蒸镀用金属掩模 |
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| 申请号 | CN201720954355.3 | 申请日 | 2017-08-02 | 公开(公告)号 | CN207619515U | 公开(公告)日 | 2018-07-17 |
| 申请人 | 凸版印刷株式会社; | 发明人 | 西刚广; | ||||
| 摘要 | 蒸 镀 用金属掩模具备包括多个掩模孔的掩模区域，位于掩模区域的中央以外的 位置 的各掩模孔的连接部具有遍及掩模孔的整周地朝向掩模孔的内侧突出的形状，由作为掩模区域的中央附近的部分的第1部分、和作为掩模区域的端部附近的部分的第2部分构成。第1部分与掩模区域的背面之间的距离是第1台阶高度，端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种蒸镀用金属掩模，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 蒸镀用金属掩模技术领域[0001] 本方案涉及蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及显示装置的制造方法。 背景技术[0002] 蒸镀用金属掩模具备表面和背面，背面是与基板等的蒸镀对象接触的面，表面是与背面相反侧的面。从表面贯通到背面的掩模孔具备包括表面上的开口即大开口的大孔、和包括背面上的开口即小开口的小孔。划分掩模孔的内周面在大孔与小孔的连接部处具有向掩模孔的内侧突出的形状。在使用蒸镀用金属掩模的成膜中，蒸镀物质从大开口朝向小开口穿过掩模孔而向蒸镀对象堆积。由此，在蒸镀对象上形成遵循小开口的位置及形状的蒸镀图案(例如，参照专利文献1)。 [0003] 现有技术文献 [0004] 专利文献 [0005] 专利文献1：日本特开2014－148744号公报 [0006] 顺便说一下，在蒸镀装置中，对于多个掩模孔使用1个蒸镀源。例如，蒸镀装置具备1个蒸镀源，以多个掩模孔中的位于中央的掩模孔与1个蒸镀源相互对置的方式配置蒸镀用金属掩模。或者，蒸镀装置具备多个蒸镀源，以1个掩模区域中包含的相互不同的掩模孔群中的位于中央的掩模孔与1个蒸镀源相互对置的方式配置蒸镀用金属掩模。或者，蒸镀装置具备多个蒸镀源，以1个掩模区域中包含的多个掩模孔中的位于中央的掩模孔与1个蒸镀源相互对置的方式、并且以另1个掩模区域中包含的多个掩模孔中的位于中央的掩模孔与另1个蒸镀源相互对置的方式配置蒸镀用金属掩模。 [0007] 在上述结构中，从1个蒸镀源朝向位于中央的掩模孔的方向与从1个蒸镀源朝向其他掩模孔的方向相互不同。并且，从蒸镀源释放的蒸镀物质的量通常在与蒸镀源对置的位置处最大，并且在上述方向的范围内具有偏差。因此，穿过掩模孔的蒸镀物质的量在蒸镀用金属掩模内具有偏差，由此，按照掩模孔形成的蒸镀图案的膜厚在蒸镀用金属掩模内具有偏差。实用新型内容 [0008] 本实用新型的目的是提供一种能够使按照掩模孔形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模内提高的蒸镀用金属掩模。 [0009] 用来解决上述课题的蒸镀用金属掩模具备包括多个掩模孔的掩模区域。上述掩模区域具备中央区域和端部区域；上述中央区域包括上述掩模区域的中央，并且包括用来与蒸镀源对置的多个上述掩模孔；上述端部区域位于比上述中央区域更靠上述掩模区域的端部侧，并且包括与上述中央区域中包含的上述掩模孔不同的多个上述掩模孔。上述掩模区域具备：表面，包含上述各掩模孔的大开口；以及背面，包含上述各掩模孔的小开口。上述各掩模孔包括：大孔，包含上述大开口，具有朝向上述小开口而前端变细的形状；小孔，包含上述小开口，具有朝向上述大开口而前端变细的形状；以及连接部，将上述大孔与上述小孔连接。位于上述掩模区域的中央以外的位置的上述各连接部由第1部分和第2部分构成，上述第1部分具有遍及上述掩模孔的整周地朝向上述掩模孔的内侧突出的形状，并且上述第1部分是上述掩模区域的中央附近的部分，上述第2部分是上述掩模区域的端部附近的部分。上述第1部分与上述背面之间的距离是第1台阶高度，上述端部区域中的上述第1台阶高度比上述中央区域中的上述第1台阶高度小。 [0010] 根据上述结构，在蒸镀用金属掩模中，不论是1个掩模区域与1个蒸镀源对置的情况，还是单独的蒸镀源相对于多个掩模区域对置的情况，中央区域中包含的掩模孔的第1部分与端部区域中包含的掩模孔的第1部分相比，都能够抑制蒸镀物质穿过。因此，能够使按照掩模孔形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模内提高。 [0011] 用来解决上述课题的蒸镀用金属掩模，由蒸镀用金属掩模具备的多个掩模孔的全部构成1个掩模区域；上述掩模区域具备中央区域和端部区域；上述端部区域包括上述掩模区域的端部和多个上述掩模孔；上述中央区域位于比上述端部区域更靠上述掩模区域的中央侧，并且包括与上述端部区域中包含的上述掩模孔不同且用来与蒸镀源对置的多个上述掩模孔。上述掩模区域具备：表面，包含上述各掩模孔的大开口；以及背面，包含上述各掩模孔的小开口。上述各掩模孔包括：大孔，包含上述大开口，具有朝向上述小开口而前端变细的形状；小孔，包含上述小开口，具有朝向上述大开口而前端变细的形状；以及连接部，将上述大孔与上述小孔连接。位于上述掩模区域的中央以外的位置的上述各连接部由第1部分和第2部分构成，上述第1部分具有遍及上述掩模孔的整周地朝向上述掩模孔的内侧突出的形状，并且上述第1部分是上述掩模区域的中央附近的部分，上述第2部分是上述掩模区域的端部附近的部分。上述第1部分与上述背面之间的距离是第1台阶高度，上述端部区域中的上述第1台阶高度比上述中央区域中的上述第1台阶高度小。 [0012] 根据上述结构，不论与掩模区域对置的蒸镀源是1个还是多个，包括掩模区域的端部的端部区域中的第1台阶高度都比中央区域中的台阶高度小，所以中央区域中包含的掩模孔的第1部分与端部区域中包含的掩模孔的第1部分相比，都能够抑制蒸镀物质穿过。所以，能够使按照掩模孔形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模内提高。 [0013] 在上述蒸镀用金属掩模中，上述第2部分与上述背面之间的距离是第2台阶高度；在上述各掩模孔中，上述第2台阶高度也可以大于等于上述第1台阶高度。 [0014] 根据上述结构，即使第1台阶高度变小，通过第2台阶高度大于等于第1台阶高度，也能够抑制蒸镀用金属掩模的强度变低。 [0015] 在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，与上述表面正交的截面中的上述大孔的内周面具有弧状；上述截面中的上述小孔的内周面具有弧状。在上述截面中，上述表面的法线中，穿过上述大开口的中央的上述法线是大孔法线，穿过上述小开口的中央的上述法线是小孔法线；属于上述各掩模孔的上述大孔法线位于与属于同一个上述掩模孔的上述小孔法线相同的位置、或位于比属于同一个上述掩模孔的上述小孔法线更靠上述掩模区域的中央附近的位置，属于同一个上述掩模孔的上述大孔法线与上述小孔法线之间的距离是法线间距离。上述端部区域中的上述法线间距离可以比上述中央区域中的上述法线间距离大。 [0016] 根据上述结构，通过仅改变大孔相对于小孔的位置，就能够使端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小，所以蒸镀用金属掩模的设计较容易。 [0017] 在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述蒸镀用金属掩模具备多个上述端部区域；上述各端部区域沿着上述掩模孔排列的方向排列；在多个上述端部区域中，距上述中央区域的距离越大，上述端部区域中的上述法线间距离越大。 [0018] 在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述蒸镀用金属掩模具备多个上述端部区域；上述各端部区域沿着上述掩模孔排列的方向排列；在多个上述端部区域中，越是距上述中央区域的距离大的上述端部区域，上述端部区域中的上述第1台阶高度越小。 [0019] 根据上述各结构，越是距中央区域的距离小的端部区域包含的掩模孔的第1部分，与位于比该端部区域更靠掩模区域的端部侧的端部区域包含的掩模孔相比，越能够抑制蒸镀材料穿过。因此，能够使按照掩模孔形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模内提高。 [0020] 在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述第2部分与上述背面之间的距离是第2台阶高度；在多个上述端部区域中，越是距上述中央区域的距离大的上述端部区域，上述端部区域中的上述第2台阶高度越大。 [0021] 根据上述结构，由于越是距中央区域的距离大的端部区域、第2台阶高度就越大，所以能够用第2台阶高度来补偿因第1台阶高度变小造成的各端部区域中的强度的下降。 [0022] 在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述端部区域是包括上述掩模区域的上述端部的区域。 [0023] 根据上述结构，由于端部区域包括从蒸镀源释放的蒸镀物质在1个掩模区域中最难到达的端部，所以容易得到由使端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小带来的效果。 [0024] 实用新型的效果 [0026] 图1是表示蒸镀用金属掩模的一实施方式的蒸镀用金属掩模的平面构造的平面图。 [0027] 图2是表示一实施方式的掩模部件的平面构造的平面图。 [0028] 图3是将一实施方式的掩模部件的平面构造的一部分放大表示的部分放大平面图。 [0029] 图4是将一实施方式的中央区域的截面构造中的一部分放大表示的部分放大剖视图。 [0030] 图5是将一实施方式的第1右侧区域的截面构造中的一部分放大表示的部分放大剖视图。 [0031] 图6是将一实施方式的第5右侧区域的截面构造中的一部分放大表示的部分放大剖视图。 [0032] 图7是用来说明蒸镀用金属掩模的作用的作用图。 [0033] 图8是用来说明蒸镀用金属掩模的作用的作用图。 [0034] 图9是表示蒸镀用金属掩模的制造方法的一实施方式的向金属掩模用基材配置抗蚀剂层的工序的工序图。 [0035] 图10是表示一实施方式的形成抗蚀剂图案的工序的工序图。 [0036] 图11是表示一实施方式的形成小孔的工序的工序图。 [0037] 图12是表示一实施方式的形成背面保护层的工序的工序图。 [0038] 图13是表示一实施方式的形成大孔的工序的工序图。 [0039] 图14是将变形例的第5右侧区域的截面构造中的一部分放大表示的部分放大剖视图。 具体实施方式[0040] 参照图1至图13，说明蒸镀用金属掩模的一实施方式。以下，依次说明蒸镀用金属掩模的结构、蒸镀用金属掩模的作用、蒸镀用金属掩模的制造方法、显示装置的制造方法及实施例。 [0041] [蒸镀用金属掩模的结构] [0042] 如图1所示，掩模装置10具备主框架20和多个蒸镀用金属掩模30。主框架20具有支承多个蒸镀用金属掩模30的框板状，被安装到用来进行蒸镀的蒸镀装置上。主框架20遍及安装着各蒸镀用金属掩模30的部位的大致整体地具有将主框架20贯通的主框架孔20H。 [0043] 蒸镀用金属掩模30具备副框架31和例如金属制的掩模部件32。副框架31具有支承1个掩模部件32的框板状，并安装在主框架20上。各副框架31遍及安装着掩模部件32的部位的大致整体地具有将副框架31贯通的副框架孔30H。各掩模部件32通过熔接或粘接固定在副框架孔30H的周围。参照图2说明掩模部件32所具有的平面构造的一例。另外，蒸镀用金属掩模30并不限于掩模部件32被固定在副框架31上的结构，也可以是具备相当于掩模部件32的掩模部和位于掩模部的周边的周边部并且掩模部和周边部由1个金属板一体地形成的结构。 [0044] 如图2所示，掩模部件32包括掩模区域32M，掩模区域32M包括多个掩模孔。掩模区域32M由中央区域32C和沿着掩模孔排列的方向排列的多个端部区域32E构成。中央区域32C包括掩模区域32M的中央，并且包括用来与蒸镀源对置的多个掩模孔。各端部区域32E位于比中央区域32C靠掩模区域32M的端部32ME侧，并且包括与中央区域32C包括的掩模孔不同的多个掩模孔。另外，作为掩模区域32M的外周部的边缘部具有矩形状，在掩模区域32M中作为相互对置的一对边的中央的位置是掩模区域32M的中央。 [0045] 在掩模区域32M中，沿着划分方向划分了中央区域32C和多个端部区域32E。在掩模区域32M中，越是沿着划分方向的距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，越是远离蒸镀源。换言之，越是沿着划分方向的距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，该端部区域32E与蒸镀源的距离即沿着划分方向的距离越大。 [0046] 在掩模区域32M中，被划分了10个端部区域32E，在掩模区域32M中，中央区域32C位于从一方的端部32ME数第5个端部区域32E与第6个端部区域32E之间。 [0047] 在10个端部区域32E中，在划分方向上位于比中央区域32C靠纸面的右侧的5个端部区域32E是右侧端部区域。作为右侧端部区域的各端部区域32E从距中央区域32C的距离较小的区域起，依次是第1右侧区域ER1、第2右侧区域ER2、第3右侧区域ER3、第4右侧区域ER4、第5右侧区域ER5。 [0048] 在10个端部区域32E中，在划分方向上位于比中央区域32C靠纸面的左侧的5个端部区域32E是左侧端部区域。作为左侧端部区域的各端部区域32E从距中央区域32C的距离较小的区域起，依次是第1左侧区域EL1，第2左侧区域EL2、第3左侧区域EL3、第4左侧区域EL4、第5左侧区域EL5。 [0049] 掩模区域32M的沿着划分方向的宽度是第1宽度W1，中央区域32C及多个端部区域32E的各自的沿着划分方向的宽度是第2宽度W2。在中央区域32C及端部区域32E中，第2宽度W2相互相等。另外，在中央区域32C及端部区域32E中，也可以包含第2宽度W2不同的区域。 [0050] 中央区域32C中包含的全部掩模孔、换言之中央区域32C的整体与蒸镀装置具备的蒸镀源对置。另外，也可以仅中央区域32C中包含的一部分的掩模孔不与蒸镀源对置。 [0051] 另一方面，各端部区域32E中包含的多个掩模孔、换言之各端部区域32E，包括与蒸镀源对置的部分和不与蒸镀源对置的部分的至少一方。即，1个端部区域32E既可以仅包含与蒸镀源对置的掩模孔，也可以仅包含不与蒸镀源对置的掩模孔，也可以包含与蒸镀源对置的掩模孔和不与蒸镀源对置的掩模孔的两者。参照图3说明将掩模部件32具有的平面构造的一例的一部分放大的构造。 [0052] 如图3所示，掩模区域32M包括多个掩模孔32H，在掩模区域32M中，在作为与对置于蒸镀源的面相反侧的面的、对置于蒸镀对象的面中，多个掩模孔32H沿着1个方向隔开相等的间隔排列，并且沿着与1个方向正交的方向隔开相等的间隔排列。即，在掩模区域32M中，多个掩模孔以栅格状排列，掩模部件32具有栅格状。中央区域32C及端部区域32E分别包括以栅格状排列的多个掩模孔32H。另外，多个掩模孔32H在掩模区域32M中以交错状排列。 [0053] 掩模部件32由以铁与镍的合金为主成分的作为金属薄片的金属掩模用基材形成。金属掩模用基材的形成材料优选的是含有30质量％以上且45质量％以下的镍的铁镍合金，其中，更优选的是以36质量％的镍和64质量％的铁为合金主成分、即因瓦合金(Invar)。在掩模部件32的形成材料是因瓦合金的情况下，掩模部件32的热膨胀系数例如是1.2×10－6/℃左右。 [0054] 如果是具有这样的热膨胀系数的掩模部件32，则由于掩模部件32的热膨胀的程度与玻璃基板的热膨胀的程度匹配，所以由因瓦合金形成的掩模部件32在作为蒸镀对象的一例而使用玻璃基板是优选的。 [0055] 参照图4说明掩模区域32M中的中央区域32C所具有的截面构造的一例，参照图5及图6说明端部区域32E所具有的截面构造的一例。另外，以下作为端部区域32E所具有的截面构造的一例，说明第1右侧区域ER1所具有的截面构造的一例和第5右侧区域ER5所具有的截面构造的一例，省略其他的端部区域32E所具有的截面构造的说明。 [0056] 此外，图4至图6所示的截面构造都是沿着图3中的I－I线的截面构造，换言之是沿着在划分方向上延伸的线的截面构造，但划分方向上的位置相互不同。 [0057] 如图4所示，掩模区域32M具备表面32F、和作为与表面32F相反侧的面的背面32R。表面32F包括各掩模孔32H的大开口32H1，背面32R包括各掩模孔32H的小开口32H2。在与表面32F对置的俯视中，大开口32H1划分出的区域比小开口32H2划分出的区域大。 [0058] 各掩模孔32H包括大孔32HB、小孔32HS、以及将大孔32HB与小孔32HS连接的连接部32HC。其中，大孔32HB包括大开口32H1，具有朝向小开口32H2而前端变细的形状，小孔32HS包括小开口32H2，具有朝向大开口32H1而前端变细的形状。 [0059] 更详细地讲，大孔32HB具有沿着与表面32F平行的方向的截面积从表面32F起朝向背面32R单调减小的形状，并且在与表面32F正交的截面中，大孔32HB的内周面HB1具有弧状。此外，小孔32HS具有沿着与表面32F平行的方向的截面积从背面32R起朝向表面32F单调减小的形状，并且在与表面32F正交的截面中，小孔32HS的内周面HS1具有弧状。 [0060] 即，大孔32HB划分的区域的大小从表面32F朝向背面32R单调减小，并且小孔32HS划分的区域的大小从背面32R朝向表面32F单调减小。因此，掩模孔32H划分的区域的大小在连接部32HC处最小。 [0061] 在中央区域32C中，各连接部32HC具有遍及掩模孔32H的整周而朝向掩模孔32H的内侧突出的形状。在中央区域32C中包含的多个掩模孔32H中，位于掩模区域32M的中央以外位置的掩模孔32H的连接部32HC由作为掩模区域32M的中央附近的部分的第1部分HC1、和作为掩模区域32M的端部附近的部分的第2部分HC2构成。 [0062] 另外，蒸镀用金属掩模30可以具有包含位于掩模区域32M的中央的连接部32HC在内的掩模孔32H。位于掩模区域32M的中央的连接部32HC也与其他的连接部32HC同样，具有遍及掩模孔32H的整周而朝向掩模孔32H的内侧突出的形状。 [0063] 在掩模孔32H中，第1部分HC1与背面32R之间的距离是第1台阶高度(step high)SH1，第2部分HC2与背面32R之间的距离是第2台阶高度SH2。位于中央区域32C的各掩模孔32H中，第1台阶高度SH1和第2台阶高度SH2是相互大致相等的大小。中央区域32C中的第1台阶高度SH1及第2台阶高度SH2分别优选的是例如3μm以下。 [0064] 在与表面32F正交的截面中，第1部分HC1的突出量、即第1部分HC1比小开口32H2更向内侧突出的量是第1台阶宽度(日语：ステップ幅)SW1。在与表面32F正交的截面中，第2部分HC2的突出量即第2部分HC2比小开口32H2更向内侧突出的量是第2台阶宽度SW2。位于中央区域32C的各掩模孔32H中，第1台阶宽度SW1和第2台阶宽度SW2是相互大致相等的大小。中央区域32C中的第1台阶宽度SW1及第2台阶宽度SW2分别优选的是例如1.5μm以上且2.0μm以下。 [0065] 在与表面32F正交的截面中，表面32F的法线中的穿过大开口32H1的中央的法线是大孔法线NB，穿过小开口32H2的中央的法线是小孔法线NS。中央区域32C所包含的各掩模孔32H中，属于相同的掩模孔32H的大孔法线NB的位置与小孔法线NS的位置相互大致相等。即，在1个掩模孔32H中，沿着掩模孔32H排列的方向的大孔法线NB与小孔法线NS之间的距离是法线间距离ND，中央区域32C中的法线间距离ND是零。 [0066] 如图5所示，第1右侧区域ER1所包含的各掩模孔32H与中央区域32C所包含的各掩模孔32H同样，包括大孔32HB、小孔32HS及连接部32HC。大孔32HB具有朝向小开口32H2而前端变细的形状，小孔32HS具有朝向大开口32H1而前端变细的形状。 [0067] 连接部32HC与中央区域32C所包含的各掩模孔32H同样，具有遍及掩模孔32H的整周而朝向掩模孔32H的内侧突出的形状，由第1部分HC1和第2部分HC2构成。在第1右侧区域ER1中，第2台阶高度SH2比第1台阶高度SH1大。 [0068] 此外，第1右侧区域ER1中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小。第1右侧区域ER1中的第2台阶高度SH2比中央区域32C中的第2台阶高度SH2大。 [0069] 第1右侧区域ER1中的第1台阶宽度SW1比中央区域32C中的第1台阶宽度SW1小。此外，第1右侧区域ER1中的第2台阶宽度SW2比中央区域32C中的第2台阶宽度SW2大。 [0070] 在与表面32F正交的截面中，属于各掩模孔32H的大孔法线NB位于比属于同一个掩模孔32H的小孔法线NS更靠中央的位置。第1右侧区域ER1中的法线间距离ND比中央区域32C中的法线间距离ND大。 [0071] 如图6所示，第5右侧区域ER5所包含的各掩模孔32H与中央区域32C中包含的各掩模孔32H同样，包括大孔32HB、小孔32HS及连接部32HC。大孔32HB具有朝向小开口32H2而前端变细的形状，小孔32HS具有朝向大开口32H1前端变细的形状。 [0072] 连接部32HC与中央区域32C所包含的各掩模孔32H同样，具有遍及掩模孔32H的整周而朝向掩模孔32H的内侧突出的形状，由第1部分HC1和第2部分HC2构成。在第5右侧区域ER5中，第1台阶高度SH1是零，第2台阶高度SH2比第1台阶高度SH1大。 [0073] 第5右侧区域ER5中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，并且比第1右侧区域ER1中的第1台阶高度SH1小。相对于此，第5右侧区域ER5中的第2台阶高度SH2比中央区域32C中的第2台阶高度SH2大，并且比第1右侧区域ER1中的第2台阶高度SH2大。 [0074] 第5右侧区域ER5中的第1台阶宽度SW1是零，比中央区域32C中的第1台阶宽度SW1小，并且比第1右侧区域ER1中的第1台阶宽度SW1小。相对于此，第5右侧区域ER5中的第2台阶宽度SW2比中央区域32C中的第2台阶宽度SW2大，并且比第1右侧区域ER1中的第2台阶宽度SW2大。 [0075] 在与表面32F正交的截面中，属于各掩模孔32H的大孔法线NB位于比属于同一个掩模孔32H的小孔法线NS更靠中央的位置，并且法线间距离ND比中央区域32C中的法线间距离ND及第1右侧区域ER1中的法线间距离ND这两者大。 [0076] 如上述那样，大孔32HB具有朝向小开口32H2而前端变细的形状，小孔32HS具有朝向大开口32H1而前端变细的形状，并且大孔32HB的内周面HB1和小孔32HS的内周面HS1这两者具有弧状。因此，通过改变1个掩模孔32H所固有的小孔32HS的小孔法线NS与同一个掩模孔32H所固有的大孔32HB的大孔法线NB之间的距离，能够改变各掩模孔32H中的第1台阶高度SH1的大小及第2台阶高度SH2的大小。 [0077] 并且，在大孔法线NB与小孔法线NS不重叠的掩模孔32H中，能够使第1台阶高度SH1和第2台阶高度SH2中的距大孔法线NB的距离较小的台阶高度比大孔法线NB与小孔法线NS一致的掩模孔32H中的大小小。相对于此，在大孔法线NB与小孔法线NS不重叠的掩模孔32H中，能够使第1台阶高度SH1和第2台阶高度SH2中的距大孔法线NB的距离较大的台阶高度比大孔法线NB与小孔法线NS一致的掩模孔32H中的大小大。 [0078] 并且，在与表面32F正交的截面中，如果法线间距离ND是不超过小开口32H2的宽度的1/2的范围，则大孔法线NB与小孔法线NS的法线间距离ND越大，越能够使距大孔法线NB的距离较小的台阶高度变小，并且使距大孔法线NB的距离较大的台阶高度变大。 [0079] 因为这样的理由，使用图6在前面说明过的掩模孔32H中的第1台阶高度SH1变得比使用图5在前面说明过的掩模孔32H中的第1台阶高度SH1小。此外，使用图6在前面说明过的掩模孔32H中的第2台阶高度SH2变得比使用图5在前面说明过的掩模孔32H中的第2台阶高度SH2大。 [0080] 在这样的掩模部件32中，由于仅通过改变大孔32HB相对于小孔32HS的位置，就能够使端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，所以蒸镀用金属掩模30的设计较容易。 [0081] 此外，关于第1台阶宽度SW1及第2台阶宽度SW2，也与第1台阶高度SH1及第2台阶高度SH2同样，法线间距离ND越大，越能够使距大孔法线NB的距离较小的台阶宽度变小、并且使距大孔法线NB的距离较大的台阶宽度变大。 [0082] 另外，虽然没有图示，但第2右侧区域ER2中的掩模孔32H的形状、第3右侧区域ER3中的掩模孔32H的形状及第4右侧区域ER4中的掩模孔32H的形状在具有大孔、小孔及连接部这一点上，与中央区域32C中的掩模孔32H的形状大致相等。 [0083] 但是，各右侧端部区域中的掩模孔32H的形状在以下的点上与中央区域32C中的掩模孔32H的形状不同。即，第2右侧区域ER2中的法线间距离ND、第3右侧区域ER3中的法线间距离ND及第4右侧区域ER4中的法线间距离ND比中央区域32C中的法线间距离ND大，并且比第5右侧区域ER5中的法线间距离ND小。除此以外，第2右侧区域ER2中的法线间距离ND、第3右侧区域ER3中的法线间距离ND及第4右侧区域ER4中的法线间距离ND依次变大。 [0084] 换言之，蒸镀用金属掩模30具备沿着掩模孔32H排列的方向排列的多个端部区域32E。并且，在多个端部区域32E中，距中央区域32C的距离越大，各端部区域32E中的法线间距离ND较大。 [0085] 由此，第2右侧区域ER2中的第1台阶高度SH1、第3右侧区域ER3中的第1台阶高度SH1以及第4右侧区域ER4中的第1台阶高度SH1变得比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，并且变得比第5右侧区域ER5中的第1台阶高度SH1大。除此以外，第2右侧区域ER2中的第1台阶高度SH1、第3右侧区域ER3中的第1台阶高度SH1、以及第4右侧区域ER4中的第1台阶高度SH1以记载的顺序变小。 [0086] 换言之，蒸镀用金属掩模30具备沿着掩模孔32H排列的方向排列的多个端部区域32E。并且，在多个端部区域32E中，越是距中央区域32C的距离大的端部区域32E，端部区域 32E中的第1台阶高度SH1越小。 [0087] 由此，越是距中央区域32C的距离较小的端部区域32E包含的掩模孔32H的第1部分HC1，与位于比该端部区域32E更靠掩模区域32M的端部32ME侧的端部区域32E包含的掩模孔32H相比，越能够抑制蒸镀物质DM穿过掩模孔32H。因此，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高。 [0088] 此外，第2右侧区域ER2中的第2台阶高度SH2、第3右侧区域ER3中的第2台阶高度SH2及第4右侧区域ER4中的第2台阶高度SH2变得比中央区域32C中的第2台阶高度SH2大，并且比第5右侧区域ER5中的第2台阶高度SH2小。除此以外，第2右侧区域ER2中的第2台阶高度SH2、第3右侧区域ER3中的第2台阶高度SH2及第4右侧区域ER4中的第2台阶高度SH2以记载的顺序变大。 [0089] 换言之，在蒸镀用金属掩模30的多个端部区域32E中，越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，端部区域32E中的第2台阶高度SH2越大。 [0090] 如上述那样，越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，端部区域32E中的第1台阶高度SH1越小，所以在连接部32HC的第1部分HC1中，越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，第1部分HC1的强度越低。相对于此，越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，端部区域32E中的第2台阶高度SH2越大，所以在连接部32HC的第2部分HC2中，越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，第2部分HC2的强度越高。因此，在各端部区域32E中，能够用第2部分HC2的强度来补偿第1部分HC1中的强度的下降。 [0091] 并且，各右侧端部区域中的第2台阶高度SH2比同一右侧端部区域中的第1台阶高度SH1大。这样，在掩模部件32中，即使第1台阶高度SH1变小，通过第2台阶高度SH2是第1台阶高度SH1以上，也能抑制蒸镀用金属掩模30的强度变低。 [0092] 此外，第2右侧区域ER2中的第1台阶宽度SW1、第3右侧区域ER3中的第1台阶宽度SW1及第4右侧区域ER4中的第1台阶宽度SW1变得比中央区域32C中的第1台阶宽度SW1小，并且比第5右侧区域ER5中的第1台阶宽度SW1大。除此以外，第2右侧区域ER2中的第1台阶宽度SW1、第3右侧区域ER3中的第1台阶宽度SW1及第4右侧区域ER4中的第1台阶宽度SW1以记载的顺序变小。 [0093] 此外，第2右侧区域ER2中的第2台阶宽度SW2、第3右侧区域ER3中的第2台阶宽度SW2及第4右侧区域ER4中的第2台阶宽度SW2变得比中央区域32C中的第2台阶宽度SW2大，并且比第5右侧区域ER5中的第2台阶宽度SW2小。除此以外，第2右侧区域ER2中的第2台阶宽度SW2、第3右侧区域ER3中的第2台阶宽度SW2及第4右侧区域ER4中的第2台阶宽度SW2以记载的顺序变大。 [0094] 另外，在设掩模部件32的表面32F上的法线即穿过掩模部件32的中央的法线为对称轴的情况下，上述5个左侧端部区域具有与5个右侧端部区域线对称的关系。因此，省略关于左侧端部区域的详细说明。 [0095] [蒸镀用金属掩模的作用] [0096] 参照图7及图8说明蒸镀用金属掩模30的作用。另外，在图8中，为了图示的方便，仅表示蒸镀用金属掩模30具备的掩模部件32，此外掩模部件32中包含的掩模孔32H的大小被进行了夸大。蒸镀用金属掩模30例如用于形成构成有机EL显示装置具备的发光元件的有机层。 [0097] 如图7所示，当进行使用了掩模装置10的成膜时，首先，在掩模部件32的背面32R与蒸镀对象S接触的状态下，掩模装置10被固定到蒸镀装置具备的工作台上。蒸镀装置具备1个蒸镀源ES，掩模装置10以掩模区域32M的中央区域32C所包含的掩模孔与蒸镀源ES对置的方式被固定在工作台上。 [0098] 在蒸镀装置中，蒸镀装置中的蒸镀源ES的位置被固定，另一方面，工作台相对于蒸镀源ES的位置变化。工作台例如能够沿着穿过蒸镀源ES的中心且沿着1维方向延伸的直线移动，由此，各掩模部件32的中央区域32C中包含的掩模孔32H能够与蒸镀源ES对置。 [0099] 然后，蒸镀源ES开始蒸镀物质的释放，接着，工作台沿着1维方向移动，从而穿过了掩模部件32所包含的掩模孔32H的蒸镀物质到达沿着1维方向移动的蒸镀对象S。由此，在蒸镀对象S上形成有多个蒸镀图案。 [0100] 另外，蒸镀装置也可以是，蒸镀装置的工作台的位置被固定、另一方面蒸镀源ES相对于工作台的位置变化的结构。在这样的结构中，蒸镀源ES只要能够沿着穿过各掩模部件32的中央区域32C并且沿着1维方向延伸的直线移动就可以。 [0101] 如图8所示，在各掩模部件32的中央区域32C与蒸镀源ES对置的状态下，作为从蒸镀源ES释放的蒸镀物质DM的、朝向中央区域32C中包含的掩模孔32H飞行的蒸镀物质DM的飞行方向是大致沿着掩模部件32的表面32F的法线方向的方向。 [0102] 相对于此，在朝向比中央区域32C更向掩模区域32M的端部32ME侧飞行的蒸镀物质DM的飞行方向上，掩模区域32M的中央与蒸镀物质DM飞行的位置之间的距离越大，则从法线方向的偏差越大。更详细地讲，掩模区域32M的中央与蒸镀物质DM飞行的位置之间的距离越大，则蒸镀物质DM的飞行方向与法线方向所形成的角度越大。 [0103] 这里，从蒸镀源ES释放的蒸镀物质DM的量通常在与蒸镀源ES对置的位置最大，并且在蒸镀物质DM被释放的范围中具有偏差。并且，法线方向与飞行方向形成的角度越大，在与蒸镀源ES对置的掩模孔与其以外的掩模孔之间，蒸镀物质DM的量的差越变大。因此，在抑制按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚在掩模孔32H间的偏差的方面，优选的是在蒸镀对象S中减少蒸镀物质DM到达与蒸镀源ES对置的部位的量。 [0104] 在掩模孔32H中，由于小孔32HS具有朝向大开口32H1而前端变细的形状，所以第1台阶高度SH1及第2台阶高度SH2越大，则连接部32HC朝向掩模孔32H的内侧突出的量越大。由此，当从朝向掩模部件32的表面32F飞行的蒸镀物质DM观察蒸镀对象时，通过掩模部件32成为不需要的阴影的部分变大。换言之，由掩模部件32带来的遮蔽效果变大。并且，遮蔽效果变得越大，蒸镀物质DM穿过掩模孔32H的情况越通过连接部32HC而得到抑制。 [0105] 因此，根据蒸镀用金属掩模30具备的掩模部件32，中央区域32C中包含的掩模孔32H的第1部分HC1相比端部区域32E中包含的掩模孔32H的第1部分HC1进一步抑制了蒸镀物质DM穿过。所以，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模 30内提高。 [0106] 换言之，在抑制按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚在掩模孔32H间的偏差的方面，优选的是使掩模孔32H穿过以相对于法线方向偏差更小的飞行方向朝向掩模孔32H飞行的蒸镀物质DM。 [0107] 根据上述掩模部件32，以相对于法线方向偏差更小的飞行方向飞行的蒸镀物质DM到达端部区域32E中包含的掩模孔32H。因此，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高。 [0108] 在蒸镀用金属掩模30作为蒸镀图案的一例为了形成构成发光元件的有机层而使用时，通过使有机层的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高，能够在多个发光元件中提高发光元件发出的光的光量的均匀性。结果，能够使显示装置的显示品质提高。 [0109] 对此，如果按照掩模孔形成的有机层的膜厚在蒸镀用金属掩模内具有偏差，则在显示装置中多个发光元件发出的光的光亮中产生偏差。 [0110] 这样，具备使用蒸镀用金属掩模30形成的蒸镀图案的显示装置的制造方法包括形成蒸镀用金属掩模30的工序、和使用蒸镀用金属掩模30在蒸镀对象S上形成蒸镀图案的工序。 [0111] [蒸镀用金属掩模的制造方法] [0112] 参照图9至图13说明蒸镀用金属掩模30的制造方法。另外，以下说明蒸镀用金属掩模30的制造方法中的形成掩模部件32的工序。此外，在图9到图13中，为了图示的方便，表示了在与中央区域32C对应的部分上形成1个掩模孔32H的工序、和在与第1右侧区域ER1对应的部分上形成1个掩模孔32H的工序。 [0113] 在蒸镀用金属掩模30的制造方法中，形成包括中央区域32C和端部区域32E的掩模部件32。中央区域32C如上述那样，包括包含多个掩模孔32H在内的掩模区域32M的中央，并且包括用来与蒸镀源对置的多个掩模孔32H。端部区域32E其也如上述那样，位于比中央区域32C更靠掩模区域32M的端部32ME侧，并且包括与中央区域32C所含的掩模孔32H不同的多个掩模孔32H。 [0114] 如图9所示，当形成掩模部件32时，首先，准备包括表面41F和背面41R的金属掩模用基材41。金属掩模用基材41的厚度优选的是例如10μm以上且50μm以下。 [0115] 并且，在金属掩模用基材41的表面41F上配置第1抗蚀剂层42，并在金属掩模用基材41的背面41R上配置第2抗蚀剂层43。第1抗蚀剂层42及第2抗蚀剂层43的形成材料是负型抗蚀剂，但也可以是正型抗蚀剂。 [0116] 另外，抗蚀剂层对于各面的配置既可以通过将干膜抗蚀剂粘贴到各面上来进行，也可以通过将包含抗蚀剂材料的涂液涂敷到各面上并使涂液干燥而在各面上形成抗蚀剂层来进行。 [0117] 如图10所示，将各抗蚀剂层中的形成贯通孔的部位以外的部分曝光，将曝光后的各抗蚀剂层显影。由此，在第1抗蚀剂层42上形成第1贯通孔42H，并在第2抗蚀剂层43上形成第2贯通孔43H。换言之，将第1抗蚀剂层42布图而形成第1抗蚀剂图案42P，将第2抗蚀剂层43布图而形成第2抗蚀剂图案43P。 [0118] 此时，在各抗蚀剂层中，在用来形成中央区域32C中包含的掩模孔32H的部分中，如以下这样布图各抗蚀剂层。即，在与表面41F正交的截面中，以第1法线N1与第2法线N2一致的方式将各抗蚀剂层布图，所述第1法线N1是表面41F的法线，穿过第1贯通孔42H的开口的中心，所述第2法线N2是表面41F的法线，穿过第2贯通孔43H的开口的中心。 [0119] 另一方面，在各抗蚀剂层中，在用来形成第1右侧区域ER1中包含的掩模孔32H的部分中，以在与金属掩模用基材41的掩模部件32对应的区域中第1法线N1位于比第2法线N2更靠中央的位置的方式布图各抗蚀剂层。 [0120] 当将各抗蚀剂层曝光时，在各抗蚀剂层中在与金属掩模用基材41接触的面相反侧的面上，载置构成为使光到达形成贯通孔的部分以外的部分的原始模板(日语：原版)。此外，当将曝光后的各抗蚀剂层显影时，作为显影液可以使用例如碳酸钠水溶液。另外，当各抗蚀剂层的形成材料是正型抗蚀剂时，只要将各抗蚀剂层中的形成贯通孔的部分曝光就可以。 [0121] 如图11所示，从金属掩模用基材41的背面41R朝向表面41F，形成各掩模孔32H固有的小孔41HS，所述小孔41HS具有在背面41R上包括开口的小开口41H2、朝向表面41F而前端变细的形状。 [0122] 在形成小孔41HS的工序中，以第2抗蚀剂图案43P为掩模，使用例如氯化亚铁液，将金属掩模用基材41从背面41R朝向表面41F蚀刻。此时，在第1抗蚀剂图案42P上形成表面保护层44，以使金属掩模用基材41的表面41F不与背面41R同时被蚀刻。表面保护层44的形成材料只要是不易被氯化亚铁液蚀刻的材料就可以。 [0123] 如图12所示，将位于金属掩模用基材41的背面41R的第2抗蚀剂图案43P和接触在第1抗蚀剂图案42P上的表面保护层44除去。此外，在金属掩模用基材41的背面41R上，形成用来防止背面41R的蚀刻的背面保护层45。背面保护层45的形成材料只要是不易被氯化亚铁液蚀刻的材料就可以。 [0124] 如图13所示，从金属掩模用基材41的表面41F朝向背面41R，形成各掩模孔32H固有的大孔41HB，所述大孔41HB具有在表面41F上包括开口的大开口41H1并朝向背面41R而前端变细的形状。由此，形成将小孔41HS与大孔41HB连接的连接部41HC。另外，金属掩模用基材41的小孔41HS对应于掩模部件32的小孔32HS，金属掩模用基材41的大孔41HB对应于掩模部件32的大孔32HB，金属掩模用基材41的连接部41HC对应于掩模部件32的连接部32HC。 [0125] 通过形成连接部41HC，作为位于掩模区域32M的中央以外的位置的各连接部41HC，形成具有以下的形状的连接部41HC。即，连接部41HC具有遍及掩模孔32H的整周而朝向掩模孔32H的内侧突出的形状且由作为掩模区域32M的中央附近的部分的第1部分HC1、和作为掩模区域32M的端部32ME附近的部分的第2部分HC2构成。 [0126] 此外，第1部分HC1与背面41R之间的距离是第1台阶高度SH1，通过形成连接部41HC，作为端部区域32E的一例即第1右侧区域ER1中的连接部41HC，形成第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小的连接部41HC。 [0127] 在形成连接部41HC的工序中，以第1抗蚀剂图案42P为掩模，使用例如氯化亚铁液对金属掩模用基材41的表面41F进行蚀刻。由此，在金属掩模用基材41的表面41F上，形成经由第1抗蚀剂图案42P的第1贯通孔42H朝向背面41R凹陷的大孔41HB。 [0128] 如上述那样，在各抗蚀剂层中，在用来形成包含在中央区域32C中的掩模孔32H的部分中，第1法线N1与第2法线N2一致。另一方面，在用来形成包含在第1右侧区域ER1中的掩模孔32H的部分中，在金属掩模用基材41的与掩模部件32对应的区域中，第1法线N1位于比第2法线N2更靠中央附近的位置。 [0129] 因此，对于中央区域32C中包含的1个掩模孔32H所固有的大孔41HB及小孔41HS而言，以使大孔法线NB与小孔法线NS一致的方式形成大孔41HB。另外，金属掩模用基材41的大孔41HB的大孔法线NB与掩模部件32的大孔32HB的大孔法线NB对应，金属掩模用基材41的小孔41HS的小孔法线NS与掩模部件32的小孔32HS的小孔法线NS对应。 [0130] 另一方面，对于第1右侧区域ER1中包含的1个掩模孔32H所固有的大孔41HB及小孔41HS而言，以在金属掩模用基材41中的与掩模部件32对应的区域中大孔法线NB位于比小孔法线NS更靠中央的位置的方式形成大孔41HB。 [0131] 由此，作为在第1右侧区域ER1中包含的掩模孔32H，能够形成第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小的掩模孔32H。此外，作为第1右侧区域ER1中包含的掩模孔32H，能够形成法线间距离ND与第1抗蚀剂图案42P的第1法线N1与第2法线N2之间的距离大致相等的掩模孔32H。 [0132] 并且，通过将背面保护层45和第1抗蚀剂图案42P从金属掩模用基材41去除，能够得到上述蒸镀用金属掩模30具备的掩模部件32。 [0133] 另外，在第1抗蚀剂图案42P中的、用来形成包含在第1右侧区域ER1以外的右侧端部区域中的掩模孔的部分中，只要对应于各右侧端部区域中的法线间距离ND而设定第1抗蚀剂图案42P的第1法线N1与第2抗蚀剂图案43P的第2法线N2之间的距离就可以。此外，在第1抗蚀剂图案42P中的用来形成包含在各左侧端部区域中的掩模孔的部分中，只要根据各左侧端部区域的法线间距离ND来设定第1抗蚀剂图案42P的第1法线N1与第2抗蚀剂图案43P的第2法线N2之间的距离就可以。 [0134] [实施例] [0135] [实施例1] [0136] 准备形成材料是因瓦合金并且具有30μm的厚度的金属掩模用基材，形成上述第1宽度W1是440mm且第2宽度W2是40mm的掩模部件。在掩模部件上形成了多个掩模孔。在各掩模孔的连接部中，将划分多个端部区域的划分方向上的宽度设定为40μm，将与划分方向正交的方向上的宽度设定为50μm。此外，在掩模部件中将多个掩模孔配置为正方栅格状，将掩模孔取位的间距即小孔取位的间距设定为80μm。 [0137] 作为用来在金属掩模用基材上形成多个掩模孔的第1抗蚀剂图案及第2抗蚀剂图案，形成以下这样的抗蚀剂图案。即，作为第2抗蚀剂图案，形成用来形成小孔的第2贯通孔以一定的间隔排列的抗蚀剂图案。 [0138] 相对于此，作为第1抗蚀剂图案而形成第1贯通孔，以使得在用来形成中央区域中包含的掩模孔的部分、以及用来形成各端部区域中包含的掩模孔的部分中，第1贯通孔相对于第2贯通孔的位置相互不同。更详细地讲，在用来形成中央区域中包含的掩模孔的部分中，以使得在与金属掩模用基材的表面正交的截面中上述第1法线与第2法线一致的方式形成第1贯通孔。 [0139] 此外，在用来形成第1右侧区域及第1左侧区域的各自中包含的掩模孔的部分中，以使第1法线与第2法线之间的距离成为1μm的方式形成第1贯通孔。在用来形成第2右侧区域及第2左侧区域的各自中包含的掩模孔的部分中，以使第1法线与第2法线之间的距离成为2μm的方式形成第1贯通孔。 [0140] 在用来形成第3右侧区域及第3左侧区域的各自中包含的掩模孔的部分中，以使第1法线与第2法线之间的距离成为3μm的方式形成第1贯通孔。在用来形成第4右侧区域及第4左侧区域的各自中包含的掩模孔的部分中，以使第1法线与第2法线之间的距离成为4μm的方式形成第1贯通孔。在用来形成第5右侧区域及第5左侧区域的各自中包含的掩模孔的部分中，以使第1法线与第2法线之间的距离成为5μm的方式形成第1贯通孔。由此，在各区域中，形成具有在以下的表1及表2中表示的尺寸的掩模孔。 [0141] [表1] [0142] 中央区域 第1右侧区域 第2右侧区域 第3右侧区域 第4右侧区域 第5右侧区域法线间距离(μm) 0 1 2 3 4 5 第1台阶高度(μm) 2.7 2.2 1.7 1.2 0.7 0.1 第2台阶高度(μm) 2.7 3.0 3.3 3.5 3.8 4.0 [0143] [表2] [0144] 中央区域 第1左侧区域 第2左侧区域 第3左侧区域 第4左侧区域 第5左侧区域法线间距离(μm) 0 1 2 3 4 5 第1台阶高度(μm) 2.7 2.3 1.8 1.3 0.7 0.1 第2台阶高度(μm) 2.7 2.9 3.3 3.6 3.8 4.0 [0145] 如表1所示，在中央区域中的除了掩模区域的中央以外的部位中，确认形成了法线间距离是0μm、第1台阶高度是2.7μm、第2台阶高度是2.7μm的掩模孔。在第1右侧区域中，确认形成了法线间距离是1μm、第1台阶高度是2.2μm、第2台阶高度是3.0μm的掩模孔。 [0146] 在第2右侧区域中，确认形成了法线间距离是2μm、第1台阶高度是1.7μm、第2台阶高度是3.3μm的掩模孔。在第3右侧区域中，确认形成了法线间距离是3μm、第1台阶高度是1.2μm、第2台阶高度是3.5μm的掩模孔。 [0147] 在第4右侧区域中，确认形成了法线间距离是4μm、第1台阶高度是0.7μm、第2台阶高度是3.8μm的掩模孔。在第5右侧区域中，确认形成了法线间距离是5μm、第1台阶高度是0.1μm、第2台阶高度是4.0μm的掩模孔。 [0148] 如表2所示，在第1左侧区域，确认形成了法线间距离是1μm、第1台阶高度是2.3μm、第2台阶高度是2.9μm的掩模孔。在第2左侧区域，确认形成了法线间距离是2μm、第1台阶高度是1.8μm、第2台阶高度是3.3μm的掩模孔。 [0149] 在第3左侧区域，确认形成了法线间距离是3μm、第1台阶高度是1.3μm、第2台阶高度是3.6μm的掩模孔。在第4左侧区域，确认形成了法线间距离是4μm、第1台阶高度是0.7μm、第2台阶高度是3.8μm的掩模孔。在第5左侧区域，确认形成了法线间距离是5μm、第1台阶高度是0.1μm、第2台阶高度是4.0μm的掩模孔。 [0150] 即确认了：在与掩模部件的表面正交的截面中，通过越是距掩模部件的中央的距离大的端部区域越使法线间距离变大，从而能够越是距掩模部件的中央的距离大的端部区域，越使第1台阶高度小。 [0151] 并且，通过将这样的掩模部件安装到副框架上而形成蒸镀用金属掩模后，将蒸镀用金属掩模安装到主框架上，从而得到实施例1的掩模装置。 [0152] [比较例1] [0153] 除了作为第1抗蚀剂图案而形成了如下的第1抗蚀剂图案以外，通过与实施例1相同的方法，形成比较例1的掩模装置。上述第1抗蚀剂图案中，用来形成大孔的第1贯通孔以一定的间隔排列、并且大孔相对于与各大孔连接的1个小孔的位置是一定的。由此，作为掩模部件，得到了包括各掩模孔的法线间距离是零的多个掩模孔在内的掩模部件。 [0154] [评价结果] [0155] 将实施例1的掩模装置安装到蒸镀装置上，以规定的条件形成多个蒸镀图案，此外，将比较例1的掩模装置安装到蒸镀装置上，以与使用实施例1时相同的条件形成多个蒸镀图案。 [0156] 在使用实施例1的掩模装置形成的多个蒸镀图案和使用比较例1的掩模装置形成的多个蒸镀图案中，计算出多个蒸镀图案间的膜厚的偏差。由此，确认了使用实施例1的掩模装置形成的多个蒸镀图案中的膜厚的偏差具有比使用比较例1的掩模装置形成的多个蒸镀图案中的膜厚的偏差小的趋向。 [0157] 如以上说明，根据蒸镀用金属掩模的一实施方式，能够得到以下列举的效果。 [0158] (1)中央区域32C中包含的掩模孔32H的第1部分HC1与端部区域32E中包含的掩模孔32H的第1部分HC1相比，能够抑制蒸镀物质DM穿过。因此，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高。 [0159] (2)即使第1台阶高度SH1变小，通过使第2台阶高度SH2是第1台阶高度SH1以上，也能抑制蒸镀用金属掩模30的强度变低。 [0160] (3)仅通过改变大孔32HB相对于小孔32HS的位置，就能够使端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，所以蒸镀用金属掩模30的设计较容易。 [0161] (4)越是距中央区域32C的距离较小的端部区域32E包含的掩模孔32H的第1部分HC1，与位于比该端部区域32E更靠掩模区域32M的端部侧的端部区域32E包含的掩模孔32H相比，越能抑制蒸镀物质DM穿过。因此，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高。 [0162] (5)越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，端部区域32E中的第2台阶高度SH2越变大，所以在各端部区域32E中，能够用第2部分HC2的强度来补偿第1部分HC1中的强度的下降。 [0163] 另外，上述实施方式也可以如以下这样适当变更来实施。 [0164] ·在多个端部区域32E中的第5右侧区域ER5中，包含掩模区域32M的端部32ME的区域中的第1台阶高度SH1也可以不是零。即使是这样的结构，只要越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，该端部区域32E中的第1台阶高度SH1越小，则也能得到与上述(4)同等的效果。 [0165] ■中央区域32C中的第1台阶高度SH1和第2台阶高度SH2也可以是相互不同的大小。即使是这样的结构，只要越是距中央区域32C的距离较大的端部区域32E，该端部区域32E中的第1台阶高度SH1越小，则也能得到与上述(4)同等的效果。此外，只要端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，则能够得到与上述(1)同等的效果。 [0166] ■各区域中的第1台阶宽度SW1及第2台阶宽度SW2各自并不限于在上述实施方式中例示的大小，只要是根据各区域中的第1台阶高度SH1及第2台阶高度SH2的大小决定的大小就可以。 [0167] ■在掩模区域32M中，也可以仅包含掩模区域32M的端部32ME的区域是端部区域32E，在掩模区域32M中，也可以包含作为被中央区域32C和端部区域32E夹着的区域的、不属于中央区域32C和端部区域32E的任一个的区域。在此情况下，也可以是，端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，另一方面，中央区域32C与端部区域32E之间的区域中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小。 [0168] 根据这样的结构，能够得到以下记载的效果。 [0169] (6)由于端部区域32E包含从蒸镀源ES释放出的蒸镀物质DM在1个掩模区域32M中最不易到达的端部32ME，所以容易得到因使端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小带来的效果。 [0170] ■掩模区域32M具备多个端部区域32E的结构也可以不是越是距掩模区域32M的中央的距离大的端部区域32E则第1台阶高度SH1越小的结构。例如，也可以是越是距掩模区域32M的中央的距离大的端部区域32E则第1台阶高度SH1越大的结构。此外，例如也可以使掩模区域32M的中央附近的端部区域32E中的第1台阶高度SH1比端部32ME附近的端部区域32E中的第1台阶高度SH1大。 [0171] 即使是这些结构，只要各端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度小，就能够得到与上述(1)同等的效果。 [0172] ■掩模区域32M并不限于具备10个端部区域32E的结构，只要是具备至少1个端部区域32E的结构就可以。此外，在掩模区域32M中，位于中央区域32C的右侧的端部区域32E的数量与位于中央区域32C的左侧的端部区域32E的数量也可以相互不同。 [0173] ■在多个端部区域32E中，各端部区域32E中的法线间距离ND也可以相互相等，在多个端部区域32E中，也可以距掩模部件32的中央的距离越大则法线间距离ND越小。即使是这样的结构，只要端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，则能得到与上述(1)同等的效果。 [0174] ■只要大孔32HB具有朝向小开口32H2而前端变细的形状，大孔32HB的内周面HB1也可以不是弧状。此外，只要小孔32HS具有朝向大开口32H1而前端变细的形状，小孔32HS的内周面HS1也可以不是弧状。在此情况下，大孔32HB的内周面HB1与小孔32HS的内周面HS1这两者可以不是弧状，也可以某一方不是弧状。 [0175] ■在各端部区域32E中，第2台阶高度SH2和第1台阶高度SH1也可以相互相等。此外，在中央区域32C及各端部区域32E中，第2台阶高度SH2也可以比第1台阶高度SH1小。即使是这样的结构，只要端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，也能够得到与上述(1)同等的效果。 [0176] ■金属掩模用基材41的形成材料及掩模部件32的形成材料是铁与镍的合金，并且也可以作为添加物而含有铬。或者，金属掩模用基材41的形成材料及掩模部件32的形成材料也可以是铁与镍的合金以外的合金或金属。 [0178] ■用来形成掩模部件32的金属掩模用基材41可以是除了单一的金属制的层以外还具备树脂制的层、将金属制的层与树脂制的层层叠而成的结构。或者，金属掩模用基材41也可以具有具备2个金属制的层和树脂制的层、树脂制的层被2个金属制的层夹着的结构。 [0179] 即使是这样的结构，也只要各掩模孔包括朝向小开口而前端变细的大孔、朝向大开口而前端变细的小开口、和将大孔与小孔连接的连接部，并且端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小就可以。只要是这样的结构，就能够得到与上述(1)同等的效果。另外，金属掩模用基材中的树脂制的层例如可以通过照射激光光线来蚀刻。 [0180] ■掩模部件32也可以除了掩模区域32M以外还包括作为没有形成掩模孔的区域的非掩模区域。例如，掩模部件32也可以在多个掩模孔32H排列的方向上、在2个端部的两者上具有各1个非掩模区域。 [0181] ■在蒸镀装置具备多个蒸镀源ES、1个蒸镀用金属掩模30与多个蒸镀源ES对置的结构中，1个掩模部件32也可以包含多个掩模区域32M。在这样的结构中，只要各掩模区域32M具有中央区域32C和端部区域32E就可以。并且，在各掩模区域32M中，只要端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，就能够按照掩模区域32M得到与上述(1)同等的效果。 [0182] 另外，在1个蒸镀用金属掩模30包括多个掩模区域32M的结构中，各掩模区域32M也可以具有多个端部区域32E，也可以作为包括各掩模区域32M的端部32ME的区域而具备端部区域32E。 [0183] ■也可以由蒸镀用金属掩模具备的多个掩模孔的全部构成1个掩模区域32M，并且端部区域32E及中央区域32C分别是以下的结构。即，端部区域32E包括掩模区域32M的端部32ME，并且包括多个掩模孔32H。另一方面，中央区域32C位于比端部区域32E更靠掩模区域 32M的中央侧，并且包括与端部区域32E中包含的掩模孔32H不同、且用来与蒸镀源ES对置的多个掩模孔32H。 [0184] 在这样的结构中，如果是蒸镀装置仅具备1个蒸镀源ES的结构，则蒸镀用金属掩模30仅与1个蒸镀源ES对置。相对于此，如果是蒸镀装置具备多个蒸镀源ES的结构，则也可以以蒸镀用金属掩模30与多个蒸镀源ES对置的方式配置在蒸镀装置中。当蒸镀用金属掩模30仅与1个蒸镀源ES对置时，掩模区域32M具备1个中央区域32C，另一方面，当蒸镀用金属掩模 30与多个蒸镀源ES对置时，掩模区域32M具备多个中央区域32C。 [0185] 不论是哪种情况，只要端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小，就能够得到以下记载的效果。 [0186] (7)不论与掩模区域32M对置的蒸镀源ES是1个还是多个，包含掩模区域32M的端部32ME的端部区域32E中的第1台阶高度SH1都比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小。因此，中央区域32C中包含的掩模孔32H的第1部分HC1与端部区域32E中包含的掩模孔32H的第1部分HC1相比，能够抑制蒸镀物质DM穿过。所以，能够使按照掩模孔32H形成的蒸镀图案的膜厚的均匀性在蒸镀用金属掩模30内提高。 [0187] ■1个蒸镀用金属掩模30也可以具备多个掩模部件32。在这样的结构中，副框架31只要具有与掩模部件32相同数量的副框架孔30H就可以。此时，如果是蒸镀装置具备1个蒸镀源的结构，则多个掩模部件32构成1个掩模区域32M。此外，如果是蒸镀装置具备多个蒸镀源、并且蒸镀用金属掩模对应于多个蒸镀源而具有1个掩模区域32M的结构，则多个掩模部件32构成1个掩模区域32M。 [0188] 相对于此，如果是蒸镀装置具备多个蒸镀源、并且蒸镀用金属掩模按照每1个蒸镀源而具有1个掩模区域的结构，则既可以各掩模部件32构成1个掩模区域，也可以各掩模部件32构成多个掩模区域。或者，也可以1个掩模区域32M跨越多个掩模部件32。 [0189] ■如图14所示，各掩模孔32H的大孔32HB和在掩模孔32H排列的方向上相互相邻的掩模孔32H的大孔32HB也可以在大开口32H1处相互相连。即使是这样的结构，只要各掩模孔32H包括朝向小开口32H2而前端变细的大孔32HB、朝向大开口32H1而前端变细的小孔32HS、将大孔32HB和小孔32HS连接的连接部32HC，并且端部区域32E中的第1台阶高度SH1比中央区域32C中的第1台阶高度SH1小就可以。只要是这样的结构，就能够得到与上述(1)同等的效果。 [0190] 另外，在图14中，表示了掩模区域32M中的第5右侧区域ER5的截面构造，但在掩模区域32M的其他区域、即中央区域32C及其他端部区域32E中，也与第5右侧区域ER5同样，也可以相互相邻的大孔32HB在大开口32H1处相互相连。 [0191] 标号说明 [0192] 10掩模装置；20主框架；20H主框架孔；30蒸镀用金属掩模；30H副框架孔；31副框架；32掩模部件；32C中央区域；32E端部区域；32F、41F表面；32H掩模孔；32H1、41H1大开口；32H2、41H2小开口；32HB、41HB大孔；32HC、41HC连接部；32HS、41HS小孔；32M掩模区域；32ME端部；32R、41R背面；41金属掩模用基材；42第1抗蚀剂层；42H第1贯通孔；42P第1抗蚀剂图案；43第2抗蚀剂层；43H第2贯通孔；43P第2抗蚀剂图案；44表面保护层；45背面保护层；DM蒸镀物质；EL1第1左侧区域；EL2第2左侧区域；EL3第3左侧区域；EL4第4左侧区域；EL5第5左侧区域；ER1第1右侧区域；ER2第2右侧区域；ER3第3右侧区域；ER4第4右侧区域；ER5第5右侧区域；ES蒸镀源；HB1；HS1内周面；HC1第1部分；HC2第2部分；N1第1法线；N2第2法线；NB大孔法线；ND法线间距离；NS小孔法线；S蒸镀对象；SH1第1台阶高度；SH2第2台阶高度；SW1第1台阶宽度；SW2第2台阶宽度。 |
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