阵列基板及显示装置 |
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| 申请号 | CN201620080097.6 | 申请日 | 2016-01-27 | 公开(公告)号 | CN205318071U | 公开(公告)日 | 2016-06-15 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; | 发明人 | 郝学光; 程鸿飞; 乔勇; 吴新银; | ||||
| 摘要 | 一种阵列 基板 及显示装置。阵列基板包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的 栅极金属 层、有源层和源漏金属层；所述栅极金属层包括 栅线 和与所述栅线平行延伸的存储 电极 线；所述有源层包括作为 薄膜 晶体管(TFT) 沟道 区域的第一图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案，或者所述源漏金属层包括数据线图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种阵列基板，包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的栅极金属层、有源层和源漏金属层； |
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| 说明书全文 | 阵列基板及显示装置技术领域[0001] 本实用新型涉及一种阵列基板及显示装置。 背景技术[0002] 显示装置的显示模式包括扭曲向列型(TN)、垂直配向(VA)、面内转换(IPS)和边缘场转换(FFS)等。像素结构通常根据不同的显示模式采用不同的存储电容结构。例如，TN和VA模式通常采用公共电极线与像素电极之间形成存储电容。IPS和FFS通常采用在公共电极和像素电极之间形成存储电容。 [0004] 针对上述问题，本实用新型的至少一个实施例涉及一种阵列基板和显示装置，用于降低显示装置的串扰和显示不良。 [0005] 本实用新型的一个方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的栅极金属层、有源层和源漏金属层；所述栅极金属层包括栅线和与所述栅线平行延伸的存储电极线；所述有源层包括作为TFT沟道区域的第一图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案，或者所述源漏金属层包括数据线图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。 [0006] 在一个实施例中，例如，所述有源层包括作为TFT沟道区域的第一图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案，并且所述源漏金属层包括数据线图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。 [0007] 在一个实施例中，例如，所述有源层设置于所述衬底基板和所述栅极金属层之间。 [0008] 在一个实施例中，例如，所述栅极金属层设置于所述衬底基板和所述有源层之间。 [0009] 在一个实施例中，例如，所述第二图案与所述第一图案连接。 [0010] 在一个实施例中，例如，所述第二图案包括连接部和与所述连接部连接的重叠部；所述连接部与所述第一图案连接，所述重叠部与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上重叠。 [0011] 在一个实施例中，例如，所述重叠部设置于所述存储电极线与所述数据线的交叉位置。 [0012] 在一个实施例中，例如，所述连接部与所述数据线的延伸方向相同，且所述连接部在所述衬底基板的第一主表面的正投影位于所述数据线在所述衬底基板的第一主表面的正投影之内。 [0013] 在一个实施例中，例如，在所述数据线的宽度方向上，所述重叠部的尺寸大于所述连接部的尺寸。 [0014] 在一个实施例中，例如，所述重叠部为板状结构。 [0015] 在一个实施例中，例如，所述存储电极线在与所述数据线交叉的位置包括加宽部。 [0016] 在一个实施例中，例如，所述加宽部在所述衬底基板的第一主表面上的正投影与所述重叠部在所述衬底基板的第一主表面上的正投影重合。 [0017] 在一个实施例中，例如，所述金属层图案设置于所述存储电极线和所述数据线的交叉位置。 [0018] 在一个实施例中，例如，所述金属层图案与所述数据线为一体结构。 [0019] 在一个实施例中，例如，所述金属层图案为板状结构。 [0020] 在一个实施例中，例如，所述金属层图案在所述数据线宽度方向上的尺寸大于所述数据线的宽度。 [0021] 在一个实施例中，例如，所述金属层图案在所述存储电极线宽度方向上的尺寸不大于所述存储电极线的宽度。 [0022] 在一个实施例中，例如，所述存储电极线在与所述数据线交叉的位置包括加宽部。 [0023] 在一个实施例中，例如，所述加宽部在所述衬底基板的第一主表面上的正投影与所述金属层图案在所述衬底基板的第一主表面上的正投影重合。 [0025] 为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。 [0026] 图1为衬底基板的结构示意图； [0027] 图2a为本实用新型实施例的阵列基板通过有源层与存储电极线形成存储电容的俯视示意图； [0028] 图2b为本实用新型实施例的有源层结构示意图； [0029] 图3a为本实用新型实施例的有源层的结构示意图； [0030] 图3b为包括图3a的有源层结构的阵列基板的俯视示意图； [0031] 图4a为本实用新型实施例的存储电极线包括加宽部的示意图； [0032] 图4b为本实用新型实施例的存储电极线包括加宽部且该加宽部与有源层形成存储电容的结构示意图； [0033] 图5为本实用新型实施例的阵列基板通过源漏金属层与存储电极线形成存储电容的俯视示意图； [0034] 图6为本实用新型的金属层图案与数据线在数据线宽度方向上的尺寸关系示意图； [0035] 图7为本实用新型实施例的金属层图案与存储电极线在存储电极线宽度方向上的尺寸关系示意图。 [0036] 图8为本实用新型的实施例包括加宽部的存储电极线的示意图； [0037] 图9为本实用新型实施例的存储电极线的加宽部与金属层图案形成存储电容的示意图。 具体实施方式[0038] 为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 [0039] 液晶显示装置通常包括背光模组、下基板、上基板以及外围驱动电路等部分。下基板通常为阵列基板，上基板通常为彩膜基板。阵列基板进一步包括衬底基板(通常为玻璃基板)以及设置于衬底基板之上的栅线、有源层、数据线、公共电极线以及像素电极等结构。图1为衬底基板的结构示意图。参照图1，衬底基板10包括彼此相对的第一主表面11和第二主表面12。例如，栅线、有源层、数据线、公共电极线以及像素电极等结构设置在衬底基板10的第一主表面11一侧。 [0040] 在液晶显示装置中，通常采用薄膜晶体管(TFT)作为控制像素电极上施加的数据信号的开关。TFT包括源极、漏极、栅极以及将源漏极分开的沟道区域。TFT的沟道区域的特点是在被施加一定的导通电压时可将TFT的源漏极导通。例如，沟道区域可以由半导体材料(例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等)制备。例如，TFT的连接方式如下：栅极与栅线连接以接收栅线施加的导通电压信号，导通电压信号通过TFT的栅极施加至沟道区域，以控制该沟道区域的导通与截止；源极与数据线连接，以接收来自数据线的电压信号；漏极与像素电极连接，以在TFT的源漏极通过沟道区域导通后，向像素电极充电。也就是说，在TFT的源漏极导通后，数据线上的信号即可通过TFT的源漏极施加至像素电极，从而可用于控制液晶分子的偏转。 [0041] 在液晶显示装置中，由于像素电极的充电时间远远小于液晶分子的响应时间，因此，液晶分子的偏转一般是在像素电极充电结束后的保持时间内进行并完成的。也就是说，在像素电极结束充电后，需要一个稳定的充电电压来持续驱动液晶分子转动。承载这个持续充电电压的就是像素负荷电容，该负荷电容主要包括液晶电容和存储电容。存储电容的作用例如是保持像素电压的稳定，提高显示品质。在不同的显示模式中，存储电容的形成方式不同。例如，TN和VA模式通常采用公共电极线与像素电极之间形成存储电容；IPS、FFS和ADS通常采用在公共电极和像素电极之间形成存储电容。存储电容的结构将直接影响到显示屏的品质和良率。 [0042] 本实用新型的实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的栅极金属层、有源层和源漏金属层；其中，栅极金属层包括栅线和与所述栅线平行延伸的存储电极线；有源层包括作为TFT沟道区域的第一图案和与存储电极线在基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案，或者源漏金属层包括数据线图案和与存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。本实用新型实施例的阵列基板可以获得较大的存储电容，提高显示装置的显示品质。 [0043] 需要说明的是，本实用新型的实施例通过存储电极线(也可称为公共电极线，以下称为存储电极线)与源漏金属层和/或有源层形成存储电容。如果源漏金属层与存储电极线形成存储电容结构，则金属层图案例如可以是与数据线直接相连的一体结构。该金属层图案例如还可以是与数据线彼此不相连，即源漏金属层包括在数据线之外单独设置与存储电极线在阵列基板厚度方向上彼此重叠的金属层图案。如果有源层与存储电极线形成存储电容结构，则有源层至少包括两个图案部分。其中一个图案部分例如是作为TFT沟道区域的图案；另一个图案部分例如至少包括与存储电极线在阵列基板厚度方向上彼此重叠的部分，以形成存储电容。同样，有源层的上述两个图案例如可以彼此连接或者不连接。 [0044] 在一个实施例中，有源层包括作为TFT沟道区域的第一图案和与存储电极线在基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案。 [0045] 图2a为本实用新型实施例的阵列基板通过有源层与存储电极线形成存储电容的俯视示意图。图2b为本实用新型实施例的有源层结构示意图。 [0046] 参照图2a-2b，阵列基板包括衬底基板和在该衬底基板上设置的栅极金属层、有源层(图2a和图2b中带阴影线的图案)、源漏金属层。栅极金属层包括栅线102(以及从栅线分出来的栅极112)和与该栅线平行延伸的存储电极线100。栅极金属层的上方设置有源层(底栅结构)，有源层106包括作为TFT沟道区域的第一图案，和包括与存储电极线在衬底基板厚度方向上至少部分彼此重叠的第二图案。这里需要指出，有源层位于像素电极层之下的部分在图2a中以低可视度示意；有源层在数据线正下方的部分不可见，但为了清楚的示意有源层在阵列基板中的设置方式，故在图2a中也对有源层的该部分采用了低可视处理。类似地，下面的图3b和图5中也对有源层进行了相同处理，在此一并指出。参照图2b，有源层在虚线所包围的部分例如为第二图案，有源层在虚线之外的部分例如为第一图案。结合参考图2a，该第一图案的一部分(位于栅极上方的部分)作为TFT沟道区域，该第二图案在基板厚度方向上与存储电极线100至少部分重叠。例如第二图案中的基本上为正方形的部分与存储电极线100在基板厚度方向上彼此重叠，以形成存储电容(即图2a中虚线所包围的部分)。 [0047] 需要说明的是，有源层之上还进一步设置有源漏金属层。参照图2a，源漏金属层包括与栅线102交叉的数据线108，并且形成TFT的源极118和漏极119。可在源漏金属层之上设置像素电极109。如上所述，TFT的源极118连接数据线108，漏极119例如通过形成在绝缘层中的过孔(图中未示出)连接像素电极109，栅极连接栅线102。 [0048] 在该实施例中，例如，有源层可以设置于衬底基板和栅极金属层之间。也就是说，本实用新型实施例阵列基板可以为顶栅结构。对于顶栅结构，在衬底基板上首先形成至少包括第一图案和第二图案的有源层，然后在有源层上形成栅绝缘层，在栅绝缘层之上形成栅极金属层。如上所述，栅极金属层包括平行延伸的栅线和存储电极线。上述第二图案与存储电极线在基板厚度方向上至少部分重叠，以形成存储电容。 [0049] 在该实施例中，例如，所述栅极金属层设置于所述衬底基板和所述有源层之间。也就是说，本实用新型的实施例的阵列基板可以为底栅结构。例如，图2a所示即为具有底栅结构的阵列基板的实施例。对于底栅结构，在衬底基板上首先形成包括平行延伸的栅线和存储电极线的栅极金属层，然后在栅极金属层之上形成栅绝缘层，在栅绝缘层之上形成至少包括第一图案和第二图案有源层。上述第二图案与存储电极线在基板厚度方向上至少部分重叠，以形成存储电容。 [0050] 在该实施例中，例如，第二图案与第一图案连接。图3a示出了本实用新型实施例有源层的一种结构。图3b为包括图3a所示有源层结构的阵列基板的俯视示意图。参照图3a，有源层包括第一图案(未包含在图中虚线之内的部分)和第二图案(包含在图中虚线范围之内的部分)。第二图案与第一图案直接相连，也就是说，第二图案与第一图案为一体结构。例如，第二图案也可以与第二图案彼此分开，即在有源层上形成两个彼此分离的图案。 [0051] 在该实施例中，例如，第二图案包括连接部和与连接部连接的重叠部；连接部与所述第一图案连接，重叠部与存储电极线在基板的厚度方向上重叠。继续参照图3a，第二图案(图中虚线包围的部分)包括连接部1062和重叠部1063。连接部1062连接到第一图案，重叠部1063用于与存储电极线100在基板厚度方向上彼此重叠，以形成存储电容。 [0052] 图3a所示的第一图案包括TFT的沟道区域1061。参照图3b，第一图案的沟道区域1061在接收到来自栅极112的导通电压时，沟道区域1061导通。数据线的电压信号从TFT的源极通过沟道区域1061传输到TFT的漏极，以对像素电极充电。需要说明的是，有源层的第一图案的形状并不限于图3a所示的结构，例如该第一图案也可以为其它形状。另外，重叠部例如可以为长方形、正方形、圆形、椭圆形或者其它规则或者不规则的板状结构。图3a中所示的具体结构并非构成对本实用新型的限制。 [0053] 在该实施例中，例如，重叠部设置于存储电极线与数据线的交叉位置。参照图3b，重叠部1063设置于存储电极线100与数据线108的交叉位置。采用在存储电极线与数据线的交叉位置设置重叠部，可以防止降低开口率。 [0054] 在该实施例中，例如，连接部与数据线的延伸方向相同，且连接部在衬底基板的第一主表面的正投影位于数据线在该衬底基板的第一主表面的正投影之内。继续参照图3b，连接部1062与数据线108的延伸方向相同，且连接部1062在衬底基板的第一主表面的正投影位于数据线108在该衬底基板的第一主表面的正投影之内。通过设置连接部的延伸方向及尺寸，可以避免降低显示装置的开口率。 [0055] 在该实施例中，例如，在数据线108的宽度方向上，重叠部1063的尺寸大于连接部1062的尺寸，以获得较大的存储电容。 [0056] 在该实施例中，例如，所述重叠部为板状结构。一方面，存储电容的大小决定于彼此相对的金属板的正对面积；另一方面取决于金属板之间的距离。通过将重叠部设置为板状，可以增大重叠部与存储电极线对应位置的正对面积，进而增大存储电容，以有效防止闪烁和串扰。这里所说的板状结构的形状例如为长方形、正方形、圆形以及其它规则或不规则的形状。 [0057] 在该实施例中，例如，所述存储电极线在与所述数据线交叉的位置包括加宽部。图4a为本实用新型实施例的存储电极线包括加宽部的示意图。图4b为本实用新型的实施例包括加宽部的存储电极线与有源层形成存储电容的结构示意图。 [0058] 参照图4a，例如，存储电极线100在与数据线108交叉的位置均设置加宽部1001(图中仅示出一个加宽部)。该加宽部1001的作用是增大与重叠部1063的正对面积，以增大存储电容，提高显示效果。例如，进一步地，可以将该加宽部1001设置为长方形、正方形、圆形或其它形状。例如，加宽部1001设置为具有与前文所述的有源层的重叠部1063相同的形状，以提高存储电容。例如，加宽部1001与重叠部1063的形状和面积均相同，且彼此正对设置。参照图4b，例如，加宽部1001在衬底基板的第一主表面上的正投影与重叠部1063在该衬底基板的第一主表面上的正投影重合。通过限定加宽部和重叠部的形状和面积，可以有效利用重叠部以及加宽部的面积以获得较大的存储电容，提高显示装置的显示效果。 [0059] 需要说明的是，一般来说，存储电极线的加宽部设置需要与上述重叠部配合。例如，如上文所述，通过将加宽部与重叠部设置为大小相等，形状相同，可以使加宽部与重叠部彼此正对的面积最大，进而获得较大的存储电容。 [0060] 在一个实施例中，源漏金属层包括数据线图案和与存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。 [0061] 图5为本实用新型实施例的阵列基板通过源漏金属层与存储电极线形成存储电容的俯视示意图。参照图5，阵列基板包括衬底基板和在该阵列基板上设置的栅极金属层、有源层、源漏金属层。栅极金属层包括平行延伸的栅线102(以及栅极)和存储电极线100。有源层设置有TFT的沟道区。源漏金属层包括数据线图案以及与存储电极线100在基板厚度方向重叠的金属层图案110(即源漏金属层在图5中虚线包围的部分)。从而金属层图案110与存储电极线100形成存储电容。这种通过源漏金属层与存储电极线形成存储电容的方式，可以获得较大的存储电容，提高显示装置的显示效果。 [0062] 在该实施例中，例如，有源层可以设置于衬底基板和栅极金属层之间。也就是说，阵列基板可以为顶栅结构。对于顶栅结构，在衬底基板上首先形成有源层，然后在有源层之上形成覆盖有源层的栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极金属层。如上所述，栅极金属层包括平行延伸的栅线和存储电极线。之后，例如，在栅极金属层形成层间绝缘层，在层间绝缘层形成上述源漏金属层。源漏金属层应当至少包括数据线图案和上述金属层图案。 [0063] 在该实施例中，例如，栅极金属层设置于衬底基板和有源层之间。也就是说，阵列基板可以为底栅结构。对于底栅结构，在衬底基板上首先形成包括平行延伸的栅线和存储电极线的栅极金属层，然后在栅极金属层之上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有源层。之后在有源层之上形成源漏金属层。源漏金属层应当至少包括数据线图案和上述金属层图案。 [0064] 需要说明的是，在该实施例中，有源层还可以包括作为TFT沟道区域的第一图案和与存储电极线在基板厚度方向至少部分重叠的第二图案。即有源层包括如前文所述的结构及相关变形结构。存储电极线同时与源漏金属层和有源层形成存储电容，可以进一步提高存储电容，从而更好的避免显示装置的串扰和显示不良。 [0065] 在该实施例中，例如，金属层图案设置于存储电极线和数据线的交叉位置，防止降低开口率。继续参照图5，金属层图案110设置在存储电极线100与数据线108彼此交叉的位置。该金属层图案110例如与数据线108为一体结构，例如二者由同一个金属层通过构图工艺得到。例如，金属层图案110包括数据线的与存储电极线交叉的部分以及从数据线的该部分向数据线两侧凸出的部分。数据线与金属层图案采用一体的设置结构，可以避免降低显示装置的开口率。 [0066] 在该实施例中，例如，金属层图案为板状结构。例如，金属层图案的形状可以为长方形、正方形或其它规则或不规则的形状。 [0067] 在该实施例中，例如，金属层图案在数据线宽度方向上的尺寸大于数据线的宽度。图6为本实用新型实施例的金属层图案与数据线在数据线宽度方向上尺寸关系示意图。参照图6，数据线108上设置有金属层图案110，即图中阴影线所示的部分。如前所述，数据线 108与该金属层图案110均设置于源漏金属层。该金属层图案110在数据线108的宽度方向上(如图6中箭头所示的方向)的尺寸大于数据线108的宽度。例如，如前文所述，该金属层图案 110与该数据线108可以为一体结构，二者如由同一金属层通过构图工艺得到。通过使金属层图案的宽度大于数据线的宽度，可以获得较大的存储电容，防止显示装置的串扰和显示不良。 [0068] 在该实施例中，例如，金属层图案在存储电极线的宽度方向上的尺寸不大于存储电极线的宽度。图7为本实用新型实施例的金属层图案与存储电极线在存储电极线宽度方向的尺寸关系示意图。参照图7，如前所述，数据线108与存储电极线100彼此交叉设置。金属层图案110设置于数据线108与存储电极线100的交叉位置。在存储电极线100的宽度方向上(即如图7中箭头所示的方向)，金属层图案110的尺寸不大于存储电极线100的宽度，例如可以等于或者略小于存储电极线100的宽度。以防止降低显示装置的开口率。 [0069] 在该实施例中，例如，存储电极线在与数据线交叉的位置包括加宽部。图8为本实用新型实施例的存储电极线包括加宽部的示意图。图9为本实用新型实施例的存储电极线的加宽部与金属层图案形成存储电容的示意图。参照图8，例如，存储电极线100在与数据线108交叉的位置(图中仅示意出一个交叉位置)均设置加宽部1001。该加宽部1001的作用是增大与例如金属层图案的正对面积，以增大存储电容。例如，进一步的，可以将该加宽部 1001设置为长方形或正方形或其它规则或不规则的形状。例如，与前文所述的金属层图案相同的形状，提高存储电容。进一步的，参照图9，加宽部1001在衬底基板的第一主表面11上的正投影与金属层图案110在衬底基板的第一主表面11上的正投影重合，进一步增大存储电容。通过在存储电极线与数据线交叉的位置设置加宽部，可以获得较大的存储电容，从而提高显示装置的显示效果。 [0070] 需要说明，一般来说，存储电极线设置的加宽部需要与上述金属层图案配合设置，以获得较大的存储电容。例如，如上文所述，将加宽部与金属层图案设置为大小相等，形状相同，可以使加宽部与金属层图案的正对面积最大，进而获得较大的存储电容。 [0071] 以上具体实施例之间可相互组合，并不超出本实用新型公开的范围，且能够带来更好的组合效果。 [0072] 针对上述实施例的阵列基板，本实用新型的实施例提供了阵列基板制备方法，但本实用新型的阵列基板制备方法不限于以下方法。 [0073] 下面仅以制备有源层包括作为TFT沟道的第一图案和与存储电极线在基板厚度方向上至少部分重叠的第二图案，且具有顶栅结构的阵列基板为例说明本实用新型的阵列基板的制备方法，例如具体如下： [0074] 在基板上通过例如溅射的方法形成一层金属层，然后采用第一掩模进行蚀刻得到栅线和与所述栅线连接的栅极，以及与栅线和栅极同时形成且与栅线平行延伸的存储电极线。该金属层例如可以包括铝、铝合金，以及铜或其它适合材料。进行第一次掩模工艺以进行构图后，阵列基板上即形成有栅线、与栅线连接的栅极和与栅线平行延伸的存储电极线。 [0075] 在形成有栅线和栅极的阵列基板上，形成一层绝缘层以作为栅绝缘层。随后在绝缘层之上形成一层半导体层，并通过构图工艺以形成TFT的有源层。该有源层设置于绝缘层之上，且包括与栅极对应的第一图案。有源层的制备例如可以采用光刻法，将掩模设计为与有源层对应的图案，并通过例如光刻方法去除其它区域中的有源层，从而得到包括与栅极对应的第一图案和与存储电极线在基板厚度方向上至少部分重叠的第二图案的有源层。用于形成有源层的材料例如可以为非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或其它适合的材料。 [0076] 需要说明的是，形成的有源层例如至少包括作为TFT沟道的第一图案和与存储电极线在基板厚度方向上至少部分重叠的第二图案。掩模上的图案至少包括与上述第一图案和第二图案对应的部分。如上所述，第一图案和第二图案例如可以彼此连接或者彼此分离。 [0077] 此后，在形成有有源层的基板上，进一步形成一层金属层。该金属层的材料例如可以为铝、铝合金、铜或其它适合材料。形成金属层的方法例如可以为CVD或溅射法。采用具有源极、漏极以及数据线图案的掩模进行光刻工艺以对该金属层构图，进而在有源层的上方形成与栅线和存储电极线交叉的数据线、彼此间隔的源极、漏极。 [0079] 随后，在钝化层上方继续覆盖一层透明导电层(例如ITO)，并通过掩模进行光刻，获得本实用新型的一个实施例的阵列基板结构。 [0080] 对于本实用新型上述其它的实施例，可相应的改变掩模图案或者光刻步骤进行光刻，在此不再赘述。 [0081] 本实用新型的另一个方面提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。 [0082] 该显示装置的一个示例为液晶显示装置，其中，阵列基板与对置基板彼此对置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。该对置基板例如为彩膜基板。阵列基板的每个像素单元的像素电极用于施加电场对液晶材料的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。在一些示例中，该液晶显示装置还包括为阵列基板提供背光的背光源。 [0085] 在本文中，诸如“第一”、“第二”等术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何关系或者顺序。术语“包括”、“包含”这些表述为开放式的，并不排除所包括的过程、方法、物品，还存在其他要素。还需要说明的是，“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。 |
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