1.一种真空炉体，包括炉体本体（11），蒸发源（A），用于放置被镀物件（B）的物件挂架（14），用于放置物件挂架（14）的并移动该物件挂架（14）的转盘（C）；
其特征在于，炉体本体（11）包括底板（111）、自底板（111）弯折延伸的外壁（112）、自底板（111）弯折延伸的并与外壁（112）相隔一定距离的内壁（113）、连接外壁和内壁的顶板和由底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板共同围形成密闭空间（S）；
所述炉体本体（11）还包括置于密闭空间（S）内分别与底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板相连的第一挡板（17）和第二挡板（18）；所述第一挡板（17）和第二挡板（18）相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间（S1）和第二分隔空间（S2）；所述第一档板（17）、第二挡板（18）与所述外壁（112）或内壁（113）活动连接；
蒸发源（A）设置于第一分隔空间（S1），物件挂架（14）和转盘（C）设置于第二分隔空间（S2）；
在第一挡板（17）和第二档板（18）打开时，转盘（C）将物件挂架（14）从第二分隔空间（S2）移动至第一分隔空间（S1）内。
2.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于，蒸发源（A）包括第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2），
外壁（112）包括位于第一分隔空间（S1）的第一外壁和位于第二分隔空间（S2）的与第一外壁相连的第二外壁，内壁（113）包括位于第一分隔空间（S1）的第一内壁和位于第二分隔空间（S2）与第一内壁相连的第二内壁；
第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2）分别设在第一外壁和第一内壁，且第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2）相对设置。
3.根据权利要求1或2所述的真空炉体，其特征在于，蒸发源（A）包括蒸发靶（12）和为蒸发靶（12）提供动力的蒸发靶源（13）。
4.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于，炉体本体（11）的外壁设置有至少两个门。
5.根据权利要求3所述的真空炉体，其特征在于，蒸发靶源（13）包括电弧靶源或平面靶源、中频园柱靶源、直流靶源中的任一种或其任意组合。
6.一种真空炉体，其特征在于，该真空炉体包括密闭的真空室，该真空室通过挡板（D''）分隔成独立的物件区（S2''）和靶蒸发区（S1''）；
物件区（S2''），用于放置被镀物件（B）；
靶蒸发区（S1''），用于给被镀物件物理气相沉积镀膜；
该真空炉体还包括
控制部件，用于打开档板（D''），将分隔的物件区（S2''）与靶蒸发区（S1''）相通；
传送部件（C''），用于将被镀物件从物件区（S2''）移动至靶蒸发区（S1''）。
7.根据权利要求6所述的真空炉体，其特征在于，靶蒸发区相对设置有第一蒸发源（A1''）和第二蒸发源（A2''）。
8.根据权利要求7所述的真空炉体，其特征在于，第一蒸发源（A1''）和第二蒸发源（A2''）分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源；挡板（D''）包括第一挡板（17''）和第二挡板（18''）。