的掩膜工艺，所述树脂层包括与所述完全透光区所对应的挖空区域以及与所述完全不透光区所对应的非挖空区域，其中所述树脂层的非挖空区域上在与所述挖空区域的第一交界位置处形成金属层； [0014] 所述掩膜板的完全透光区和完全不透光区的交界位置形成多条交界线，所述多条交界线至少包括与所述第一交界位置所对应的第一交界线，其中所述半透光结构仅形成于所述第一交界线所对应的位置上。 [0015] 进一步的，所述遮光块与所述掩膜板的完全不透光区采用的材料相同，并连接为一体结构。 [0016] 进一步的，所述完全透光区至少包括两个子完全透光区，在每一子完全透光区与所述完全不透光区域的交界处分别设置有所述半透光结构。 [0017] 进一步的，所述两个子完全透光区包括第一子完全透光区和第二子完全透光区，其中所述第一子完全透光区的面积与所述第二子完全透光区的面积不同，且所述第一子完全透光区与所述完全不透光区域的交界位置处设置多个第一遮光块，所述第二子完全透光区与所述完全不透光区域的交界位置处设置多个第二遮光块，所述第一遮光块与所述第二遮光块的尺寸不同。 [0018] 进一步的，所述第一子完全透光区的面积大于所述第二子完全透光区的面积，所述第一遮光块的尺寸大于等于所述第二遮光块的尺寸。 [0019] 本实用新型的有益效果如下： [0020] 本实用新型所提供的掩膜板，在完全透光区和完全不透光区的边界位置处设置半透光结构，且该半透光结构的透光性从靠近所述完全透光区的一侧向靠近所述完全不透光区的一侧逐渐减弱，可以对由该掩膜板在树脂层上形成的挖空区域的边界处斜坡的坡度进行控制改良，与现有技术中相比，斜坡的坡度缓和，从而避免了由于树脂层挖空区域边界处斜坡较陡峭而导致的树脂层上下层金属发生短路的现象的发生。附图说明 [0021] 图1表示现有技术中树脂层的挖空区域发生短路现象的示意图； [0022] 图2表示现有技术中树脂层的挖空区域的边界处斜坡的断面结构示意图； [0023] 图3表示本实用新型实施例所提供的掩膜板的一种实施例的结构示意图； [0024] 图4表示本实用新型实施例所提供的掩膜板的另一种实施例的结构示意图； [0025] 图5表示本实用新型实施例所提供的掩膜板在树脂层的挖空区域边界处形成的斜坡的断面结构示意图。 具体实施方式[0026] 为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 [0027] 针对现有技术中树脂层挖空区域边界处斜坡陡峭而导致树脂层上下层金属走线之间发生short造成显示异常的问题，本实用新型是将现有技术中将解决上述问题的关键从工艺调整上转移到对掩膜板的结构改进上，以对树脂层的挖空区域边界处斜坡的坡度角进行改良，传统的掩膜板上透光区和不透光区只是100％透光和100％不透光的区分，透光区和不透光区的对比度较高，造成树脂层在曝光显影后，由于树脂层的厚度较大，造成树脂层的挖空区域边界处有较大的斜坡出现，边界的斜坡相对陡峭，后续涂覆光刻胶很难曝光显影充分。 [0028] 本实用新型提供的一种掩膜板，其是通过对掩膜板进行改进，可以使得利用该掩膜板形成的例如树脂层的挖空区域边界位置处的斜坡形状(profile)进行改良，从而避免树脂层上下层金属发生短路的现象发生。 [0029] 如图3所示，本实用新型所提供的掩膜板包括：完全透光区100和完全不透光区200；在所述完全透光区100和所述完全不透光区200的交界位置处设置有半透光结构300，且所述半透光结构300的透光性从靠近所述完全透光区100的一侧向靠近所述完全不透光区200的一侧逐渐减弱。 [0030] 本实用新型所提供的掩膜板，在完全透光区100和完全不透光区200的边界位置处设置半透光结构300，该半透光结构300的透光性从靠近所述完全透光区100的一侧向靠近所述完全不透光区200的一侧逐渐减弱，如图5所示，可以对由该掩膜板在树脂层500上形成的挖空区域的边界处斜坡501的坡度进行控制改良，与现有技术中相比，斜坡501的坡度缓和，后续进行树脂层500上层的金属层光刻工序时，由于树脂层500挖空区域的边界处斜坡501的坡度较缓，光刻胶的厚度差异较小，加之曝光反光效率较好，光刻胶残留情况有所改善，从而避免了由于树脂层500挖空区域边界处斜坡501较陡峭而导致的树脂层500上下层金属发生短路的现象的发生。 [0031] 在本实用新型所提供的掩膜板中，如图3所示，优选的，所述半透光结构300包括：在所述完全透光区100和所述完全不透光区200的交界位置处，沿所述完全透光区100和所述完全不透光区200的交界线间隔排列的多个遮光块301。 [0032] 采用上述方案，可以通过在所述完全透光区100和所述完全不透光区200的交界位置处依次排列多个预定长度的遮光块301来形成所述半透光结构300，其中，如图3所示，多个遮光块301之间具有间隙，该间隙的透光光强会从靠近所述完全透光区100的一侧向靠近所述完全不透光区200的一侧逐渐减弱，会使得在利用掩膜板在树脂层500上形成挖空区域时，挖空区域边界处的斜坡501较为缓和。 [0033] 应当理解的是，上述方案仅是提供了一种所述半透光结构300的优选实施方式，在本实用新型的其他实施例中，所述半透光结构300还可以采用其他方式实现，例如：所述半透光结构300可以是一透光性从靠近所述完全透光区100的一侧向靠近所述完全不透光区200的一侧逐渐减弱的一整块的遮光板。 [0034] 此外，在本实用新型所提供的实施例中，优选的，相邻两个遮光块301之间的间隙为能够使得在相邻两个遮光块301之间发生光衍射现象的预设间隙，所述预设间隙小于掩膜工艺所采用的曝光机的分辨率。 [0035] 上述方案中，相邻遮光块301之间的间隙小于曝光机分辨率，由于衍射作用，这样在遮光块301下面有一定的透光度，又不会完全解析光刻胶，从而会在树脂层500的挖空区域边界处大致形成了三段斜坡(即，完全解析段、部分解析段和完全不解析段)，且由于遮光块301间隙从靠近所述完全透光区100的一侧向靠近所述完全不透光区200的一侧逐渐减弱，可使斜坡501衔接较为平缓。 [0036] 此外，在本实用新型所提供的实施例中，优选的，如图3所示，从靠近所述完全透光区100一侧到靠近所述完全不同区的一侧的方向上，相邻两个遮光块301之间的距离处处相等。采用上述方案，可以保证在树脂层500上挖空区域的边界处形成的斜坡501坡度在各位置一致。 [0037] 此外，在本实用新型所提供的实施例中，优选的，所述遮光块301为完全不透光的矩形块结构，且所述遮光块301与所述掩膜板的完全不透光区200采用的材料相同，并连接为一体结构。采用上述方案，掩膜板的制造工艺简单。 [0038] 应当理解的是，在本实用新型的其他实施例中，所述遮光块301还可以采用其他结构，对此不作限定。 [0039] 此外，需要说明的是，显示基板上的树脂层500上的挖空区域通常通过掩膜板上的完全透光区100形成，树脂层500上的非挖空区域通常通过掩膜板上的完全不透光区200形成，其中，树脂层500的非挖空区域上在与所述挖空区域的第一交界位置处形成金属层。 [0040] 在本实用新型所提供的实施例中，优选的，所述掩膜板的完全透光区100和完全不透光区200的交界位置形成多条交界线，所述多条交界线至少包括与所述第一交界位置所对应的第一交界线，其中所述半透光结构300仅形成于所述第一交界线所对应的位置上。 [0041] 也就是说，本实施例所提供的掩膜板可以仅在树脂层500需要后续形成金属走线的一侧所对位的位置处设置所述半透光结构300，而在其他完全透光区100和完全不透光区200的交界位置的交界线处可以不设置所述半透光结构300。 [0042] 此外，在本实用新型所提供的实施例中，优选的，所述完全透光区100至少包括两个子完全透光区，在每一子完全透光区与所述完全不透光区200域的交界处分别设置有所述半透光结构300。 [0043] 优选的，如图4所示，所述两个子完全透光区100包括第一子完全透光区101和第二子完全透光区102，其中所述第一子完全透光区101的面积与所述第二子完全透光区102的面积不同，且所述第一子完全透光区101与所述完全不透光区200域的交界位置处设置多个第一遮光块311，所述第二子完全透光区102与所述完全不透光区200域的交界位置处设置多个第二遮光块312，所述第一遮光块311与所述第二遮光块312的尺寸不同。 [0044] 采用上述方案，不同面积的子完全透光区100所设置的遮光块301的尺寸可以适应性地调整。优选的，所述第一子完全透光区101的面积大于所述第二子完全透光区102的面积，所述第一遮光块311的尺寸大于等于所述第二遮光块312的尺寸。 [0045] 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。 |
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