근접 센서

근접 센서{PROXIMITY SENSOR}

본 발명은 피검출 물체를 검출하기 위한 근접 센서에 관한 것이다.

최근, 휴대 정보 단말기 등의 전자 기기에서, 각 기능을 위해 제조된 모듈이 기판상에 조합되고 실장되는 경우가 많다. 따라서, 전자 기기의 고기능화가 급속하게 진전되고 있다. 자원 절약 및 휴대성의 관점으로부터, 전자 기기의 박형화 및 경량화가 요구되고 있다.

그러나, 전자 회로를 형성하는 글래스 에폭시 기판 등의 프린트 배선 기판은 평면적인 구조를 갖고 있고, 또한 전자 부품의 실장 형태에도 제약이 있다. 그러므로, 더 이상의 고기능화와 박형화와 경량화를 동시에 달성하는 것이 곤란하다.

이와 같은 배경 하에서 사출 성형 물품의 표면에 전기 회로를 직접적으로 형성하는 MID(Molded Interconnected Device) 기술이 각광을 받고 있다. MID 기술은 모듈을 실장하기 위한 모듈 기판에 기구 부품으로서의 기계적 기능과 배선 회로 기판으로서의 전기적 기능을 부여할 수 있다. 따라서, MID 기술에 따르면, 전자 기기의 소형화와 전자 기기를 포함하는 모듈 기판의 고정밀도화를 동시에 실현할 수 있고, 또한 모듈 기판의 조립 공수를 삭감할 수도 있다.

또한, 휴대 단말기 또는 태블릿 단말기 등의 전자 기기에 근접 센서의 일례로서 터치리스 모션(touchless motion) 기능을 탑재하는 것이 검토되었다. 터치리스 모션 기능은 휴대 단말기 또는 태블릿 단말기 등의 전자 기기의 디스플레이에 유저의 손이 터치되지 않아도 유저의 손이 전자 기기의 디스플레이 상에서, 예를 들면 상하 방향 또는 좌우측 방향으로 움직인 것을 검출하는 기능이다.

발광부로서의 3개의 LED 소자를 구동하여 터치리스 모션 기능을 실현하는 드라이버를 탑재한 수광 소자가 이미 제공되었다. 도 12a는 배경기술의 터치리스 모션 기능에서의 유저의 손의 좌우측 방향의 움직임의 검출 동작을 설명하는 도면이다. 도 12b는 배경기술의 터치리스 모션 기능에서의 유저의 손의 상하 방향의 움직임의 검출 동작을 설명하는 도면이다. 도 12c는 유저의 손의 좌우측 방향의 움직임에 대한 반사광의 신호 강도를 설명하는 그래프이다. 도 12d는 유저의 손의 상하 방향의 움직임에 대한 반사광의 신호 강도를 설명하는 그래프이다. 도 12e는 각 Ir-LED(101, 102 및 103)의 발광 타이밍을 설명하는 차트이다.

도 12a에 도시한 바와 같이, 휴대 단말기(100)의 상부이며 휴대 단말기(100)의 하우징 내부에 도 12a의 지면의 가로 방향 및 세로 방향에 대하여 90°의 각도를 형성하도록 3개의 근적외 발광 소자(Ir-LED)(101, 102 및 103)가 배치되어 있다. 또한, 도 12a에 도시한 바와 같이, 휴대 단말기(100)의 상부이며 휴대 단말기(100)의 하우징 내부에 2개의 가로 방향의 Ir-LED(101 및 102) 사이에 수광 소자(105)가 배치되어 있다.

3개의 Ir-LED(101, 102 및 103)는 도 12e에 도시한 바와 같이 주기 10ms 내지 2000ms의 발광 주기와 가변 발광 타이밍을 갖도록 시분할 방식으로 발광한다. 도 12a 및 도 12c에 도시한 바와 같이 휴대 단말기(100)에 대하여 유저의 손(106)을 우측으로부터 좌측으로 이동시키면, 수광 소자(105)는 우측에 위치하는 2개의 Ir-LED(102 및 103)로부터 시분할 방식으로 발광된 광의 반사광을 수광한다. 수광 소자(105)는, 얼마 있다가, 좌측에 위치하는 다른 Ir-LED(101)로부터의 반사광을 또한 수광한다. 이 수광 타이밍의 편차에 의해 유저의 손(106)의 좌우측 방향의 움직임이 검출된다.

마찬가지로, 도 12c 및 도 12d에 도시한 바와 같이 휴대 단말기(100)에 대하여 유저의 손(106)을 아래로 이동시키면, 수광 소자(105)는 상측에 위치하는 2개의 Ir-LED(101 및 102)로부터 시분할 방식으로 발광된 광의 반사광을 수광한다. 수광 소자(105)는, 얼마 있다가, 하측에 위치하는 다른 Ir-LED(103)로부터의 반사광을 또한 수광한다. 이 수광 타이밍의 편차에 의해 유저의 손(106)의 상하 방향의 움직임이 검출된다.

근접 센서에 관한 선행 기술로서, 기판, 이 기판 상에 열 형상으로 배치된 복수의 수광 소자, 및 각 수광 소자에 대하여 복수개씩 대응해서 설치되도록 열 형상으로 배치된 복수의 발광 소자를 포함하는 수광 및 발광 일체형 소자 어레이가 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1 참조). 이 수광 및 발광 일체형 소자 어레이는 열 형상으로 설치된 발광 소자로부터의 광에 응답하여 검출 대상 물체로부터의 반사광의 크기(광전류의 크기)에 기초하여, 검출 대상물의 위치를 검출한다.

그러나, 상기한 배경기술의 근접 센서에는 다음 같은 문제가 있다. 배경기술에서, 휴대 단말기 또는 태블릿 단말기 등의 전자 기기에 터치리스 모션 기능을 탑재할 때 각각의 발광부로서의 예를 들면 Ir-LED를 개별로 기판에 배치하여야 한다. 그러므로, 전자 기기를 조립하는 세트 메이커가 기판을 설계할 때, 세트 메이커는 각 발광부와 수광부 간의 위치 관계를 결정하고 이 결정된 위치 관계에 적합한 발광부의 발광 타이밍(발광 주기)을 조정해야 한다. 따라서, 번거로운 설계를 행해야 한다.

한편, 특허 문헌 1에 기재된 수광 및 발광 일체형 소자 어레이는 소정의 방향(예를 들면, 가로 방향)에서의 검출 대상 물체의 위치를 실제로 검출하지만, 다른 방향(예를 들면, 세로 방향)을 포함하는 방향의 위치를 검출하지 않는다.

본 발명은 배경기술의 사정을 고려하여 개발되었다. 본 발명의 목적은 미리 발광부의 발광 타이밍을 조정해서 기판의 설계를 간단히 하고 피검출 물체를 고정밀도로 검출할 수 있는 근접 센서를 제공하는 것이다.

본 발명의 제1 특징의 근접 센서는 피검출 물체를 검출하는 근접 센서로서, 기판; 그 전부가 직선 상에 배열되지 않도록 상기 기판의 표면에 실장되고, 광을 출사하는 적어도 3개의 발광부; 상기 3개의 발광부와 소정의 위치 관계를 갖도록 상기 기판의 표면에 실장되고, 상기 발광부로부터 출사되어 상기 피검출 물체에 의해 반사된 광으로부터 얻어지는 반사광을 수광하는 수광부를 포함하는 근접 센서이다.

본 발명의 제2 특징의 근접 센서에서, 상기 기판은 원샷 레이저 방법에 의해 제조된 3차원 회로 기판이다.

본 발명의 제3 특징의 근접 센서에서, 상기 적어도 3개의 발광부 및 상기 수광부는 각각 상기 기판의 표면에 형성된 오목부들에 실장된다.

본 발명의 제4 특징의 근접 센서에서, 상기 수광부는 상기 적어도 3개의 발광부로부터 출사되어 상기 피검출 물체에 의해 반사된 광으로부터 얻어지는 반사광의 수광 패턴에 기초하여, 상기 피검출 물체의 이동을 검출한다.

본 발명의 제5 특징의 근접 센서에서, 상기 적어도 3개의 발광부로부터 출사되는 광의 발광량이 서로 상이하고, 상기 수광부는 상기 반사된 광의 발광량에 기초하여, 상기 표면에 대하여 수직인 방향의 상기 피검출 물체까지의 거리를 검출한다.

본 발명의 제6 특징의 근접 센서에서, 상기 적어도 3개의 발광부가 실장되는 오목부들 각각은 상기 발광부로부터 출사되는 광이 외측을 향하도록, 상기 수광부에 대하여 상기 외측을 향해 변형된 개구부를 갖는다.

본 발명의 제7 특징의 근접 센서에서, 상기 수광부 및 3개의 상기 발광부가 상기 기판의 표면에 사각형의 네 코너에 배치된다.

본 발명의 제8 특징의 근접 센서에서, 상기 수광부가 상기 기판의 표면의 중앙에 배치되고, 4개의 발광부가 상기 수광부의 주위에 배치된다.

본 발명에 따르면, 미리 발광부의 발광 타이밍을 조정해서 기판의 설계를 간단히 하고 피검출 물체를 고정밀도로 검출할 수 있다.

도 1은 제1 실시예에 따른 근접 센서에서의 발광 소자 및 수광 소자의 배치를 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 원샷 레이저 방법에 기초한 3차원 회로 기판의 제조 프로세스의 전반부를, 3차원 회로 기판의 단면도를 이용해서 시계열로 설명하는 도면.
도 3은 제1 실시예에 따른 원샷 레이저 방법에 기초한 3차원 회로 기판의 제조 프로세스의 후반부를, 3차원 회로 기판의 단면도를 이용해서 시계열로 설명하는 도면.
도 4는 금형 A와 금형 B를 이용해서 수지 기판을 형성하는 상태를 도시하는 도면.
도 5a 및 5b는 3차원 회로 기판에 발광 소자 및 수광 소자가 실장된 근접 센서의 단면 구조를 도시하는 단면도로, 도 5a는 도 1의 화살표 AA선 방향으로부터 본 단면 구조를 도시하는 단면도이고, 도 5b는 도 1의 화살표 BB선 방향으로부터 본 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 6a 및 6b는 터치리스 모션의 검출시에 근접 센서 내의 수광 소자에 의해 검출된 검출 신호를 도시하는 타이밍 차트로, 도 6a는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 하측으로부터 상측으로 이동하는 경우를 도시하고, 도 6b는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 상측으로부터 하측으로 이동하는 경우를 도시한다.
도 7a 및 7b는 터치리스 모션의 검출시에 근접 센서 내의 수광 소자에 의해 검출된 검출 신호를 도시하는 타이밍 차트로, 도 7a는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 우측으로부터 좌측으로 이동하는 경우를 도시하고, 도 7b는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 경우를 도시한다.
도 8은 제2 실시예에 따른 근접 센서에서의 발광 소자 및 수광 소자의 배치를 도시하는 도면.
도 9a 및 9b는 피검출 물체까지의 거리에 대한 수광 소자의 검출 신호의 변화를 도시하는 그래프로, 도 9a는 수광 소자의 검출 신호의 예를 도시하는 그래프이고, 도 9b는 수광 소자의 검출 신호의 다른 예를 도시하는 그래프.
도 10a 내지 10c는 제3 실시예에 따른 근접 센서에서의 복수의 발광 소자가 각각 실장되는 3차원 회로 기판의 복수의 오목부의 형상, 및 각 발광 소자로부터 출사되는 광의 출사 방향을 도시하는 도면으로, 도 10a는 근접 센서의 평면도이고, 도 10b는 도 10a의 화살표 CC선 방향으로부터 본 단면도이고, 도 10c는 제3 실시예의 변형예에 따른 근접 센서의 평면도.
도 11a 및 11b는 제4 실시예에 따른 근접 센서에서의 발광 소자 및 수광 소자의 배치를 도시하는 도면으로, 도 11a는 근접 센서의 평면도이고, 도 11b는 제4 실시예의 변형예에 따른 근접 센서의 평면도.
도 12a는 배경기술의 터치리스 모션 기능에서의 유저의 손의 수평 움직임의 검출 동작을 설명하는 도면이고, 도 12b는 배경기술의 터치리스 모션 기능에서의 유저의 손의 수직 움직임의 검출 동작을 설명하는 도면이고, 도 12c는 유저의 손의 수평 움직임에 대한 반사광의 신호 강도를 설명하는 그래프이고, 도 12d는 유저의 손의 수직 움직임에 대한 반사광의 신호 강도를 설명하는 그래프이고, 도 12e는 각 Ir-LED의 발광 타이밍을 설명하는 차트.

본 발명의 근접 센서의 각 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

본 실시 형태의 근접 센서는 휴대 단말기 또는 태블릿 단말기 등의 전자 기기의 하우징 내부에 설치되어 유저의 손 또는 손가락 등의 피검출 물체를 검출한다.

(제1 실시예)

도 1은 제1 실시예에 따른 근접 센서(19)에서의 발광 소자 및 수광 소자의 배치를 도시하는 도면이다. 근접 센서(19)는 3차원 회로 기판(1)의 상면에 적어도 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)와 1개의 수광 소자(32)가 실장되어 구성되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 3차원 회로 기판(1)의 상면의 사각형의 네 코너에 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)와 수광 소자(32)가 배치되어 있다. 즉, 3차원 회로 기판(1)은 각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)의 전기 회로가 실장되는, 예를 들면 원형의 저부(저면)와 이 저부(저면)의 주위를 둘러싸는 벽면으로 형성된 원형의 오목부(도시 생략), 및 수광 소자(32)의 전기 회로가 실장되는, 예를 들면 사각형의 저부(저면)와 이 저부(저면)의 주위를 둘러싸는 벽면으로 형성된 사각형의 오목부(도시 생략)를 포함하는 구성을 갖는다.

발광부로서의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)는, 구동 전류가 공급되면, (발광 1), (발광 2) 및 (발광 3)의 순서로 시분할 방식으로 적외선(예를 들면, 근적외선)을 발하는 Ir-LED를 포함한다.

수광부로서의 수광 소자(32)는 포토다이오드와 이 포토다이오드를 구동하기 위한 드라이버 회로를 포함하는 구성을 갖는다. 이 드라이버 회로는, 후술하는 바와 같이, 터치리스 모션 기능 및 피검출 물체까지의 거리를 검출하는 기능을 갖는다.

또한, MID 기술을 이용하는 제조 프로세스에 의해 제조된 3차원 회로 기판(1)에 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)가 실장된다(도 4 참조). 이렇게 근접 센서(19)가 제조된다.

도 2는 제1 실시예에 따른 원샷 레이저 방법(원샷 레이저 윤곽 제거 방법)에 기초한 3차원 회로 기판의 제조 프로세스의 전반부를, 3차원 회로 기판의 단면도를 이용해서 시계열로 설명하는 도면이다. 도 3은 제1 실시예에 따른 원샷 레이저 방법에 기초한 3차원 회로 기판의 제조 프로세스의 후반부를, 3차원 회로 기판의 단면도를 이용해서 시계열로 설명하는 도면이다.

원샷 레이저 방법은 사출 성형을 한번 행하고, 사출 성형에 의해 제조된 기판 상에 원하는 전기 회로가 실장되는 회로 패턴의 주위의 윤곽을 레이저 광으로 조사하여 원하는 금속 층 또는 막을 형성시켜서 3차원 회로 기판을 제조하는 방법이다.

도 2 및 도 3에서, 3차원 회로 기판(1)의 제조 프로세스의 설명을 간단히 하기 위해서, 도 1에 도시하는 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)가 일체로 실장되는 3차원 회로 기판(1)의 제조 프로세스를, 예를 들면 발광 소자(10A)에 주목하여 설명한다. 도 2 및 도 3의 설명은 도 1에 도시하는 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)가 일체로 실장되는 3차원 회로 기판(1)의 제조 프로세스에 적용가능하다.

원샷 레이저 방법에 기초한 3차원 회로 기판의 제조 프로세스(제조 방법)는 이하의 (공정 1) 내지 (공정 6)의 프로세스 순서에 따라 행해진다.

(공정 1) 1차 성형의 프로세스에서, 사출 성형기에, 예를 들면 발광 소자(10A)가 실장되는 3차원 회로 기판(1)의 각 오목부의 형상에 대응하는 금형을 형성하도록 금형 A와 금형 B가 설치된다. 금형 A와 금형 B 사이의 공간에 도금가능한 수지 재료가 주입된다. 수지 재료에는, 예를 들면 폴리프탈아미드(PPA), 알루미나(Al ₂ O ₃ ) 및 질화 알루미늄(AlN)이 이용된다. (공정 1)의 프로세스는 본 실시예에 따른 3차원 회로 기판(1)을 준비하는 공정이다. 동 프로세스에서, 본 실시예에 따른 3차원 회로 기판(1)의 기초(1차 성형 물품)로서의 수지 기판(5)이 성형된다. 또한, 준비 공정은 (공정 1)의 1차 성형의 프로세스에서 수지 기판(5)을 사출 성형하는 공정으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 준비 공정은 제삼자(제조 위탁자 등)로부터 구입한 수지 기판(5)을 이용하는 공정을 포함할 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 수지 기판(5)에 금형 A 및 금형 B의 형상에 대응하여 절구형(conical) 오목부(5a)가 형성된다.

도 4는 금형 A와 금형 B를 이용해서 수지 기판(5)을 형성하는 상태를 도시하는 도면이다. 금형 A에는 수지 기판(5)의 오목부(5a)에 맞닿는 볼록부(11a)가 형성되어 있다. 이 볼록부(11a)의 선단면(11b)은 미리 평탄한 면으로 연마되어 있고, 볼록부(11a)의 측면(11c)도 미리 평활한 면 또는 곡면으로 연마되어 있다.

(공정 1)의 프로세스에서, 미리 연마된 선단면(11b) 및 측면(11c)을 포함하는 금형 A를 이용함으로써 사출 성형된 수지 기판(5)의 오목부(5a)에 저부로서의 평활한 저면(5b) 및 평활한 벽면(5c)을 형성할 수 있다.

(공정 1)의 프로세스에서, 사출 성형된 수지 기판(5)의 오목부(5a)에 평활한 저면(5b) 및 곡면적으로 매끄러운 벽면(5c)이 형성될 수 있다. (공정 1)의 프로세스와 (공정 2)의 프로세스 사이에서 1차 성형 물품으로서의 수지 기판(5)에 대하여 플라스마 처리되는 것이 바람직하다. 결과적으로, 수지 기판(5)의 표면이 활성화될 수 있다.

(공정 2) 1차 성형의 프로세스의 다음의 메탈라이징의 프로세스에서, 수지 기판(5)의 표면 또는 전체 면에 스퍼터링에 의해 예를 들면 Cu 박막(구리 박막)(7)이 형성된다. (공정 2)의 프로세스에서, 수지 기판(5)의 표면 또는 전체 면에 형성되는 Cu 박막(7)의 두께는 예를 들면, 0.3μm이다. (공정 1)의 프로세스에서 연마된 금형 A가 이용되기 때문에, 수지 기판(5)의 오목부(5a)의 표면(저면(5b) 및 벽면(5c))은 평활하게 형성된다. 따라서, (공정 2)의 프로세스에서 수지 기판(5)의 표면에 형성된 Cu 박막(7)도 또한 평활하게 형성된다.

(공정 3) 메탈라이징의 프로세스의 다음의 레이저 패터닝의 프로세스에서, 원하는 발광 소자(10A)의 전기 회로가 실장되는 회로 패턴을 형성하는 개소를 포함하는 소정 범위 내의 윤곽(8)의 부분이 레이저 광에 의해 Cu 박막(7)으로부터 제거된다. 이 소정 범위는 수지 기판(5)의 오목부(5a)의 좌측 표면의 일부로부터 오목부(5a)의 좌측의 벽면(5c), 저면(5b), 오목부(5a)의 우측의 벽면(5c), 및 수지 기판(5)의 우측 표면의 일부(도시 생략)에까지 미친다(도 2의 (공정 3) 참조).

또한, 도 2는 발광 소자(10A)에 주목한 제조 프로세스를 도시한다. 도 2에는 상세하게 도시하지는 않았지만, 본 실시예에 따른 3차원 회로 기판(1)에서는 그리고 도 2의 3차원 회로 기판(1)의 우측에는 발광 소자(10B)의 전기 회로가 실장되는 오목부가 마찬가지로 형성되어 있다. 전술한 소정 범위의 우측 단부는 발광 소자(10B)의 전기 회로가 실장되는 오목부(도시 생략)의 좌측 표면의 일부에 대응한다. 결과적으로, 수지 기판(5)의 저면(5b)에는 전술한 소정 범위 내의 윤곽(8)의 부분이 제거된 Cu 박막(7b)이 남고, 수지 기판(5)의 측면 및 배면에는 Cu 박막(7d)이 남는다.

(공정 4) 레이저 패터닝의 프로세스의 다음의 전해 Cu 도금의 프로세스에서, 원하는 발광 소자(10A)의 전기 회로가 실장되는 급전 부분을 포함하는 소정 범위(전술한 범위 참조)에 전해 Cu(구리) 도금이 행해진다. 이 전해 Cu 도금에 의해, 원하는 발광 소자의 전기 회로가 실장되는 급전 부분을 포함하는 소정 범위 내의 윤곽(8)의 부분에 의해 둘러싸여진 Cu 박막(7b)에 Cu 도금층(9b)이 두껍게 도포된다. 즉, 소정의 두께를 갖는 Cu 도금층(9b)이 형성된다(도 2의 (공정 4) 참조). (공정 4)의 프로세스에서, Cu 도금층(9)의 두께는 12μm이다.

(공정 1)의 프로세스에서 연마된 금형이 이용되기 때문에, Cu 도금층(9b)의 기초 부분이 되는 수지 기판(5)의 성형 면 및 나아가 이 성형 면 상에 형성된 Cu 박막(7b)의 표면이 평활하다. 따라서, Cu 도금층(9b)의 두께는 비교적 얇을 수 있다.

(공정 5) 전해 Cu 도금의 프로세스의 다음의 에칭의 프로세스에서, 전해 Cu 도금의 지난 프로세스에서 Cu 도금층(9b)이 형성된 수지 기판(5)에 대하여 등방성또는 이방성의 에칭이 행해진다. (공정 5)의 에칭에 의해, Cu 도금층(9b)의 표면은, 예를 들면 두께 2μm 정도로 균일하게 용융된다. 따라서, Cu 도금층(9b)의 표면은 평활해진다. 결과적으로, Cu 도금층(9b)의 두께는 10μm가 된다.

(공정 5)의 에칭의 프로세스에서, Cu 도금층(9b) 이외에 수지 기판(5)의 표면의 일부, 측면 및 배면에 형성되어 있는 Cu 박막(7d)에 대하여도 에칭이 행해진다. 따라서, 수지 기판(5)의 표면의 일부, 측면 및 배면에 형성되어 있는 Cu 박막(7)이 에칭된다.

(공정 6) 최후에, 에칭의 프로세스의 다음의 전해 Ni-Au 도금의 프로세스에서, 전해 도금에 의해 니켈(Ni)의 도금층이 형성되고 마찬가지로 니켈(Ni)의 도금층 위에 금(Au)의 도금층이 더욱 형성된다.

보다 구체적으로, 원하는 발광 소자(10A)의 전기 회로가 실장되는 급전 부분을 포함하는 소정 범위 내에 형성된 Cu 도금층(9b)에 대하여 와트욕(Watts bath)으로 전해 Ni 도금이 행해진다. 결과적으로, Cu 도금층(9b) 위에 Ni 도금층(14)이 형성된다(도 3의 (공정 6) 참조). (공정 6)의 프로세스에서, 와트욕을 이용하여 수지 기판(5)의 오목부(5a)의 저면(5b) 및 벽면(5c) 각각에 Ni 도금층(14)을 형성하여, 매우 높은 광택성을 실현할 수 있고, 이들 면을 평탄하고 평활하게 할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 벽면(5c)은 평탄하지 않고 곡면일 수도 있다.

또한, (공정 6)의 프로세스에서, Ni 도금층(14)에 대하여 전해 Au 도금이 행해진다. 결과적으로, 수지 기판(5)의 오목부(5a)의 저면(5b) 및 벽면(5c) 위에 형성된 각 Ni 도금층(14) 위에 Au 도금층(16)(금막)이 더욱 형성된다.

도 2 및 도 3에 도시한 원샷 레이저 방법에 의해, 본 실시예에 따른 3차원 회로 기판(1)에서, 원하는 발광 소자(10A)의 전기 회로가 실장되는 급전 부분을 포함하는 소정 범위 내에 Cu 박막(7b), Cu 도금층(9b), Ni 도금층(14) 및 Au 도금층(16)이 순차적으로 형성된다. 따라서, 본 실시예에 따른 3차원 회로 기판(1)에서, 발광 소자(10A)로부터의 광을 반사하기 위한 반사면으로서 설치된 수지 기판(5)의 벽면(5c) 위에 Cu 박막(7b), Cu 도금층(9b), Ni 도금층(14) 및 Au 도금층(16)이 순차적으로 형성된다.

이와 같은 프로세스에 의해 원샷 레이저 방법에 의한 3차원 회로 기판(1)이 제조된다. 또한, Cu 박막(7b)의 두께, 전해 도금에 의해 두껍게 도포된 Cu 도금층(9b)의 두께, 및 에칭 후의 Cu 도금층(9b)의 두께는 일례이다. 이들 두께는 이들 수치에 한정되지 않는다.

도 5a 및 5b는 3차원 회로 기판(1)에 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)가 실장된 근접 센서(19)의 단면 구조를 도시하는 단면도이다. 도 5a는 도 1의 화살표 AA선 방향으로부터 본 단면 구조를 도시한다. 도 5b는 도 1의 화살표 BB선 방향으로부터 본 단면 구조를 도시한다.

오목부(5aA, 5aB 및 5aC)에는 각각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)가 실장(배치)되고, 오목부(5aD)에는 수광 소자(32)가 실장된다. 이하의 설명에서, 오목부(5aA, 5aB 및 5aC)를 서로 구별할 필요가 없을 경우에는 간단히 오목부(5a)라고 칭한다.

각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)는 Au 도금층(16) 위에 실장되고, 발광 소자(10A, 10B 및 10C)와 Au 도금층(16)은 접착제(17)를 통해 서로 고정된다. 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사되는 광은 직접적으로 출사되거나 또는 대응하는 오목부(5aA, 5aB 및 5aC)의 벽면에 형성된 반사면에서 정반사된다. 따라서, 이 광은 확산을 억제하면서 전방(도 5a 및 5b 중 상방)으로 출사된다. 이 출사된 광이 유저의 손가락 또는 손 등의 피검출 물체에 의해 반사될 때, 반사광의 일부가 수광 소자(32)에 입사하고 수광 소자(32)에 의해 검출된다.

본 실시예에서, 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)는 미리 설정된 발광 타이밍(예를 들면, 200[msec]의 발광 주기)에서 시분할 방식으로 발광하도록 설정되어 있다. 또한, 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)는 동시에 발광하지 않고 광의 간섭을 피하기 위해, 예를 들면 1[msec]의 범위 내에서, 서로 시간적으로 어긋나게 해서 순차적으로 발광하는 것이 바람직하다.

도 6a 및 6b는 터치리스 모션의 검출시에 근접 센서(19) 내의 수광 소자(32)에 의해 검출된 검출 신호를 도시하는 타이밍 차트이다. 종축은 검출 신호의 크기를 나타내고, 횡축은 시간을 나타낸다. 도 6a는 피검출 물체가 근접 센서(19)의 하측으로부터 상측으로 이동하는 경우를 나타낸다.

우선, 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 하측으로부터 상측으로 이동하는 경우, 수광 소자(32)는 각 발광 소자(10A 및 10B)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(1 및 2)를 출력한다. 검출 신호(1, 2 및 3)는 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사되는 광의 순서, 즉 (발광 1), (발광 2) 및 (발광 3)의 순서에 대응한다. 또한, 검출 신호(1, 2 및 3)는 수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로가 수광 소자(32)의 광전 변환에 의해 생긴 전기 에너지에 기초하여 생성해서 출력한 신호이다.

도 6a에 도시한 바와 같이, 피검출 물체가 발광 소자(10A 및 10B)의 상방(도 1의 지면의 표면 방향, 이하의 설명에서 동일하게 적용됨)의 부분을 차단하도록 위치할 때 발광 소자(10A 및 10B)로부터의 광을 이 피검출 물체가 반사하고 있는 한, 검출 신호(1 및 2)는 전술한 발광 주기마다 출력된다.

피검출 물체가 발광 소자(10A 및 10B)의 상방을 통과하고 피검출 물체가 발광 소자(10C)를 차단하는 위치에 도달하면, 수광 소자(32)는 발광 소자(10C)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(3)를 출력한다.

수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로는 검출 신호(1, 2 및 3)의 이러한 출력 패턴(수광 패턴)에 기초하여, 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 하측으로부터 상측으로 이동했다고 판단할 수 있다.

도 6b는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 상측으로부터 하측으로 이동하는 경우를 도시한다. 마찬가지로, 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 하측으로부터 상측으로 이동하는 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10C)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(3)를 출력한다.

도 6b에 도시한 바와 같이, 피검출 물체가 발광 소자(10C)의 상방의 부분을 차단하도록 위치할 때 발광 소자(10C)로부터의 광을 이 피검출 물체가 반사하고 있는 한, 검출 신호(3)는 전술한 발광 주기마다 출력된다.

피검출 물체가 발광 소자(10C)의 상방을 통과하고 피검출 물체가 발광 소자(10A 및 10B)를 차단하는 위치에 도달하면, 수광 소자(32)는 발광 소자(10A 및 10B)로부터 각각 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(1 및 2)를 출력한다.

수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로는 검출 신호(1, 2 및 3)의 이러한 출력 패턴(수광 패턴)에 기초하여, 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 상측으로부터 하측으로 이동했다고 판단할 수 있다.

피검출 물체가 수직으로 이동하는 경우뿐만 아니라 수평으로 이동하는 경우에도, 마찬가지로, 검출 신호(1, 2 및 3)의 출력 패턴(수광 패턴)에 기초하여 피검출 물체의 이동 방향을 판단할 수 있다(도 7a 및 7b 참조). 도 7a 및 7b는 터치리스 모션의 검출시에 근접 센서 내의 수광 소자에 의해 검출된 검출 신호를 도시하는 타이밍 차트이다. 도 7a는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 우측으로부터 좌측으로 이동하는 경우를 도시한다. 도 7b는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 경우를 도시한다.

피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 우측으로부터 좌측으로 이동하는 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B 및 10C)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(2 및 3)를 출력한다.

도 7a에 도시한 바와 같이, 피검출 물체가 발광 소자(10B 및 10C)의 상방을 차단하도록 위치할 때 발광 소자(10B 및 10C)로부터의 광을 이 피검출 물체가 반사하고 있는 한, 검출 신호(2 및 3)는 전술한 발광 주기마다 출력된다.

피검출 물체가 발광 소자(10B 및 10C)의 상방을 통과하고 발광 소자(10A)를 차단하는 위치에 도달하면, 수광 소자(32)는 발광 소자(10A)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(1)를 출력한다.

수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로는 검출 신호(1, 2 및 3)의 이러한 출력 패턴(수광 패턴)에 기초하여 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 우측으로부터 좌측으로 이동했다고 판단할 수 있다.

또한, 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10A)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(1)를 출력한다.

도 7b에 도시한 바와 같이, 피검출 물체가 발광 소자(10A)의 상방의 부분을 차단하도록 위치할 때 발광 소자(10A)로부터의 광을 이 피검출 물체가 반사하고 있는 한, 검출 신호(1)는 전술한 발광 주기마다 출력된다.

피검출 물체가 발광 소자(10A)의 상방을 통과하고 발광 소자(10B 및 10C)를 차단하는 위치에 도달하면, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B 및 10C)로부터 출사된 광이 피검출 물체에 의해 반사되어 얻어지는 반사광을 검출하고, 검출 신호(2 및 3)를 출력한다.

수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로는 검출 신호(1, 2 및 3)의 이러한 출력 패턴(수광 패턴)에 기초하여 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 좌측으로부터 우측으로 이동했다고 판단할 수 있다.

더 상세한 설명은 생략하지만, 수광 소자(32)에 내장된 드라이버 회로는 피검출 물체가 도 1에 도시하는 근접 센서(19)의 예를 들면 좌상측으로부터 우하측으로 경사 45°방향으로 이동하는 경우에도, 마찬가지로 피검출 물체의 이동 방향을 판단할 수 있다.

본 실시예에서는 발광 소자(10A, 10B 및 10C)에 공급되는 구동 전류값은 서로 동일한 값으로 설정되어 있으므로, 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사된 광을 수광 소자(32)가 검출해서 출력하는 검출 신호의 크기는 거의 동일하다.

이와 같이, 제1 실시예에 따른 근접 센서(19)에 따르면, 근접 센서(19)를 구성하는 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)를 1개의 3차원 회로 기판(1) 위에 실장함으로써 하나로 패키지화할 수 있다. 따라서, 근접 센서(19)의 제조 과정에서, 3개의 발광 소자 간의 위치 관계가 고정되어 3개의 발광 소자의 위치 결정을 고정밀도로 실현할 수 있다. 그러므로, 미리 발광부의 발광 타이밍을 조정해서 기판의 설계를 간단히 하고, 피검출 물체를 고정밀도로 검출할 수 있다.

또한, 원샷 레이저 방법을 이용해서 3차원 회로 기판(1)이 제조되므로, 고기능화, 박형화 및 경량화를 달성할 수 있다.

또한, 3개의 발광 소자와 1개의 수광 소자가 3차원 회로 기판(1)의 오목부들에 실장되므로, 위치 관계의 고정이 용이해진다.

또한, 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)와 1개의 수광 소자(32)가 소정의 위치 관계, 즉, 여기서는 사각형의 네 코너에 배치되어 있으므로, 조밀한 구성으로 될 수 있고, 터치리스 모션의 검출 시 수직 및 수평 검출이 용이해진다. 또한, 임의의 소정의 위치 관계가 이들 소자가 직선으로 배열되는 경우에 이용될 수 있다. 소자들은 임의로 배치될 수 있다.

(제2 실시예)

제1 실시예는 근접 센서가 조립되어 있는 전자 기기의 디스플레이의 표면을 따라 손 또는 손가락 등의 피검출 물체를 이동시키는 터치리스 모션을 검출할 수 있는 근접 센서를 나타냈다. 제2 실시예는 터치리스 모션을 검출할 수 있을 뿐만 아니라 근접 센서가 조립되어 있는 전자 기기의 디스플레이의 표면으로부터 수직 방향(Z축 방향)에 있는 피검출 물체까지의 거리를 검출할 수 있는 근접 센서를 나타낸다.

도 8은 제2 실시예에 따른 근접 센서(19A)에서의 발광 소자(10A, 10B 및 10C) 및 수광 소자(32)의 배치를 도시하는 도면이다. 제2 실시예에 따른 근접 센서(19A)는 제1 실시예에 따른 근접 센서(19)와 거의 동일한 구성을 갖는다. 그러므로, 제1 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 부호가 참조된다.

제2 실시예에 따른 근접 센서(19A)에서, 3개의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사되는 근적외선의 광량(강도)이 서로 상이하다. 즉, 발광 소자(10A, 10B 및 10C)의 발광량은 각각 "약", "강" 및 "중"이다.

따라서, 발광 소자(10B)로부터 출사되는 근적외선이 가장 먼 거리(원거리)까지 닿고, 발광 소자(10C)로부터 출사되는 근적외선이 중거리까지 닿고, 발광 소자(10A)로부터 출사되는 근적외선은 근거리까지만 닿는다. 본 실시예에서, 각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사된 광량을 각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)에 공급되는 구동 전류의 크기에 따라 가변시킨다.

도 9a 및 9b는 피검출 물체까지의 거리에 대한 수광 소자(32)의 검출 신호의 변화를 도시하는 그래프이다. 도 9a는 수광 소자(32)의 검출 신호의 예를 도시하는 그래프이다. 피검출 물체가 근(단)거리에 있을 경우, 수광 소자(32)는 모든 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터의 반사광을 수광하고, 모든 검출 신호(1, 2 및 3)를 출력한다. 또한, 피검출 물체가 중거리에 있을 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B 및 10C)로부터의 반사광을 검출하고, 검출 신호(2 및 3)를 출력한다. 또한, 피검출 물체가 원거리에 있을 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B)로부터의 반사광만을 검출하고, 검출 신호(2)를 출력한다.

도 9b는 수광 소자(32)의 검출 신호의 다른 예를 도시하는 그래프이다. 도 9b에 도시한 바와 같이, 수광 소자(32)는 각 발광 소자로부터의 반사광의 광량에 기초하여 광전 변환해서 생긴 전기 에너지에 기초하는 검출 신호의 신호값의 가산 값을 출력할 수 있다.

구체적으로, 피검출 물체까지의 거리가 가까운(단거리) 경우, 수광 소자(32)는 모든 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터의 반사광을 수광하고, 도 9a에 도시하는 모든 검출 신호(1, 2 및 3)의 가산 값에 상당하는 검출 신호를 출력한다. 또한, 피검출 물체까지의 거리가 조금 먼(중거리) 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B 및 10C)로부터의 반사광을 수광하고, 도 9a에 도시하는 검출 신호(2 및 3)의 가산 값에 상당하는 검출 신호를 출력한다. 또한, 피검출 물체까지의 거리가 먼(원거리) 경우, 수광 소자(32)는 발광 소자(10B)로부터의 반사광을 수광하고, 도 9a에 도시하는 검출 신호(2)에 상당하는 검출 신호를 출력한다.

수광 소자(32)는 검출 신호의 미리 설정된 복수의 임계값 S1, S2 및 S3과 반사광에 대응하는 검출 신호의 신호값에 기초하여, 피검출 물체까지의 거리가 단거리, 중거리 또는 원거리인지를 판단한다. 구체적으로, 검출 신호의 신호값이 임계값 S1 이상이며 임계값 S2 미만일 경우에, 수광 소자(32)는 피검출 물체까지의 거리가 원거리라고 판단한다. 마찬가지로, 검출 신호의 신호값이 임계값 S2 이상이며 임계값 S3 미만일 경우에, 수광 소자(32)는 피검출 물체까지의 거리가 중거리라고 판단한다. 또한, 검출 신호의 신호값이 임계값 S3 이상일 경우에, 수광 소자(32)는 피검출 물체까지의 거리가 근거리라고 판단한다.

또한, 수광 소자(32)는 반사 광량이 외광 등의 노이즈를 고려해서 설정된 임계값 S1 이하일 경우에 드라이버 회로에 의해 검출 신호를 출력하지 않도록 설정되어 있다.

이와 같이, 제2 실시예에 따른 근접 센서(19A)에 따르면, 피검출 물체의 터치리스 모션을 검출할 수 있을 뿐만 아니라, 근접 센서(19A)의 상면에 대하여 수직인 방향(Z축 방향)에서의 피검출 물체의 거리도 검출할 수 있다. 따라서, Z축 방향의 거리를 검출하기 위해서 다른 센서를 설치할 필요가 없고, 부품수를 늘리지 않도록 할 수 있다.

본 실시예에서는 발광 소자(10A, 10B 및 10C)는 가로 방향과 세로 방향 사이가 90°가 되는 직각으로 배치되었지만, 거리만을 검출하기 위해서 특히 면 내에서의 발광 소자 간의 위치 관계는 한정되지 않고, 발광 소자는 임의로 배치될 수 있다.

또한, 본 실시예에 따르면, 원거리, 중거리 및 단거리를 포함하는 3개의 거리를 판별한다. 그러나, 수광 소자의 검출 신호의 신호 레벨(수광량)에 대하여 복수의 임계값을 설정할 때, 보다 간격이 좁은 거리들을 판별할 수 있다. 예를 들면, "강"의 발광량을 갖는 발광 소자(10B)의 검출 신호의 신호 레벨에 대하여 복수의 임계값을 설정할 때, 원거리를 2개 이상의 거리로 구별할 수 있다. 이것은 중거리 및 단거리에서도 마찬가지이다.

(제3 실시예)

제1 실시예에 따른 근접 센서에서, 발광 소자가 실장되는 3차원 회로 기판의 각 오목부의 벽면은 절구형으로 형성되어 있다. 제3 실시예에 따른 근접 센서에서, 복수의 발광 소자가 각각 실장되는 3차원 회로 기판의 복수의 오목부 각각의 벽면은 발광 소자로부터 출사된 광이 수광 소자에 의해 직접 수광되지 않도록 대응하는 수광 소자에 대하여 외측으로 기울어지도록 형성된다. 즉, 3차원 회로 기판의 각 오목부의 개구부는 변형된다.

도 10a 내지 10c는 제3 실시예에 따른 근접 센서(19B)에서의 복수의 발광 소자(10A, 10B 및 10C)가 각각 실장되는 3차원 회로 기판(1)의 복수의 오목부의 형상, 및 각 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사되는 광의 출사 방향을 도시하는 도면이다. 도 10a는 근접 센서(19B)의 평면도이다. 도 10b는 도 10a의 화살표 CC선 방향으로부터 본 단면도이다. 제3 실시예에 따른 근접 센서(19B)는 3차원 회로 기판(1)의 각 오목부의 벽면의 형상을 제외하고, 제1 실시예에 따른 근접 센서(19)와 동일한 구성을 갖는다.

수지 기판(5)에 형성된 오목부(5aA), 오목부(5aB) 및 오목부(5aC)는 각각 포물면의 초점에 위치하는 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 각각 출사된 광이 평행 광으로 반사될 수 있는 포물면에 가까운 면을 갖도록 형성되어 있다. 각 포물면은 대응하는 발광 소자로부터의 광이 평행 광으로 형성될 수 있는, 예를 들면 파라볼라 형상인 것이 바람직하다. 본 실시예에서, 오목부(5aA) 및 오목부(5aB)의 중심 축들은 각각 수지 기판(5)의 표면에 대하여 수직인 Z축에 대하여 가로 방향의 외측(도 10a의 좌측 방향 및 우측 방향)으로 약 30°기울어져 있다. 또한, 도 10b에 도시하지 않지만, 오목부(5aC)의 중심 축은 Z축에 대하여 세로 방향의 외측(도 10a의 상방향)으로 약 30°기울어져 있다.

이와 같이, 각 오목부(5aA, 5aB 및 5aC)는 외측을 향해 변형된 개구부를 갖는다. 따라서, 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터 출사된 광은 서로 간섭하지 않고 외측으로 확산할 수 있고 피검출 물체에 입사되게 된다. 그러므로, 근접 센서(19B)는 광의 간섭을 억제할 수 있고 피검출 물체의 오류 검출을 방지할 수 있다.

오목부(5aA), 오목부(5aB) 및 오목부(5aC)의 중심 축들은 도 10c에 도시한 바와 같이 각각 코너(도 10c의 우상 방향, 좌하 방향 및 우하 방향)의 외측을 향해 기울어질 수 있다. 결과적으로, 근접 센서(19B)는 발광 소자(10A, 10B 및 10C)로부터의 광을 서로 간섭시키지 않고 광을 출사할 수 있다.

이와 같이, 제3 실시예에 따른 근접 센서(19B)에 따르면, 복수의 발광 소자로부터 출사되는 광의 간섭을 억제하여 피검출 물체에 의해 반사된 반사광이 어느 발광 소자로부터 출사되었는지를 적절하게 식별할 수 있다.

(제4 실시예)

제1 내지 제3 실시예에 따른 각 근접 센서는 발광 소자가 3개인 경우를 나타냈다. 그러나, 발광 소자의 수는 3개 이상이면 된다. 발광 소자의 수는 임의로 설정할 수 있다. 제4 실시예는 기판의 중앙에 수광 소자가 배치되고, 수광 소자 주위에 4개의 발광 소자가 배치된 근접 센서를 나타낸다.

도 11a 및 11b는 제4 실시예에 따른 근접 센서(29A)에서의 발광 소자 및 수광 소자의 배치를 도시하는 도면이다. 도 11a는 근접 센서(29A)의 평면도이다. 도 11a에 도시하는 근접 센서(29A)에서, 각 오목부(25A, 25B, 25C 및 25D)의 벽면이 가로 방향(도 11a의 좌측 방향 또는 우측 방향) 또는 세로 방향(도 11a의 상방향 또는 하방향)의 외측에 향하도록 형성된다.

한편, 도 11b에 도시하는 근접 센서(29B)에서, 오목부(35A, 35B, 35C 및 35D)의 벽면이 각각 코너(도 11b의 좌측 방향, 하방향, 우측 방향 및 상방향)의 외측에 향하도록 형성된다. 도 11b는 제4 실시예의 변형예에 따른 근접 센서(29B)의 평면도이다.

제4 실시예에 따른 근접 센서(29A)에 따르면, 터치리스 모션의 검출 시에 가로 방향 또는 세로 방향에 대하여 45°기울어진 방향으로부터 피검출 물체가 이동할 때 수광 소자(32)에 의해 검출되는 검출 신호의 출력 패턴은 고정된다. 따라서, 상/하 방향, 좌측/우측 방향, 우측 경사 45°방향 및 좌측 경사 45°방향, 즉 4개 방향의 검출 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 3차원 회로 기판(1)의 오목부의 벽면이 서로 외측을 향해 기울어져 있으므로, 4개의 발광 소자로부터 출사되는 광의 혼합을 억제할 수 있다.

이상, 도면을 참조하면서 다양한 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자라면 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 변경 예 또는 수정 예를 생각해낼 수 있는 것은 분명하다. 물론, 이들 예는 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다.

예를 들면, 상기한 실시예들은 원샷 레이저 방법에 의해 3차원 회로 기판이 제조되는 경우를 나타냈지만, 제조 방법은 이것으로 한정되지 않는다. 3차원 회로 기판을 제조하는 방법으로서 사출 성형을 2번 행해서 제조하는 투샷법을 이용할 수 있다. 또한, 회로 패턴에 따라 레이저 광을 조사하고 레이저 광이 조사된 부분에만 도금 금속을 석출시킴으로써 회로를 형성하는 LDS(Laser Direct Structuring)법을 이용할 수 있다.

본 출원은 2012년 1월 13일자 출원된 일본 특허 출원(일본 특원 2012-005554호)에 근거한 것이며, 그 내용은 여기에 참고로 병합된다.

<산업상의 이용 가능성>

본 발명은 미리 발광부의 발광 타이밍을 조정해서 기판의 설계를 간단히 하고 피검출 물체를 고정밀도로 검출할 수 있는 피검출 물체를 검출하는 근접 센서를 제공하는데 유용하다.

1: 3차원 회로 기판
5: 기판
5a, 5aA, 5aB 및 5aC, 5aD, 25A, 25B, 25C, 25D: 오목부
5b: 저면
5c: 벽면
7: Cu 박막
8: 윤곽
9b: Cu 도금층
10A, 10B, 10C: 발광 소자
14: Ni 도금층
16: Au 도금층
17: 접착제
19, 19A, 19B, 29A, 29B: 근접 센서
32: 수광 소자