1.一种压力传感器的制造方法，包括以下步骤：
提供支撑基片，所述支撑基片包括上表面、下表面、侧部凹陷以及中央凹陷；
提供上面已沉积应变仪的可变形膜，所述可变形膜包括在其中央的变薄区；
将支撑基片与可变形膜装配，以获得微机械结构，其中，支撑基片布置在可变形膜上面，支撑基片的下表面接触可变形膜，支撑基片的侧部凹陷布置在应变仪上，并且支撑基片的中央凹陷布置在可变形膜的变薄区上；
以及，在装配结束后的所述方法包括的下述步骤：
在一个单一步骤中，在所述支撑基片的所述上表面上和所述支撑基片的所述侧部凹陷中沉积至少一种导电材料，所述导电材料延伸到凹陷(11)中，从而与所述应变仪相接触以形成与所述应变仪(30)联接的电触头。
2.根据权利要求1所述的方法，包括，在装配完成之后，并且在至少一种导电材料的单一沉积步骤之前的，在每个侧部凹陷中的至少一个扩散阻挡层的沉积步骤，所述扩散阻挡层与相应的应变仪相接触。
3.根据以上权利要求中任一项所述的方法，包括通过与3D热层压技术相关联的光刻法或通过磨碎强拓扑表面的涂层法执行的形成几个电触头的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其中导电材料选自：超掺杂多晶硅、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Αl、Τi、ΤiΝ。
5.根据权利要求1所述的方法，其中膜由硅制成，并且：
-所述支撑基片由玻璃制成，所述装配(E1)包括阳极密封；或者
-所述支撑基片由硅制成，所述装配包括通过具有或不具有中间层的分子或原子键，或通过钎焊进行密封。
6.根据权利要求1所述的方法，其中膜由基片形成，例如由诸如SOI或PSOI的单晶硅、诸如SOS的蓝宝石或诸如SiCOI或SiC的其他材料构成。
7.根据权利要求1所述的方法，包括由以下操作组成的步骤：
-将所述支撑基片整合到包括由导电材料制成的电触头的壳体中；所述支撑基片通过在所述支撑基片上形成的连接件整合到所述壳体中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述支撑基片整合到所述壳体中是通过热压方法实现的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述热压方法是在250℃与500℃之间的温度下，
10Mpa与200Mpa之间的压力下执行的。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述热压方法是在320℃的温度下，50MPa的压力下执行的。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述壳体(80)的所述电触头由以下材料制成：超掺杂多晶硅、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Αl、Τi、ΤiΝ。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑基片整合到壳体中是通过倒装芯片技术执行的。
13.一种通过根据权利要求1所述的方法得到的压力传感器。