1.一种制作用于使三维基底图案化的掩模的方法，包括：
提供芯轴，所述芯轴包括在其表面中加工的成形件，所述成形件对应于所述三维基底的形状；
将镀覆层沉积到所述成形件的第一区域中；
将金属层沉积到所述成形件的第二区域中，其中所述第二区域不同于所述第一区域；
以及
移除所述第一区域中的所述镀覆层下方和所述第二区域中的所述金属层下方的所述芯轴的部分。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在移除所述芯轴的所述部分之后移除所述镀覆层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二区域围绕所述第一区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述镀覆层为环形。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述镀覆层围绕所述成形件的周边沉积。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积镀覆层的宽度小于约100微米。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积镀覆层的厚度小于约100微米。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积金属层的厚度小于约100微米。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维基底为基本上非平面的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维基底为非旋转对称的。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维基底用于眼科镜片。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
提供连接至所述成形件的上表面的桥接件。
13.一种利用掩模对三维基底进行图案化的方法，包括：
提供所述三维基底；
将所述掩模叠置到所述基底上，所述基底包括通过孔与第二区域分开的第一区域；以及
通过所述孔将层沉积到所述三维基底上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述孔的宽度小于约100微米。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述掩模的厚度小于约100微米。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述层选自金属、电介质、合金以及它们的组合。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述三维基底为基本上非平面的。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述三维基底包括用于安装电子器件的平面区域。
19.根据权利要求13所述的方法，其中所述基底为眼科镜片。
20.根据权利要求13所述的方法，其中所述孔为沿所述第一区域的周边的环形。
21.一种三维基底，包括：
镜片部分；
形成于所述镜片部分的外面的非平面部分；和
形成于所述非平面部分上的环形层，所述环形层具有小于约100微米的厚度。