光学装置 |
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| 申请号 | CN201580006684.9 | 申请日 | 2015-01-26 | 公开(公告)号 | CN105940339B | 公开(公告)日 | 2017-10-27 |
| 申请人 | 住友大阪水泥股份有限公司; | 发明人 | 细川洋一; 宫崎德一; 及川哲; | ||||
| 摘要 | 一种光学装置，其具备：光学元件，输出第1输出光和第2输出光；第1受光部，将第1输出光转换成第1电 信号 ；第2受光部，将第2输出光转换成第2 电信号 ；基体，具有多个面；第1 电极 ，设置在基体上且与第1受光部连接；及第2电极，设置在基体上且与第2受光部连接，第1电极的一部分配置在与配置有第2电极的面不同的面。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种光学装置，其具备： |
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| 说明书全文 | 光学装置技术领域[0001] 本发明涉及一种光学装置。 背景技术[0002] 光调制器等光学装置中，为了监控光学装置的工作状态，使用分开监控信号光的一部分的结构和监控在马赫曾德干涉仪等光的合波部产生的放射光的结构。例如，专利文献1的图2和图4中公开有监控在多个马赫曾德尔干涉仪的光合波部产生的放射光的结构。通过PD(Photo Diode)等受光元件受光的各放射光转换成电信号，经过转换的电信号经由设置在配线基板上的电气配线从安装于光学装置的输出引脚等被输出。而且，所输出的电信号被用作用于反馈控制光调制器部的工作点等的监控信号等。 [0003] 以往技术文献 [0004] 专利文献 [0005] 专利文献1：日本特开2004-117605号公报 [0006] 发明的概要 [0007] 发明要解决的技术课题 [0008] 近年来，为了应对40Gbps和100Gbps等大容量通信，而使得与多值调制方式和偏振复用方式合成型等对应的集成型的光调制器逐渐成为主流。这些光调制器在1个调制器内具有多个调制部。例如，DQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying：差分四相相移键控)方式的光调制器具有两个调制部。将两个不同的QPSK信号偏振合成的DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying：偏振复用四相相移键控)方式的光调制器为在两个主马赫曾德波导分别配置有两个副马赫曾德波导的结构，总共具有4个调制部。 [0009] 随着调制部的个数的增加,用于监控信号光或放射光的受光元件的个数也增加，因此受光元件的设置面积增加。并且用于接收从受光元件输出的电信号后传递给输出引脚的电气配线也增加，因此设置有电气配线的配线基板的设置面积也增加，从而将光学装置大型化。此外，最近作为分开监控信号光的一部分的方法之一，还对信号光频谱的一部分的频率(0.1GHz至几GHz)进行监控，监控信号呈高频率化。并且，在将抖动信号叠加于信号光以进行监控的监控方法中抖动信号也逐渐被高频率化。 [0010] 但是，另一方面要求光调制器的小型化。因此，由于无法增大配线基板的设置面积，因此存在无法充分确保信号电极之间的距离的情况。如此，因受光元件的个数的增加，在具备多个信号电极的配线基板中，当无法充分确保信号电极之间的距离时，在信号电极之间可能会产生串扰。 [0011] 本发明提供一种具有能够抑制配线基板的设置面积的增加，并且能够减少电极间的串扰的结构的光学装置。 [0012] 用于解决技术课题的手段 [0013] 本发明的一个侧面所涉及的光学装置具备：光学元件，输出第1输出光和第2输出光；第1受光部，将第1输出光转换成第1电信号；第2受光部，将第2输出光转换成第2电信号；基体，具有多个面；第1电极，设置在基体上且与第1受光部连接；及第2电极，设置在基体上且与第2受光部连接。第1电极的一部分配置在与配置有第2电极的面不同的面。 [0014] 根据该光学装置，与第1受光部连接的第1电极的一部分配置在基体的面中与配置有连接于第2受光部的第2电极的面不同的面。因此，与第1电极和第2电极配置在基体的同一面的情况相比，不增大基体即可增大第1电极与第2电极的距离。其结果，能够抑制基体的设置面积的增加，并且能够减少第1电极与第2电极之间的串扰。在此，第1输出光和第2输出光例如可均包含光调制元件的调制光、放射光及监控光。 [0015] 本发明的另一侧面所涉及的光学装置还可以进一步具备：第1电极组，包含第1电极，且电极各自与第1受光部连接；及第2电极组，包含第2电极，且电极各自与第2受光部连接。第1电极组的一部分可以配置在与配置有第2电极组的面不同的面。此时，与第1受光部连接的第1电极组的一部分配置在基体的面中与配置有连接于第2受光部的第2电极组的面不同的面。因此，与第1电极组和第2电极组配置在基体的同一面的情况相比，不增大基体即可增大第1电极组与第2电极组的距离。其结果，能够抑制基体的设置面积的增加，并且能够减少第1电极组与第2电极组之间的串扰。 [0016] 本发明的又一侧面所涉及的光学装置还可以具备：第3受光部，将第3输出光转换成第3电信号；及第3电极组，电极各自与第3受光部连接。光学元件还输出第3输出光，且第1电极组的一部分、第2电极组的一部分及第3电极组的一部分可以配置在彼此不同的面。此时，与第1受光部连接的第1电极组的一部分、与第2受光部连接的第2电极组的一部分及与第3受光部连接的第3电极组的一部分配置在基体的多个面中彼此不同的面。因此，与第1电极组、第2电极组及第3电极组配置在基体的同一面的情况相比，不增大基体即可增大第1电极组、第2电极组及第3电极组彼此的距离。其结果，能够抑制基体的设置面积的增加，并且能够减少第1电极组、第2电极组及第3电极组之间的串扰。 [0017] 本发明的又一侧面所涉及的光学装置中，第1电极组还可以包含第3电极，第1电极的一部分与第3电极的一部分可以彼此并排配置。在此，“并排”是指沿着一个电极配置有另一个电极的状态，包含平行的状态和在不脱离本发明的特征的范围内不平行的状态。此时，通过受光元件的电极配线的并排化，能够抑制不必要的电场发射和电极间的信号的耦合。因此，能够减少传播第1电极和第3电极的电信号的高频特性的劣化。 [0018] 本发明的又一侧面所涉及的光学装置中，第1受光部和第2受光部可以设置在基体的多个面中的同一面。此时，能够使得用于接收从光学元件输出的第1输出光和第2输出光的光学对准变得容易。 [0019] 本发明的又一侧面所涉及的光学装置还可以具备：接地电极，设置在第1电极与第2电极之间。此时，通过在第1电极与第2电极之间配置接地电极，能够使从一个电极朝向另一个电极的电力线的一部分朝向接地电极。由此，分别相邻的电极间的电磁场的叠加变小，且能够进一步减少第1电极与第2电极之间的串扰。 [0020] 发明效果 [0022] 图1为概略地表示第1实施方式所涉及的光学装置的结构的俯视图。 [0023] 图2为概略地表示图1的光学装置的一部分的放大俯视图。 [0024] 图3为概略地表示图1的监控部的一结构例的立体图。 [0025] 图4为概略地表示图1的监控部的另一结构例的立体图。 [0026] 图5为概略地表示图1的监控部的又一结构例的立体图。 [0027] 图6为概略地表示图1的监控部的又一结构例的立体图。 [0028] 图7为概略地表示图1的监控部的又一结构例的立体图。 [0029] 图8为概略地表示图1的监控部的又一结构例的立体图。 [0030] 图9为概略地表示第2实施方式所涉及的光学装置的一部分的放大俯视图。 [0031] 图10为概略地表示第3实施方式所涉及的光学装置的一部分的放大俯视图。 [0032] 图11为图10的光学装置的侧视图。 [0033] 图12为概略地表示图10的监控部的一结构例的立体图。 具体实施方式[0034] 以下，参考附图对本发明的实施方式进行详细说明。 [0035] (第1实施方式) [0036] 图1为概略地表示第1实施方式所涉及的光学装置的结构的俯视图。图2为概略地表示图1的光学装置的一部分的放大俯视图。如图1和图2所示，光学装置1为对通过光纤F1导入的输入光进行调制后向光纤F2输出调制光的光调制器。光学装置1可具备光输入部2、中继部3、光调制元件4(光学元件)、终端部5、光输出部6、监控部7及框体10。 [0037] 框体10为沿一个方向(以下，称为“方向A”。)延伸的箱型部件，例如由不锈钢构成。框体10具有方向A上的两端面即一个端面10a和另一端面10b。在一个端面10a设置有用于插入光纤F1的开口。在另一端面10b设置有用于插入光纤F2的开口。框体10由底部和盖部构成，且容纳例如光输入部2、中继部3、光调制元件4、终端部5、光输出部6及监控部7。在此，方向A朝向直角坐标系的x轴的方向，与方向A正交的方向B朝向直角坐标系的y轴的方向。以下说明中，光学装置1的上下、前后、左右表示，将框体10的盖部侧视为上、框体10的底部侧视为下、配置有光纤F1的一侧视为前、配置有光纤F2的一侧视为后的方位。 [0038] 光输入部2将通过光纤F1导入的输入光供给到光调制元件4。光输入部2可以具备用于辅助光纤F1与光调制元件4的连接的辅助部件。 [0039] 中继部3对从外部供给的电信号即调制信号进行中转后输出到光调制元件4。中继部3例如经由设置在框体10的侧面10c的调制信号输入用连接器输入调制信号，并向光调制元件4输出调制信号。 [0040] 光调制元件4为根据从中继部3输出的调制信号而将从光输入部2供给的输入光转换成调制光的元件。光调制元件4可具备基板41和信号电极43。基板41例如由铌酸锂(LiNbO3，以下称为“LN”。)等发挥电光效应的电介质材料构成。基板41向方向A延伸，且具有方向A上的两端部即一个端部41a和另一端部41b。 [0041] 基板41具有光波导42。光波导42例如为马赫曾德(Mach-Zehnder)型的光波导，其具有与光调制元件4的调制方式相应的结构。该例子中，光调制元件4的调制方式为DP-BPSK(Dual Polarization-Binary Phase Shift Keying)方式。此时，光波导42具有在两个波导42b、42c上设置有马赫曾德部421和马赫曾德部422的结构。即，输入波导42a从基板41的一端部41a向方向A延伸，经分支分别与马赫曾德部421的输入端和马赫曾德部422的输入端连接。输出波导42d中，从马赫曾德部421的输出端延伸的波导42b和从马赫曾德部422的输出端延伸的波导42c汇合而沿着方向A延伸至另一端部41b。 [0042] 信号电极43为将与调制信号相应的电场施加到光波导42的部件，其设置在基板41上。信号电极43的配置和个数根据基板41的结晶轴的朝向和光调制元件4的调制方式而定。各信号电极43分别传输从中继部3输出的调制信号。 [0043] 基板41还具有放射光波导44。放射光波导44为用于放射光的光波导，其包括放射光波导441和放射光波导442。放射光波导441从马赫曾德部421的输出端延伸至另一端部41b。放射光波导441对从马赫曾德部421的输出端漏出的放射光R1(第1输出光)进行导光，并从光调制元件4的另一端部41b向方向A射出。放射光波导442从马赫曾德部422的输出端延伸至另一端部41b。放射光波导442对从马赫曾德部422的输出端漏出的放射光R2(第2输出光)进行导光，并从光调制元件4的另一端部41b向方向A射出。放射光波导441和放射光波导442隔着波导42b和波导42c而设置。 [0044] 光调制元件4还可具备偏振旋转部46。偏振旋转部46为使偏振光旋转90度的元件，例如1/2波长板等。偏振旋转部46设置在从马赫曾德部422的输出端延伸的波导42c上。 [0045] 光调制元件4中，从光输入部2输入到光调制元件4的输入光通过输入波导42a而分支输入到马赫曾德部421和马赫曾德部422。分支的输入光在马赫曾德部421和马赫曾德部422分别被调制。在马赫曾德部421调制的调制光在波导42b中传播。在马赫曾德部422调制的制光在波导42c中传播并通过偏振旋转部46使偏振光旋转90度。而且，在波导42b中传播的调制光和在波导42c中传播的调制光在输出波导42d汇合而从光调制元件4输出。 [0046] 终端部5为调制信号的电终端。终端部5可具备与光调制元件4的信号电极43各自对应的电阻器。各电阻器的一端与光调制元件4的信号电极43电连接，各电阻器的另一端与地电位连接。各电阻器的电阻值与信号电极43的特性阻抗大致相等，例如为50Ω左右。 [0047] 光输出部6将从光调制元件4输出的调制光输出到光纤F2。光输出部6具备辅助部件61。辅助部件61为用于辅助光调制元件4与光纤F2的连接的部件，例如为玻璃制的毛细管。辅助部件61以使光调制元件4的光波导42与光纤F2光耦合的方式保持光纤F2。光纤F2以与光波导42的输出波导42d光耦合的方式接合于光调制元件4的另一端部41b。辅助部件61具有接合面61a和反射面61b。接合面61a接合于基板41的另一端部41b。反射面61b相对于方向A例如倾斜45°左右，且将从光调制元件4输出的放射光R1和放射光R2向方向B反射。 [0048] 监控部7监控从光调制元件4输出的放射光R1和放射光R2的光强度。监控部7接收放射光R1和放射光R2，并将与放射光R1和放射光R2的光强度相应的电信号输出到外部电路即偏置控制部(未图示)。另外，监控部7也可以监控调制光的分支光的光强度。该监控部7可以被提供作配线设备。 [0049] 图3为概略地表示监控部7的一结构例的立体图。如图3所示，监控部7为配线设备，其具备基体70、副基体71、副基体72、受光元件51(第1受光部)、受光元件52(第2受光部)、电极组81(第1电极组)及电极组82(第2电极组)。另外，在此以监控部7具备两个副基体71、72的结构例进行说明，但并不限于此。监控部7可以具备1个副基体，也可以具备三个以上的副基体。并且，可以在1个副基体设置有多个受光元件。 [0050] 基体70为多面体，例如呈向方向B延伸的四棱柱状的形状。基体70例如由氧化铝(Al2O3)等陶瓷构成。基体70的高度例如为1mm～5mm左右，基体70沿着方向A的长度(宽度)例如为1mm～5mm左右，基体70沿着方向B的长度例如为1mm～20mm左右。 [0051] 基体70具有上表面70a、下表面70b、侧面70c、侧面70d、侧面70e及侧面70f。上表面70a和下表面70b、侧面70c和侧面70d、侧面70e和侧面70f分别彼此对置，且并排配置。上表面70a、下表面70b例如呈矩形形状，且为分别与侧面70c、侧面70d、侧面70e和侧面70f彼此相邻的面。侧面70c、侧面70f、侧面70d及侧面70e例如呈矩形形状，且沿着上表面70a的周边和下表面70b的周边依次配置。基体70以下表面70b与框体10的底部对置且侧面70d位于框体10的侧面10c侧的方式设置在框体10。 [0052] 副基体71例如呈四棱柱状的形状。副基体71例如由氧化铝(Al2O3)等陶瓷构成。副基体71的高度例如为1mm～5mm左右，副基体71沿着方向A的长度(宽度)例如为1mm～5mm左右，副基体71沿着方向B的长度例如为1mm～5mm左右。 [0053] 副基体71具有上表面71a、下表面71b、侧面71c、侧面71d、侧面71e及侧面71f。上表面71a和下表面71b、侧面71c和侧面71d、侧面71e和侧面71f分别彼此对置，且并排配置。上表面71a和下表面71b例如呈矩形形状，且为分别与侧面71c、侧面71d、侧面71e及侧面71f彼此相邻的面。侧面71c、侧面71f、侧面71d及侧面71e例如呈矩形形状，且沿着上表面71a的周边和下表面71b的周边依次配置。副基体71以下表面71b与框体10的底部对置且侧面71d与基体70的侧面70c对置的方式设置在框体10。 [0054] 副基体72例如呈四棱柱状的形状。副基体72例如由氧化铝(Al2O3)等陶瓷构成。副基体72的高度例如为1mm～5mm左右，副基体72沿着方向A的长度(宽度)例如为1mm～5mm左右，副基体72沿着方向B的长度例如为1mm～5mm左右。 [0055] 副基体72具有上表面72a、下表面72b、侧面72c、侧面72d、侧面72e及侧面72f。上表面72a和下表面72b、侧面72c和侧面72d、侧面72e和侧面72f分别彼此对置，且并排配置。上表面72a和下表面72b例如呈矩形形状，且为分别与侧面72c、侧面72d、侧面72e及侧面72f彼此相邻的面。侧面72c、侧面72f、侧面72d及侧面72e例如呈矩形形状，且沿着上表面72a的周边和下表面72b的周边依次配置。副基体72以下表面72b与框体10的底部对置且侧面72d与基体70的侧面70c对置且侧面72f与副基体71的侧面71e对置的方式设置在框体10。副基体71和副基体72沿着方向A依次排列。 [0056] 受光元件51为用于将光信号转换成电信号的元件，例如为光电二极管。受光元件51设置在副基体71的侧面71c。受光元件51在侧面71c上配置在能够接收从光调制元件4输出的放射光R1的位置。受光元件51接收放射光R1，并将与接收到的放射光R1的强度相应的电信号E1(第1电信号)从受光元件51的阳极端子输出。受光元件51的阳极端子例如朝向侧面71c与侧面71f的分界即边71cf设置。受光元件51的阴极端子例如朝向上表面71a与侧面 71c的分界即边71ac设置。 [0057] 受光元件52为用于将光信号转换成电信号的元件，例如为光电二极管。受光元件52设置在副基体72的侧面72c。受光元件52在侧面72c上配置在能够接收从光调制元件4输出的放射光R2的位置。受光元件52接收放射光R2，并将与接收到的放射光R2的强度相应的电信号E2(第2电信号)从受光元件52的阳极端子输出。受光元件52的阳极端子例如朝向上表面72a与侧面72c的分界即边72ac设置。受光元件52的阴极端子例如朝向侧面72c与侧面 72f的分界即边72cf设置。 [0058] 电极组81为电极各自与受光元件51连接的多个电极的组。电极组81具备电极811(第3电极)和电极812(第1电极)。电极811为一端与受光元件51的阴极端子连接的电极。电极811例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极811的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极811经过副基体71的侧面71c、副基体71的上表面71a、基体70的上表面70a而配置，且具有第1部分811a、第2部分811b、第3部分811c及第4部分811d。 [0059] 第1部分811a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阴极端子延伸至边71ac。第1部分811a的一端与受光元件51的阴极端子连接。第2部分811b设置在副基体71的上表面71a，且从边71ac延伸至上表面71a与侧面71d的分界即边71ad。第2部分811b的一端在边71ac上与第1部分811a的另一端连接。第3部分811c为连接第2部分811b的另一端与第4部分811d的一端的部分，例如为电线(wire)。第4部分811d设置在基体70的上表面70a，且从上表面70a的侧面70c的分界即边70ac延伸至上表面70a与侧面70d的分界即边70ad。第4部分811d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极811将从外部电路供给的恒定的电压供给到受光元件51的阴极端子。 [0060] 电极812为一端与受光元件51的阳极端子连接的电极。电极812例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极812的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极812经过副基体71的侧面71c、副基体71的侧面71f、基体70的侧面70f而配置，且具有第1部分812a、第2部分812b、第3部分812c及第4部分812d。 [0061] 第1部分812a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阳极端子延伸至边71cf。第1部分812a的一端与受光元件51的阳极端子连接。第2部分812b设置在副基体71的侧面71f，且从边71cf延伸至侧面71d与侧面71f的分界即边71df。第2部分812b的一端在边 71cf上与第1部分812a的另一端连接。第3部分812c为连接第2部分812b的另一端与第4部分 812d的一端的部分，例如为电线。第4部分812d设置在基体70的侧面70f，且从侧面70c与侧面70f的分界即边70cf延伸至侧面70d与侧面70f的分界即边70df。第4部分812d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极812传输从受光元件51的阳极端子输出的电信号E1，并经由电线输出到外部电路。 [0062] 电极811和电极812彼此并排配置。具体而言，第2部分811b和第2部分812b以及第4部分811d和第4部分812d分别彼此并排延伸。第2部分811b与第2部分812b的间隔和第4部分811d与第4部分812d的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0063] 电极组82为电极各自与受光元件52连接的多个电极的组。电极组82具备电极821(第2电极)和电极822。电极821为一端与受光元件52的阳极端子连接的电极。电极821例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极821的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极821经过副基体72的侧面72c、副基体72的上表面72a、基体70的上表面70a而配置，且具有第1部分821a、第2部分821b、第3部分821c及第4部分821d。 [0064] 第1部分821a设置在副基体72的侧面72c，且从受光元件52的阳极端子延伸至边72ac。第1部分821a的一端与受光元件52的阳极端子连接。第2部分821b设置在副基体72的上表面72a，且从边72ac延伸至上表面72a与侧面72d的分界即边72ad。第2部分821b的一端在边72ac上与第1部分821a的另一端连接。第3部分821c为连接第2部分821b的另一端与第4部分821d的一端的部分，例如为电线。第4部分821d设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第4部分821d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极821传输从受光元件52的阳极端子输出的电信号E2，并经由电线输出到外部电路。 [0065] 电极822为一端与受光元件52的阴极端子连接的电极。电极822例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极822的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极822经过副基体72的侧面72c、副基体72的上表面72a、基体70的上表面70a而配置，且具有第1部分822a、第2部分822b、第3部分822c及第4部分822d。 [0066] 第1部分822a设置在副基体72的侧面72c，且从受光元件52的阴极端子以L字形延伸至边72ac。第1部分822a的一端与受光元件52的阴极端子连接。第2部分822b设置在副基体72的上表面72a，且从边72ac延伸至边72ad。第2部分822b的一端在边72ac上与第1部分822a的另一端连接。第3部分822c为连接第2部分822b的另一端与第4部分822d的一端的部分，例如为电线。第4部分822d设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第4部分822d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极822将从外部电路供给的恒定的电压供给到受光元件52的阴极端子。 [0067] 电极821和电极822彼此并排配置。具体而言，在第1部分821a和第1部分822a的上下方向上延伸的部分、第2部分821b和第2部分822b以及第4部分821d和第4部分822d分别彼此并排延伸。第2部分821b与第2部分822b的间隔和第4部分821d与第4部分822d的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0068] 如上构成的监控部7中，在副基体71设置有受光元件51，在副基体72设置有受光元件52。因此，与受光元件51连接的电极组81的一部分(第1部分811a、第2部分811b、第1部分812a及第2部分812b)配置在不同于配置有与受光元件52连接的电极组82的一部分(第1部分821a、第2部分821b、第1部分822a及第2部分822b)的基体(副基体72)的基体(副基体71)。 其结果，不增大监控部7的设置面积即可减少电极组81与电极组82之间的串扰。 [0069] 并且，监控部7中，电极811的第4部分811d、电极821的第4部分821d及电极822的第4部分822d设置在基体70的上表面70a，电极812的第4部分812d设置在基体70的侧面70f。如此，电极组81中电极812的第4部分812d配置在与其他电极不同的面，从而不增大基体70即可增大电极812的第4部分812d与电极组82的距离。此外，电极811的第4部分811d与电极821的第4部分821d及电极822的第4部分822d配置在同一上表面70a，但电极812的第4部分812d配置在侧面70f，从而与电极812的第4部分812d配置在上表面70a的情况相比，能够增大电极811的第4部分811d与电极组82的距离。其结果，能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。 [0070] 并且，监控部7中，电极811和电极812以及电极821和电极822分别并排配置。此时，通过使受光元件的电极配线并排，能够抑制不必要的电场发射和电极间的信号的耦合。因此，能够减少在电极811、电极812、电极821和电极822中传播的电信号的高频特性的劣化。 [0071] 另外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换。并且，受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。此外，也可以是受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置互换并且受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。并且，基体70、副基体71及副基体72单独构成，但也可以一体构成。 [0072] 图4为概略地表示监控部7的另一结构例的立体图。如图4所示，监控部7在电极组81的配置中与图3的监控部7不同。图4的监控部7中，受光元件51的阳极端子例如朝向下表面71b与侧面71c的分界即边71bc设置。受光元件51的阴极端子例如朝向边71cf设置。 [0073] 电极811经过副基体71的侧面71c、副基体71的侧面71f、基体70的侧面70f而配置，且具有第1部分811a、第2部分811b、第3部分811c及第4部分811d。第1部分811a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阴极端子延伸至边71cf。第1部分811a的一端与受光元件51的阴极端子连接。第2部分811b设置在副基体71的侧面71f，且从边71cf延伸至边71df。第2部分811b的一端在边71cf上与第1部分811a的另一端连接。第3部分811c为连接第2部分 811b的另一端与第4部分811d的一端的部分，例如为电线。第4部分811d设置在基体70的侧面70f，且从边70cf延伸至边70df。第4部分811d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0074] 电极812经过副基体71的侧面71c、副基体71的侧面71f、基体70的侧面70f而配置，且具有第1部分812a、第2部分812b、第3部分812c及第4部分812d。第1部分812a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阳极端子以L字形延伸至边71cf。第1部分812a的一端与受光元件51的阳极端子连接。第2部分812b设置在副基体71的侧面71f，且从边71cf延伸至边71df。第2部分812b的一端在边71cf上与第1部分812a的另一端连接。第3部分812c为连接第2部分812b的另一端与第4部分812d的一端的部分，例如为电线。第4部分812d设置在基体70的侧面70f，且从边70cf延伸至边70df。第4部分812d的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0075] 电极811和电极812彼此并排配置。具体而言，第1部分811a和第1部分812a中朝向方向A延伸的部分、第2部分811b和第2部分812b、第4部分811d和第4部分812d彼此并排延伸。第1部分811a与第1部分812a中朝向方向A延伸的部分的间隔、第2部分811b与第2部分812b的间隔及第4部分811d与第4部分812d的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0076] 图4的监控部7中，也发挥与图3的监控部7相同的效果。此外，图4的监控部7中，电极811的第4部分811d和电极812的第4部分812d设置在基体70的侧面70f，电极821的第4部分821d和电极822的第4部分822d设置在基体70的上表面70a。如此，电极组81的一部分与电极组82的一部分配置在彼此不同的面，从而与电极组81和电极组82配置在同一面的情况相比，不增大基体70即可增大电极组81与电极组82的距离。其结果，能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。 [0077] 另外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换。并且，受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置亦可以互换。此外，也可以是受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置互换并且受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。并且，基体70、副基体71及副基体72单独构成，但也可以一体构成。 [0078] 图5为概略地表示监控部7的又一结构例的立体图。如图5所示，监控部7在电极组81的配置中与图4的监控部7不同。 [0079] 图5的监控部7中，电极811经过副基体71的侧面71c、副基体71的侧面71f、基体70的侧面70f、基体70的上表面70a而配置，且具有第1部分811a、第2部分811b、第3部分811c、第4部分811d及第5部分811e。第1部分811a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阴极端子延伸至边71cf。第1部分811a的一端与受光元件51的阴极端子连接。第2部分811b设置在副基体71的侧面71f，且从边71cf延伸至边71df。第2部分811b的一端在边71cf上与第1部分811a的另一端连接。第3部分811c为连接第2部分811b的另一端与第4部分811d的一端的部分，例如为电线。第4部分811d设置在基体70的侧面70f，且从边70cf以L字形延伸至上表面70a与侧面70f的分界即边70af。第5部分811e设置在基体70的上表面70a，且从边70af以L字形延伸至边70ad。第5部分811e的一端在边70af上与第4部分811d的另一端连接。 第5部分811e的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0080] 电极812经过副基体71的侧面71c、副基体71的侧面71f、基体70的侧面70f、基体70的上表面70a而配置，且具有第1部分812a、第2部分812b、第3部分812c、第4部分812d及第5部分812e。第1部分812a设置在副基体71的侧面71c，且从受光元件51的阳极端子以L字形延伸至边71cf。第1部分812a的一端与受光元件51的阳极端子连接。第2部分812b设置在副基体71的侧面71f，且从边71cf延伸至边71df。第2部分812b的一端在边71cf上与第1部分812a的另一端连接。第3部分812c为连接第2部分812b的另一端与第4部分812d的一端的部分，例如为电线。第4部分812d设置在基体70的侧面70f，且从边70cf以L字形延伸至边70af。第5部分812e设置在基体70的上表面70a，且从边70af以L字形延伸至边70ad。第5部分812e的一端在边70af上与第4部分812d的另一端连接。第5部分812e的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0081] 电极811和电极812彼此并排配置。具体而言，第1部分811a和第1部分812a中朝向方向A延伸的部分、第2部分811b和第2部分812b、第4部分811d和第4部分812d以及第5部分811e和第5部分812e分别彼此并排延伸。第1部分811a与第1部分812a中朝向方向A延伸的部分的间隔、第2部分811b与第2部分812b的间隔、第4部分811d与第4部分812d的间隔及第5部分811e与第5部分812e的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0082] 图5的监控部7中，也发挥与图4的监控部7相同的效果。此外，图5的监控部7中，电极811的第5部分811e和电极812的第5部分812e配置在基体70的上表面70a。因此，能够在同一面(上表面70a)上进行监控部7与外部电路的电连接，且能够提高引线接合等的工作效率。并且，由于能够简化监控部7与外部电路之间的配线，因此能够减少配线的占有空间。也可以如副基体71上的部分与基体70上的部分的引线接合在基体70的上表面70a进行那样配置电极811和电极812。此时，能够将所有的引线接合在基体70的同一面(上表面70a)进行，能够进一步提高工作效率。 [0083] 另外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换。并且，受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。此外，也可以是受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置互换并且受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。并且，基体70、副基体71及副基体72单独构成，但也可以一体构成。 [0084] 图6为概略地表示监控部7的又一结构例的立体图。如图6所示，监控部7还具备受光元件53(第3受光部)和电极组83(第3电极组)这一点以及不具备副基体71和副基体72这一点与图4的监控部7不同。图6的监控部7在光调制元件4还输出放射光R3(第3输出光)的情况下使用。受光元件53为用于将光信号转换成电信号的元件，例如为光电二极管。受光元件53接收放射光R3，并将与所接收的放射光R3的强度相应的电信号E3(第3电信号)从受光元件53的阳极端子输出。 [0085] 受光元件51、受光元件52及受光元件53设置在基体70的侧面70c，受光元件51、受光元件52及受光元件53依次沿方向A排列。受光元件51、受光元件52及受光元件53在侧面70c分别配置在能够接收从光调制元件4输出的放射光R1、放射光R2及放射光R3的位置。受光元件51的阳极端子例如朝向下表面70b与侧面70c的分界即边70bc设置。受光元件51的阴极端子例如朝向边70cf设置。受光元件52的阳极端子例如朝向侧面70c与侧面70e的分界即边70ce设置。受光元件52的阴极端子例如朝向边70cf设置。受光元件53的阳极端子例如朝向边70bc设置。受光元件53的阴极端子例如朝向边70ce设置。 [0086] 电极811经过基体70的侧面70c和侧面70f而配置，且具有第1部分811a和第2部分811b。第1部分811a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件51的阴极端子延伸至边70cf。第 1部分811a的一端与受光元件51的阴极端子连接。第2部分811b设置在基体70的侧面70f，且从边70cf延伸至边70df。第2部分811b的一端在边70cf上与第1部分811a的另一端连接。第2部分811b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0087] 电极812经过基体70的侧面70c和侧面70f而配置，且具有第1部分812a和第2部分812b。第1部分812a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件51的阳极端子以L字形延伸至边 70cf。第1部分812a的一端与受光元件51的阳极端子连接。第2部分812b设置在基体70的侧面70f，且从边70cf延伸至边70df。第2部分812b的一端在边70cf上与第1部分812a的另一端连接。第2部分812b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0088] 电极811和电极812彼此并排配置。具体而言，第1部分811a和第1部分812a中朝向方向A延伸的部分以及第2部分811b和第2部分812b分别彼此并排延伸。第1部分811a与第1部分812a中朝向方向A延伸的部分的间隔和第2部分811b与第2部分812b的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0089] 电极821经过基体70的侧面70c和上表面70a而配置，且具有第1部分821a和第2部分821b。第1部分821a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件52的阳极端子以L字形延伸至边70ac。第1部分821a的一端与受光元件52的阳极端子连接。第2部分821b设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第2部分821b的一端在边70ac上与第1部分821a的另一端连接。第2部分821b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0090] 电极822经过基体70的侧面70c和上表面70a而配置，且具有第1部分822a和第2部分822b。第1部分822a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件52的阴极端子以L字形延伸至边70ac。第1部分822a的一端与受光元件52的阴极端子连接。第2部分822b设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第2部分822b的一端在边70ac上与第1部分822a的另一端连接。第2部分822b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0091] 电极821和电极822彼此并排配置。具体而言，第1部分821a中朝向上下方向延伸的部分和第1部分822a中朝向上下方向延伸的部分以及第2部分821b和第2部分822b分别彼此并排延伸。第1部分821a中朝向上下方向延伸的部分与第1部分822a中朝向上下方向延伸的部分的间隔和第2部分821b与第2部分822b的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0092] 电极组83为电极各自与受光元件53连接的多个电极的组。电极组83具备电极831和电极832。电极831为一端与受光元件53的阴极端子连接的电极。电极831例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极831的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极831经过基体70的侧面70c和侧面70e而配置，且具有第1部分831a和第2部分831b。 [0093] 第1部分831a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件53的阴极端子延伸至边70ce。第1部分831a的一端与受光元件53的阴极端子连接。第2部分831b设置在基体70的侧面70e，且从边70ce延伸至侧面70d与侧面70e的分界即边70de。第2部分831b的一端在边 70ce上与第1部分831a的另一端连接。第2部分831b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极831将从外部电路供给的恒定的电压供给到受光元件53的阴极端子。 [0094] 电极832为一端与受光元件53的阳极端子连接的电极。电极832例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极832的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极832经过基体70的侧面70c和侧面70e而配置，且具有第1部分832a和第2部分832b。第1部分832a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件53的阳极端子以L字形延伸至边70ce。第1部分832a的一端与受光元件53的阳极端子连接。第2部分832b设置在基体70的侧面70e，且从边70ce延伸至边70de。第2部分832b的一端在边70ce上与第1部分832a的另一端连接。第2部分832b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极832传输从受光元件53的阳极端子输出的电信号E3，并经由电线输出到外部电路。 [0095] 电极831和电极832彼此并排配置。具体而言，第1部分831a和第1部分832a中朝向方向A延伸的部分以及第2部分831b和第2部分832b分别彼此并排延伸。第1部分831a与第1部分832a中朝向方向A延伸的部分的间隔和第2部分831b与第2部分832b的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0096] 图6的监控部7中，电极811的第2部分811b和电极812的第2部分812b设置在基体70的侧面70f，电极821的第2部分821b和电极822的第2部分822b设置在基体70的上表面70a，电极831的第2部分831b和电极832的第2部分832b设置在基体70的侧面70e。如此，电极组81的一部分、电极组82的一部分及电极组83的一部分配置在彼此不同的面，从而与电极组81、电极组82及电极组83配置在同一面的情况相比，不增大基体70即可增大电极组81、电极组82及电极组83彼此的距离。其结果，能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81、电极组82及电极组83之间的串扰。 [0097] 并且，图6的监控部7中，电极811和电极812、电极821和电极822以及电极831和电极832分别彼此并排配置。此时，通过使受光元件的电极配线并排，能够抑制不必要的电场发射和电极间的信号的耦合。因此，能够减少在电极811、电极812、电极821、电极822、电极831及电极832中传播的电信号的高频特性的劣化。 [0098] 并且，图6的监控部7中，受光元件51、受光元件52及受光元件53设置在基体70的同一面(侧面70c)。因此，能够使得受光元件51、受光元件52及受光元件53的安装工作变得容易。并且，能够使得用于接收从光调制元件4输出的放射光R1、放射光R2及放射光R3的光学对准变得容易。 [0099] 另外，受光元件51的阳极端子的位置和阳极端子的位置、受光元件52的阳极端子的位置和阴极端子的位置以及受光元件53的阳极端子的位置和阴极端子的位置可以互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81、电极组 82及电极组83之间的串扰。并且，与图5的监控部7相同，电极811的另一端、电极812的另一端、电极821的另一端、电极822的另一端、电极831的另一端及电极832的另一端可以配置在基体70的同一面。此时，能够在同一面进行监控部7与外部电路的电连接，且能够提高引线接合等的工作效率。并且，由于能够简化监控部7与外部电路之间的配线，因此能够减少配线的占有空间。 [0100] 图7为概略地表示监控部7的又一结构例的立体图。如图7所示，监控部7在还具备受光元件54和电极组84这一点上与图6的监控部7不同。图7的监控部7在光调制元件4还输出放射光R4的情况下使用。受光元件54为用于将光信号转换成电信号的元件，例如为光电二极管。受光元件54设置在基体70的侧面70c。受光元件54在侧面70c上配置在能够接收从光调制元件4输出的放射光R4的位置。受光元件54接收放射光R4，并将与接收到的放射光R4的光强度相应的电信号E4从阳极端子输出。 [0101] 受光元件54例如配置在受光元件52与受光元件53之间，受光元件51、受光元件52、受光元件54及受光元件53依次沿方向A排列。受光元件54的阳极端子例如朝向边70cf设置。受光元件54的阴极端子例如朝向边70ce设置。 [0102] 电极组84为电极各自与受光元件54连接的多个电极的组。电极组84具备电极841和电极842。电极841为一端与受光元件54的阴极端子连接的电极。电极841例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极841的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极841经过基体70的侧面70c和上表面70a而配置，且具有第1部分841a和第2部分841b。 [0103] 第1部分841a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件54的阴极端子以L字形延伸至边70ac。第1部分841a的一端与受光元件54的阴极端子连接。第2部分841b设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第2部分841b的一端在边70ac上与第1部分841a的另一端连接。第2部分841b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极841将从外部电路供给的恒定的电压供给到受光元件54的阴极端子。 [0104] 电极842为一端与受光元件54的阳极端子连接的电极。电极842例如由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属材料构成。电极842的宽度例如为0.05mm～0.5mm左右。电极842经过基体70的侧面70c和上表面70a而配置，且具有第1部分842a和第2部分842b。 [0105] 第1部分842a设置在基体70的侧面70c，且从受光元件54的阳极端子以L字形延伸至边70ac。第1部分842a的一端与受光元件54的阳极端子连接。第2部分842b设置在基体70的上表面70a，且从边70ac延伸至边70ad。第2部分842b的一端在边70ac上与第1部分842a的另一端连接。第2部分842b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。如此构成的电极842传输从受光元件54的阳极端子输出的电信号E4，并经由电线传输到外部电路。 [0106] 电极841和电极842彼此并排配置。具体而言，第1部分841a在上下方向上延伸的部分和第1部分842a在上下方向延伸的部分以及第2部分841b和第2部分842b分别彼此并排延伸。第1部分841a在上下方向上延伸的部分与第1部分842a在上下方向上延伸的部分的间隔和第2部分841b与第2部分842b的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0107] 图7的监控部7中也发挥与图6的监控部7相同的效果。此外，图7的监控部7中，电极841的第2部分841b和电极842的第2部分842b设置在基体70的上表面70a。如此，电极组81的一部分、电极组83的一部分及电极组84的一部分配置在彼此不同的面，从而与电极组81、电极组83及电极组84配置在同一面的情况相比，不增大基体70即可增大电极组81、电极组83及电极组84彼此的距离。此外，电极821的第2部分821b、电极822的第2部分822b、电极841的第2部分841b及电极842的第2部分842b配置在同一面(上表面70a)，但电极811的第2部分 811b和电极812的第2部分812b配置在侧面70f且电极831的第2部分831b和电极832的第2部分832b配置在侧面70e，从而能够增大电极组82与电极组84的距离。其结果，能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81、电极组82、电极组83及电极组84之间的串扰。 [0108] 另外，受光元件51的阳极端子的位置和阴极端子的位置、受光元件52的阳极端子的位置和阴极端子的位置、受光元件53的阳极端子的位置和阴极端子的位置以及受光元件54的阳极端子的位置和阴极端子的位置可以互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81、电极组82、电极组83及电极组84之间的串扰。 并且，与图5的监控部7相同，电极811的另一端、电极812的另一端、电极821的另一端、电极 822的另一端、电极831的另一端、电极832的另一端、电极841的另一端及电极842的另一端可以配置在基体70的同一面。此时，能够在同一面进行监控部7与外部电路的电连接，且能够提高引线接合等的工作效率。并且，由于能够简化监控部7与外部电路之间的配线，因此能够减少配线的占有空间。此外，可以将电极组81的一部分、电极组82的一部分、电极组83的一部分及电极组84的一部分配置在基体70的彼此不同的面。 [0109] 图8为概略地表示监控部7的又一结构例的立体图。如图8所示，在监控部7具备受光元件53和电极组83这一点以及还具备沿着各电极设置的接地电极85这一点上与图6的监控部7不同。 [0110] 图8的监控部7中，沿着电极811、电极812、电极821及电极822在各电极的两侧配置有接地电极85。即，接地电极85相对于受光元件51、受光元件52、电极组81及电极组82分开设置，且在覆盖监控部7的表面中没有搭载受光元件51、52和电极组81、82的部分。 [0111] 图8的监控部7中也发挥与图6的监控部7相同的效果。此外，图8的监控部7中，在各电极之间配置有接地电极85。因此，能够使从一个电极组朝向另一个电极组的电力线的一部分朝向接地电极85。分别相邻的电极间的电磁场的叠加变小，其结果，能够进一步减少电极组81与电极组82之间的串扰。 [0112] 另外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换。并且，受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。此外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换，同时受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。在这些情况下也同样能够抑制监控的7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。并且，与图5的监控部7相同，电极811的另一端、电极812的另一端、电极821的另一端及电极822的另一端可以配置在基体70的同一面。此时，能够在同一面进行监控部7与外部电路的电连接，且能够提高引线接合等的工作效率。并且，由于能够简化监控部7与外部电路之间的配线，因此能够减少配线的占有空间。 [0113] (第2实施方式) [0114] 图9为概略地表示第2实施方式所涉及的光学装置的一部分的放大俯视图。如图9所示，光学装置1A在光调制元件4的调制方式为DP-QPSK方式这一点、代替辅助部件61具备滤波器62这一点及具备偏振合成部9这一点上与第1实施方式的光学装置1不同。 [0115] 光调制元件4输出调制光L1和调制光L2。调制光L1为具有Y偏振的信号光。调制光L1在波导42b中传播，并从光调制元件4的另一端部41b向方向A输出。调制光L2为具有X偏振的信号光。调制光L2在波导42c中传播，并从光调制元件4的另一端部41b朝向方向A输出。 [0116] 滤波器62以规定比例反射入射光并透射剩余的光。滤波器62具有面62a，面62a与光调制元件4的另一端部41b对置，并且配置成相对于调制光L1和调制光L2的光路例如倾斜45°左右倾斜。滤波器62中入射调制光L1，并反射调制光L1的一部分以作为反射光Lr1(第1输出光)而朝向监控部7的受光元件51输出，透射调制光L1的剩余部分以作为透射光Lt1向偏振合成部9输出。滤波器62中入射调制光L2，并反射调制光L2的一部分以作为反射光Lr2(第2输出光)向监控部7的受光元件52输出，且透射调制光L2的剩余部分以作为透射光Lt2向偏振合成部9输出。另外，在此将滤波器62的倾斜角度设为45°进行了说明，但可以根据需要设为45°以外的角度。 [0117] 偏振合成部9合成从光调制元件4输出的多个调制光。偏振合成部9为根据入射光的偏振方向而改变光路的元件，例如由金红石、YVO4(钒酸钇)等双折射晶体构成。偏振合成部9合成透射了滤波器62的透射光Lt1和透射光Lt2，并将已合成的光L输出到光纤F2。并且，偏振合成部9可以使用偏振分光棱镜(Polarization Beam Splitter：PBS)。 [0118] 监控部7监控从滤波器62输出的反射光Lr1和反射光Lr2的光强度。监控部7接收反射光Lr1和反射光Lr2，并将与接收到的反射光Lr1和反射光Lr2的光强度相应的电信号输出到外部电路即偏置控制部(未图示)。作为该监控部7可使用上述第1实施方式中例示的配线设备。 [0119] 光学装置1A中也发挥与光学装置1相同的效果。另外，光学装置1A并不限于图9的结构。可以使偏振合成部9中的透射光Lt1和透射光Lt2的入射面的法线方向以及偏振合成部9中的光L的出射面的法线方向相对于透射光Lt1及透射光Lt2的光轴倾斜。此时，监控部7可以监控在偏振合成部9的入射面或出射面反射的透射光Lt1和透射光Lt2的一部分。并且，通过在入射面或出射面设置反射膜，可以调整反射率。根据这种结构，不使用另外的滤波器即可以更少的部件结构进行控制。 [0120] (第3实施方式) [0121] 图10为概略地表示第3实施方式所涉及的光学装置的一部分的放大俯视图。图11为图10的光学装置的侧视图。如图10和图11所示，光学装置1B在代替辅助部件61具备辅助部件63这一点上与第1实施方式的光学装置1中监控部7的配置不同。 [0122] 辅助部件63为用于保持光纤F2并且朝下方向反射从光调制元件4输出的放射光R1和放射光R2的部件。辅助部件63呈沿着方向B延伸的柱状形状，且由透射放射光R1和放射光R2的光学部件构成。作为该光学部件，例如可举出BK7、硼硅酸玻璃、石英玻璃、硅等。辅助部件63具有在方向A上使辅助部件63贯穿的贯穿孔63a。辅助部件63使光纤F2插通于该贯穿孔63a，且以使光波导42的输出波导42d与光纤F2光耦合的方式保持光纤F2。辅助部件63具有反射面63b。反射面63b相对于方向A例如倾斜45°左右，且朝下方向反射从光调制元件4输出的放射光R1和放射光R2。另外，辅助部件63可以代替贯穿孔63a而具有V字形的槽或狭缝。 [0123] 辅助部件63的前端固定于基板41的另一端部41b。辅助部件63的前端例如与基板41的另一端部41b粘接。可以在基板41的另一端部41b的上表面设置有加强部件64。加强部件64为用于加强基板41的另一端部41b与辅助部件63的粘接的部件，其固定在基板41的上表面。在加强部件64上粘接有辅助部件63的前端。 [0124] 图12为概略地表示光学装置1B中的监控部7的一结构例的立体图。如图11和图12所示，监控部7以受光元件51和受光元件52位于辅助部件63的下方的方式设置在框体10。若具体说明，光学装置1B的监控部7中，基体70呈朝向方向A延伸的四棱柱状的形状。受光元件51设置在基体70的上表面70a的前方。受光元件51配置在上表面70a上能够接收被辅助部件 63反射的放射光R1的位置。受光元件51的阳极端子例如朝向上表面70a与侧面70e的分界即边70ae设置。受光元件51的阴极端子例如朝向边70ad设置。受光元件52设置在基体70的上表面70a的前方。受光元件52配置在上表面70a上能够接收被辅助部件63反射的放射光R2的位置。受光元件52的阳极端子例如朝向边70af设置。受光元件52的阴极端子例如朝向边 70ad设置。受光元件51和受光元件52依次沿着方向B排列。 [0125] 电极811配置在基体70的上表面70a，且具有第1部分811a。第1部分811a设置在基体70的上表面70a，且从受光元件51的阳极端子以L字形延伸至边70ad。第1部分811a的一端与受光元件51的阳极端子连接。第1部分811a的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。电极812配置在基体70的上表面70a，且具有第1部分812a。第1部分812a设置在基体70的上表面70a，且从受光元件51的阴极端子延伸至边70ad。第1部分812a的一端与受光元件51的阴极端子连接。第1部分812a的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0126] 电极811和电极812彼此并排配置。具体而言，第1部分811a中朝向方向A延伸的部分和第1部分812a彼此并排延伸，其间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0127] 电极821经过基体70的上表面70a和侧面70f而配置，且具有第1部分821a和第2部分821b。第1部分821a设置在基体70的上表面70a，且从受光元件52的阴极端子以L字形延伸至边70af。第1部分821a的一端与受光元件52的阴极端子连接。第2部分821b设置在基体70的侧面70f，且从边70af以L字形延伸至边70df。第2部分821b的一端在边70af上与第1部分821a的另一端连接。第2部分821b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0128] 电极822经过基体70的上表面70a和侧面70f而配置，且具有第1部分822a和第2部分822b。第1部分822a设置在基体70的上表面70a，且从受光元件52的阳极端子延伸至边70af。第1部分822a的一端与受光元件52的阳极端子连接。第2部分822b设置在基体70的侧面70f，且从边70af以L字形延伸至边70df。第2部分822b的一端在边70af上与第1部分822a的另一端连接。第2部分822b的另一端经由未图示的电线与外部电路电连接。 [0129] 电极821和电极822彼此并排配置。具体而言，第1部分821a中朝向方向B延伸的部分和第1部分822a、第2部分821b和第2部分822b分别彼此并排延伸。第1部分821a中朝向方向B延伸的部分与第1部分822a的间隔和第2部分821b与第2部分822b的间隔例如为0.15mm～0.5mm左右。 [0130] 光学装置1B中也发挥与光学装置1相同的效果。此外，光学装置1B中，监控部7配置在光纤F2的下方，因此能够进一步减少监控部7的设置面积。并且，如第1实施方式的光学装置1那样，与向基板41的侧面方向(方向B)反射的结构相比，能够减少放射光R1和放射光R2彼此的叠加，且能够提高监控精度。 [0131] 图12的监控部7中，电极811和电极812设置在基体70的上表面70a，电极821的第2部分821b和电极822的第2部分822b设置在基体70的侧面70f。如此，电极组81与电极组82的一部分配置在彼此不同的面，从而与电极组81与电极组82配置在同一面的情况相比，不增大基体70即可增大电极组81与电极组82的距离。其结果，能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。 [0132] 并且，图12的监控部7中，受光元件51和受光元件52设置在基体70的同一面(上表面70a)。因此，能够使得受光元件51和受光元件52的安装工作变得容易。并且，能够使得用于接收被辅助部件63反射的放射光R1和放射光R2的光学对准变得容易。 [0133] 另外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换。并且，受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。此外，受光元件51的阳极端子的位置与阴极端子的位置可以互换，同时受光元件52的阳极端子的位置与阴极端子的位置也可以互换。在这些情况下也同样能够抑制监控部7的设置面积的增加，并且能够减少电极组81与电极组82之间的串扰。并且，与图5的监控部7相同，电极811的另一端、电极812的另一端、电极821的另一端及电极822的另一端可以配置在基体70的同一面。此时，能够在同一面进行监控部7与外部电路的电连接，且能够提高引线接合等的工作效率。并且，由于能够简化监控部7与外部电路之间的配线，因此能够减少配线的占有空间。 [0134] 另外，本发明所涉及的光学装置并不限定于上述实施方式。例如，光学装置1并不限于光调制器，也可以是接收调制光的接收模块等其他光学设备。并且，光调制元件4只要是输出多个输出光的光学元件即可。 [0135] 上述实施方式中，与受光元件51、52、53、54的阴极端子连接的电极没有接地，因此电极组81、82、83、84之间的串扰得到减少。与受光元件51、52、53、54的阴极端子连接的电极可以接地。此时，能够减少与受光元件51、52、53、54的阳极端子连接的电极间的串扰。 [0136] 并且，构成各电极组的多个电极可以具有彼此大致相等的长度。此时，能够减少各电极中的信号的劣化。并且，构成各电极组的多个电极可以彼此平行延伸。此时，通过使受光元件的电极配线平行化，能够进一步抑制不必要的电场发射和电极间的信号的耦合。因此，能够进一步减少在构成电极组的多个电极中传播的电信号的高频特性的劣化。 [0137] 基体70不限于四棱柱，也可以是多面体。另外，基体70、副基体71及副基体72的尺寸并不限定于在上述实施方式中说明的尺寸。基体70、副基体71及副基体72的尺寸可以根据框体10的内部尺寸适当确定。 [0138] 符号说明 [0139] 1、1A、1B-光学装置，4-光调制元件(光学元件)，7-监控部，51-受光元件(第1受光部)，52-受光元件(第2受光部)，53-受光元件(第3受光部)，70-基体，70a-上表面，70b-下表面，70c-侧面，70d-侧面，70e-侧面，70f-侧面，81-电极组(第1电极组)，82-电极组(第2电极组)，83-电极组(第3电极组)，85-接地电极，811-电极(第3电极)，812-电极(第1电极)，821-电极(第2电极)，Lr1-反射光(第1输出光)，Lr2-反射光(第2输出光)，R1-放射光(第1输出光)，R2-放射光(第2输出光)，R3-放射光(第3输出光)。 |
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