1.一种用于结晶的装置，其包括：
容器，其具有中心轴、下壁、和上壁，以及在下壁与上壁之间延伸的侧壁，所述容器进一步限定具有下部和上部的内部，其中所述容器包括用于将工艺材料引入所述内部的进口，和出口；
引流管，其位于所述容器内部中并在所述下部与所述上部之间平行于中心轴延伸，其中所述引流管与所述容器的所述下壁、所述上壁、和所述侧壁间隔开，从而限定所述引流管与所述容器的所述侧壁之间的环状空间。
转轴，其沿所述容器的所述中心轴延伸；以及
螺旋螺杆，其位于所述容器内部中并在所述引流管内，所述螺旋螺杆附接到所述转轴并被构造成与其一起旋转。
2.根据权利要求1所述的装置，其中将所述进口定位成与所述下部直接流体连通，以及将所述出口定位成与所述上部直接流体连通。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述引流管具有内径，且其中所述螺旋螺杆具有比引流管内径更小的飞行直径。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述引流管具有长度，并且所述螺旋螺杆具有比引流管长度更长的各自长度。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括用于向所述容器供热或从所述容器提取热量的热交换构件。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述热交换构件包括位于所述容器外部的至少一部分上并环绕其的夹套外壳。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述热交换构件包括位于所述引流管外部的至少一部分上并环绕其的夹套外壳。
8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括用于感测容器内部的至少一部分内的温度的温度传感构件。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述传感构件包括至少一个热电偶。
10.一种用于结晶的多级装置，其包括：
容器，其具有中心轴、下壁、上壁、和在下壁与上壁之间延伸的侧壁，所述容器进一步限定具有下部和上部的内部，其中所述容器包括用于将工艺材料引入内部的进口，和出口；
垂直于容器中心轴延伸的第一级障壁，所述第一级障壁位于所述下部与所述上部之间，其中所述第一级障壁将所述容器分成第一级和第二级，其中所述第一级障壁在所述第一级与所述第二级之间提供至少一个流体通道；
第一引流管，其位于所述容器的所述第一级中并在所述下部与所述第一级障壁之间延伸，其中所述引流管与所述容器的所述下部、所述第一级障壁、和所述侧壁分隔开，从而限定所述第一引流管与所述容器的所述侧壁之间的环状空间；
第二引流管，其位于所述容器的所述第二级中并在所述第一级障壁与所述上部之间延伸，其中所述引流管与所述容器的所述第一级障壁、所述上壁和所述侧壁分隔开，从而限定所述第二引流管与所述容器的所述侧壁之间的环状空间；
转轴，其沿所述容器的中心轴延伸并通过所述容器的所述第一级和所述第二级延伸；
第一螺旋螺杆，其位于所述容器的所述第一级中并位于所述第一引流管内，所述第一螺旋螺杆附接到所述转轴并被构造成与其一起旋转；以及
第二螺旋螺杆，其位于所述容器的所述第二级中并位于所述第二引流管内，所述第二螺旋螺杆附接到所述转轴并被构造成与其一起旋转。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一螺旋螺杆和所述第二螺旋螺杆具有相对螺距。
12.根据权利要求10所述的装置，进一步包括垂直于所述容器的所述中心轴延伸的第二级障壁，所述第二级障壁位于所述第二引流管与所述上部之间，并且其中所述第二级障壁在所述第二级与所述上部之间提供至少一个流体通道。
13.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一级障壁附接到所述转轴并自此延伸。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述第二级障壁附接到所述转轴并自此延伸。
15.一种用于结晶工艺材料的方法，所述方法包括：
将工艺材料供入所述容器内部；
将所述工艺材料移动通过所述容器的中心部分；
将所述工艺材料的至少一部分循环通过所述容器的环状空间；以及
将所述工艺材料的至少一部分通过所述容器的出口排出。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述工艺材料是糖膏。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述容器包括位于所述容器内部中并在所述容器下部与所述容器上部之间平行于中心轴延伸的引流管，其中所述引流管与所述容器的侧壁间隔开，从而限定所述引流管与所述容器的侧壁之间的环状空间，其中将所述工艺材料移动通过所述容器的中心部分的步骤包括将所述工艺材料移动通过所述引流管。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述容器进一步包括沿所述容器的中心轴延伸的转轴，以及位于所述容器内部中且在所述引流管内的螺旋螺杆，所述螺旋螺杆附连到所述转轴并被构造成与其一起旋转，其中将所述工艺材料移动通过所述容器的中心部分的步骤包括旋转所述转轴和所述螺旋螺杆以移动所述工艺材料。