기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법

기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법{METHOD OF TEMPORARILY ATTACHING A RIGID CARRIER TO A SUBSTRATE}

관련 출원에 대한 교차 참조

본원은 그 전체 내용이 본원에 참고로 포함되는, 2006년 7월 5일자 출원된 미국 특허 가출원 60/818,631호의 이점을 청구한다.

정부 소유권 선언서

이 연구는 미군 연구소(ARL) 인가 번호 W911NF-04-2-005에 의해 적어도 부분적으로 지원된다. 미국 정부는 본 발명의 특정 권리를 갖는다.

본 발명은 일반적으로 가요성 기판의 가공, 더 구체적으로 추가 가공을 위해 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법에 관한 것이다.

전자 산업에서, 더 얇고/얇거나 더 가요성인 기판은 전자 회로용 기판으로서 빠르게 일반화되고 있다. 가요성 기판은 스테인리스강과 같은 금속, 임의의 무수한 플라스틱 등의 매우 얇은 층을 비롯한 광범위한 물질을 포함할 수 있다. 목적하는 전자 부품, 회로 또는 회로들은 가요성 기판의 표면 위에 형성된 후, 회로는 최종 제품에 부착되거나, 또는 추가 구조물로 혼입될 수 있다. 이러한 제품 또는 구조물의 통상적인 예는 평판 디스플레이 상의 액티브 매트릭스, 소매 상점에서 파 는 각종 상업 제품의 RFID 태그(tag), 각종 센서 등이다.

발생하는 한 주요한 문제점은 가공하는 동안 더 얇고/얇거나 더 가요성인 기판을 안정화시키는 것이다. 예를 들어 기판 위에 박막 트랜지스터 또는 박막 트랜지스터 회로를 제조하는 공정에서, 다수의 공정 단계는 수행되는 동안 기판이 몇몇 기계, 오븐, 세정 단계 등을 거쳐 이동될 수 있다. 이러한 공정에서 가요성 기판을 이동시키기 위해, 가요성 기판은 몇몇 유형의 캐리어에 일시 장착되어야 하거나, 또는 경질 캐리어가 제거가능하도록 부착되어 굽히는 일 없이 공정 단계 사이에서 가요성 캐리어를 이동시킬 수 있어야 하고, 공정 단계가 완료되었을 때 캐리어를 제거할 수 있어야 한다. 별법으로, 더 두꺼운 반도체 기판을 백그라인딩(backgrinding)하여 제조된 박판화된 기판은 배면 그라인딩 공정 도중 그리고 리소그래피, 침착 등과 같은 후속 공정에 걸쳐 지지될 필요가 있다.

<발명의 개요>

제1 측면에서, 본 발명은 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착시키고; 가요성 기판의 노출면 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 것을 포함하는, 가요성 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.

제2 측면에서, 본 발명은 제1 면, 제2 면 및 두께로 구성되며 제1 면이 1개 이상의 전자 부품 및/또는 회로를 포함하는 반도체 기판을 일과성 물질막(fugitive material film)으로 경질 캐리어에 일시 부착시키는 것을 포함하고, 여기서 일과성 물질막은 반도체 기판의 제1 면과 경질 캐리어 사이에 있고, 일과성 물질은 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함하는, 반도체 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.

도 1은 본 발명에 따라 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 방법의 초기 절차를 도시하는 단순화된 단면도이다.

도 2는 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키기 위한 추가 절차를 도시하는 단순화된 단면도이다.

도 3은 본 발명에 따라 가요성 기판에 경질 캐리어를 일시 부착시키는 다른 방법을 도시하는 단순화된 단면도이다.

도 4는 본 발명에 따라 일과성 물질층의 열분해 또는 연소 분해시의 화학 반응에 대한 다이어그램을 도시한다.

정의

본원에 사용되는 용어 "일과성 물질"은 열분해 가능한 물질을 의미한다. 이러한 물질은 본원에서 정의된 바와 같이, 임계 분해 온도를 초과하는 가열에 의해 더 작고/작거나 더 휘발성인 분자로 분해된다. 열분해 가능한 물질의 비제한적 예로는 폴리(알킬렌 카르보네이트), 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리(메틸 메타크릴레이트) (PMMA), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 부티릴), 폴리(이소부틸렌), 폴리(비닐 피롤리돈), 미소결정질 셀룰로오스, 왁스, 폴리(락트산), 폴리(디옥사논), 폴리(히드록시부티레이트), 폴리(아크릴레이트) 및 폴리(벤조시클로부텐)을 들 수 있다.

본원에 사용되는 용어 "예비형성된 가요성 기판"은 본원에 정의된 가요성 기판이 경질 캐리어와 결합되기 전의 자립 기판임을 의미한다.

본원에 사용되는 용어 "양면 접착 테이프"는 그의 두 대향면 각각에 접착 물질을 갖는 지지 배킹(backing)을 포함하는 임의의 테이프를 의미한다. 대향면 위의 접착제는 동일하거나 상이할 수 있고, 예를 들어 엘라스토머, 열가소성, 열경화성, 감압성 및/또는 광경화성 접착제(예를 들어, 가시광선 또는 UV)를 비제한적으로 포함한다.

본원에 사용되는 용어 "가요성 기판"은 그 형상에 용이하게 순응하는 가요성 물질을 포함하는 자립 기판을 의미한다. 가요성 기판의 비제한적 예는 금속 및 중합체의 막, 예를 들어 금속 호일, 예컨대 알루미늄 및 스테인리스강 호일, 및 중합체 시트, 예컨대 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 및 전체 스택 조립체가 가요성을 유지한다는 조건으로 2종 이상의 금속 및/또는 중합체 물질을 포함하는 다층 스택을 비제한적으로 포함한다. 이러한 기판은 바람직하게는 박판이고, 예를 들어 두께 2 mm 미만, 바람직하게는 1 mm 미만이고; 더더욱 바람직하게는, 기판의 두께는 500 ㎛ 미만, 바람직하게는 약 50 내지 200 ㎛이다.

본원에 사용되는 용어 "연화 상태"는 물질이 그의 유리 전이 온도를 초과하지만 본원에 정의된 그의 분해 온도에는 미치지 못하는 온도에 있는 것을 의미한다.

용어 "분해 온도"는 1종 이상의 열분해 가능한 물질을 포함하는 조성물이 더 작고/작거나 더 휘발성인 분자로 분해되기 시작하는 온도를 의미한다.

본원에 사용되는 용어 "알킬렌"은 탄소수 2 내지 10의 선형 또는 분지형 이중 라디칼 탄화수소를 의미한다. 알킬렌의 예는 에틸렌, 부틸렌, 헥사메틸렌 및 유사물을 비제한적으로 포함한다.

본원에 사용되는 용어 "평평한" 또는 "평판"은 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 100 ㎛ 미만에 있고, 바람직하게는 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 75 ㎛ 미만에 있고; 더더욱 바람직하게는 표면의 각 점이 기판 중심에 의해 한정된 선으로부터 약 60 ㎛ 미만에 있는 것을 의미한다.

제1 측면에서, 본 발명은 경질 캐리어에 가요성 기판을 일시 부착시키고, 기판의 노출면 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 것을 포함하는, 가요성 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.

제1 측면의 한 실시양태에서, 본 발명은 경질 캐리어 위에 가요성 기판을 일시 부착시키는 것이 일과성 물질을 포함하는 막을 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 형성하고; 가요성 기판과 경질 캐리어 사이에 위치한 막으로 경질 캐리어에 가요성 기판을 결합시키는 것을 포함하는 것인 방법을 제공한다.

제1 측면의 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 경질 지지체 또는 가요성 기판 위에 일과성 물질의 막을 형성하는 것이 용매 중에 일과성 물질을 포함하는 용액의 층을 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 형성하고; 이 층을 건조시켜 막을 형성하는 단계를 포함하는 것인 방법을 제공한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 한 실시양태에서, 경질 캐리어 (10)는 본 발명의 일과성 물질의 막(12)으로 코팅된다. 일과성 물질의 용액은 적절한 용매에 용해시킨 일과성 물질, 예컨대 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함한다. 일과성 물질 및 용매는 일괄하여, 연장된 기간 동안 롤링하거나 그렇지 않으면 교반 (또는 혼합)하면서 용해시킨다. 온도가 일과성 물질의 임계 분해 온도 미만으로 유지된다는 조건으로 열을 가하여 일과성 물질을 용해시킬 수 있다. 일과성 물질의 용액은 일과성 물질막의 분해 온도를 조절하기 위해 첨가제, 예컨대 니트로셀룰로오스 또는 에틸셀룰로오스를 더 포함할 수 있다 (하기함).

용액으로부터 막을 제조하기 위한 당업자에게 공지된 임의의 방법에 따라 일과성 물질의 용액을 사용하여 경질 캐리어 또는 가요성 기판 위에 일과성 물질의 막을 제조할 수 있다. 예를 들어, 용액은 분무 코팅, 드랍 캐스트(drop cast), 회전 코팅, 웹코팅(webcoating), 닥터 블레이딩(doctor blading) 또는 침지 코팅되어 캐리어 또는 기판 위에 용액의 층을 제조할 수 있다. 층을 경질 캐리어 위에 형성하는 경우, 바람직하게는 용액은 용액을 경질 캐리어의 표면 위에 분배하고 용액이 고르게 분포되도록 캐리어를 회전시킴으로써 회전 코팅된다. 당업자는 회전 코팅에 의해 제조된 층 및 궁극적으로 막의 두께가 용매 중 일과성 물질의 농도, 용액의 점도, 회전율 및 회전 속도의 선택에 의해 조절될 수 있다는 것을 이해할 것이다.

용액 층을 가요성 기판 또는 경질 캐리어에 결합시키기 전에 건조시켜 임의의 잔류 용매를 본질적으로 제거하고 일과성 물질막을 제조할 수 있다. 상기 건조는 방법이 기판, 캐리어 및/또는 일과성 물질의 열화를 초래하지 않는다는 조건으로, 당업자에게 공지된 임의의 방법에 따를 수 있다. 예를 들어, 층은 대략 80℃ 내지 180℃, 바람직하게는 약 100℃ 내지 130℃ 범위의 온도에서 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 다른 예에서, 층은 대략 100℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 진공하에 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 또 다른 예에서, 층은 대략 80℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 층을 가열하고, 이어서 대략 100℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 진공(예를 들어, 약 1 torr 미만)하에 층을 가열함으로써 건조될 수 있다. 어느 하나의 가열 공정에서, 층은 실질적으로 모든 용매가 제거될 때까지 약 10 내지 120분간 가열될 수 있다. 당업자는 일과성 물질이 가열시 안정적으로 유지된다는 조건으로 임의의 가열 단계에 더 높은 온도(예를 들어, 300℃ 이하)를 사용할 수 있다는 것을 인지할 것이다.

궁극적으로, 일과성 물질막 (12)의 두께는 1 ㎛ 내지 40 ㎛, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 내지 20 ㎛인 것이 바람직하다.

별법으로, 일과성 물질 용액의 층은 가요성 기판 (14)의 배면 위로 코팅되고, 이어서 상기 논의된 바와 같이 건조 및/또는 진공 건조 공정을 행하여 가요성 기판 (14) 위에 일과성 물질막 (12)을 제조할 수 있다. 바람직하게는, 일과성 물질의 막을 가요성 기판 위에 형성하는 경우, 용액의 층은 상기 논의된 바와 같이 용액을 회전 코팅한 후 층을 건조시켜 막을 형성함으로써 제조된다.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 본 방법에서, 자립 가요성 기판 (14)은 일과성 물질막 (12)의 상면에 결합된다. 몇몇 상이한 절차를 사용하여 일과성 물질막 (12) 위에 가요성 기판 (14)을 결합시킬 수 있다.

한 실시양태에서, 가요성 기판의 결합은 (가요성 기판 또는 경질 캐리어 중 어느 하나 위의) 일과성 물질막을 연화 상태로, 즉 일과성 물질의 유리 전이 온도(T _g )를 초과하여 가열하고, 기판을 캐리어에 직접 부착시키는 것을 포함한다. 본 발명에 사용되는 구체적인 연화 온도는 본원의 교시에 기초하여 경험적으로 결정될 수 있고, 일과성 물질막 (12)에 사용되는 구체적 물질에 좌우된다. 예를 들어, T _g 는 예로써 열중량 분석법(TGA), 열기계 분석법(TMA), 시차주사열량법(DSC) 및/또는 동적 기계적 분석법(DMA)을 비제한적으로 포함하는 기술을 사용하여 측정될 수 있다. 따라서, 본 실시양태에서 일과성 물질막 (12)은 접착 물질뿐만 아니라 일과성 물질로서 작용한다.

도 3에 도시한 바와 같이, 또 다른 실시양태에서, 가요성 기판의 결합은 경질 캐리어 위의 일과성 물질막 위에 금속층 또는 절연층 (15)을 침착시키고; 양면 접착제 (17)를 층 (15) 위에 위치시키고; 기판 (14)을 양면 접착제 위에 위치시키는 것을 포함한다. 바람직한 금속은 스퍼터링에 의해 침착될 수 있는 금속, 예를 들어 알루미늄, 금 및 은을 비제한적으로 포함한다. 바람직한 절연층으로는 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD)에 의해 침착될 수 있는 것, 예컨대 SiN 및 SiO ₂ 를 들 수 있다. 바람직한 양면 접착제는 양면 분말 코팅된 실리콘 접착제(아르곤(Argon) PC500 계열), 또는 고성능 실리콘 접착제(어드히시브 리서치 아르케어(Adehesive Research Arcare) 7876) 또는 유사물을 비제한적으로 포함한다.

경질 캐리어 (10)에 일시 부착된 가요성 기판 (14)에 의해, 목적하는 모든 가공 단계를 가요성 기판 (14) 위에서 수행하여 전자 회로를 제조할 수 있다. 제1 측면에 따라 제조된 최종 시스템이 반도체 웨이퍼와 대략 동일한 크기일 수 있기 때문에, 표준 가공 기구를 사용하여 제조를 수행할 수 있다. 목적하는 전자적 제조 또는 가공 단계를 완료한 후, 일과성 물질막의 제거는 경질 캐리어로부터 가요성 기판의 탈착을 수행한다.

제1 측면의 추가의 실시양태에서, 본 발명은 제조 후, 가요성 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키고; 바람직하게는, 일과성 물질막을 가열함으로써 가요성 기판을 탈착시키는 방법을 제공한다. 바람직하게는, 일과성 물질을 일과성 물질막이 분해되는 온도로 가열하고 그 온도에서 유지시킨다. 상기 가열은 바람직하게는 공기 중 또는 불활성 분위기(예를 들어 질소) 중에서 행해진다. 더욱 바람직하게는, 상기 가열은 공기 중에서 행해진다.

본 발명의 일과성 물질 및 그의 막의 분해 온도 및 가열 시간은 본원의 교시에 기초하여 당업자에게 공지된 방법, 예를 들어 열중량 분석법(TGA)을 이용하여 쉽게 결정될 수 있다. 상술한 바와 같이, 분해 온도를 조절하기 위해 다른 물질을 일과성 물질막 (12)에 사용할 수 있다. 즉, 일과성 물질막이 제거되는 온도는 가요성 기판의 물질의 안정성 및/또는 각종 전자적 가공 단계 및 재료와의 상용성을 유지시키기 위해 요구되는 바와 따라 높이거나 낮출 수 있다.

다른 공정을 사용하여 일과성 물질막의 제거를 수행할 수 있다. 예를 들어, 섬광등, 할로겐 램프 또는 레이저를 사용하는 RTA(고속 열처리(Rapid Thermal Anneal)) 공정을 사용하여 일과성 물질막 (12)을 연소시킬 수 있다.

폴리(알킬렌 카르보네이트), 바람직하게는 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 일과성 물질막 (12)에 사용하는 경우, 이러한 물질은 도 4의 다이어그램에 도시한 바와 같이 공기 또는 불활성 분위기 중에서 초청정 및 고속 분해를 나타낸다. 분해는 열분해 또는 연소일 수 있다. 예를 들어, 폴리(알킬렌 카르보네이트), 특히 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 일과성 물질막 (12)에 사용하는 경우, 일과성 물질막은 240℃ 이상, 바람직하게는 240℃ 내지 300℃; 더욱 바람직하게는 240℃ 내지 260℃의 온도에서 제거될 수 있다.

상술한 각각의 실시양태에서, 일과성 물질막은 바람직하게는 열분해 가능한 중합체를 포함한다. 더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(알킬렌 카르보네이트), 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 부티릴), 폴리(이소부틸렌), 폴리(비닐 피롤리돈), 미소결정질 셀룰로오스, 왁스, 폴리(락트산), 폴리(디옥사논), 폴리(히드록시부티레이트), 폴리(아크릴레이트), 폴리(벤조시클로부텐) 및 그의 혼합물로 이루어지는 군 중에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함한다. 더더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(알킬렌 카르보네이트), 예를 들어 폴리(에틸렌 카르보네이트) [QPAC(등록상표)25], 폴리(프로필렌 카르보네이트) [QPAC(등록상표)40], 폴리(부틸렌 카르보네이트) 또는 그의 혼합물을 포함한다. 더더욱 바람직하게는, 일과성 물질막은 폴리(프로필렌 카르보네이트)를 포함한다. 폴리(알킬렌 카르보네이트)는 초청정 분해되기 때문에, 상기 물질은 반도체 장치에 대한 오염 위험도를 감소시킬 수 있어 본 발명에 유리하다.

상기 각각의 실시양태에서, 가요성 기판은 바람직하게는 예비형성된 가요성 기판이다. 더욱 바람직하게는, 가요성 기판은 예비형성된 가요성 플라스틱 기판 또는 예비형성된 가요성 금속 기판이다. 바람직한 가요성 금속 기판으로는 FeNi 합금(예를 들어, 인바르(INVAR; 상표명), FeNi 또는 FeNi36; 인바르(상표명)는 약 간의 탄소 및 크롬을 갖는 철(64%)과 니켈(36%) (중량 기준)의 합금임), FeNiCo 합금(예를 들어, 코바르(KOVAR; 상표명), 코바르(상표명)는 통상 니켈 29%, 코발트 17%, 규소 0.2%, 망간 0.3% 및 철 53.5% (중량 기준)로 이루어짐), 티타늄, 탄탈, 몰리브덴, 알루크롬(aluchrome), 알루미늄 및 스테인리스강을 들 수 있다. 바람직한 가요성 플라스틱 기판으로는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드, 폴리카르보네이트 및 시클릭 올레핀 공중합체를 들 수 있다. 상기 가요성 기판은 바람직하게는 박판이고; 바람직하게는 약 1 ㎛ 내지 1 mm 두께이다. 더욱 바람직하게는, 가요성 기판의 두께는 약 50 ㎛ 내지 500 ㎛; 더더욱 바람직하게는 약 50 ㎛ 내지 250 ㎛이다.

상기 각각의 실시양태에서, 경질 캐리어는 전자 부품 또는 회로를 제조하기 위해 사용되는 가공을 견딜 수 있는 임의의 물질을 포함한다. 바람직하게는, 경질 캐리어는 반도체 물질을 포함한다. 다른 바람직한 측면 및 실시양태에서, 경질 캐리어는 바람직하게는 1개 이상의 실질적으로 평평한 표면을 갖는다. 더욱 바람직하게는, 경질 캐리어는 반도체 웨이퍼이다. 더더욱 바람직하게는, 경질 캐리어는 (바람직하게는, 평평한 표면을 갖는) 실리콘 웨이퍼이다.

제2 측면에서, 본 발명은

제1 면, 제2 면 및 두께로 구성되며, 제 1면이 1개 이상의 전자 부품 및/또는 회로를 포함하는 반도체 기판을 일과성 물질막으로 경질 캐리어에 일시 부착시키고,

여기서 일과성 물질막은 반도체 기판의 제1 면과 경질 캐리어 사이에 있고,

일과성 물질은 폴리(알킬렌 카르보네이트)를 포함하는, 반도체 기판 위에 전자 부품 및/또는 회로를 제조하는 방법을 제공한다.

제2 측면의 실시양태에서, 본 방법은 반도체 기판의 제2 면을 백그라인딩하여 반도체 기판의 두께를 감소시키는 것을 더 포함한다. 바람직하게는, 백그라인딩은 기계적 그라인딩 및/또는 습식 에칭을 포함한다.

제2 측면의 다른 실시양태에서, 본 방법은 반도체 기판의 제2 면을 백그라인딩하여 반도체 기판의 두께를 감소시키고; 일과성 층을 가열하여 반도체 기판을 경질 캐리어로부터 탈착시키는 것을 더 포함한다. 일과성 층은 바람직하게는 본 발명의 제1 측면과 관련하여 논의된 임의의 조건에 따라 가열된다.

제2 측면의 임의의 실시양태에서, 일과성 물질은 반도체 기판의 제1 면 또는 경질 캐리어 위에 위치되고, 본 발명의 제1 측면과 관련하여 위에서 논의된 임의의 방법에 따라 제조될 수 있다.

또한, 제2 측면의 임의의 실시양태에서, 경질 캐리어는 반도체 기판 또는 유리를 포함할 수 있고; 바람직하게는, 경질 캐리어는 Si 또는 Si(100)을 포함한다. 제2 측면의 방법에 이용된 임의의 반도체 기판은 독립적으로 Si, SiGe, Ge, SiGeSn, GeSn, GaAs, InP 및 유사물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 방법에 이용된 임의의 반도체 기판은 독립적으로 Si 또는 Si(100)을 포함할 수 있다. 일과성 물질은 바람직하게는 폴리(프로필렌 카르보네이트) 또는 폴리(에틸렌 카르보네이트)를 포함하고, 더욱 바람직하게는 일과성 물질은 폴리(프로필렌 카르보네이트)이다. 일과성 물질막은 일과성 물질막의 분해 온도를 조절하기 위해 첨가제, 예컨대 니트로셀룰로오스 또는 에틸셀룰로오스를 포함할 수 있다 (상기함).

일과성 물질막에 이용되는 폴리(알킬렌 카르보네이트)는 공기 중 또는 불활성 분위기 중에서 초청정 및 고속 분해를 나타낸다. 폴리(알킬렌 카르보네이트) 일과성 물질의 청정 및 고속 분해가 특히 유리하다. 또한, 일과성 물질막은 240℃ 이상, 바람직하게는 240℃ 내지 300℃; 더욱 바람직하게는 240℃ 내지 260℃의 온도에서 제거될 수 있다. 대기 중 일과성 물질의 300℃ 미만에서의 분해 및 청정 고속 분해는 반도체 장치의 취급 및 제조에 예상치 못한 이점을 제공한다.

<실시예 1-경질 캐리어 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 제조>

폴리(프로필렌 카르보네이트) (QPAC(등록상표)40) 72 g을 에틸 아세테이트 150 g 및 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(이스트먼(Eastman) DE 아세테이트) 528 g으로 혼합하였다. 물질을 일괄하여 온건히 롤링하면서 24시간 동안 용해시켰다. 용액 제조 후, 20 mL를 실리콘 웨이퍼의 상면에 분배하고, 400 rpm으로 20초간 회전시켰다. 그 후, 스펀-온(spun-on) 물질을 120℃에서 40분간 건조시켜 실리콘 웨이퍼의 상면에 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 형성하였다. 용매 의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막으로부터의 실질적으로 완전한 제거를 확립하기 위해, 시스템을 100℃에서 16시간 동안 진공 베이킹한 후, 180℃에서 최종 시간 진공 베이킹하였다.

<실시예 2-경질 캐리어 위의 가요성 스테인리스강 기판의 조립체>

실리콘 웨이퍼 경질 지지체 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 실시예 1에 따라 제조하였다. 가요성 스테인리스강 기판을 실리콘 웨이퍼와 정렬되도록 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 표면에 위치시켰다. 그 후, 조립체를 폴리(프로필렌 카르보네이트) 층이 약간 연화될 때까지, 대략 120℃ 내지 140℃로 가열하여, 스테인리스강 기판과 경질 캐리어 사이를 일시 결합시켰다.

<실시예 3- 경질 캐리어 위의 가요성 스테인리스강 기판의 대안 조립체>

실리콘 웨이퍼 경질 지지체 위의 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막을 실시예 1에 따라 제조하였다. 알루미늄 층(두께: 대략 5000 Å)을 폴리(프로필렌 카르보네이트) 막의 표면 위로 스퍼터링하였다. 이어서, 양면 접착제 층을 알루미늄 층의 상면 위에 위치시키고, 스테인리스강 호일(스미토모(Sumitomo), 유형 304; 두께: 125 ㎛)을 양면 접착제 층의 상면에 위치시켰다.

당업자는 예시를 목적으로 선택된 본원의 방법 및 실시양태의 여러 변경 및 변형을 쉽게 생각해 낼 것이다. 상기 변형 및 변경이 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도에서, 이들은 하기 청구범위의 온당한 이해에 의해서만 평가되는 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.