1.大致平坦的溅射靶，其具有凸状表面形式的初始反向弯曲，所述初始反向弯曲呈现大于0.04％的弯曲百分比，所述反向弯曲适于在溅射期间继续弯曲。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其中所述弯曲百分比为约0.04％至0.25％。
3.如权利要求1所述的溅射靶，其由Cu、Al、Ti、或Ta、或这些元素的合金构成。
4.如权利要求3所述的溅射靶，其中所述溅射靶包括Cu或Cu合金，和其中所述溅射靶为单片式溅射靶。
5.如权利要求3所述的溅射靶，其与背板组合，所述溅射靶和所述背板经由机械联锁连接而连接在一起。
6.溅射靶，其适于接纳在如下类型的溅射室中：所述溅射室具有将用从所述靶溅射的材料涂覆的基底，并且磁体源靠近所述靶以用于在所述室内产生磁场，所述溅射靶具有溅射表面和靠近所述磁体源的相对表面，所述材料从所述溅射表面被溅射至所述基底上，所述相对表面包括面向所述磁体源的凸状表面。
7.如权利要求6所述的溅射靶，其中所述靶为大致平坦的单片式靶。
8.如权利要求6所述的溅射靶，其中所述靶的所述溅射表面包括大致凹状的形状。
9.如权利要求6所述的溅射靶，其中所述凸状表面具有大于0.04％的弯曲百分比。
10.如权利要求6所述的溅射靶，其中所述弯曲百分比在约0.04％和0.25％之间。
11.如权利要求6或10所述的溅射靶，其中所述溅射靶由Cu、Al、Ti、或Ta、或这些元素的合金构成。
12.如权利要求11所述的溅射靶，其中所述溅射靶由Cu或Cu合金构成。
13.如权利要求6所述的溅射靶，其与背板组合，所述溅射靶和所述背板通过机械联锁连接而连接在一起。
14.如权利要求6所述的溅射靶，其与背板组合，所述溅射靶和所述背板通过扩散连接或爆炸连接而连接在一起。
15.Cu或Cu合金的平坦溅射靶，其具有约30-90微米的晶粒尺寸。
16.由Cu或Cu合金原料制造Cu或Cu合金溅射靶的方法，包括：
a)熔化和铸造所述Cu或Cu合金原料以形成铸锭；
b)热机械加工所述铸锭以形成板；
c)在约1100至1300°F的温度下将所述板退火约1-2小时的时间以形成经退火的板；和d)通过选自如下的表面处理工艺将所述经退火的板表面处理以为所述溅射靶提供所需的表面和形状：研磨、抛光、搪磨、和机械加工，其中所述靶具有约30至90微米的平均晶粒尺寸。
17.溅射靶，其适于接纳在如下类型的溅射室中：所述溅射室具有将用从所述靶溅射的材料涂覆的基底，并且磁体源靠近所述靶以用于在所述室内产生磁场，所述溅射靶具有溅射表面和靠近所述磁体源的相对表面，所述材料从所述溅射表面被溅射至所述基底上，所述相对表面包括面向所述磁体源的凸状表面，所述溅射靶是通过权利要求16的方法制造的。