1.用于在挠性基材上装配电子电路的方法，该方法包括：
在刚性载体或者挠性基材上形成包含不稳定物质的薄膜，其中该刚性载体是半导体晶片；
采用位于该挠性基材和该刚性载体之间的该薄膜将该挠性基材与该刚性载体粘结；
在该挠性基材的暴露表面上装配电子电路；和
在装配完成后将该挠性基材与该刚性载体分离。
2.权利要求1的方法，其中形成包含不稳定物质的薄膜包括：
在该刚性载体或者该挠性基材上形成溶剂中包含不稳定物质的溶液层；和干燥该溶液层以形成该薄膜。
3.权利要求1的方法，其中该不稳定物质是可热分解的聚合物。
4.权利要求3的方法，其中该不稳定物质选自聚(碳酸亚烷基酯)、硝化纤维素、乙基纤维素、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(乙烯醇)、聚(乙烯醇缩丁醛)、聚(异丁烯)、聚(乙烯基吡咯烷酮)、微晶纤维素、蜡、聚(乳酸)、聚(二氧环己酮)、聚(羟基丁酸酯)、聚(丙烯酸酯)、聚(苯并环丁烯)，及其混合物。
5.权利要求4的方法，其中该不稳定物质是聚(碳酸亚烷基酯)或其混合物。
6.权利要求5的方法，其中该不稳定物质是聚(碳酸亚丙酯)。
7.权利要求1的方法，其中该挠性基材是塑性基材或者金属基材。
8.权利要求7的方法，其中该塑性基材包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环状烯烃共聚物或其混合物。
9.权利要求7的方法，其中该金属基材包括INVAR、KOVAR、钛、钽、钼、铬化剂、铝、以及不锈钢。
10.权利要求2的方法，其中在该刚性载体上形成溶剂中的不稳定物质的层包括：
在该刚性载体的表面上分配该溶液；和
旋转该载体以使该溶液均匀分布。
11.权利要求2的方法，其中干燥该溶液层包括在温度大约为80℃-180℃下干燥。
12.权利要求11的方法，其中干燥该溶液层进一步包括在温度大约为100℃-180℃下真空烘焙。
13.权利要求1的方法，其中将该挠性基材与该刚性载体粘结包括：
加热该不稳定物质的层至软化状态；和
将该挠性基材直接连接至该刚性载体。
14.权利要求2的方法，其中该溶液进一步包含硝化纤维素或者乙基纤维素。
15.权利要求1的方法，其中将该挠性基材与该刚性载体粘结包括：
在该薄膜上沉积金属层或者绝缘层；
在该金属层或者绝缘层上放置双面粘合剂；和
在该双面粘合剂上放置该挠性基材。
16.权利要求15的方法，其中该金属层包括铝。
17.权利要求15的方法，其中该绝缘层包括SiN或者SiO2。
18.权利要求1的方法，其中将该基材分离包括：
将该不稳定物质加热到大于或等于该不稳定物质的分解温度的温度。
19.权利要求18的方法，其中将该不稳定物质加热到大约240℃-300℃的温度。
20.权利要求18的方法，其中在空气中加热该不稳定物质。
21.用于在半导体基材上装配电子电路的方法，该方法包括：
采用不稳定物质薄膜将该半导体基材暂时连接至刚性载体，该半导体基材包含第一层面、第二层面和厚度，其中该第一层面包含至少一种电子电路；其中，
该不稳定物质薄膜在该半导体基材的第一层面和该刚性载体之间；和
该不稳定物质包括聚(碳酸亚烷基酯)。
22.权利要求21的方法，进一步包括：
背磨该半导体基材的第二层面以减小该半导体基材的厚度。
23.权利要求22的方法，其中该背磨包括机械研磨或者湿法蚀刻。
24.权利要求22的方法，进一步包括：
加热该不稳定层以使该半导体基材与该刚性载体分离。
25.权利要求24的方法，其中将该不稳定物质加热到大约240℃-300℃的温度。
26.权利要求24的方法，其中在空气存在下加热该不稳定物质。
27.权利要求21的方法，其中将该半导体基材暂时连接至该刚性载体包括：
在该刚性载体或者该半导体基材上形成包含不稳定物质的薄膜；和
采用位于该挠性基材和该刚性载体之间的薄膜将该半导体基材与该刚性载体粘结。
28.权利要求27的方法，其中形成包含不稳定物质的薄膜包括：
在该刚性载体或者该半导体基材上形成溶剂中包含不稳定物质的溶液层；和干燥该溶液层以形成该薄膜。
29.权利要求21的方法，其中该聚(碳酸亚烷基酯)是聚(碳酸亚丙酯)或者聚(碳酸亚乙酯)。
30.权利要求21的方法，其中聚(碳酸亚烷基酯)是聚(碳酸亚丙酯)。
31.权利要求21的方法，其中该刚性载体是半导体基材或者玻璃。