1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、透明导电薄膜层和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，所述有源层位于栅极的上方或者下方；
所述透明导电薄膜层与有源层层叠接触；
所述源极和漏极形成有源层的沟道，且所述漏极与像素电极连接；
所述阵列基板还包括：透明基板、与栅极连接的栅极扫描线、栅极绝缘层、与源极连接的数据扫描线，其中，
所述栅极和栅极扫描线，形成于透明基板之上；
所述栅极绝缘层，形成于栅极和栅极扫描线之上并覆盖基板；
所述像素电极和透明导电薄膜层，形成于栅极绝缘层之上，且所述透明导电薄膜层位于栅极的上方；
所述有源层，形成于透明导电薄膜层之上并与透明导电薄膜层层叠接触；
所述源极和漏极形成于有源层之上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电薄膜层和像素电极材质相同。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括钝化层，所述钝化层位于薄膜晶体管、透明导电薄膜层和像素电极所组成的结构之上并覆盖基板，且在基板的信号引导区具有过孔。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：形成于钝化层之上且具有狭缝结构的公共电极。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：位于像素电极的下方并与像素电极绝缘隔离的公共电极，其中，所述像素电极具有狭缝结构。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在透明基板上形成栅极和与之连接的栅极扫描线；
形成栅极绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述栅极和栅极扫描线之上并覆盖基板；
在栅极绝缘层上沉积透明导电薄膜和有源层薄膜，通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺形成像素电极图形、透明导电薄膜层图形和有源层图形，其中，所述透明导电薄膜层位于栅极的上方，所述有源层位于所述透明导电薄膜层之上并与所述透明导电薄膜层层叠接触；
在有源层之上形成相对而置的、并形成沟道的源极和漏极图形，同时在基板上形成与源极连接的数据扫描线图形；
将所述漏极与像素电极连接。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述通过一次半色调或灰色调掩模构图工艺形成像素电极图形、透明导电薄膜层图形和有源层图形的步骤，包括：
采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，全透光区对应的位置全部曝光，刻蚀后露出栅极绝缘层；半透光区对应的位置部分曝光，刻蚀后形成像素电极图形；不透光区对应的位置未曝光，刻蚀后形成透明导电薄膜层图形和有源层图形。
9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
在形成像素电极图形、透明导电薄膜层图形和有源层图形的步骤之后，进一步包括：
在源极、漏极和数据扫描线之上形成覆盖基板的钝化层，并在基板的信号引导区形成过孔图形。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在源极、漏极和数据扫描线之上形成覆盖基板的钝化层，并在基板的信号引导区形成过孔图形的步骤之后，进一步包括：
在钝化层之上形成具有狭缝结构的公共电极图形。
11.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述形成像素电极图形具有狭缝结构，所述形成像素电极图形、透明导电薄膜层图形和有源层图形的步骤之前包括：形成位于需要形成的狭缝结构的所述像素电极的下方并与所述像素电极绝缘隔离的公共电极图形。