1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
形成有沟道部的氧化物半导体膜；和
与所述氧化物半导体膜的沟道部相对配置的栅极部，
在所述氧化物半导体膜形成有：该氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；
和设置于该漏极部与所述沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，
所述半导体元件包括配置为覆盖所述中间区域使得该中间区域不被低电阻化处理的导电性膜。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：
所述导电性膜的侧部形成为该导电性膜的厚度随着接近该导电性膜的侧面而变小。
3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于：
所述导电性膜为漏极电极。
4.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于：
所述氧化物半导体膜包括至少包含In、Ga和Zn中任一种元素的氧化物。
5.一种有源矩阵基板，包括：
绝缘性基板；
在所述绝缘性基板上配置为矩阵状的多个像素电极；和
与所述多个像素电极分别连接的薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与该氧化物半导体膜的沟道部相对配置的栅极部，
所述像素电极通过所述氧化物半导体膜的一部分被低电阻化处理而形成，在所述氧化物半导体膜形成有设置于所述像素电极与所述沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，
所述有源矩阵基板包括配置为覆盖所述中间区域使得该中间区域不被低电阻化处理的导电性膜。
6.如权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述导电性膜的侧部形成为该导电性膜的厚度随着接近该导电性膜的侧面而变小。
7.如权利要求5或6所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述导电性膜为漏极电极。
8.如权利要求5或6所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述氧化物半导体膜包括至少包含In、Ga和Zn中任一种元素的氧化物。
9.一种显示装置，其特征在于：
所述显示装置包括有源矩阵基板，
所述有源矩阵基板具有：绝缘性基板；在该绝缘性基板上配置为矩阵状的多个像素电极；和与该多个像素电极分别连接的薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与该氧化物半导体膜的沟道部相对配置的栅极部，
所述像素电极通过所述氧化物半导体膜的一部分被低电阻化处理而形成，在所述氧化物半导体膜形成有设置于所述像素电极与所述沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，
所述有源矩阵基板包括配置为覆盖所述中间区域使得该中间区域不被低电阻化处理的导电性膜。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：
所述导电性膜的侧部形成为该导电性膜的厚度随着接近该导电性膜的侧面而变小。
11.如权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于：
所述导电性膜为漏极电极。
12.如权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于：
所述氧化物半导体膜包括至少包含In、Ga和Zn中任一种元素的氧化物。
13.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：
形成氧化物半导体膜的工序；
在所述氧化物半导体膜上形成导电性膜的工序；
在所述氧化物半导体膜上形成栅极部的工序；和
对从所述导电性膜露出的所述氧化物半导体膜的一部分进行低电阻化处理形成漏极部，在与所述栅极部相对的所述氧化物半导体膜的一部分形成不被低电阻化处理的沟道部，并且在与所述导电性膜相对的所述氧化物半导体膜的一部分，将不被低电阻化处理的中间区域形成于所述沟道部与所述漏极部之间的工序。
14.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
在形成所述导电性膜的工序中，将所述导电性膜的侧部形成为该导电性膜的厚度随着接近该导电性膜的侧面而变小。
15.如权利要求14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
在形成所述导电性膜的工序中，在形成于所述氧化物半导体膜上的导电性材料层的表面形成光致抗蚀剂，一边使蚀刻剂浸透至该光致抗蚀剂与导电性材料层的界面，一边对所述导电性材料层进行湿蚀刻，由此呈倾斜状地形成所述导电性膜的侧部。
16.如权利要求14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
在形成所述导电性膜的工序中，在形成于所述氧化物半导体膜上的导电性材料层的表面形成光致抗蚀剂，一边慢慢去除该光致抗蚀剂，一边对所述导电性材料层进行干蚀刻，由此呈倾斜状地形成所述导电性膜的侧部。
17.如权利要求14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
在形成所述导电性膜的工序中，将多个导电性材料层层叠于所述氧化物半导体膜上，控制所述多个导电性材料层中的各导电性材料层的蚀刻速度，由此形成所述导电性膜的侧部。
18.如权利要求13至17中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
所述导电性膜为漏极电极。
19.如权利要求13至17中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：
所述氧化物半导体膜包括至少包含In、Ga和Zn中任一种元素的氧化物。