液晶介质和包含其的液晶显示器 |
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| 申请号 | CN201710622799.1 | 申请日 | 2017-07-27 | 公开(公告)号 | CN107384439A | 公开(公告)日 | 2017-11-24 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司; | 发明人 | 宋超; 韩家龙; 薛彦鹏; 饶真玮; 黄洋; 张新洋; | ||||
| 摘要 | 在本 发明 涉及 液晶 介质，其包含一种或多种式I的化合物，其中 表示或 并且其他参数具有文中给出的含义，涉及其在电光显示器，特别是在基于IPS或FFS效应的 有源矩阵 显示器中的用途，涉及含有该类型液晶介质的该类型显示器，和涉及式I的化合物用于改善包含一种或多种额外介晶化合物的液晶介质的透射率和/或响应时间的用途。 | ||||||
| 权利要求 | 1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物 |
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| 说明书全文 | 液晶介质和包含其的液晶显示器技术领域[0001] 本发明涉及新型的液晶介质，特别是用于液晶显示器的液晶介质，和这些液晶显示器，特别是使用利用介电正性液晶的IPS(面内切换)或优选FFS(边缘场切换)效应的液晶显示器。偶尔后一个也被称为SB-FFS(超亮度FFS)效应。对于该效应，使用包含一种或多种同时具有高的平行于分子指向矢和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物的介电正性液晶，这导致大的平均介电常数和高介电比以及优选同时导致相对小的介电各向异性。液晶介质任选额外地包含介电负性、介电中性化合物或这二者。以沿面(即平面)初始配向使用该液晶介质。根据本发明的液晶介质具有正介电各向异性并且包含同时具有大的平行于和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物。 [0002] 所述介质的特征在于在各个显示器中特别高的透射率和降低的响应时间，这通过它们独特的物理性能组合，尤其是通过它们的介电性能和特别是通过它们高的(ε⊥/εav.)比或它们高的介电比(ε⊥/△ε)的值带来。这也导致它们在根据本发明的显示器中的优异表现。 背景技术[0003] 使用介电正性液晶的IPS和FFS显示器是本领域熟知的并且已经广泛被采用用于多种类型的显示器，例如桌面显示器和电视机，而且用于移动应用。 [0004] 然而，最近广泛采用使用介电负性液晶的IPS和特别是FFS显示器。后一个有时被称为UB-FFS(超亮FFS)。例如在US 2013/0207038 A1中公开了这种显示器。相比于先前使用的IPS和FFS显示器，这些显示器的特征在于显著增加的透射率，这已经是介电正性液晶。然而，使用介电负性液晶的这些显示器具有严重的缺点：相比于使用介电正性液晶的各个显示器需要更高的操作电压。用于UB-FFS的液晶介质具有-0.5或更小和优选-1.5或更小的介电各向异性。 [0005] 用于HB-FFS(高亮度FFS)的液晶介质具有0.5或更大和优选1.5或更大的介电各向异性。包含介电负性和介电正性液晶化合物二者的相应介质，或介晶化合物公开于例如US 2013/0207038 A1中。然而，这些介质的特征在于已经有相当大的ε⊥和εav值，然而它们的(ε⊥/△ε)比是相对小的。 [0006] 然而，根据本申请，其中介电正性液晶介质呈沿面配向的IPS或FFS效应是优选的。 [0007] 该效应在电光显示器元件中的工业应用需要必须满足多种要求的液晶相。此处尤为重要的是对水分、空气的耐化学性和物理影响，例如热、红外线、可见光和紫外区域的辐射以及直流(DC)和交流(AC)电场。 [0009] 迄今已经公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作液晶相的物质。 [0010] 已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于各个像素单独切换的非线性元件为，例如有源元件(即晶体管)。随后使用术语“有源矩阵”，其中通常使用薄膜晶体管(TFT)，其通常安置在作为基板的玻璃板上。 [0012] 将TFT矩阵施用于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一玻璃板在其内侧带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小且对图像几乎没有不利作用。该技术还可以推广到全色功能的显示器，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌块(mosaic)以使得滤光片元件与每个可切换的像素相对设置的方式排列。 [0013] 迄今最常使用的TFT显示器通常使用透射的交叉偏振器操作并且是背光照明的。对于TV应用，使用ECB(或VAN)盒或FFS盒，而监视器通常使用IPS盒或TN(扭转向列)盒，和笔记本、笔记本电脑和移动应用通常使用TN、VA或FFS盒。 [0015] 这种类型的MLC显示器特别适用于TV应用、监视器和笔记本或用于例如在汽车制造或飞机构造中的具有高信息密度的显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外，由于液晶混合物不够高的比电阻，MLC显示器中也还产生一些问题[TOGASHI,S.,SEKI-GUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月:A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,pp.141ff.,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月:Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,pp.145ff.,Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度劣化。因为由于与显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常随MLC显示器的寿命下降，所以对于在长的操作期间必须具有可接受电阻值的显示器来说高的(初始)电阻是非常重要的。 [0016] 除了IPS显示器(例如：Yeo,S.D.,Paper 15.3:“An LC Display for the TV Application“,SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.758和759)和长久已知的TN显示器之外，使用ECB效应的显示器已经确立为所谓的VAN(垂直配向向列)显示器，作为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一，特别是对于电视应用而言。 [0017] 此处可以提及最重要的设计:MVA(多域垂直配向，例如:Yoshide,H.等人,Paper 3.1:“MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...”,SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp.6至9,和Liu,C.T.等人,Paper 15.1:“A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...”,SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.750至753)，PVA(图案垂直配向，例如:Kim,Sang Soo,Paper 15.4:“Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV”,SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.760至 763)和ASV(高级超视觉，例如：Shigeta,Mitzuhiro and Fukuoka,Hirofumi,Paper 15.2: “Development of High Quality LCDTV”,SID2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.754至757)。VA效应的更现代的版本是所谓的PAVA(光配向VA)和PSVA(聚合物稳定的VA)。 [0018] 以一般的形式，例如在Souk,Jun,SID Seminar 2004,Seminar M-6:“Recent Advances in LCD Technology”,Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26,和Miller,Ian,SID Seminar 2004,Seminar M-7:“LCD-Television”,Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中比较了一些技术。虽然现代ECB显示器的响应时间已经通过使用过驱动(overdrive)的寻址方法显著地得以改善，例如Kim,HyeonKyeong等人,Paper 9.1:“A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application”,SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp.106至109，实现视频兼容的响应时间，特别是在灰阶的切换中，但仍然有未满意解决的问题。 [0019] ECB显示器，如ASV显示器使用具有负性介电各向异性(△ε)的液晶介质，而TN和迄今所有常规IPS显示器使用具有正介电各向异性的液晶介质。然而，目前对于利用介电负性液晶介质的IPS和FFS显示器存在增加的需求。 [0020] 在这种类型的液晶显示器中，液晶被用作当施加电压时其光学性能可逆地变化的介电材料。 [0021] 因为通常在显示器中，即也在根据这些所提及效应的显示器中，操作电压应当尽可能低，所有使用通常主要由所有都具有相同符号的介电各向异性并且具有最高可能的介电各向异性值的液晶化合物组成的液晶介质。通常，最多采用相对小比例的中性化合物和如果可能不采用具有与介质的介电各向异性相反符号的介电各向异性的化合物。在例如用于ECB或UB-FFS显示器的具有负介电各向异性的液晶介质的情况下，因此主要采用具有负介电各向异性的化合物。所采用的各液晶介质通常主要由和通常甚至实质上由具有负介电各向异性的液晶化合物组成。 [0022] 在根据本申请使用的介质中，通常采用显著量的介电正性液晶化合物和通常仅非常少量的介电化合物或甚至无介电化合物，因为通常液晶显示器旨在具有最低可能的寻址电压。同时，在某些情形下可以有利地使用少量介电中性化合物。 [0023] US 2013/0207038 A1公开了用于HB-FFS显示器的液晶介质，提议通过额外并入介电负性液晶改善使用具有正介电各向异性的液晶的FFS显示器的性能。然而，这导致需要对所得介质的整体介电各向异性补偿这些化合物的负性贡献。为此，必须增加介电正性材料的浓度，其反过来使得在混合物中使用介电中性化合物作为稀释剂的空间变小了，或者替代性地必须使用具有更强正介电各向异性的化合物。这些替代方案均具有增加显示器中液晶的响应时间的强烈缺陷。 [0024] 已经公开了用于IPS和FFS显示器的具有正介电各向异性的液晶介质。在以下将给出一些实例。 [0025] CN 104232105 A公开了具有正介电各向异性的液晶介质，其具有至多0.7的介电比(ε⊥/△ε)。 [0026] WO 2014/192390也公开了具有正介电各向异性的液晶介质，其具有相当高的ε||值，但仅具有约0.5的介电比(ε⊥/△ε)。 [0027] WO 2015/007131公开了具有正介电各向异性的液晶介质，其中一些具有约0.7和略微更高(至多0.88)的介电比(ε⊥/△ε)。 [0028] 公开的DE 102016003902.3、EP 3 081 620和EP 3 095 834涉及应用于各个显示器的液晶化合物或液晶介质。 [0029] 本申请的申请人的未决、尚未公开的申请EP 17164891.8、EP 16190393.6、EP 16194162.0、EP 16197206.2和EP 16199580.也涉及应用于各个显示器的液晶化合物或液晶介质。 [0030] 明显地，液晶混合物的向列相的范围必须足够宽以用于意欲的显示器应用。 [0031] 在显示器中液晶介质的响应时间必须得以改善，即降低。这对于电视或多媒体应用的显示器是特别重要的。为了改善响应时间，过去已经重复地提议优化液晶介质的旋转粘度(γ1)，即获得具有最低可能旋转粘度的介质。然而，此处所得到的结果对于许多应用是不足的，并且因此使得似乎希望找到进一步优化的方法。 [0033] 迄今公开的MLC显示器，除了它们相对差的透射率和它们相对长的响应时间，还具有其它的缺点。这些例如是它们相对低的对比度，它们相对高的视角依赖性和在这些显示器中灰度再生困难，尤其是当从倾斜视角观察时，以及它们不足的VHR和它们不足的寿命。需要显示器透射率和它们响应时间的所期望的改善以改善它们的能量效率或它们渲染迅速移动图片的能力。 发明内容[0035] 本发明的目的为提供MLC显示器，不仅用于监视器和TV应用，而且还用于移动应用，例如电话和导航系统，其基于ECB、IPS或FFS效应，不具有以上指出的缺陷，或仅以减少程度具有以上所述缺点，并且同时具有非常高的比电阻值。特别地，必须保证对于移动电话和导航系统它们还在极其高和极其低的温度下工作。 [0036] 令人惊讶地，已经发现如果在这些显示元件中使用一种向列液晶混合物可以获得这样的液晶显示器，其特别是在IPS和FFS显示器中具有低的阈值电压以及短的响应时间，足够宽的向列相，有利、相对低的双折射率(△n)和同时还有高透射率，对于通过加热和UV曝光分解的良好稳定性，和稳定的高VHR，所述向列液晶混合物包含至少一种、优选两种或更多种式I的化合物(优选选自子式I-1和I-2，特别优选子式I-2的这些)，和优选额外地包含至少一种、优选两种或更多种选自式II和III化合物的化合物(前者优选式II-1和/或II-2)，和/或包含至少一种，优选两种或更多种选自式IV和/或V的化合物，和优选包含一种或多种选自式VII至IX的化合物(所有式在文本中如以下定义)。 [0037] 这种类型的介质可以特别用于具有有源矩阵寻址的电光显示器，如IPS-或FFS显示器。 [0038] 根据本发明的介质优选额外地包含一种或多种选自式II和III化合物的化合物，优选一种或多种式II的化合物，更优选另外包含一种或多种式III的化合物，和最优选额外包含一种或多种选自式IV和V的化合物的化合物，和再次优选一种或多种选自式VI至IX的化合物的化合物(所有式如下定义)。 [0039] 根据本发明的混合物展示出非常宽的向列相范围(清亮点≥70℃)、非常有利的电容阈值、相对高的保持率值和同时良好的-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及非常低的旋转粘度。根据本发明的混合物进一步特征在于清亮点与旋转粘度的良好比率以及相对高的正介电各向异性。 [0040] 现在，已经令人意外地发现使用具有正介电各向异性的液晶的FFS类型的液晶可以通过使用特殊选择的液晶介质实现。这些介质的特征在于物理性能的特定组合。这些之中最决定性的是它们的介电性能并且此处是高平均介电常数(εav.)，高的垂直于液晶分子指向矢的介电常数(ε⊥)，高的介电各向异性值(△ε)，和特别地，相对高的这后两个值的比：(ε⊥/△ε)。 [0041] 根据本发明的液晶介质优选具有正介电各向异性，优选在1.5或更大至20.0或更小的范围，更优选在3.0或更大至8.0或更小的范围，和最优选在4.0或更大至7.0或更小的范围。 [0042] 根据本发明的液晶介质优选具有5.0或更大，更优选6.0或更大，更优选7.0或更大，更优选8.0或更大，更优选9或更大，和最优选10.0或更大的垂直于液晶分子指向矢的介电常数(ε⊥)。 [0043] 根据本发明的液晶介质优选具有0.65或更大，更优选0.75或更大，和最优选1.0或更大的介电比(ε⊥/△ε)。 [0044] 在本发明的优选实施方案中，液晶介质优选具有正介电各向异性，优选为1.5或更大，并且优选包含 [0045] a)一种或多种式I的化合物，优选其浓度在1％-60％的范围，更优选5％-40％的范围，特别优选8％-35％的范围， [0046] [0047] 其中 [0048] 表示 [0049] [0050] 表示 [0051] [0052] n表示0或1，和 [0053] R11和R12彼此独立地表示具有1至9个C原子(优选具有1至7个C原子)的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至9个C原子(优选具有2至7个C原子)的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，并且优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选烷基、烷氧基或烯氧基，和 [0054] b)一种或多种选自式II和III化合物的化合物，其是介电正性的，优选各自具有3或更大的介电各向异性的化合物： [0055] [0056] 其中 [0057] R2表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，和优选烷基或烯基， [0058] [0059] 在每次出现时彼此独立地表示 [0060] [0061] [0062] 优选 [0063] [0064] L21和L22彼此独立地表示H或F，优选L21表示F， [0065] X2表示卤素、具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基，优选F、Cl、-OCF3、-O-CH2CF3、-O-CH＝CH2、-O-CH＝CF2或-CF3，非常优选F、Cl、-O-CH＝CF2或-OCF3， [0066] m表示0、1、2或3，优选1或2并且特别优选1， [0067] R3表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基并且优选烷基或烯基， [0068] [0069] 在每次出现时彼此独立地为 [0070] [0071] [0072] 优选 [0073] [0074] L31和L32,彼此独立地表示H或F，优选L31表示F， [0075] X3表示卤素，具有1-3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯氧基，F、Cl、-OCF3、-OCHF2、-O-CH2CF3、-O-CH＝CF2、-O-CH＝CH2或-CF3，非常优选F、Cl、-O-CH＝CF2、-OCHF2或-OCF3， [0076] Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，优选-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-或单键并且非常优选-COO-、反式-CH＝CH-或单键，和[0077] n表示0、1、2或3，优选1、2或3和特别优选1，和 [0078] c)任选的一种或多种选自式IV和V的化合物，其优选是介电中性的： [0079] [0080] 其中 [0081] R41和R42彼此独立地具有以上在式II下对于R2所指出的含义，优选R41表示烷基和R42表示烷基或烷氧基或R41表示烯基和R42表示烷基， [0082] [0083] 彼此独立地并且如果 [0084] 出现两次 [0085] 则这些也彼此独立地表示 [0086] [0087] [0088] 优选 [0089] 的一个或多个 [0090] 表示 [0091] [0092] Z41和Z42彼此独立地并且如果Z41出现两次，则这些也彼此独立地表示-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-、-C≡C-或单键，优选其的一个或多个表示单键，和 [0093] p表示0、1或2，优选0或1，和 [0094] R51和R52彼此独立地具有对于R41和R42给出的含义之一并且优选表示具有1-7个C原子的烷基，优选正烷基，特别优选具有1-5个C原子的正烷基，具有1-7个C原子的烷氧基，优选正烷氧基，特别优选具有2-5个C原子的正烷氧基，具有2-7个C原子、优选具有2-4个C原子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基，优选烯氧基， [0095] 至 [0096] 如果存在，各自彼此独立地表示 [0097] [0098] [0099] 优选 [0100] [0101] 优选 [0102] 表示 [0103] 和，如果存在， [0104] 优选表示 [0105] Z51至Z53各自彼此独立地表示-CH2-CH2-、-CH2-O-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-或单键，优选-CH2-CH2-、-CH2-O-或单键和特别优选单键， [0106] i和j各自彼此独立地表示0或1， [0107] (i+j)优选表示0、1或2，更优选0或1，和最优选1。 [0108] d)再任选地，可替代地或额外地，包含一种或多种选自式VI至IX的化合物，其优选是介电负性的： [0109] [0110] 其中 [0111] R61表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的，具有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具有2-6个C原子的未取代的烯氧基， [0112] R62表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具有2-6个C原子的未取代的烯氧基，和 [0113] l表示0或1, [0114] R71表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的， [0115] R72表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子、优选具有1、2、3或4个C原子的未取代的烷氧基，或具有2-6个C原子、优选具有2、3或4个C原子的未取代的烯氧基，和 [0116] 表示 [0117] [0118] R81表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，优选直链烷基，更优选正烷基，最优选丙基或戊基，或具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选直链烯基，特别优选具有2-5个C原子的， [0119] R82表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，具有1-6个C原子、优选具有1、2、3或4个C原子的未取代的烷氧基，或具有2-6个C原子、优选具有2、3或4个C原子的未取代的烯氧基， [0120] 表示 [0121] [0122] 优选 [0123] [0124] 更优选 [0125] [0126] Z8表示-(C＝O)-O-、-CH2-O-、-CF2-O-或-CH2-CH2-，优选 [0127] -(C＝O)-O-或-CH2-O-，和 [0128] o表示0或1, [0129] R91和R92彼此独立地具有以上对于R72给出的含义， [0130] R91优选表示具有2-5个C原子的烷基，优选具有3-5个C原子， [0131] R92优选表示具有2-5个C原子的烷基或烷氧基，更优选具有2-4个C原子的烷氧基，或具有2-4个C原子的烯氧基。 [0132] 表示 [0133] p和q彼此独立地表示0或1，和 [0134] (p+q)优选表示0或1，并且若 [0135] 表示 [0136] 则可替代地，优选p＝q＝1，和 [0137] e)再任选地，一种或多种稳定剂，优选其浓度在0.010％至1.0％的范围、更优选在0.025％至0.10％的范围、特别优选在0.040％至0.080％的范围， [0138] 根据本申请的液晶介质优选具有向列相。 [0139] 在本发明的优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种式I的化合物，优选选自式I-1和I-2的化合物 [0140] [0141] 其中参数具有上文给出的含义并且优选 [0142] R11和R12彼此独立地表示优选具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，和优选烷基、烷氧基、烯基或烯氧基，最优选为烷氧基或烯氧基。 [0143] 在优选的实施方案中，本发明涉及包含一种或多种式STA的稳定剂的液晶介质[0144] [0145] 其中 [0146] 表示 [0147] [0148] 优选 [0149] [0150] 最优选 [0151] [0152] R1A表示H,具有至多15个C原子的烷基、烯基或烷氧基，其中一个或多个H原子可被卤素替代， [0153] R2A表示H,具有至多7个C原子的烷基或烯基或烷氧基，其中一个或多个H原子可被卤素替代, [0154] r为0或1。 [0155] 优选地，式STA的化合物选自式STA-1和STA-2 [0156] [0157] [0158] 其中， [0159] n和m彼此独立地为1至7，优选1、2或3，最优选3的整数。 [0160] 特别优选的式STA-2的化合物是式STA-1-1的化合物 [0161] [0162] 此外，本发明涉及根据本发明的液晶混合物和液晶介质在IPS和FFS显示器中的用途，特别是在含有液晶介质的SB-FFS显示器中的用途，用于改善响应时间和/或透射率。 [0163] 此外，本发明涉及含有根据本发明的液晶介质的液晶显示器，特别是IPS或FFS显示器，特别优选FFS或SB-FFS显示器。 [0164] 此外，本发明涉及包含液晶盒的IPS或FFS类型的液晶显示器，所述液晶盒由两个基板(其中至少一个基板对光是透明的并且至少一个基板具有电极层)，和位于所述基板之间的液晶介质层组成，所述液晶介质包含聚合的组分和低分子量组分，其中聚合的组分可通过在液晶盒的基板之间的液晶介质中一种或多种可聚合化合物的聚合获得，优选在施加电压情况下聚合并且其中低分子量组分是上下文描述的根据本发明的液晶混合物。 [0165] 根据本发明的显示器优选通过有源矩阵(有源矩阵LCD，简称AMD)寻址，优选通过薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而，根据本发明的液晶也可以有利的方式在具有其它已知寻址装置的显示器中使用。 [0166] 此外，本发明涉及制备根据本发明液晶介质的方法，通过将一种或多种式I的化合物(优选选自式I-1和I-2的化合物)与一种或多种低分子量液晶化合物或液晶混合物和任选与其它液晶化合物和/或添加剂(优选稳定剂，优选选自表F的化合物和最优选式STA的化合物)混合进行。 [0167] 上下文适用以下含义： [0168] 除非另有说明，术语“FFS”用于表示FFS和SB-FFS显示器。 [0169] 术语“介晶基团”是本领域技术人员已知并且描述于文献中，并且表示由于其吸引和排斥相互作用的各向异性，实质上有助于在低分子量或聚合型物质中引起液晶(LC)相的基团。含有介晶基团的化合物(介晶化合物)不必须本身具有液晶相。介晶化合物也可以仅在与其它化合物混合和/或在聚合之后展现出液晶相行为。典型的介晶基团例如为刚性棒状或圆盘状的单元。与介晶或液晶化合物相关使用的术语和定义的综述在Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)和C.Tschierske,G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116,6340-6368中给出。 [0170] 术语“间隔基团”或简称“间隔基”(在上下文中也被称为“Sp”)为本领域技术人员所已知并描述于文献中，参见例如Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)和C.Tschierske,G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116,6340-6368。除非另有说明，上下文中术语“间隔基团”或“间隔基”表示在可聚合的介晶化合物中使介晶基团和可聚合基团彼此连接的柔性基团。 [0171] 为了本发明的目的，术语“液晶介质”旨在表示包含液晶混合物和一种或多种可聚合化合物(例如反应性介晶)的介质。术语“液晶混合物”(或“主体混合物”)旨在表示仅由不可聚合的低分子量化合物，优选两种或更多种液晶化合物和任选的其它添加剂，例如手性掺杂剂或稳定剂组成的液晶混合物。 [0172] 特别优选具有向列相的液晶混合物和液晶介质，特别是在室温下具有向列相。 [0173] 在本发明的优选的实施方案中，所述液晶介质包含一种或多种具有3或更大的介电各向异性的介电正性化合物，其选自式II-1和II-2的化合物： [0174] [0175] 其中参数具有以上在式II下指出的各个含义，且L23和L24彼此独立地表示H或F，优选L23表示F，和 [0176] 具有对于 给出的含义之一， [0177] 和在式II-1和II-2的情况下，X2优选表示F或OCF3，特别优选F，和在式II-2的情况下， [0178] 和 [0179] 彼此独立地优选表示 [0180] [0181] 和/或选自式III-1和III-2的化合物： [0182] [0183] 其中参数具有在式III下给出的含义， [0184] 和根据本发明的介质可替代地或除了式III-1和/或III-2的化合物之外还可以包含一种或多种式III-3的化合物 [0185] [0186] 其中参数具有以上指出的各个含义，和参数L31和L32彼此独立并独立于其它参数地表示H或F。 [0187] 所述液晶介质优选包含选自式II-1和II-2的化合物的化合物，其中L21和L22和/或L23和L24均表示F。 [0188] 在优选的实施方案中,所述液晶介质包含选自式II-1和II-2的化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24均表示F。 [0189] 所述液晶介质优选包含一种或多种式II-1的化合物。式II-1的化合物优选选自式II-1a至II-1e的化合物，优选一种或多种式II-1a和/或II-1b和/或II-1d的化合物，优选选自式II-1a和/或II-1d或II-1b和/或II-1d，最优选选自式II-1d： [0190] [0191] [0192] 其中参数具有以上指出的各个含义，且L25和L26彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F，并且优选 [0193] 在式II-1a和II-1b中， [0194] L21和L22均表示F， [0195] 在式II-1c和II-1d中， [0196] L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F，和 [0197] 在式II-1e中， [0198] L21、L22和L23表示F。 [0199] 所述液晶介质优选包含一种或多种式II-2的化合物，其优选选自式II-2a至II-2k的化合物，优选一种或多种各自为式II-2a和/或II-2h和/或II-2j的化合物； [0200] [0201] [0202] [0203] 其中参数具有以上指出的各个含义，和L25至L28彼此独立地表示H或F，优选L27和L28均表示H，特别优选L26表示H。 [0204] 所述液晶介质优选包含选自式II-1a至II-1e的化合物的化合物，其中L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F。 [0205] 在优选的实施方案中，所述液晶介质包含选自式II-2a至II-2k的化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24均表示F。 [0206] 尤其优选的式II-2的化合物是下式的化合物，特别优选式II-2a-1和/或II-2h-1和/或II-2k-2： [0207] [0208] [0209] [0210] 其中R2和X2具有以上指出的含义，和X2优选表示F。 [0211] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1的化合物。式III-1的化合物优选选自式III-1a至III-1j的化合物，优选选自式III-1c、III-1f、III-1g和III-1j： [0212] [0213] [0214] [0215] 其中参数具有以上给出的含义并且优选其中参数具有以上指出的各个含义，参数L35和L36彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F，和参数L35和L36彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F。 [0216] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1c的化合物，其优选选自式III-1c-1至III-1c-5的化合物，优选式III-1c-1和/或III-1c-2，最优选式III-1c-1： [0217] [0218] 其中R3具有以上指出的含义。 [0219] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1f的化合物，其优选选自式III-1f-1至III-1f-6的化合物，优选式III-1f-1和/或III-1f-2和/或III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-1f-3和/或III-1f-6，更优选式III-1f-6： [0220] [0221] 其中R3具有以上指出的含义。 [0222] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1g的化合物，其优选选自式III-1g-1至III-1g-5的化合物，优选式III-1g-3： [0223] [0224] 其中R3具有以上指出的含义。 [0225] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1h的化合物，其优选选自式III-1h-1至III-1h-3的化合物，优选式III-1h-3： [0226] [0227] [0228] 其中参数具有以上给出的含义，并且X3优选表示F。 [0229] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1i的化合物，其优选选自式III-1i-1和III-1i-2的化合物，优选式III-1i-2： [0230] [0231] 其中参数具有以上给出的含义，和X3优选表示F。 [0232] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1j的化合物，其优选选自式III-1j-1和III-1j-2的化合物，优选式III-1j-1： [0233] [0234] 其中参数具有以上给出的含义. [0235] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-2的化合物。式III-2的化合物优选选自式III-2a和III-2b的化合物，优选式III-2b： [0236] [0237] 其中参数具有以上指出的各个含义，和参数L33和L34彼此独立并且独立于其它参数地表示H或F。 [0238] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-2a的化合物，其优选选自式III-2a-1至III-2a-6的化合物： [0239] [0240] [0241] 其中R3具有以上指出的含义。 [0242] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-2b的化合物，其优选选自式III-2b-1至III-2b-4，优选III-2b-4的化合物： [0243] [0244] 其中R3具有以上指出的含义。 [0245] 替代性地或除了式III-1和/或III-2的化合物之外，根据本发明的介质还可以包含一种或多种式III-3的化合物 [0246] [0247] 其中参数具有以上在式III下指出的各个含义。 [0248] 这些化合物优选选自式III-3a和III-3b： [0249] [0250] 其中R3具有以上指出的含义。 [0251] 根据本发明的液晶介质优选包含一种或多种介电中性化合物(优选具有-1.5至3范围的介电各向异性)，优选选自式VI、VII、VIII和IX的化合物。 [0252] 在本申请中，元素均包括它们各自的同位素。特别地，在化合物中一个或多个H可以被D代替，和这在一些实施方案中也是特别优选的。相应化合物的相应高程度的氘化例如使得能够探测和识别该化合物。这在一些情况下是非常有助的，特别是在式I化合物的情况下。 [0253] 在本申请中 [0254] alkyl(烷基)特别优选表示直链烷基，特别是CH3-、C2H5-、n-C3H7-、n-C4H9-或n-C5H11-，和 [0255] alkenyl(烯基)特别优选表示CH2＝CH-、E-CH3-CH＝CH-、CH2＝CH-CH2-CH2-、E-CH3-CH＝CH-CH2-CH2-或E-(n-C3H7)-CH＝CH-。 [0256] 在本发明的优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI的化合物，其选自式VI-1和VI-2的化合物，优选一种或多种式VI-2的化合物，和最优选一种或多种各自为式VI-1的化合物和一种或多种式VI-2的化合物， [0257] [0258] [0259] 其中参数具有以上在式VI下给出的各个含义，并且优选 [0260] 在式VI-1中 [0261] R61和R62彼此独立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基，又或者戊氧基，优选乙氧基、丁氧基或戊氧基，更优选乙氧基或丁氧基，和最优选丁氧基。 [0262] 在式VI-2中 [0263] R61优选表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1基和n-丙基或n-戊基和 [0264] R62表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，或优选具有1-6个C原子、特别优选具有2或4个C原子的未取代的烷氧基，和最优选乙氧基，和 [0265] 在本发明的优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII的化合物，其选自式VII-1至VII-3的化合物，优选一种或多种各自为式VII-1的化合物和一种或多种式VII-2的化合物， [0266] [0267] 其中参数具有以上在式VII下给出的各个含义，并且优选 [0268] R71优选表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1基、正丙基或正戊基和 [0269] R72表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的未取代的烷基，或优选具有1-6个C原子、特别优选具有2或4个C原子的未取代的烷氧基，和最优选乙氧基， [0270] 在本发明的优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI-1的化合物，其选自以下化合物： [0271] [0272] 在本发明的优选的实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VI-2的化合物，其选自以下化合物： [0273] [0274] 在本发明的优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII-1的化合物，其选自以下化合物： [0275] [0276] [0277] 在本发明的优选的实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VII-2的化合物，其选自以下化合物： [0278] [0279] 除了式I的化合物或其优选的子式之外，根据本发明的介质优选还包含一种或多种选自式VI和VII的化合物的化合物(优选介电中性的)，优选其总浓度在5％或更高至90％或更低，优选10％或更高至80％或更低，特别优选20％或更高至70％或更低的范围。 [0280] 在本发明的优选的实施方案中，根据本发明的介质在每种情况下包含一种或多种式VIII的化合物，其选自式VIII-1至VIII-3的化合物，优选一种或多种各自为式VIII-1的化合物和/或一种或多种式VIII-3的化合物， [0281] [0282] 其中参数具有以上在式VIII下给出的各个含义，并且优选 [0283] R81表示乙烯基、1-E-丙烯基、丁-4-烯-1-基、戊-1-烯-1-基或戊-3-烯-1-基、乙基、正丙基或正戊基、烷基，优选乙基、正丙基或正戊基和 [0284] R82表示具有1-7个C原子的未取代的烷基(优选具有1-5个C原子)或具有1-6个C原子的未取代的烷氧基。 [0285] 在式VIII-1和VIII-2中，R82优选表示具有2或4个C原子的烷氧基，和最优选乙氧基和在式VIII-3中其优选表示烷基，优选甲基、乙基或正丙基，最优选甲基。 [0286] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV的化合物，[0287] 一种或多种式IV的化合物 [0288] [0289] 其中 [0290] R41表示具有1-7个C原子的未取代的烷基或具有2-7个C原子的未取代的烯基，优选正烷基，特别优选具有2、3、4或5个C原子的，和 [0291] R42表示具有1-7个C原子的未取代的烷基，具有2-7个C原子的未取代的烯基，或具有1-6个C原子的未取代的烷氧基(均优选具有2-5个C原子的)，具有2-7个C原子的未取代的烯基(优选具有2、3或4个C原子的)，更优选乙烯基或1-丙烯基和特别是乙烯基。 [0292] 在特别优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV的化合物，其选自式IV-1至IV-4的化合物，优选式IV-1， [0293] [0294] 其中 [0295] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的烷基，[0296] alkenyl和alkenyl'彼此独立地表示具有2-5个C原子、优选具有2至4个C原子、特别优选2个C原子的烯基， [0297] alkoxy表示具有1-5个C原子、优选具有2-4个C原子的烷氧基。 [0298] 在特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IV-1的化合物和/或一种或多种式IV-2的化合物。 [0299] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式V的化合物。 [0300] 根据本发明的介质优选以指出的总浓度包含以下化合物： [0301] 1-60wt％的一种或多种选自式I化合物的化合物，和 [0302] 5-60wt％的一种或多种式II的化合物，优选选自式II-1和II-2的化合物，和/或[0303] 5-25wt％的一种或多种式III的化合物，和/或 [0304] 5-45wt％的一种或多种式IV的化合物，和/或 [0305] 5-25wt％的一种或多种式V的化合物，和/或 [0306] 5-25wt％的一种或多种式VI的化合物，和/或 [0307] 4-20wt％的一种或多种式VII的化合物，和/或 [0308] 0-30wt％的一种或多种式VIII的化合物，优选选自式VIII-1和VIII-2的化合物，和/或 [0309] 4-60wt％的一种或多种式IX的化合物， [0310] 其中存在的所有式S以及I至IX的化合物在介质中的总含量优选为95％或更高，并且更优选100％。 [0311] 后一条件对于所有根据本申请的介质是优选的。 [0312] 在进一步优选的实施方案中，除了式S或其优选子式，和/或式I或其优选子式的化合物和式VI和/或VII和/或VIII和/或IX的化合物之外，根据本发明的介质还优选包含一种或多种选自式IV和V的化合物的化合物(优选介电中性的)，优选其总浓度在5％或更高至90％或更低的范围、优选10％或更高至80％或更低、特别优选20％或更高至70％或更低。 [0313] 在特别优选的实施方案中根据本发明的介质包含 [0314] 一种或多种式II的化合物，其总浓度在5％或更高至50％或更低的范围，优选10％或更高至40％或更低的范围，和/或 [0315] 一种或多种式VII-1的化合物，其总浓度在5％或更高至30％或更低的范围，和/或[0316] 一种或多种式VII-2的化合物，其总浓度在3％或更高至30％或更低的范围。 [0317] 优选地，在根据本发明的介质中式S化合物的浓度在1％或更高至60％或更低的范围，更优选5％或更高至40％或更低，最优选8％或更高至35％或更低。 [0318] 优选地，在根据本发明的介质中式I化合物(如果存在)的浓度在1％或更高至60％或更低的范围，更优选5％或更高至40％或更低，最优选8％或更高至35％或更低。 [0319] 在本发明的优选实施方案中，介质包含一种或多种式I的化合物(优选选自式I-1和I-2)以及一种或多种式I的化合物(优选一种或多种式I-1和/或I-2的化合物)。 [0320] 在本发明的优选的实施方案中，在介质中式II化合物的浓度在3％或更高至60％或更低的范围，更优选5％或更高至55％或更低，更优选10％或更高至50％或更低，和最优选15％或更高至45％或更低。 [0321] 在本发明的优选的实施方案中，在介质中式VII化合物的浓度为2％或更高至50％或更低的范围，更优选5％或更高至40％或更低，更优选10％或更高至35％或更低，和最优选15％或更高至30％或更低。 [0322] 在本发明的优选的实施方案中，在介质中式VII-1的化合物的浓度在1％或更高至40％或更低的范围，更优选2％或更高至35％或更低，或可替代地15％或更高至25％或更低。 [0323] 在本发明的优选的实施方案中，如果存在，在介质中式VII-2的化合物的浓度在1％或更高至40％或更低的范围，更优选5％或更高至35％或更低，和最优选10％或更高至 30％或更低。 [0324] 本发明还涉及含有根据本发明的液晶介质的电光显示器或电光组件。优选基于VA、ECB、IPS或FFS效应，更优选基于VA、IPS或FFS效应的电光显示器，和特别是通过有源矩阵寻址器件寻址的那些。 [0325] 因此，本发明同样涉及根据本发明的液晶介质在电光显示器或在电光组件中的用途，和涉及制备根据本发明的液晶介质的方法，其特征在于将一种或多种式I的化合物与一种或多种式II的化合物(优选与一种或多种子式II-1和/或II-2的化合物)和/或与一种或多种式VII的化合物(优选与一种或多种子式VII-1和/或VII-2的化合物)，特别优选一种或多种来自两种或更多种、优选三种或更多种上述那些式的不同式的化合物，和非常特别优选来自这些式II-1、II-2、VII-1和VII-2的所有四个的化合物，和一种或多种其它化合物(优选选自式IV和V的化合物)，更优选与一种或多种式IV和式V二者的化合物混合。 [0326] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV的化合物，选自式IV-2和IV-3的化合物， [0327] [0328] 其中 [0329] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的烷基，[0330] alkoxy表示具有1-5个C原子、优选具有2-4个C原子的烷氧基。 [0331] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式V的化合物，其选自式V-1至V-5的化合物，优选式V-1的化合物， [0332] [0333] 其中参数具有以上在式V下给出的含义和(F)0/1是指F或H，并且优选 [0334] R51表示具有1-7个C原子的烷基或具有2-7个C原子的烯基，和 [0335] R52表示具有1-7个C原子的烷基，具有2-7个C原子的烯基或具有1-6个C原子的烷氧基，优选烷基或烯基，特别优选烷基，和优选 [0336] 在式V-1中 [0337] R51表示具有2-7个C原子的烯基，优选2个C原子的和 [0338] R52表示具有1-7个C原子的烷基，优选1个C原子的和 [0339] 在式V-3中 [0340] R51表示具有1-7个C原子的烷基，优选1个C原子的和 [0341] R52表示具有2-7个C原子的烯基或具有1至6个C原子的烷氧基，优选具有4或5个C原子的烯基,优选-(CH2)2-CH＝CH2，-(CH2)2-CH＝CH-CH3，特别优选-(CH2)2-CH＝CH-CH3,[0342] 在式V-4中 [0343] R51表示具有1-7个C原子的烷基，优选乙基或正丙基，和 [0344] R52表示具有1-7个C原子的烷基，优选乙基，正丙基，正丁基或正戊基，或具有2-7个C原子的烯基,优选乙烯基，和 [0345] 在式V-5中 [0346] R51表示具有1至7个C原子的烷基或具有2至7个C原子的烯基，优选正丙基或正戊基，和 [0347] R52表示具有1-7个C原子的烷基，优选正丙基或正戊基。 [0348] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式V-1的化合物，其选自式V-1a和V-1b的化合物， [0349] [0350] 其中 [0351] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的烷基，和[0352] alkenyl表示具有2-7个C原子、优选具有2-5个C原子的烯基。 [0353] 此外，本发明涉及降低液晶介质双折射率的波长色散的方法，所述液晶介质包含一种或多种式II的化合物，任选地一种或多种选自式VII-1和VII-2化合物的化合物和/或一种或多种式IV的化合物和/或一种或多种式V的化合物，特征在于在介质中使用一种或多种式I的化合物。 [0354] 除了式I至V的化合物之外，也可以存在其它成分，例如量为整个混合物的至多45％、但优选至多35％、特别是至多10％。 [0355] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质基于整个混合物总共包含： [0356] 1％或更高至50％或更低，优选2％或更高至35％或更低，特别优选3％或更高至25％或更低的式S的化合物， [0357] 1％或更高至20％或更低，优选2％或更高至15％或更低，特别优选3％或更高至12％或更低的式I的化合物， [0358] 20％或更高至50％或更低，优选25％或更高至45％或更低，特别优选30％或更高至40％或更低的式II和/或III的化合物，和 [0359] 0％或更高至35％或更低，优选2％或更高至30％或更低，特别优选3％或更高至25％或更低的式IV和/或V的化合物，和 [0360] 5％或更高至50％或更低，10％或更高至45％或更低，优选15％或更高至40％或更低的式VI和/或VII和/或VIII和/或IX的化合物。 [0361] 根据本发明的液晶介质可以包含一种或多种手性化合物。 [0362] 本发明特别优选的实施方案满足以下条件的一个或多个， [0363] 其中在表A至C中解释了首字母缩写(缩写)并且在表D中通过实例阐明。 [0364] 优选地，根据本发明的介质满足以下条件的一个或多个。 [0365] i.所述液晶介质具有0.060或更大的双折射率，特别优选0.070或更大。 [0366] ii.所述液晶介质具有0.200或更小的双折射率，特别优选0.180或更小。 [0367] iii.所述液晶介质具有0.090或更大至0.120或更小的范围的双折射率。 [0368] iv.所述液晶介质包含一种或多种特别优选的式I-2的化合物。 [0369] v.在整个混合物中式IV化合物的总浓度为25％或更高，优选30％或更高，和优选在25％或更高至49％或更低的范围，特别优选在29％或更高至47％或更低的范围，和非常特别优选在37％或更高至44％或更低的范围。 [0370] vi.所述液晶介质包含一种或多种选自下式化合物的式IV的化合物：CC-n-V和/或CC-n-Vm和/或CC-V-V和/或CC-V-Vn和/或CC-nV-Vn，特别优选CC-3-V，优选其浓度至多60％或更低、特别优选至多50％或更低，和任选地额外地CC-3-V1，优选其浓度至多15％或更低，和/或CC-4-V，优选其浓度至多24％或更低、特别优选至多30％或更低。 [0371] vii.所述介质包含式CC-n-V的化合物，优选CC-3-V，优选其浓度为1％或更高至60％或更低、更优选浓度为3％或更高至35％或更低。 [0372] viii.在整个混合物中式CC-3-V的化合物的总浓度优选为15％或更低，优选10％或更低或20％或更高，优选25％或更高。 [0373] ix.在整个混合物中式Y-nO-Om的化合物的总浓度为2％或更高至30％或更低，优选5％或更高至15％或更低。 [0374] x.在整个混合物中式CY-n-Om的化合物的总浓度为5％或更高至60％或更低，优选15％或更高至45％或更低。 [0375] xi.在整个混合物中式CCY-n-Om和/或CCY-n-m，优选CCY-n-Om的化合物的总浓度为5％或更高至40％或更低，优选1％或更高至25％或更低。 [0376] xii.在整个混合物中式CLY-n-Om化合物的总浓度为5％或更高至40％或更低，优选10％或更高至30％或更低。 [0377] xiii.所述液晶介质包含一种或多种式IV，优选式IV-1和/或IV-2的化合物，优选其总浓度为1％或更高、特别是2％或更高和非常特别优选3％或更高至50％或更低、优选35％或更低。 [0378] xiv.所述液晶介质包含一种或多种式V、优选式V-1和/或V-2的化合物，优选其总浓度为1％或更高，特别是2％或更高，和非常特别优选15％或更高至35％或更低，优选30％或更低。 [0379] xv.在整个混合物中式CCP-V-n，优选CCP-V-1的化合物的总浓度优选为5％或更高至30％或更低，优选15％或更高至25％或更低。 [0380] xvi.在整个混合物中式CCP-V2-n，优选CCP-V2-1的化合物的总浓度优选为1％或更高至15％或更低，优选2％或更高至10％或更低。 [0382] 所述液晶混合物优选具有有着至少70度宽度的向列相。 [0383] 旋转粘度γ1优选为80mPa·s或更小，优选60mPa·s或更小并且特别地50mPa·s或更小。 [0384] 根据本发明的混合物适用于所有使用介电正性液晶介质的IPS和FFS-TFT应用，例如SB-FFS。 [0385] 根据本发明的液晶介质优选几乎完全由4至18种，特别是5至15种和特别优选12种或更少的化合物组成。这些优选选自式S、I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII和IX的化合物。 [0386] 根据本发明的液晶介质可以任选地还包含超过18种的化合物。在这种情况下，它们优选包含18至25种化合物。 [0387] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质主要由，优选实质上由和最优选几乎完全由不含氰基的化合物组成。 [0388] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含选自式I、II和III、IV和V和VI至IX的化合物的化合物，优选选自式I-1和I-2、II(优选选自II-1和II-2)、III(优选选自III-1和III-2)、IV、V、VII(优选选自VII-1和VII-2)、VIII和IX的化合物的化合物；它们优选主要由、特别优选实质上由和非常特别优选几乎完全由所述式的化合物组成。 [0389] 根据本发明的液晶介质在每种情况下优选具有至少-10℃或更低至70℃或更高,特别优选-20℃或更低至75℃或更高，非常特别优选-30℃或更低至80℃或更高和最优选-40℃或更低至85℃或更高的向列相。 [0390] 此处表述“具有向列相”在一方面是指在低温下在相应的温度下未观察到近晶相和结晶，和在另一方面在从向列相加热时未发生清亮。在低温下的研究在相应的温度下在流动粘度计中进行并且通过储存在具有对应于至少100小时的电光应用的盒厚度的测试盒中检查。如果在相应的测试盒中在-20℃的温度下的储存稳定性为1,000小时或更长，则该介质被视为在该温度下稳定。在-30℃和-40℃的温度下，相应的时间分别为500小时和250小时。在高温下，通过常规方法在毛细管中测量清亮点。 [0391] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质的特征在于在适中至低范围的光学各向异性值。双折射率值优选在0.075或更大至0.130或更小的范围，特别优选0.085或更大至0.120或更小的范围，和非常特别优选0.090或更大至0.115或更小的范围。 [0392] 在该实施方案中，根据本发明的液晶介质具有正介电各向异性和相对高的介电各向异性绝对值△ε，其优选在2.0或更大、优选3.0或更大、更优选4.0或更大至15或更小、更优选至10或更小，更优选4.0或更大至10或更小，特别优选5.0或更大至9.0或更小，和非常特别优选6.0或更大至8.0或更小的范围。 [0393] 根据本发明的液晶介质优选具有相对低的阈值电压(V0)值，其范围为1.0V或更高至2.0V或更低，优选1.2V或更高至1.8V或更低，特别优选1.3V或更高至1.5V或更低。 [0394] 在进一步优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质优选具有相对高的平均介电常数值(εav.≡(ε||+2ε⊥)/3)，其优选在4.0或更大至10.0或更小的范围，优选5.0或更大至9.0或更小，更优选至8.0或更小。 [0395] 此外，根据本发明的液晶介质在液晶盒中具有高的VHR值。 [0396] 在20℃或25℃下新鲜填充的盒中，在盒中，VHR的这些值大于或等于95％，优选大于或等于97％，特别优选大于或等于98％和非常特别优选大于或等于99％，和在100℃下炉中5分钟之后，在盒中，这些大于或等于90％，优选大于或等于93％，特别优选大于或等于96％和非常特别优选大于或等于98％。 [0397] 通常，此处具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质相比具有更高寻址电压或阈值电压的那些具有更低的VHR，并且反之亦然。 [0398] 这些各个物理性能优选的值在每种情况下也优选通过根据本发明的介质彼此结合来保持。 [0399] 在本申请中，除非另有明确指出，术语“化合物”也写作“(一种或多种)化合物”是指一种和多种化合物二者。 [0400] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含： [0401] 一种或多种式STA的化合物，和 [0402] 一种或多种式I的化合物，和/或 [0403] 一种或多种式II的化合物，优选选自式PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F和PGUQU-n-F的化合物，和/或 [0404] 一种或多种式III的化合物，优选选自式CCP-n-OT、CCG-n-OT、CLP-n-T、CGG-n-F和CGG-n-OD的化合物，和/或 [0405] 一种或多种式IV的化合物，优选选自式CC-n-V、CC-n-Vm、CC-n-m、和CC-V-V的化合物，和/或 [0406] 一种或多种式V的化合物，优选选自式CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n、CLP-V-n、CCVC-n-V、和CGP-n-m的化合物和/或 [0407] 一种或多种式VI的化合物，优选选自式Y-n-Om、Y-nO-Om和/或CY-n-Om的化合物，选自式Y-3-O1、Y-4O-O4、CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和CY-5-O4的化合物，和/或[0408] 一种或多种式CCGU-n-F的化合物，和/或 [0409] 一种或多种式PPGU-n-F的化合物，和/或 [0410] 一种或多种式DPGU-n-F的化合物，和/或 [0411] 一种或多种式CDUQU-n-F化合物，和/或 [0412] 一种或多种式APUQU-n-F的化合物，和/或 [0413] 一种或多种式PGUQU-n-F的化合物，和/或 [0414] 一种或多种式CCVC-n-V的化合物，和/或 [0415] 任选地，优选必须地，一种或多种式VII-1的化合物，优选选自式CCY-n-m和CCY-n-Om的化合物，优选式CCY-n-Om，优选选自式CCY-3-O2、CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O3、CCY-4-O2、CCY-3-O2和CCY-5-O2的化合物，和/或 [0416] 任选地，优选必须地，一种或多种式VII-2的化合物，优选式CLY-n-Om，优选选自式CLY-2-O4、CLY-3-O2、CLY-3-O3的化合物，和/或 [0417] 一种或多种式VIII的化合物，优选选自式CZY-n-On和CCOY-n-m的化合物和/或[0418] 一种或多种式IX的化合物，优选式PYP-n-m和/或 [0419] 任选地，优选必须地，一种或多种式IV的化合物，优选选自式CC-n-V、CC-n-Vm和CC-nV-Vm的化合物，优选选自式CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V、CC-5-V和CC-V-V，特别优选选自式CC-3-V、CC-3-V1、CC-4-V和CC-V-V的化合物，非常特别优选化合物CC-3-V，和任选额外地一种或多种选自式CC-4-V和/或CC-3-V1和/或CC-V-V的化合物的化合物,和/或 [0420] 任选地，优选必须地，一种或多种式V的化合物，优选式CCP-V-1和/或CCP-V2-1。 [0421] 在本发明一个特定的优选实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IX的化合物。 [0422] 式IX的化合物也高度适用作液晶混合物中的稳定剂，尤其是在p＝q＝1和环A9＝1,4-亚苯基的情况下。特别地，它们针对UV曝光稳定了混合物的VHR。 [0423] 在优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种式IX的化合物，其选自一种或多种式IX-1至IX-4的化合物，非常特别优选式IX-1至IX-3，最优选式IX-1[0424] [0425] [0426] 其中参数具有在式IX下给出的含义。 [0427] 在进一步优选的实施方案中，所述介质包含一种或多种式IX-3的化合物，优选式IX-3-a的化合物， [0428] [0429] 其中 [0430] alkyl和alkyl’彼此独立地表示具有1-7个C原子、优选具有2-5个C原子的烷基。 [0431] 在式IX的化合物用于根据本申请的液晶介质的情况下，它们优选以20％或更低、更优选10％或更低和最优选5％或更低的浓度存在，并且对于单个即(同系(homologous))化合物，优选浓度为10％或更低和更优选5％或更低。 [0432] 对于本发明，在各个情况下，除非另有说明，以下定义适用于组合物成分的说明： [0433] -“包含”：组合物中所讨论的成分的浓度优选5％或更高，特别优选10％或更高，非常特别优选20％或更高， [0434] -“主要由…组成”：组合物中所讨论的成分的浓度优选50％或更高，特别优选55％或更高和非常特别优选60％或更高， [0435] -“基本上由…组成”：组合物中所讨论的成分的浓度优选80％或更高，特别优选90％或更高和非常特别优选95％或更高，和 [0436] -“几乎完全由…组成”：组合物中所讨论的成分的浓度优选98％或更高，特别优选99％或更高和非常特别优选100.0％。 [0437] 这适用于作为具有其成分(其可以是组分和化合物)的组合物的介质，并且也适用于具有其成分(化合物)的组分。只有当涉及相对于整个介质的各个化合物的浓度时，术语“包含”才表示讨论中的化合物的浓度优选1％或更高，特别优选2％或更高，非常特别优选4％或更高。 [0438] 对于本发明，“≤”是指小于或等于，优选小于，和“≥”是指大于或等于，优选大于。 [0439] 对于本发明， [0440] [0441] 表示反式-1,4-亚环己基， [0442] [0443] 表示1,4-亚环己基，优选反式-1,4-亚环己基，和 [0444] [0445] 表示1,4-亚苯基。 [0446] 对于本发明，表述“介电正性化合物”是指具有>1.5的△ε的化合物，表述“介电中性化合物”是指其中-1.5≤△ε≤1.5的那些和表述“介电负性化合物”是指其中△ε<-1.5的那些(所有均在20℃的温度和1kHz的频率)。此处化合物的介电各向异性通过将10％的化合物溶解在液晶主体中并且在1kHz下在至少一个具有垂面表面配向和具有沿面表面配向的具有20μm盒厚度的测试盒中测量所得混合物在每种情况下的电容而测定。测量电压通常是0.5V至1.0V，但总是低于所研究的各自液晶混合物的电容阈值。用于介电正性和介电中性化合物的主体混合物是ZLI-4792并且用于介电负性化合物的主体混合物为ZLI-2857，二者均来自Merck KGaA(德国)。待研究的各自化合物的值由在添加待研究的化合物之后主体混合物的介电常数的变化并且外推至100％所采用的化合物而获得。以10％的量将待研究的化合物溶解在主体混合物中。如果物质的溶解度对于该目的太低，则逐步将浓度减半直到研究可以在期望的温度下进行。 [0447] 如果需要，根据本发明的液晶介质也可以通常的量包含其它添加剂，例如稳定剂和/或多色性，例如二色性染料和/或手性添加剂。所采用的这些添加剂的量总共优选0％或更高至10％或更低，基于整个混合物的量，特别优选0.1％或更高至6％或更低。所采用的各个化合物的浓度优选0.1％或更高至3％或更低。当指定在液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，通常不考虑这些和类似添加剂的浓度。 [0448] 在优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含聚合物前体，所述聚合物前体包含一种或多种反应性化合物，优选反应性介晶，和如果需要，以通常量包含其它的添加剂，例如聚合引发剂和/或聚合缓和剂。基于整个混合物的量，所采用的这些添加剂的量总共为0％或更高至10％或更低，优选0.1％或更高至2％或更低。当指定液晶介质中液晶化合物的浓度和浓度范围时，不考虑这些和类似添加剂的浓度。 [0449] 所述组合物由多种化合物组成，优选3或更多至30或更少，特别优选6或更多至20或更少和非常特别优选10或更多至16或更少种类的化合物，其以常规的方式混合。通常，以较少量使用的所期望量的组分溶解在组成混合物主要成分的组分中。这有利地在升高的温度下进行。如果所选择的温度高于主要成分的清亮点，则特别容易观察到溶解操作完成。然而，也可以其它常规的方式制备液晶混合物，例如使用预混合或由所谓的“多瓶体系”制备。 [0450] 根据本发明的混合物展现出清亮点在65℃或更高的非常宽的向列相范围，非常有利的电容阈值，相对高的电压保持率(VHR)值以及同时在-30℃和-40℃下非常良好的低温稳定性。此外，根据本发明的混合物的特征在于低的旋转粘度γ1。 [0451] 对本领域技术人员不言而喻，用于VA、IPS、FFS或PALC显示器的根据本发明的介质还可以包含其中例如H、N、O、Cl、F已经被相应的同位素代替的化合物。 [0452] 根据本发明的液晶显示器的结构对应于一般的几何结构，如例如描述于EP-A0240379中的。 [0453] 根据本发明的液晶相可以通过合适的添加剂以它们可以在任何类型的例如迄今已经公开的IPS和FFS LCD显示器中采用的方式来改性。 [0454] 下表E表明了可以添加到根据本发明的混合物中的可能的掺杂剂。如果混合物包含一种或多种掺杂剂，则其或它们以0.01％至4％，优选0.1％至1.0％的量采用。 [0455] 例如可以优选以0.01％至6％，特别是0.1％至3％的量添加至根据本发明的混合物中的稳定剂示于下表F中。 [0456] 为了本发明的目的，除非另外明确指出，所有浓度是以重量百分比指出的，且涉及相应的整个混合物或同样作为整体的混合物组分，除非另有明确指出。在此上下文中，术语“混合物”描述液晶介质。 [0457] 除非另有明确指出，在本申请中指出的所有温度的值，如熔点T(C,N)，从近晶(S)相到向列(N)相的转变T(S,N)以及清亮点T(N,I)，都以摄氏温度(℃)表示，并且所有的温度差相应地以差示度(°或度)表示。 [0458] 对于本发明，术语“阈值电压”指的是电容性阈值(V0)，也称为Freedericks-阈值，除非另外明确指出。 [0459] 所有物理性能是并且已经依据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals”，Status 1997年11月,Merck KGaA(德国)测定的并且适用温度20℃或25℃，且Δn在436nm、589nm和633nm下测定和Δε在1kHz下测定，除非每种情形下另外明确指出。贯穿本申请，标准温度或参照温度为20℃。 [0460] 电光性能，例如阈值电压(V0)(电容性测量)(如切换行为那样)是在Merck Japan制备的测试盒中测量的。所述测量盒具有钠钙玻璃基板并且构造成具有聚酰亚胺配向层的ECB或VA配置(使用稀释剂**26的SE-1211(混合比1:1)，均来自Nissan Chemicals，日本)，其已经彼此垂直摩擦并且影响液晶的垂面配向。透明几乎正方形的ITO电极的表面积为1cm2。 [0461] 除非另有说明，不将手性掺杂剂添加至所使用的液晶混合物中，但后者也特别适用于其中这种类型掺杂是必须的应用中。 [0462] 旋转粘度使用旋转永磁体方法测量并且流动粘度在改进的乌氏粘度计中测量。对于液晶混合物ZLI-2293、ZLI-4792和MLC-6608(所有产品来自MerckKGaA,Darmstadt(德国))，在20℃下测定的旋转粘度值分别为161mPa·s、133mPa·s和186mPa·s，和流动粘度值(ν)分别为21mm2·s-1、14mm2·s-1和27mm2·s-1。 [0463] 材料的折射率色散对于实际目的可以方便地以以下方式表征，除非另有说明其在整个申请中使用。双折射率值在20℃或25℃的温度下在几个固定波长下使用改进的阿贝折射计测定，其中垂面配向的表面在棱镜的侧面上与该材料接触。双折射率值在436nm(低压汞灯的各所选光谱线)、589nm(钠“D”线)和633nm(HE-Ne激光器的波长，该激光器与衰减器/扩散器组合使用以防止对观察者的眼睛造成伤害)的特定波长值下测定。在下表中，△n在589nm下给出和△(△n)作为△(△n)＝△n(436nm)-△n(633nm)而给出。 [0464] 除非另有明确说明，使用了以下符号: [0465] V0表示阈值电压，电容性[V]，在20℃或25℃下， [0466] ne表示在20℃或25℃和589nm下测量的非寻常折射率， [0467] no表示在20℃或25℃和589nm下测量的寻常折射率， [0468] △n表示在20℃或25℃和589nm下测量的光学各向异性， [0469] λ表示波长λ[nm], [0470] △n(λ)表示在20℃或25℃和波长λ下测量的光学各向异性， [0471] ε⊥表示在20℃或25℃和1kHz下垂直于指向矢的电介质极化率， [0472] ε||表示在20℃或25℃和1kHz下平行于指向矢的电介质极化率， [0473] △ε表示在20℃或25℃和1kHz下的介电各向异性， [0474] T(N,I)或cl.p.表示清亮点[℃], [0475] ν表示在20℃或25℃下测量的流动粘度[mm2·s-1], [0476] γ1表示在20℃或25℃下测量的旋转粘度[mPa·s], [0477] k11表示弹性常数，在20℃下的“斜展”变形[pN], [0478] k22表示弹性常数，在20℃或25℃下的“扭曲”变形[pN], [0479] k33表示弹性常数，在20℃或25℃下的“弯曲”变形[pN], [0480] LTS表示在测试盒中测量的相的低温稳定性， [0481] VHR表示在20℃或25℃下的电压保持率， [0482] △VHR表示在20℃或25℃下的电压保持率的降低，和 [0483] Srel表示在20℃或25℃下的VHR的相对稳定性， [0484] 以下实施例解释了本发明，而不是限制它。然而，它们向本领域技术人员显示了使用优选待采用的化合物和其各自浓度以及其彼此组合的优选的混合物构思。此外，实施例阐明了可获得的性能和性能组合。 [0485] 对于本发明和在以下实施例中，通过首字母缩写词表示了液晶化合物的结构，根据下表A至C转成化学式。所有基团CnH2n+1、CmH2m+1和ClH2l+1或CnH2n、CmH2m和ClH2l为直链烷基或亚烷基基团，在每种情况下，各自具有n、m和l个C原子。优选地，n、m和l彼此独立地为1、2、3、4、5、6或7。表A显示了化合物核的环要素的代码，表B列举了桥接单元，和表C列举了分子左手和右手端基的符号含义。首字母缩写词由具有任选连接基团的环要素的代码，之后是第一连字符以及左手端基代码，和第二连字符以及右手端基代码组成。表D显示了化合物的示例性结构和它们各自的缩写。 [0486] 表A:环要素 [0487] [0488] [0489] [0490] 表B:桥接单元 [0491] [0492] 表C:端基 [0493] [0494] [0495] 其中n和m各自为整数，和三个点“...”为来自该表的其它缩写的占位符。 [0496] 除了式I的化合物之外，根据本发明的混合物优选还包含一种或多种以下提及的化合物的化合物。 [0497] 使用了以下缩写： [0498] (n、m和l各自彼此独立地为整数，优选1-6，l也可能是0并且优选0或2)[0499] 表D [0500] 具有高ε⊥的示例性优选的式I的化合物： [0501] [0502] B-n-m [0503] [0504] B-n-Om [0505] [0506] B-nO-Om [0507] [0508] B(S)-n-m [0509] [0510] B(S)-n-Om [0511] [0512] B(S)-nO-Om [0513] 额外的化合物为 [0514] [0515] YG-n-F [0516] [0517] YG-nO-F [0518] [0519] YG-nO-OD [0520] [0521] YG-n-OD [0522] [0523] YG-n-T [0524] [0525] YG-nO-T [0526] [0527] YG-n-OT [0528] [0529] YG-nO-OT [0530] [0531] CK-n-F [0532] [0533] B-n-F [0534] [0535] B-nO-F [0536] [0537] B-n-T [0538] [0539] B-nO-T [0540] [0541] B-n-OT [0542] [0543] B-nO-OT [0544] 示例性的优选的介电正性化合物 [0545] [0546] CP-n-F [0547] [0548] CP-n-CL [0549] [0550] GP-n-F [0551] [0552] GP-n-CL [0553] [0554] CLP-n-T [0555] [0556] CLP-n-OT [0557] [0558] CCP-n-OT [0559] [0560] CCG-n-OT [0561] [0562] CCG-n-F [0563] [0564] CCG-V-F [0565] [0566] CCG-nV-F [0567] [0568] CCU-n-F [0569] [0570] CCEP-n-F [0571] [0572] CCEG-n-F [0573] [0574] CCEU-n-F [0575] [0576] CDU-n-F [0577] [0578] CPG-n-F [0579] [0580] CPU-n-F [0581] [0582] CPU-n-OXF [0583] [0584] CGG-n-F [0585] [0586] CGG-n-OD [0587] [0588] CGU-n-F [0589] [0590] PGU-n-F [0591] [0592] GGP-n-F [0593] [0594] GGP-n-CL [0595] [0596] PGIGI-n-F [0597] [0598] PGIGI-n-CL [0599] [0600] CCPU-n-F [0601] [0602] CCGU-n-F [0603] [0604] CPGU-n-F [0605] [0606] CPGU-n-OT [0607] [0608] PPGU-n-F [0609] [0610] DPGU-n-F [0611] [0612] CCZU-n-F [0613] [0614] PUZU-n-F [0615] [0616] CCOC-n-m [0617] [0618] CCQG-n-F [0619] [0620] CCQU-n-F [0621] [0622] PUQU-n-F [0623] [0624] CDUQU-n-F [0625] [0626] CPUQU-n-F [0627] [0628] CGUQU-n-F [0629] [0630] PGUQU-n-F [0631] [0632] APUQU-n-F [0633] [0634] DPUQU-n-F [0635] [0636] DGUQU-n-F [0637] [0638] CPU-n-F [0639] [0640] DAUQU-n-F [0641] [0642] CLUQU-n-F [0643] [0644] ALUQU-n-F [0645] [0646] DLUQU-n-F [0647] [0648] LGPQU-n-F [0649] 示例性的优选的介电中性化合物 [0650] [0651] CC-n-m [0652] [0653] CC-n-Om [0654] [0655] CC-n-V [0656] [0657] CC-n-Vm [0658] [0659] CC-n-mV [0660] [0661] CC-n-mVl [0662] [0663] CC-V-V [0664] [0665] CC-V-mV [0666] [0667] CC-V-Vm [0668] [0669] CC-Vn-mV [0670] [0671] CC-nV-mV [0672] [0673] CC-nV-Vm [0674] [0675] CC-n-VV [0676] [0677] CC-n-VVm [0678] [0679] CVC-n-V [0680] [0681] CVC-n-Vm [0682] [0683] CP-n-m [0684] [0685] CP-n-Om [0686] [0687] PP-n-m [0688] [0689] PP-n-Om [0690] [0691] PP-n-mV [0692] [0693] PP-n-mVl [0694] [0695] CCP-n-m [0696] [0697] CCP-n-Om [0698] [0699] CCP-V-m [0700] [0701] CCP-nV-m [0702] [0703] CCP-Vn-m [0704] [0705] CCP-nVm-l [0706] [0707] CLP-V-n [0708] [0709] CPP-n-m [0710] [0711] CPG-n-F [0712] [0713] CGP-n-m [0714] [0715] PGP-n-m [0716] [0717] PGP-n-mV [0718] [0719] PGP-n-mVl [0720] [0721] CCVC-n-V [0722] [0723] CCZPC-n-m [0724] [0725] CPPC-n-m [0726] [0727] CGPC-n-m [0728] [0729] CPGP-n-m [0730] 示例性的优选的介电负性化合物 [0731] [0732] CY-n-Om [0733] [0734] CY-V-n [0735] [0736] CY-V-On [0737] [0738] CY-nV-m [0739] [0740] CY-nV-Om [0741] [0742] CY-Vn-m [0743] [0744] CY-Vn-Om [0745] [0746] CY-nVm-l [0747] [0748] CY-nVm-Ol [0749] [0750] PY-V-n [0751] [0752] PY-V-On [0753] [0754] PY-nV-m [0755] [0756] PY-nV-Om [0757] [0758] PY-Vn-m [0759] [0760] PY-Vn-Om [0761] [0762] PY-nVm-l [0763] [0764] PY-nVm-Ol [0765] [0766] CCY-V-n [0767] [0768] CCY-V-On [0769] [0770] CCY-nV-m [0771] [0772] CCY-nV-Om [0773] [0774] CCY-Vn-m [0775] [0776] CCY-Vn-Om [0777] [0778] CCY-nVm-l [0779] [0780] CCY-nVm-Ol [0781] [0782] CPY-V-n [0783] [0784] CPY-V-On [0785] [0786] CPY-nV-m [0787] [0788] CPY-nV-Om [0789] [0790] CPY-Vn-m [0791] [0792] CPY-Vn-Om [0793] [0794] CPY-nVm-l [0795] [0796] CPY-nVm-Ol [0797] [0798] CY-n-m [0799] [0800] CY-n-Om [0801] [0802] CVY-n-m [0803] [0804] CVY-V-n [0805] [0806] CZY-n-Om [0807] [0808] COY-n-m [0809] [0810] COY-n-Om [0811] [0812] Y-n-m [0813] [0814] Y-n-Om [0815] [0816] Y-nO-Om [0817] [0818] PY-n-m [0819] [0820] PY-n-Om [0821] [0822] CCY-n-m [0823] [0824] CCY-n-Om [0825] [0826] CCY-n-mOl [0827] [0828] CCZY-n-Om [0829] [0830] CCOY-n-m [0831] [0832] CCOY-n-Om [0833] [0834] CPY-n-m [0835] [0836] CPY-n-Om [0837] [0838] PYP-n-m [0839] [0840] CP(F,Cl)-n-Om [0841] [0842] CLY-n-m [0843] [0844] CLY-n-Om [0845] 表E显示了优选在根据本发明的混合物中采用的手性掺杂剂。 [0846] 表E [0847] [0848] C 15 [0849] [0850] CB 15 [0851] [0852] CM 21 [0853] [0854] R-811/S-811 [0855] [0856] CM 44 [0857] [0858] CM 45 [0859] [0860] CM 47 [0861] [0862] CN [0863] [0864] R-1011/S-1011 [0865] [0866] R-2011/S-2011 [0867] [0868] R-3011/S-3011 [0869] [0870] R-4011/S-4011 [0871] [0872] R-5011/S-5011 [0873] 在本发明的优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表E化合物的化合物。 [0874] 表F显示了除了式I的化合物之外，还可以优选在根据本发明的混合物中采用的稳定剂。此处参数n表示1-12范围的整数。特别地，所显示的酚类衍生物可以作为额外的稳定剂采用，因为它们充当抗氧剂。 [0875] 表F [0876] [0877] [0878] [0879] [0880] [0881] 在本发明的优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自表F化合物的化合物，特别是一种或多种选自以下两个式的化合物的化合物。 [0882]实施例 [0883] 以下实施例解释了本发明而不以任何方式对其进行限制。然而，物理性能使得本领域技术人员清楚可以实现何种性能以及在哪些范围它们可以修改。特别地，因此对于本领域技术人员来说可以优选实现的多种性能的组合是良好限定的。 [0884] 混合物实施例 [0885] 以下是所公开的示例性混合物。 [0886] 实施例1 [0887] 制备并研究以下混合物(M-1)。 [0888] [0889] 该混合物,混合物M-1,在25℃下具有0.66的介电比(ε⊥/△ε),5.04mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0890] 将0.050％的STA-1-1添加至混合物M-1。研究了所得混合物M-1.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0891] 实施例2 [0892] 制备并研究以下混合物(M-2)。 [0893] [0894] 该混合物,混合物M-2,在25℃下具有0.86的介电比(ε⊥/△ε),4.02mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0895] 将0.050％的STA-1-1添加至混合物M-2。研究了所得混合物M-2.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0896] 实施例3 [0897] 制备并研究以下混合物(M-3)。 [0898] [0899] 该混合物,混合物M-3,在25℃下具有0.97的介电比(ε⊥/△ε),4.05mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0900] 将0.050％的STA-1-1添加至混合物M-3。研究了所得混合物M-3.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0901] 实施例4 [0902] 制备并研究以下混合物(M-4)。 [0903] [0904] 该混合物,混合物M-4,在25℃下具有0.82的介电比(ε⊥/△ε),5.88mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0905] 实施例5 [0906] 制备并研究以下混合物(M-5)。 [0907] [0908] 备注:t.b.d.：待测定 [0909] 该混合物,混合物M-5,在20℃下具有1.52的介电比(ε⊥/△ε),4.13mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0910] 实施例6 [0911] 制备并研究以下混合物(M-6)。 [0912] [0913] 备注:t.b.d.：待测定 [0914] 该混合物,混合物M-6,在20℃下具有1.87的介电比(ε⊥/△ε),4.92mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0915] 实施例7 [0916] 制备并研究以下混合物(M-7)。 [0917] [0918] 该混合物,混合物M-7,在20℃下具有0.89的介电比(ε⊥/△ε)，6.79mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0919] 分别将0.020％和0.050％的 添加至混合物M-7。研究了所得混合物M-7.1和M7.2的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0920] 实施例8 [0921] 制备并研究以下混合物(M-8)。 [0922] [0923] 备注:t.b.d.：待测定 [0924] 该混合物,混合物M-8在20℃下具有0.98的介电比(ε⊥/△ε),7.25mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0925] 将0.050％的 添加至混合物M-8。研究了所得混合物M-8.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0926] 实施例9 [0927] 制备并研究以下混合物(M-9)。 [0928] [0929] 备注:t.b.d.：待测定 [0930] 该混合物,混合物M-9在25℃下具有0.72的介电比(ε⊥/△ε),6.02mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0931] 将0.020％的化合物S添加至混合物M-9。研究了所得混合物M-9.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0932] 实施例10 [0933] 制备并研究以下混合物(M-10)。 [0934] [0935] 备注:t.b.d.：待测定 [0936] 该混合物,混合物M-10具有0.72的介电比(ε⊥/△ε),6.02mPa·s/pN的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0937] 将0.020％的化合物S添加至混合物M-10。研究了所得混合物M-10.1的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0938] 实施例11 [0939] 制备并研究以下混合物(M-11)。 [0940] [0941] 备注:t.b.d.：待测定 [0942] 该混合物,混合物M-11具有有益的介电比(ε⊥/△ε),良好的(γ1/k11)比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0943] 将0.020％的化合物 或者STA-1-1添加至混合物M-11。研究了所得混合物M-11.1和M-11.2的稳定性，发现稳定性是优异的。 [0944] 实施例12 [0945] 制备并研究以下混合物(M-12)。 [0946] [0947] 实施例13 [0948] 制备并研究以下混合物(M-13)。 [0949] [0950] 实施例14 [0951] 制备并研究以下混合物(M-14)。 [0952] [0953] 这些另外的三种示例性混合物，混合物M-12；M-13和M-14，具有有益的介电比(ε⊥/△ε),良好的(γ1/k11)的比并且特征在于在FFS显示器中非常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。 [0954] 将0.020％的化合物 或STA-1-1添加至混合物M-12,M-13和M-14的每个中。分别研究了所得混合物M-12.1和M-12.2；M-13.1和M-13.2；与M-14.1和M-14.2的稳定性，发现稳定性是优异的。 |
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