消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法

申请号 CN201710281256.8 申请日 2017-04-26 公开(公告)号 CN107065454A 公开(公告)日 2017-08-18
申请人 京东方科技集团股份有限公司; 发明人 董立文; 谷丰;
摘要 本 发明 公开了一种消除 光刻 工艺过程中显影残留的方法和 显示面板 的制作方法。消除光刻工艺过程中显影残留的方法包括:直立旋转残留有 光刻胶 的 基板 ,通过清洗液冲洗基板来去除基板上残留的光刻胶。本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,冲洗过程中,基板进行直立旋转,以通过重 力 及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉,冲洗后的基板上的曝光区域不存在残留的光刻胶,确保了后续蚀刻工艺的正常进行,进而确保了后续制成的 薄膜 晶体管的性能,并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。
权利要求

1.一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,直立旋转残留有光刻胶基板,通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述直立旋转残留有光刻胶的基板的步骤包括:
垂直布置残留有光刻胶的所述基板,再使所述基板进入显影冲洗单元,然后再直立旋转所述基板。
3.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述垂直布置残留有光刻胶的所述基板,再使所述基板进入显影冲洗单元的步骤包括:
在卡盘上垂直固定残留有光刻胶的所述基板,通过所述卡盘带动所述基板进入所述显影冲洗单元。
4.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述直立旋转所述基板的步骤包括:
通过电机带动所述基板进行直立匀速旋转。
5.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤之后,还包括:
在所述显影冲洗单元内移出所述基板。
6.根据权利要求1所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤包括:
所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗,来去除所述基板上残留的光刻胶。
7.根据权利要求6所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗的步骤中,冲洗喷嘴倾斜布置于所述基板的斜上方,所述清洗液自所述冲洗喷嘴喷出而喷淋在所述基板上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述清洗液为去离子
9.根据权利要求1至7中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,其特征在于,所述基板为玻璃基板。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括有如权利要求1至9中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法。

说明书全文

消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法

技术领域

[0001] 本文涉及但不限于液晶显示技术,尤指一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法和一种显示面板的制作方法。

背景技术

[0002] 显影后基板上某些特殊的设计结构(如闭环、小孔等)内存在光刻胶残留(因闭环缝隙宽度或小孔口径太小而导致光刻胶不能在显影时被清洗干净而出现部分光刻胶残留在闭环或小孔内的问题),残留的光刻胶会影响后续的刻蚀工艺(即:不能正常蚀刻,在蚀刻的过程中形成残留和短路等问题),最终影响TFT薄膜晶体管性能,需要进行显影清洗(目的是去除基板上闭环或小孔等结构内残留的光刻胶)。
[0003] 目前TFT-LCD显影清洗方式分为两种:平旋转模式或水平喷淋模式(板面均水平布置),但是这两种显影清洗方式对于基板上的那些特殊的设计结构(如闭环、小孔等)均不能很好地去除掉其内部残留的光刻胶,而且随着设计要求(如分辨率)的不断提高,基板上线宽设计的越来越窄,水平旋转和水平喷淋清洗方式也很难再将显影后的玻璃清洗干净,存在显影后基板上曝光区域的光刻胶残留的问题。发明内容
[0004] 为了解决上述技术问题中的至少之一,本文提供了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法,将基板上残留的光刻胶冲洗干净,避免光刻胶在基板上残留,而且不影响产量、关键尺寸和电学性能。
[0005] 为了达到本文目的,本发明提供了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法,直立旋转残留有光刻胶的基板,通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶。
[0006] 可选地,所述直立旋转残留有光刻胶的基板的步骤包括:垂直布置残留有光刻胶的所述基板,再使所述基板进入显影冲洗单元,然后再直立旋转所述基板。
[0007] 可选地,所述垂直布置残留有光刻胶的所述基板,再使所述基板进入显影冲洗单元的步骤包括:在卡盘上垂直固定残留有光刻胶的所述基板,通过所述卡盘带动所述基板进入所述显影冲洗单元。
[0008] 可选地,所述直立旋转所述基板的步骤包括:通过电机带动所述基板进行直立匀速旋转。
[0009] 可选地,所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤之后,还包括:在所述显影冲洗单元内移出所述基板。
[0010] 可选地,所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤包括:所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗,来去除所述基板上残留的光刻胶。
[0011] 可选地,所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗的步骤中,冲洗喷嘴倾斜布置于所述基板的斜上方,所述清洗液自所述冲洗喷嘴喷出而喷淋在所述基板上。
[0012] 可选地,所述清洗液为去离子水。
[0013] 可选地,所述基板为玻璃基板。
[0014] 本发明还提供了一种显示面板的制作方法,包括上述任一实施例所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法。
[0015] 与现有技术相比,本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,冲洗过程中,基板进行直立旋转,以通过重及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉,冲洗后的基板上的曝光区域不存在残留的光刻胶,确保了后续蚀刻工艺的正常进行,进而确保了后续制成的薄膜晶体管的性能,并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。
[0016] 本文的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本文而了解。本文的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

[0017] 附图用来提供对本文技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本文的技术方案,并不构成对本文技术方案的限制。
[0018] 图1为本发明中所述的基板的主视结构示意图;
[0019] 图2为本发明中清洗液冲洗基板的结构示意图。
[0020] 其中,图1和图2中附图标记与部件名称之间的对应关系为:
[0021] 1基板,2冲洗喷嘴,3清洗液,4小孔。

具体实施方式

[0022] 为使本文的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本文的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0023] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本文,但是,本文还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施,因此,本文的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0024] 下面结合附图描述本文一些实施例的消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法。
[0025] 本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,(正向或反向)直立旋转残留有光刻胶的基板1(如图1所示,箭头表示旋转方向),通过清洗液3冲洗所述基板1来去除所述基板1上残留的光刻胶。
[0026] 本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,冲洗过程中,基板1进行直立旋转,以通过重力及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉,冲洗后的基板1上(的曝光区域)不存在残留的光刻胶,确保了后续蚀刻工艺的正常进行,进而确保了后续制成的薄膜晶体管的性能,并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。
[0027] 进一步地,所述直立旋转残留有光刻胶的基板1的步骤包括:垂直布置残留有光刻胶的所述基板1,再使所述基板1进入显影冲洗单元(如匀速直线或变速直线进入显影冲洗单元),然后再直立旋转(匀速或变速旋转)所述基板1,基板1在显影冲洗单元内进行冲洗。
[0028] 其中,基板1在布置的过程中可以略与竖直方向倾斜,以满足安装误差的要求,也可实现本申请的目的,其宗旨未脱离本发明的设计思想,在此不再赘述,也应属于本申请的保护范围内。
[0029] 再进一步地,所述垂直布置残留有光刻胶的所述基板1,再使所述基板1进入显影冲洗单元的步骤包括:在卡盘上垂直固定残留有光刻胶的所述基板1,通过所述卡盘带动所述基板1进入所述显影冲洗单元,以实现自动化。
[0030] 其中,基板1可以是通过机械手垂直固定在卡盘上,也可以是通过作业者手动固定在卡盘上等的方式,均可实现本申请的目的,其宗旨未脱离本发明的设计思想,在此不再赘述,均应属于本申请的保护范围内。
[0031] 再进一步地,所述直立旋转所述基板1的步骤包括:通过电机带动所述基板1进行直立匀速旋转,对基板1进行均匀清洗,残留的光刻胶可清洗的更干净。
[0032] 可以是卡盘固定在电机上,电机带动卡盘和基板1一起旋转等的方式,均可实现本申请的目的,在此不再赘述,也应属于本发明的保护范围内。
[0033] 可选地,所述通过清洗液3冲洗所述基板1来去除所述基板1上残留的光刻胶的步骤之后,还包括:在所述显影冲洗单元内移出所述基板1,以使基板1进入后续的工序(如:蚀刻等),实现连续化生产。
[0034] 可选地,所述通过清洗液3冲洗所述基板1来去除所述基板1上残留的光刻胶的步骤包括:所述清洗液3在所述基板1的斜上方对所述基板1进行喷淋冲洗(如图2所示),来去除所述基板1上残留的光刻胶,同时还清除掉基板1上附着的灰尘等污物。
[0035] 清洗液3在所述基板1的斜上方对基板1进行喷淋冲洗,使清洗液3与小孔4(如图1所示)或闭环等结构进行切向清洗,以更好地冲洗出里面残留的光刻胶,残留的光刻胶清除的更干净。
[0036] 可选地,所述清洗液3在所述基板1的斜上方对所述基板1进行喷淋冲洗的步骤中,冲洗喷嘴2倾斜布置于所述基板1的斜上方(如图2所示),所述清洗液3自所述冲洗喷嘴2喷出而喷淋在所述基板1上。
[0037] 当然,冲洗喷嘴2也可以倾斜不至于基板1的斜下方,或者对基板1进行垂直清洗,残留的光刻胶的清除效果也较好,同样能够实现本申请的目的,其宗旨未脱离本发明的设计思想,在此不再赘述,均应属于本申请的保护范围内。
[0038] 较好地,所述清洗液3为去离子水等,所述基板1为玻璃基板等,标号4为小孔。
[0039] 本发明提供的显示面板的制作方法,包括上述任一实施例所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法。
[0040] 本发明提供的显示面板的制作方法,包括上述任一实施例所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法的全部优点,在此不再赘述;而且蚀刻后的结构尺寸精度更高,后续制成的薄膜晶体管的性能更好
[0041] 综上所述,本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法,冲洗过程中,基板进行直立旋转,以通过重力及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉,冲洗后的基板上的曝光区域不存在残留的光刻胶,确保了后续蚀刻工艺的正常进行,进而确保了后续制成的薄膜晶体管的性能,并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。
[0042] 在本文的描述中,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本文中的具体含义。
[0043] 在本说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本文的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且,描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0044] 虽然本文所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本文而采用的实施方式,并非用以限定本文。任何本文所属领域内的技术人员,在不脱离本文所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本文的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
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