1.一种用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5，
或1-6之一来表示：
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
[化学式1-4]
[化学式1-5]
[化学式1-6]
其中，在所述化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、和1-6中，
L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L2a、L2b、L2c、L2d、L2e、L2f、L1a′、L1b′、L1c′、L1d′、L1e′、L1f′、L2a′、L2b′、L2c′、L2d′、L2e′和L2f′为单键，以及
X1a、X1b、X1c、X1d、X1e、X1f、X2a、X2b、X2c、X2d、X2e和X2f各自独立地为氢、羟基，或取代的或未取代的C1至C30烷氧基，
术语“取代的”是指用选自以下的至少一个取代基来取代化合物的氢：卤素、羟基、硝
基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷
基、C1至C4烷氧基、C1至C20杂烷基、C3至C20杂芳烷基、C3至C30环烷基、C3至C15环烯基、C6
至C15环炔基、C2至C30杂环烷基、以及它们的组合。
2.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式1aa、
1bb、1cc、1dd、1ee、1ff，或1gg表示：
[化学式1aa]
[化学式1bb]
[化学式1cc]
[化学式1dd]
[化学式1ee]
[化学式1ff]
[化学式1gg]
3.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体具有500至5,000的
分子量。
4.一种硬掩模组合物，包括：
根据权利要求1-3任一项所述的单体，以及
溶剂。
5.根据权利要求4所述的硬掩模组合物，其中基于所述硬掩模组合物的总量，包含1至
50wt％的量的所述单体。
6.一种形成图案的方法，包括：
在衬底上提供材料层，
在所述材料层上施加根据权利要求4或5所述的硬掩模组合物，
热处理所述硬掩模组合物以提供硬掩模层，
在所述硬掩模层上形成含硅薄层，
在所述含硅薄层上形成光致抗蚀剂层，
曝光并显影所述光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，
使用所述光致抗蚀剂图案选择性去除所述含硅薄层和所述硬掩模层以暴露所述材料
层的一部分，以及
蚀刻所述材料层的暴露部分。
7.根据权利要求6所述的方法，其中使用旋涂方法来施加所述硬掩模组合物。
8.根据权利要求6所述的方法，其中通过在100℃至500℃下热处理所述硬掩模组合物
来形成所述硬掩模层。