一种新型二极管半导体专用清洗液

申请号 CN201710805859.3 申请日 2017-09-08 公开(公告)号 CN107460062A 公开(公告)日 2017-12-12
申请人 如皋市下原科技创业服务有限公司; 发明人 曹建民;
摘要 本 发明 涉及一种新型 二极管 半导体 专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢 氧 化物3~5份、聚 丙烯酸 类缓蚀液6~12份、烷基二醇芳基醚6~10份、 表面活性剂 4~8份、烷基苄基二甲基 氯化铵 10~14份、增效剂10~14份、 氧化剂 3~5份、 乙醇 9~11份和去离子 水 30~50份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的 质量 比为2.1~2.5:1。本发明的优点在于:本发明的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及 溶剂 的用量,在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张 力 ,使得清洗液具有 水溶性 好,渗透力强的特点;选用的各配方成分均不污染环境,没有危险性,不会破坏大气层,清洗后的废液便于处理排放,保证环保。
权利要求

1.一种新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:包括以下重量份的组分:季铵氢化物3~5份、聚丙烯酸类缓蚀液6~12份、烷基二醇芳基醚6~10份、表面活性剂4~8份、烷基苄基二甲基氯化铵10~14份、增效剂10~14份、氧化剂3~5份、乙醇9~11份和去离子
30~50份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为
2.1~2.5:1。
2.根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:所述氧化剂为硝酸
3.根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:所述增效剂为含有CU2+的混合液

说明书全文

一种新型二极管半导体专用清洗液

技术领域

[0001] 本发明属于半导体工业技术领域,特别涉及一种新型二极管半导体专用清洗液。

背景技术

[0002] 二极管是现代微电子行业发展的基础,早在上世纪二极管制作工艺就已经非常成熟并大量应用于电子行业的各个领域,随着电子微电子产业的迅速发展,二极管等分立器件已经成为微电子企业中利润较低,技术含量较低的行业,为了保证一定的利润,在二极管行业中使用大量对人体有害的物质作为清洗二极管表面的清洗液,如何在保证效果的情况下研制低成本、无污染的新型清洗液就成了刻不容缓的要求。
[0003] 迄今为止,各种清洗方式中,以化学清洗居多,即使用化学清洗剂以某一设定的清洗流程,对电子元件,尤其是二极管进行清洗;因而,中国专利号为201410650324.X提出了一种二极管专用清洗液,其包括以下成分的重量百分比:季铵氢化物1~3%,醋酸/醋酸钠缓冲溶液2~6%,柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液2~6%,烷基二醇芳基醚5~8%,表面活性剂3~5%,烷基苄基二甲基氯化铵8~10%,增效剂8~
10%,乙醇8~10%,去离子水余量;合理配置各有效组分以及溶剂的用量,在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张,使得清洗液具有水溶性好,渗透力强的特点,且不污染环境;但是其不能有效降低对晶片及基材的腐蚀,进而会影响产品的质量
[0004] 因此,研发一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力且能够降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用清洗液是非常有必要的。

发明内容

[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力且能够有限降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用清洗液。
[0006] 为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种新型二极管半导体专用清洗液,其创新点在于:包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3~5份、聚丙烯酸类缓蚀液6~12份、烷基二醇芳基醚6~10份、表面活性剂4~8份、烷基苄基二甲基氯化铵10~14份、增效剂10~14份、氧化剂3~5份、乙醇9~11份和去离子水30~50份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.1~2.5:1。
[0007] 进一步地,所述氧化剂为硝酸
[0008] 进一步地,所述增效剂为含有CU2+的混合液
[0009] 本发明的优点在于:本发明的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及溶剂的用量,在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力,使得清洗液具有水溶性好,渗透力强的特点;且选用聚丙烯酸类缓蚀液和醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且确定了合理的配比,能够有效阻止卤素原子、氢氧根离子等对晶片图形和基材的攻击,降低对晶片图形和金属,以及二氧化等非金属基材的腐蚀,进而有效降低对晶片及基材的腐蚀,从而提高产品的质量。

具体实施方式

[0010] 下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
[0011] 本发明新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3~5份、聚丙烯酸类缓蚀液6~12份、烷基二醇芳基醚6~10份、表面活性剂4~8份、烷基苄基二甲基氯化铵10~14份、增效剂10~14份、氧化剂3~5份、乙醇9~11份和去离子水30~50份;
其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.1~2.5:
1。
[0012] 作为实施例,更具体的实施方式为氧化剂为硝酸铁,增效剂为含有CU2+的混合液。
[0013] 实施例1本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3份、聚丙烯酸类缓蚀液6份、烷基二醇芳基醚6份、表面活性剂4份、烷基苄基二甲基氯化铵10份、含有CU2+的混合液10份、硝酸铁3份、乙醇9份和去离子水30份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.1:1。
[0014] 实施例2本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3份、聚丙烯酸类缓蚀液6份、烷基二醇芳基醚6份、表面活性剂4份、烷基苄基二甲基氯化铵10份、含有CU2+的混合液10份、硝酸铁3份、乙醇9份和去离子水30份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.5:1。
[0015] 实施例3本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3份、聚丙烯酸类缓蚀液6份、烷基二醇芳基醚6份、表面活性剂4份、烷基苄基二甲基氯化铵10份、含有CU2+的混合液10份、硝酸铁3份、乙醇9份和去离子水30份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.3:1。
[0016] 实施例4本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物5份、聚丙烯酸类缓蚀液12份、烷基二醇芳基醚10份、表面活性剂8份、烷基苄基二甲基氯化铵14份、含有CU2+的混合液14份、硝酸铁5份、乙醇11份和去离子水50份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.3:1。
[0017] 实施例5本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物4份、聚丙烯酸类缓蚀液9份、烷基二醇芳基醚8份、表面活性剂6份、烷基苄基二甲基氯化铵12份、
2+
含有CU 的混合液12份、硝酸铁4份、乙醇10份和去离子水40份;其中,表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,且醇醚与酚醚的质量比为2.3:1。
[0018] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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