1.一种可光固化组合物，包含(A)硅基化合物和(B)光引发剂，其中所述(A)硅基化合物由式1表示：
<式1>
在式1中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地为氢、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的具有杂原子的C1至C10烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的具有杂原子的C2至C20烯基、取代的或未取代的C6至C20芳基、取代的或未取代的具有杂原子的C6至C20芳基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C1至C10甲硅烷基或者由式2表示的基团：
<式2>
在式2中，*为元素的结合位点，R7为氢或取代的或未取代的C1至C30烷基，并且Y为单键、取代的或未取代的C1至C10亚烷基、取代的或未取代的具有杂原子的C1至C10亚烷基、取代的或未取代的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的具有杂原子的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的C6至C20亚芳基、取代的或未取代的具有杂原子的C6至C20亚芳基或者取代的或未取代的C1至C10亚烷氧基；
R1、R2和R3中的至少一个由式2表示；
R4、R5和R6中的至少一个由式2表示；
X为C1至C5直链或支链的亚烷基，并且n为1或更大的整数。
2.根据权利要求1所述的可光固化组合物，其中所述(A)硅基化合物包括由式1-1和式
1-2表示的化合物中的至少一个：
<式1-1>
在式1-1中，R1、R2、R3、R4、R5和R6与权利要求1中所定义的相同，并且n为1至10的整数，<式1-2>
在式1-2中，R1、R2、R3、R4、R5和R6与权利要求1中所定义的相同并且n为1至10的整数。
3.根据权利要求1所述的可光固化组合物，其中所述(A)硅基化合物包括由式1A至1D表示的化合物中的至少一个：
<式1A>
<式1B>
<式1C>
<式1D>
4.根据权利要求1所述的可光固化组合物，其中按固含量计，所述可光固化组合物包含
90重量％至99重量％的所述(A)硅基化合物和1重量％至10重量％的所述(B)光引发剂。
5.根据权利要求1所述的可光固化组合物，进一步包含：(C)硅基化合物，所述(C)硅基化合物由式3表示：
<式3>
在式3中，R10、R11、R12、R13、R14和R15各自独立地为氢、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的具有杂原子的C1至C10烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的具有杂原子的C2至C20烯基、取代的或未取代的C6至C20芳基、取代的或未取代的具有杂原子的C6至C20芳基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C1至C10甲硅烷基或者由式2表示的基团：
<式2>
在式2中，*为元素的结合位点，R7为氢或取代的或未取代的C1至C30烷基，并且Y为单键、取代的或未取代的C1至C10亚烷基、取代的或未取代的具有杂原子的C1至C10亚烷基、取代的或未取代的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的具有杂原子的C2至C20亚烯基、取代的或未取代的C6至C20亚芳基、取代的或未取代的具有杂原子的C6至C20亚芳基或者取代的或未取代的C1至C10亚烷氧基；
R10、R11和R12中的至少一个由式2表示；并且
R13、R14和R15中的至少一个由式2表示。
6.根据权利要求5所述的可光固化组合物，其中所述(C)硅基化合物包括1,3-双((甲基)丙烯酰氧基烷基)四烷基二硅氧烷。
7.根据权利要求5所述的可光固化组合物，其中所述可光固化组合物包含40重量％至
55重量％的所述(A)硅基化合物、1重量％至5重量％的所述(B)光引发剂和40重量％至55重量％的所述(C)硅基化合物。
8.一种可光固化组合物，具有固化后28kgf/(mm)2至50kgf/(mm)2的对于无机阻挡层的晶片剪切强度，并且包含权利要求1中所限定的(A)硅基化合物和(B)光引发剂。
9.一种阻挡层，具有固化后28kgf/(mm)2至50kgf/(mm)2的对于无机阻挡层的晶片剪切强度，并且包含根据权利要求1至8中任一项所述的可光固化组合物的固化产物。
10.一种封装设备，包含：
用于所述设备的构件；和
在用于所述设备的构件上形成并且包括无机阻挡层和有机阻挡层的阻挡堆栈，其中所述有机阻挡层包含根据权利要求1至8中任一项所述的可光固化组合物的固化产物，且
其中用于所述设备的构件包括柔性有机发光设备、有机发光二极管设备、照明设备、金属传感垫、微盘激光器、电致变色设备、光致变色设备、微机电系统、太阳能电池、集成电路、电荷耦合设备、发光聚合物或发光二极管。
11.根据权利要求10所述的封装设备，其中所述有机阻挡层具有28kgf/(mm)2至50kgf/(mm)2的对于所述无机阻挡层的晶片剪切强度。
12.根据权利要求10所述的封装设备，其中所述有机阻挡层和所述无机阻挡层交替地形成于所述阻挡堆栈中。