1.一种复杂目标中顶帽结构的尺寸参数提取方法，包括：
构建顶帽结构的参数化模型；
针对任一入射角，获取顶帽结构在所述入射角下的一维距离像历程图以及一维距离像信息，提取顶帽结构在顶帽结构在所述入射角下的RCS变化曲线；所述RCS变化曲线是指顶帽结构的RCS强度值与方位角之间的关系；
根据顶帽结构在任一入射角下的RCS变化曲线，获取顶帽结构的RCS空间分布图；
依据所述RCS空间分布图，提取顶帽结构在任一方位角下的RCS强度最大值，以及与所述RCS强度最大值对应的入射角，并根据所述参数化模型确定顶帽结构的尺寸参数信息。
2.如权利要求1所述的尺寸参数提取方法，其中，所述方位角为0°～360°。
3.如权利要求1所述的尺寸参数提取方法，其中，所述尺寸参数信息包括顶帽结构的帽顶高度和帽沿宽度。
4.如权利要求2所述的尺寸参数提取方法，其中，所述参数化模型公式为：
公式1
式中， 为电压，用来表征目标RCS强度值的大小，且
j为复数单位，k为波数，r为帽顶半径，h为帽顶高度，d为帽沿宽度，θ为入射角。
5.如权利要求4所述的尺寸参数提取方法，其中，
当 时， 取最大值，公式1改写为：
公式2
则，顶帽结构的帽顶高度h和帽沿宽度d分别为：
公式3
d＝h·tanθ 公式4。
6.如权利要求5所述的尺寸参数提取方法，其中，所述获取顶帽结构在所述入射角下的一维距离像历程图以及一维距离像信息，提取顶帽结构在所述入射角下的RCS变化曲线具体为：
根据扫频数据获得顶帽结构在所述入射角下的的一维距离像历程图；
根据顶帽结构的三维位置，得到顶帽结构在所述入射角下的的一维距离像信息，并在所述一维距离像历程图上绘制所述一维距离像信息与所述一维距离像历程图的对比图；
从所述对比图中提取顶帽结构在所述入射角下的RCS变化曲线。
7.如权利要求2-6任一所述的尺寸参数提取方法，其中，在确定顶帽结构的尺寸参数信息之后，所述尺寸参数提取方法进一步包括：对所述RCS空间分布图进行误差分析。
8.如权利要求7所述的尺寸参数提取方法，其中，所述对所述RCS空间分布图进行误差分析具体为：
根据所述帽顶高度、所述帽沿宽度以及公式1，确定顶帽结构在各个入射角下的RCS强度值；
依据顶帽结构在各个入射角下的RCS强度值，获取顶帽结构的反演RCS空间分布图；
对所述RCS空间分布图和所述反演RCS空间分布图的最小均方差进行分析。
9.如权利要求8所述的尺寸参数提取方法，其中，所述误差分析是指对对RCS空间分布图和反演RCS空间分布图的最小均方差进行误差分析。