1.一种由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体：
[化学式1]

其中，在化学式1中，
A是取代或未取代的C6至C30亚芳基，
L是单键或者取代或未取代的C1至C6亚烷基，以及
n是1至5范围的整数。
2.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述亚芳基包括选自以下组
1中的至少一种：
[组1]

3.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体由以下化学式1a、
1b或1c表示：
[化学式1a]

[化学式1b]

[化学式1c]

其中，在化学式1a、1b、或1c中，
L1至L4各自独立地是单键或者取代或未取代的C1至C6亚烷基。
4.根据权利要求3所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体由以下化学式1aa、
1bb或1cc表示：
[化学式1aa]

[化学式1bb]

[化学式1cc]

5.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体具有520至1,200的分子量。
6.一种硬掩模组合物，包括：
根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的单体，以及
溶剂。
7.根据权利要求6所述的硬掩模组合物，其中，基于所述硬掩模组合物的总量以3至
25wt％的量包含所述单体。
8.一种形成图案的方法，包括：
在基板上提供材料层，
将根据权利要求6所述的硬掩模组合物施加在所述材料层上，
热处理所述硬掩模组合物以形成硬掩模层，
在所述硬掩模层上形成含硅薄层，
在所述含硅薄层上形成光致抗蚀剂层，
将所述光致抗蚀剂层曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案，
使用所述光致抗蚀剂图案选择性地去除所述含硅薄层和所述硬掩模层以曝光所述材料层的一部分，以及
蚀刻所述材料层的曝光部分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述硬掩模组合物使用旋涂法施加。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在200至500℃下热处理硬掩模层。