真空镀膜生产线 |
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| 申请号 | CN201710694642.X | 申请日 | 2017-08-15 | 公开(公告)号 | CN107502866A | 公开(公告)日 | 2017-12-22 |
| 申请人 | 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司; | 发明人 | 李术杰; 尹忠乐; 赵文强; 应世强; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及 真空 镀 膜 技术领域，具体涉及一种 真空镀膜 生产线，包括：工作室、镀膜室罐体、控制系统以及真空机组；所述镀膜室罐体在所述工作室内的一侧设置；所述镀膜室罐体内设置若干组溅射靶系统；所述工作室内与所述镀膜室罐体相对的一侧还设置有控制系统，包括控制柜、电源柜等；所述控制柜分别与所述溅射靶系统、电源柜连接，用于分别向与所述溅射靶系统、电源柜发送控制 信号 及获取反馈信号；所述真空机组通过抽气管道与所述镀膜室罐体连接，用于为所述镀膜室罐体形成真空状态。本发明提供的真空镀膜生产线，各溅射靶系统独立设置，保证沉积效果。并且，通过设置多个溅射靶系统，可以适应中少批量多品种的生产需要，具有减少镀膜设备投资的有益效果。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种真空镀膜生产线，其特征在于，包括：工作室、镀膜室罐体、控制系统以及真空机组； |
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| 说明书全文 | 真空镀膜生产线技术领域背景技术[0002] 离子镀膜技术（PVD镀膜），其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应物沉积在工件上。 [0003] 需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。 [0005] 本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。 [0006] 根据本公开的一方面，提供一种真空镀膜生产线，包括：工作室、镀膜室罐体、控制系统以及真空机组；所述镀膜室罐体在所述工作室内的一侧设置；所述镀膜室罐体内设置若干组溅射靶系统； 所述工作室内与所述镀膜室罐体相对的一侧还设置有控制系统，包括控制柜、电源柜； 所述控制柜分别与所述溅射靶系统、电源柜连接，用于分别向与所述溅射靶系统、电源柜发送控制信号及获取反馈信号； 所述真空机组通过抽气管道与所述镀膜室罐体连接，用于为所述镀膜室罐体形成真空状态。 [0007] 进一步的，所述真空机组设置在所述工作室外。 [0008] 进一步的，所述镀膜室罐体内的镀膜室腔底部设置有可水平自转的转盘，所述转盘上设置有可跟随所述转盘转动的工件架。 [0009] 进一步的，所述工件架沿周向设置有环形导热板。 [0011] 进一步的，所述工作室内还设置有水柜。 [0012] 进一步的，所述镀膜室罐体呈圆柱型的密封结构，所述镀膜室罐体包括罐体以及设置所述罐体上的门体，所述罐体设置在工作室内侧，所述门体向所述工作室外侧开启。 [0013] 进一步的，各所述溅射靶系统在所述镀膜室罐体内独立设置。 [0014] 本发明提供的真空镀膜生产线，各溅射靶系统独立设置，保证沉积效果。并且，通过设置多个溅射靶系统，可以适应中少批量多品种的生产需要，具有减少镀膜设备投资的有益效果。 [0016] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 [0017] 图1示意性示出本公开示例性实施例中一种真空镀膜生产线的结构示意图；图2示意性示出本公开示例性实施例中镀膜室罐体的结构示意图； 图3示意性示出本公开示例性实施例中工作室的主视图； 其中：1-镀膜室罐体；2-测温热电偶；3-工件架；4-开孔；5-环形导热板；6-工件架固定盘；7-转盘；8-工件支撑杆；9-工件；10-镀膜室腔；11-真空机组；12-抽气管道；13-水柜；14-控制柜；15-电源柜；16-罐体；17-工作室；18-溅射靶系统；19-门体。 具体实施方式[0018] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。 [0019] 此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。 [0020] 参考图1所示，本示例实施方式中提供了一种真空镀膜生产线，包括：工作室17、镀膜室罐体1以及真空机组11；所述镀膜室罐体1在所述工作室17内的一侧设置；所述镀膜室罐体1内设置若干组溅射靶系统18；所述工作室17内与所述镀膜室罐体1相对的一侧还设置有控制柜14、电源柜15；所述控制柜14分别与所述溅射靶系统18、电源柜15连接，用于分别向与所述溅射靶系统18、电源柜15发送控制信号及获取反馈信号；所述真空机组11通过抽气管道12与所述镀膜室罐体1连接，用于为所述镀膜室罐体1形成真空状态。电源柜15可以采用弧电源柜。 [0021] 参考图1、图3所示，所述工作室17可以为矩形结构，便于镀膜室罐体1及控制柜14和各电柜的位置规划和摆放。所述真空机组11设置在所述工作室17外。 [0022] 参考图2所示，所述镀膜室罐体1内的镀膜室腔10底部设置有可水平自转的转盘7，所述转盘7上设置有可跟随所述转盘转动的工件架3。 [0023] 所述工件架3沿周向设置有若干环形导热板5。 [0024] 所述镀膜室罐体1内还设置有测温热电偶2；所述测温热电偶2的测量端与所述环形导热板5接触；所述测温热电偶2的控制端设置在所述镀膜室罐体1外。 [0026] 在真空环境下在线实时测量等离子体内工件9同电位温度的装置，通过开孔4从真空室外引入测温热电偶2，测温热电偶2在炉内直接接触测量炉内工件架上环形导热板5，即接触点要尽量接近与工件9实际位置，环形导热板5随工件9在真空室内保持水平旋转，并始终与测温热电偶接触2，同时在环形导热板5上与转架同电位，并接入负偏压，并且将圆环置于等离子区域内。 [0027] 所述工作室17内还设置有水柜13。水柜13与镀膜室罐体1连接，用于为镀膜室罐体1冷却。水柜13的一侧还可以设置一电源柜，包括：离子源电源、中频电源、偏压电源，可以用于为溅射靶系统18、真空机组11及镀膜室罐体1供电，可以与电源柜15协同为生产线供电。 [0028] 所述镀膜室罐体1呈圆柱型的密封结构，所述镀膜室罐体1包括罐体16以及设置所述罐体16上的门体19，所述罐体16设置在工作室17内侧，所述门体19向所述工作室17外侧开启。通过设置工作室17，并将门体19向工作室17外侧开启，便于人员操作，并且使空间更有规划。 |
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