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基板载具
申请号	CN201390000218.6	申请日	2013-01-18	公开(公告)号	CN204570033U	公开(公告)日	2015-08-19
申请人	应用材料公司;			发明人	栗田真一; B·M·约翰斯通;
摘要	本实用新型涉及一种基板载具，包括：框体，被配置成容纳基板于其中并且支撑基板，其中所述框体包括多个夹具，用以固定所述基板于所述框体中；以及轨道，附接于所述框体，其中所述轨道包括可磁性化材料，所述框体的外表面以及所述轨道包括等离子体相容材料。根据本实用新型实施例的处理腔包括以相容于清洁用等离子体的材料封装、涂覆或制造的部件。根据本实用新型实施例的基板载具可以相容于清洁用等离子体的材料制成或涂覆。根据本实用新型实施例，等离子体清洁动作可在具有一个或多个基板载具的处理腔中执行，这些基板载具未承载任何基板，以清洁这一个或多个基板载具以及腔体部件。
权利要求	1.一种基板载具，包括：框体，被配置成容纳基板于其中并且支撑基板，其中所述框体包括多个夹具，用以固定所述基板于所述框体中；以及轨道，附接于所述框体，其中所述轨道包括可磁性化材料，所述框体的外表面以及所述轨道包括等离子体相容材料。 2.如权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述框体包括上段、下段以及两个侧边段，所述上段、所述下段以及所述两个侧边段围绕位于其中的矩形内部开口，所述框体的一侧形成有步阶。 3.如权利要求2所述的基板载具，还包括设置于所述步阶上的多个接触垫，于操作期间内，所述多个接触垫接触所述基板。 4.如权利要求2所述的基板载具，还包括设置于所述框体上的多个夹具，所述多个夹具的每一个定位成能将所述基板压向所述步阶。 5.如权利要求2所述的基板载具，还包括多个连接器，所述多个连接器将所述轨道耦接至所述框体的所述上段。 6.如权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述框体包括所述等离子体相容材料的涂层。 7.如权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述轨道的所述可磁化材料封装于所述等离子体相容材料之中。 8.如权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述等离子体相容材料包括铝、陶瓷或聚四氟乙烯。 9.如权利要求2所述的基板载具，还包括附接于所述框体的所述下段的下部边缘，所述下部边缘塑形为能与驱动机构互动，以移动所述基板载具。 10.如权利要求9所述的基板载具，其特征在于，所述下部边缘塑形为与多个滚轮互动。 11.如权利要求9所述的基板载具，其特征在于，所述下部边缘包括含有铝、陶瓷或聚四氟乙烯的涂层。 12.如权利要求1所述的基板载具，其特征在于，所述等离子体相容材料包括纯度高于 96％的氧化铝。
说明书全文	基板载具技术领域 [0001] 本实用新型的实施例一般是关于处理大面积基板的装置及方法。更特定地，本实用新型的实施例是关于用以于大面积基板处理腔中清洁基板载具与部件的装置及方法。背景技术 [0002] 平面显示器及太阳能面板的工艺通常包括在大面积基板上沉积薄膜。薄膜可利用化学气相沉积(chemical vapor deposition)工艺沉积，在化学气相沉积中，化学前体被导入至处理腔(processing chamber)中，进行化学反应以形成预定的化合物或材料，然后沉积在定位于处理腔内的基板上。在处理及传递大面积基板进出处理腔的期间内，有时会使用基板载具来支撑大面积基板。在沉积工艺中，化学前体除了在大面积基板上反应并形成薄膜之外，也可能会在基板载具和腔体部件上反应并形成薄膜。基板载具及腔体部件上的薄膜形成可能会造成微粒污染(particle contamination)。可通过使用等离子体来清洁腔体部件来减低微粒污染。传统的大面积基板的基板载具，以及用来支撑及搬运大面积基板的腔体部件通常以不锈钢制成，以获得足以承载大面积基板的结构强度。然而，不锈钢并不相容于清洁用等离子体(cleaning plasma)。因此，传统的大面积基板的基板载具及处理腔需要打开腔体的手动清洁，使系统停机时间延长。所以，存在有清洁用以处理大面积基板的基板载具及腔体部件的需要。实用新型内容 [0003] 本实用新型的实施例是关于一种垂直处理系统，具有与清洁用等离子体相容的腔体部件。本实用新型的实施例也关于一种可用等离子体来清洁的基板载具。 [0004] 本实用新型的一实施例提供一种基板载具。基板载具包括用以容纳与支撑基板于其中的框体。框体包括多个夹具，用以固定基板于框体中。基板载具也包括附接于框体的上部轨道。上部轨道包括可磁性化的材料，框体的外表面以及上部轨道与清洁用等离子体相容。 [0005] 本实用新型的另一实施例提供一种用以处理大面积基板的装置。装置包括腔体及等离子体源。腔体定义一内部空间。等离子体源邻近内部空间的中间区域设置，并分隔内部空间为第一处理区域与第二处理区域。装置也包括第一直线滚轮轨道、第一磁轨及第一背板，第一直线滚轮轨道设置于第一处理区域的下部，用以于垂直方向支撑及传输基板载具；第一磁轨设置于第一处理区域的上部，用以在垂直方向上导引被第一直线滚轮轨道所支撑的基板载具；第一背板可移动地设置在第一处理区域内。第一背板被配置成附接于位于第一直线滚轮轨道上的基板载具，以密封基板载具的背侧。装置还包括第二直线滚轮轨道、第二磁轨及第二背板，第二直线滚轮轨道设置于第二处理区域的下部，用以于垂直方向支撑及传输基板载具；第二磁轨设置于第二处理区域的上部，用以在垂直方向上导引由第二直线滚轮轨道所支撑的基板载具；第二背板可移动地设置在第二处理区域内。第二背板被配置成附接于位于第二直线滚轮轨道上的基板载具，以密封基板载具的背侧。 [0006] 本实用新型的另一实施例提供一种用以处理大面积基板的系统布局。系统布局包括前述实施例所公开的用以处理大面积基板的装置、第一装料锁定腔、第二装料锁定腔、第一装载/卸载托架及第二装载/卸载托架。第一装载/卸载托架可移动地附接于第一装料锁定腔，第二装载/卸载托架可移动地附接于第二装料锁定腔。第一装料锁定腔被配置成装载及卸载基板载具至装置的第一直线滚轮轨道，第二装料锁定腔被配置成装载及卸载基板载具至装置的第二直线滚轮轨道。 [0007] 本实用新型的另一实施例提供一种等离子体清洁载具的方法。此方法包括于处理腔中容纳未承载基板的基板载具，此处理腔被配置为处理位于垂直方向上的一个或多个大面积基板；以及于处理腔中产生清洁用等离子体，以清洁基板载具与处理腔的内部表面。根据本实用新型的一实施例，在沉积期间用以覆盖基板背侧的背板的表面也可与处理腔的内表面同时用等离子体清洁。等离子体清洁期间背板可与基板载具相隔一距离。 [0008] 根据本实用新型一方面，提供了一种基板载具，包括：框体，被配置成容纳基板于其中并且支撑基板，其中所述框体包括多个夹具，用以固定所述基板于所述框体中；以及轨道，附接于所述框体，其中所述轨道包括可磁性化材料，所述框体的外表面以及所述轨道包括等离子体相容材料。 [0009] 根据本实用新型又一方面，所述框体包括上段、下段以及两个侧边段，所述上段、所述下段以及所述两个侧边段围绕位于其中的矩形内部开口，所述框体的一侧形成有步阶。 [0010] 根据本实用新型又一方面，所述基板载具还包括设置于所述步阶上的多个接触垫，于操作期间内，所述多个接触垫接触所述基板。 [0011] 根据本实用新型又一方面，所述基板载具还包括设置于所述框体上的多个夹具，所述多个夹具的每一个定位成能将所述基板压向所述步阶。 [0012] 根据本实用新型又一方面，所述基板载具还包括多个连接器，所述多个连接器将所述轨道耦接至所述框体的所述上段。 [0013] 根据本实用新型又一方面，所述框体包括所述等离子体相容材料的涂层。 [0014] 根据本实用新型又一方面，所述轨道的所述可磁化材料封装于所述等离子体相容材料之中。 [0015] 根据本实用新型又一方面，所述等离子体相容材料包括铝、陶瓷或聚四氟乙烯。 [0016] 根据本实用新型又一方面，所述基板载具还包括附接于所述框体的所述下段的下部边缘，所述下部边缘塑形为能与驱动机构互动，以移动所述基板载具。 [0017] 根据本实用新型又一方面，所述下部边缘塑形为与多个滚轮互动。 [0018] 根据本实用新型又一方面，所述下部边缘包括含有铝、陶瓷或聚四氟乙烯的涂层。 [0019] 根据本实用新型又一方面，所述等离子体相容材料包括纯度高于96％的氧化铝。附图说明 [0020] 为了可以详细理解本实用新型的上述特征的方式，可以参照实施例对以上简述的本实用新型作更具体的描述，一些实施例图示于附图中。然而应当注意，附图仅图示本实用新型的典型实施例，因此不视为限定本实用新型的范围，本实用新型承认其他等效的实施例。 [0021] 图1是根据本实用新型一实施例的系统布局的平面图。 [0022] 图2是根据本实用新型一实施例的化学气相沉积腔的剖面图。 [0023] 图3A至图3F是根据本实用新型一实施例的基板载具的示意图。 [0024] 为便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来表明附图中共同的相同元件。可以构想，一个实施例中公开的元件可有利地应用于其他实施例而无须特别复述。具体实施方式 [0025] 本实用新型的实施例是关于一种在处理腔中清洁基板载具与部件的装置及方法。特别地，本实用新型的实施例关于具有相容于等离子体清洁动作(plasma cleaning)的腔体部件的处理腔。本实用新型的实施例也关于在未承载基板时相容于等离子体清洁动作的基板载具。根据本实用新型实施例的处理腔可包括用相容于清洁等离子体的材料封装、涂覆或制造的部件。根据本实用新型实施例的基板载具可以与清洁用等离子体相容的材料来形成或涂覆。根据本实用新型实施例，等离子体清洁动作可在具有一个或多个的基板载具的处理腔中执行，而这些基板载具上没有任何基板，以清洁此一个或多个的基板载具与腔体部件。 [0026] 图1是根据本实用新型一实施例的系统布局(system layout)100的平面图。系统布局100被配置成当在实质上垂直的方向上放置大面积基板时处理大面积基板。系统布2 局100可制作成处理表面积超过90,000平方毫米(mm)的基板的大小。 [0027] 系统布局100包括两个装载/卸载托架(loader/unloader carriages)102A、102B、两个装料锁定腔(load lock chamber)104A、104B以及处理腔106。系统布局100被配置成可在大面积基板上进行化学气相沉积。装料锁定腔104A、104B用以在处理腔106中的真空环境与位于大气环境的装载/卸载托架102A、102B之间交换基板。 [0028] 处理腔106包括设置在接近处理腔106中间的等离子体源112，等离子体源112将处理腔106的内部空间分隔为两个对称的处理空间(processing volumes)114A、114B。处理腔106被配置成能在各个处理空间114A、114B中接收及处理单一基板，以及同时处理两个基板。装料锁定腔104A、104B分别通过狭缝闸门(slit valve door)110A、110B耦接于双处理腔106。各个装料锁定腔104A、104B被配置成可在对应的处理空间114A、114B中装载及卸载基板。装载/卸载托架102A、102B邻近于装料锁定腔104A、104B可移动地设置，位在处理腔106的相反侧。 [0029] 装载/卸载托架102A、102B包括直线滚轮轨道(linear roller track)116A、116B，用以垂直方向上承载及移动基板进出装料锁定腔104A、104B。各个装料锁定腔104A、 104B包括两组直线滚轮轨道118A、120A、118B、120B，各被配置成能承载与移动其上的一块基板。两组直线滚轮轨道118A、118B使装料锁定腔104A、104B能够同时容纳进来的基板与将输出的基板。处理腔106包括位于各个处理空间114A、114B中的直线滚轮轨道122A、 122B。直线滚轮轨道122A、122B在处理工艺中沿着箭头124A、124B所示的方向调整被处理的基板与等离子体源122间的距离，以及在装载和卸载过程中对齐直线滚轮轨道118A、 120A、118B、120B。 [0030] 图2是根据本实用新型一实施例的处理腔106的剖面图。处理腔106被配置成使用等离子体处理大面积基板，例如等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)。 [0031] 处理腔106包括围绕内部空间114的腔顶202、腔底204以及腔体侧壁206。腔体侧壁206可以可拆卸地安装在一框架(未绘示)上，以便在维护腔体时能够方便的移除并打开处理腔106。腔顶202、腔底204以及腔体侧壁206(仅绘示其中之一)可具有相容于等离子体清洁动作的内表面，其中等离子体例如是NF3等离子体。腔顶202、腔底204以及腔体侧壁206可用铝制成。或者腔顶202、腔底204以及腔体侧壁206 的内表面可具有铝、铁氟龙(聚四氟乙烯)或陶瓷的涂层，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝。在一实施例中，腔顶202、腔底204以及腔体侧壁206可涂覆纯度高于96％的高纯度铝。 [0032] 等离子体源112沿着处理腔106的中央平面218耦接腔顶202以及腔底204。等离子体源112包括多个管体210，管体210穿过腔顶202以及腔底204而垂直地设置于内部空间114中。多个管体210可用固体陶瓷(solid ceramic)制成，其上可形成穿孔使激发气体(excitant gas)通过。多个天线208可互相平行并沿着中央平面218的长度均匀分布。一天线208设置于各个多孔管体210的内部空间211中。多个端盖212于处理腔106外侧耦接至管体210，以密封内部空间211。气体源214可以通过端盖212被连接，以提供激发气体(excitation gas)至内部空间211中。各个天线208可耦接于电源216以产生等离子体。电源216可以是传给天线的射频(radio frequentcy,RF)电源、特高频(very high frequency,VHF)电源、超高频(ultra high frequency,UHF)电源或微波电源。 [0033] 激发气体例如是氩(Ar)、氙(Xe)和/或氪(Kr)，激发气体可由气体源214供应至内部空间211，其中等离子体藉施加于天线208上的电源而产生。等离子体中的自由基种(radical species)接着透过多孔管体210扩散进入处理空间114A/114B以进行处理。 [0034] 多个气体传输管222位于处理空间114A、114B中，以自处理气体源(process gas source)220传输一种或多种处理气体(processing gases)。多个气体传输管222可在处理空间114A、114B内平行于中央平面218的两个平面上均匀分布。处理气体源220可提供多种处理气体，例如用于氮化硅(silicon nitride)沉积的SiH4,Si2H6及NH3。处理气体源220也可提供NF3以进行等离子体清洁动作。气体传输管222可用铝或陶瓷制成，并具有多个孔洞，多个孔洞沿着气体分布长度222A分布，使处理气体能够进入处理空间114A、114B中，进而与自等离子体源112扩散而来的等离子体反应。等离子体源112的管体210可长于气体运输管222的气体分布长度。气体分布长度一般大于基板230的长度。管体210的长度、气体分布长度222A以及基板230长度的差异增进颗粒性能(particle performance)且也增加了气体的使用效率。 [0035] 处理腔106包括分别设置在处理空间114A、114B中的两个基板支撑组件224。各个基板支撑组件224包括设置在处理空间114A或114B下部的多个滚轮226。多个滚轮226是直线排列，以形成直线滚轮轨道122A、122B。各个基板支撑组件224也包括设置在处理空间114A或114B上部的一磁轨232。磁轨232与多个滚轮226对齐以于垂直方向支撑和传送基板载具228。基板载具228被配置成能固定和支撑基板 230。 [0036] 各个滚轮226可包括用以容纳基板载具228的下部边缘242的沟槽240。基板载具228的下部边缘242接触滚轮226。各个滚轮226耦接于心轴(shaft)246。心轴246延伸穿过腔体侧壁206且连接于位在腔体侧壁206外侧的驱动机构248。驱动机构248被配置成能旋转心轴246以及滚轮226，以移动基板载具228进出处理腔106。驱动机构248也可使心轴246更加伸入内部空间114，以及将心轴246自内部空间114抽出，使滚轮226能同时横向移动。滚轮226的横向移动可用来于装载与卸载期间将滚轮对齐于直线滚轮轨道108A/108B或110A/110B。滚轮226的横向移动也可用来在处理期间调整基板230与等离子体源112之间的距离。 [0037] 磁轨232包括面向下方的沟槽238，用以容纳基板载具228的上部轨道244。磁轨232可通过将一个或多个磁铁234封装入等离子体相容材料(plasma compatible material)236来制成。一个或多个磁铁234可为永久磁铁。等离子体相容材料236能承受例如是NF3等离子体的清洁用等离子体。等离子体相容材料236可依等离子体的类型选自不同材料。当使用NF3等离子体时，等离子体相容材料236可为铝、铁氟龙(聚四氟乙烯)或陶瓷，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。等离子体相容材料236被塑形以制成沟槽238以容纳基板载具228。或者，可用磁铁234形成沟槽238，再涂覆上等离子体相容材料，例如铝、铁氟龙或陶瓷，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。磁轨232安装于一个或多个心轴250上。心轴250延伸穿过腔体侧壁206，并连接至驱动机构248。驱动机构248可同步地带动心轴246与心轴250伸长或收缩，使磁轨232与滚轮226保持在同一平面。基板载具228的上部轨道244包括可被磁化的材料，使得通过上部轨道244与磁铁234之间的排斥力，在不接触磁轨232的情况下，上部轨道244能固定于磁轨232中。当上部轨道244滑入沟槽238中的同时，基板载具228相对于磁轨232移动。 [0038] 滚轮226、心轴246及心轴250也具有相容于清洁用等离子体的外表面，其中等离子体例如是NF3等离子体。滚轮226、心轴246及心轴250可用铝或陶瓷形成。或者，滚轮226、心轴246及心轴250可以包括铝、铁氟龙或陶瓷的涂层，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。举例来说，滚轮226、心轴246及心轴250可以由涂覆铝、铁氟龙或陶瓷的不锈钢制成，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。 [0039] 处理腔106也包括一背板组件252，被配置用来覆盖基板230的背侧230A，以避免在处理期间背侧230A上出现不想要有的沉积。背板组件252包括平面板254，平面板254耦接于一个或多个杆体(beams)256，杆体256支撑位于实质上垂直位置的背板254。平面板254的尺寸可略为大于待处理的基板230，以完全覆盖基板230的背侧230A。一个或多个杆体256延伸穿过腔体侧壁206且连接至驱动机构258。驱动机构258通过伸长和收缩杆体256以横向移动平面板254。横向移动使得平面板254在操作时移近并附着基板载具228，以及在装载和卸载时远离基板载具228。 [0040] 平面板254以及一个或多个杆体256具有相容于清洁用等离子体的外表面，其中等离子体例如是NF3等离子体。平面板254以及此一个或多个杆体256可以用铝或陶瓷形成。或者，平面板254以及此一个或多个杆体256可包括铝、铁氟龙或陶瓷的涂层，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。举例来说，平面板254以及此一个或多个杆体256可用涂覆铝、铁氟龙或陶瓷的不锈钢制成，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。 [0041] 图3A至图3F绘示根据本实用新型一实施例的基板载具228的示意图。基板载具228被配置成在处理期间传送与支撑大面积基板230。基板载具228具有相容于清洁用等离子体的外表面，其中等离子体例如是NF3等离子体，使得基板载具228在其上未装载基板的时候可以用等离子体来清洁。等离子体清洁动作可移除处理期间在基板载具上形成的不想要的沉积物，以及减少不想要的沉积物导致的微粒污染(particle contamination)。此外，由于基板载具228可以被等离子体清洁，不须如同传统大面积基板的处理方式，将基板载具228用遮蔽框覆盖。 [0042] 图3A是显示框体302的基板装载侧312的基板载具228的示意图。在操作过程中，基板装载侧312背对处理环境，像是等离子体源和气体传输管。框体302分成四段，围成位于其中的矩形的内部开口304。框体302具有步阶(step)308，形成在基板装载侧312。步阶308自内部开口304朝垂直壁306延伸。多个接触垫336可于步阶308上附接于框体 302。接触垫336可用铁氟龙制成。垂直壁306形成矩形形状，矩形形状的尺寸大于基板，且内部开口304的尺寸小于基板，如此可使基板的外侧边缘于步阶308处被支撑在多个接触垫336上。当框体302覆盖基板的外边缘时，内部开口304提供一个暴露出基板的处理区域的窗口。多个夹具(clamp)316于基板装载侧312上环绕框体302分布。多个夹具316被配置成能朝步阶308处对基板加压，以固定基板于基板载具228上。 [0043] 上部轨道244通过多个连接器314附接于框体302的上段302A。上部轨道244包括可被磁化的材料，使得基板载具228可被磁轨导引。 [0044] 下部边缘242耦接于框体302的下段302B。下部边缘242被配置成接触处理腔106、装料锁定腔104A、104B以及装载/卸载托架102A、102B内的驱动滚轮。 [0045] 基板载具228更包括附接于位在基板装载侧312的框体302的外侧边缘的密封结构330。密封结构330围绕垂直壁306。在操作期间，背板254(例如是平面背板254)可与密封结构330接触，并于固定在基板载具228上的基板的背侧形成密封，以防止工艺化学物质接触基板的背侧。 [0046] 图3B是基板载具228的侧面剖视图。如图3B所示，上部轨道244可包括可磁化核心332，可磁化核心332以等离子体相容材料334封装。等离子体相容材料334可包括铝、铁氟龙或陶瓷，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。图3C是显示框体302的处理侧310的示意图。处理侧310面对处理环境，例如等离子体源和气体传输管。处理侧310框住基板以仅暴露出位于内部开口304内的区域。框体302可作为遮蔽框，防止基板的外缘被处理。 [0047] 框体302、连接器314以及下部边缘242具有相容于清洁用等离子体的外表面，其中等离子体例如是NF3等离子体。框体302、连接器314以及下部边缘242可以铝或陶瓷制成。或者框体302、连接器314以及下部边缘242可包括铝、铁氟龙或陶瓷的涂层，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。举例来说，框体302、连接器314以及下部边缘242可用涂覆有铝、铁氟龙或陶瓷的不锈钢制成，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。 [0048] 图3D为基板载具228的部分视图，显示了多个夹具316之一。图3E为基板载具228的部分剖面图，显示了夹具316固定基板230于基板载具上。多个夹具316的每一个设置于形成在框体302的基板装载侧312的凹处(recess)318内。夹具316包括夹具本体 320，可沿枢轴322转动。夹具本体320具有接触端324及位于枢轴322相反侧的自由端 326。夹具316也包括弹簧328，自夹具本体320的接触端324朝框体302加压。弹簧328对接触端324提供压力，以将基板230推向框体302。接触垫325可附接于接触端324上，以接触基板230。接触垫325可用铁氟龙制成。 [0049] 图3E为基板载具228的部分视图，显示了位于基板装载/卸载位置的夹具316。为了装载或卸载基板，可施加外力F于夹具本体320的自由端326，外力F例如是通过大头针(push pin)施加。夹具本体320以枢轴322为中心旋转，接触端324旋转远离基板230。接着基板230可自基板载具228释放，而可装载新的基板。 [0050] 夹具本体320以及枢轴322可具有相容于清洁用等离子体的外表面，其中等离子体例如是NF3等离子体。夹具本体320以及枢轴322可以铝或陶瓷制成。或者，夹具本体320以及枢轴322可包括铝、铁氟龙(聚四氟乙烯)或陶瓷的涂层，其中陶瓷例如是高纯度的氧化铝(例如纯度高于约96％的氧化铝)。举例来说，夹具本体320以及枢轴322可用涂覆铝、陶瓷或铁氟龙的不锈钢制成。 [0051] 弹簧328也可使用相容于清洁用等离子体的材料制成，其中等离子体例如是NF3等离子体。举例来说，弹簧328可用超合金(例如是赫史特合金 )制成。 [0052] 于操作期间内，待处理的基板230可载入位于装载/卸载托架102A、102B的直线滚轮轨道116A、116B上的基板载具228。当所有的夹具316被推向如图3F所示的装载/卸载位置时，通过基板运输机器人，基板230将被载入至基板载具228，并定位在基板载具228的步阶308上。当夹具本体320松开回到初始位置时，基板230被固定在基板载具228中。 [0053] 然后，装载/卸载托架102A、102B移动以将直线滚轮轨道116A、116B对齐装料锁定腔104A、104B中的直线滚轮轨道120A、120B。直线滚轮轨道118A、118B为空置。基板载具228分别通过狭缝闸门108A、108B，接着移入直线滚轮轨道120A,120B上的装料锁定腔104A、104B。然后，关闭狭缝闸门108A、108B，且装料锁定腔104A、104B被抽真空至成为处理腔106的真空度。 [0054] 然后，打开狭缝闸门110A、110B。处理腔中的滚轮226对齐装料锁定腔104A、104B中空置的直线滚轮轨道118A、118B的其中之一。滚轮226接着将已处理的基板自处理腔106带至装料锁定腔104A、104B。 [0055] 处理腔106中的滚轮226接着对齐装料锁定腔104A、104B中的直线滚轮轨道120A、120B之一，其中各个直线滚轮轨道120A、120B具有固定在基板载具228上的基板 230。固定在基板载具228上的两个基板接着被装料锁定腔104A、104B中的滚轮以及处理腔106中的滚轮226带动，进入处理空间114A、114B。基板载具228的下部边缘242维持在滚轮226上，且基板载具228的上部轨道244被磁轨232固定就位。心轴246、250接着朝向等离子体源112移动，以将基板230定位在处理位置。一个或多个杆体256接着伸入通过腔体壁206，以将背板254附接于基板载具228，以覆盖基板230的背侧230A。 [0056] 激发气体(例如Ar,Xe和/或Kr)由气体源214供应至管体210的内部空间211，其中等离子体通过供应至天线208的电源所产生。等离子体中的自由基种接着扩散穿过管体210进入处理空间114A、114B以进行处理。一种或多种处理气体，例如SiH4,Si2H6和NH3透过气体传输管222供应至处理空间114A、114B中，并与等离子体进行反应，以在基板230上沉积薄膜层，例如是氮化硅薄膜。 [0057] 处理完成之后，一个或多个杆体256缩回，以使背板254与基板载具228分离。滚轮226接着缩回，并将基板载具228与装料锁定腔104A、104B中空置的直线滚轮轨道118A、118B其中之一对齐，以卸载基板。 [0058] 当基板在处理腔106中进行处理时，狭缝闸门110A、110B为关闭。装料锁定腔104A、104B接着加压为大气压力。开启狭缝闸门108A、108B，以将具有处理过的基板的基板载具228卸载于装载/卸载托架102A、102B上。在装载/卸载托架102A、102B中，处理过的基板可自基板载具228移除，并自系统布局100移出。 [0059] 根据本实用新型的实施例，基板载具228可接着通过装料锁定腔104A、104B送回处理腔106中，没有任何基板装载在基板载具228上。空置的基板载具228可通过滚轮226定位于处理腔106中的处理位置。激发气体，例如Ar,Xe和/或Kr，由气体源214供应入管体210的内部空间211，其中等离子体通过供应至天线208的电源所产生。等离子体中的自由基种接着扩散穿过管体210进入处理空间114A、114B以进行处理。清洁剂，例如NF3，透过气体传输管222供应至处理空间114A、114B中，并与等离子体进行反应以清洁处理腔106与基板载具228的暴露表面。 [0060] 在一示范性的清除工艺中，基板载具228于没有任何基板230位于其上的情况载入处理腔106中。基板载具228可移向等离子体源112至处理位置。背板254可被移向等离子体源112但不接触基板载具228，如此背板254可暴露在清洁用等离子体中而不需遮蔽基板载具228的背侧。 [0061] 于准备等离子体激发(plasma ignition)时，处理腔106接着被清洗。举例来说，可将氩以约5SLM(standard liter per minute)的流速通入处理空间114A、114B约5秒，以完成清洗。 [0062] 接着，使用激发气体(例如氩)于处理腔106中激发等离子体。氩可以介于约1SLM至约10SLM的流速自气体源214流入处理腔106中至少8秒，同时施加微波电源于天线208以激发处理空间114A、114B中的氩。 [0063] 在处理空间114A、114B中的等离子体成功激发后，可开始供应例如是NF3的清洁气体流，但仍保持氩的流入。NF3的流量可以逐渐增大直到流速稳定。 [0064] 一旦NF3的流动稳定，便可停止氩流入以开始完整的等离子体清洁动作。处理空间114A、114B的温度在进行等离子体清洁动作时可保持在约100℃。腔体压力可介于约20至约30托耳(Torr)之间。NF3的流速可介于约20SLM至约30SLM之间。等离子体清洁动作的持续时间取决于多种因素，例如处理腔106的尺寸、所需蚀刻的量、清洁气体的流速以及腔体压力。 [0065] 综上所述，虽然以上内容针对本实用新型的实施例，然而在不脱离本实用新型的基本范围的情况下，可以设计本实用新型的其他及进一步实施例。因此，本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定为准。

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