目前，正在开发将对应于波长为640～680nm(例如650～665nm) 的半导体激光的有机色素化合物用作光记录层的DVD-R或DVD+ R等追记型光信息记录介质。与轨距1.6μm、存储容量650～600MB 的现有CD-R相比，上述DVD-R或DVD+R等光信息记录介质的 轨距为0.74μm，间距较狭窄，存储容量为4.7GB，密度非常高。而且， 对于记录速度，CD-R的标准线速度为1.2～1.4m/s，而DVD-R/+ R的标准线速度为3.49m/s，速度非常快，要求开发出适应上述高速 化的色素。
而且，对于将上述有机色素化合物用于光记录层的光信息记录介 质，要求在低速时至高速时的广泛记录速度区域内均可确保记录再现 特性。但是，现状是仍未得到充分满足由低速时至高速时的各记录再 现特性的光信息记录介质。
高速记录时，记录能量高，因此记录时产生的热量或每单位时间 内的热量变大，容易显现出热变形问题，成为记录凹坑(pit)不均匀 的原因。即，采用通常的光信息记录介质进行高速记录时，由于记录 能量高，因此记录凹坑变得过大，结果使调制度变得过高。
特别是在DVD-R中设置有称为岸台预制凹坑(LPP)的确认地 址信息的区域，在记录前后，必须确保上述LPP信号，形成过大的记 录凹坑时，存在无法充分获得作为LPP记录指标的AR(Aperture Ratio：振幅降低率指标)、无法确保LPP信号的问题。
另外，AR为存在最长记录凹坑部分的LPP信号相对于无记录凹 坑部分的LPP信号的比例(％)，在DVD-R的标准中，要求AR 达到15％或15％以上。
因此，在高速记录时，必须将记录能量控制在较低水平，抑制记 录时产生的热量。
但是，在另一方面，为了将高速记录时的记录能量抑制在较低水 平，例如进一步降低记录层的膜厚时，由于在低速记录时难以形成尺 寸足够的记录凹坑，因此存在无法确保调制度的问题。
为了确保相对于较大记录凹坑的LPP信号，例如考虑增大LPP 本身，但是，如果增大LPP，则由于该LPP信号被写入未记录时或记 录时的信息内，因此发生错误变得过大的问题。
因此，为了确保LPP信号，必须将记录速度差异导致的记录凹坑 大小不均抑制在较低水平、同时在低能量记录时能够形成尺寸足够的 记录凹坑、且在记录能量高时AR也符合标准地进行记录，但是，仍 未完全确定何种材料适合用作上述记录材料(有机色素材料)。
而且，半导体激光的输出能量本身也有限，要求开发出能够适应 高速记录的高灵敏度色素材料。另外，随着新一代盘片(Blu-Ray、 HD DVD等)的实用化，对高速化的要求也进一步提高。
专利文献1：特开平5-15612号公报

本发明是鉴于上述各种问题而完成的，其课题为提供一种光信息记 录介质，该光信息记录介质能够适应迄今为止的低速记录(标准线速度 的1倍)至高速记录(例如标准线速度的16倍)间的大范围记录速度。
另外，本发明的课题还在于提供一种光信息记录介质，该光信息记 录介质能够确保低速记录时(标准线速度的1倍)的调制度(DVD标准 中必须达到50％或50％以上)，同时能够防止高速记录时(例如标准 线速度的16倍)的调制度变得过大。
另外，本发明的课题还在于提供一种光信息记录介质，该光信息记 录介质能够有效且迅速地释放记录时产生的热，在记录能量大的情况下 也能够削减调制度增加的比例。
另外，本发明的课题在于提供一种光信息记录介质，该光信息记录 介质能够确保记录前后的LPP信号，可获得良好的AR，能够满足低速 记录至高速记录时的记录特性。
即，本发明考虑控制在光记录层上进行记录时由记录能量产生的热， 着眼于提高放热特性(特别是提高经由光反射层的放热特性)，发现色 素的热分解温度(热分解开始温度)和调制度或高低速记录间的调制度 比之间、进而在记录再现波长处的薄膜状态下的光吸收能力(消光系数) κ或发热量与记录灵敏度之间存在特定的相互关系，通过将色素的热分 解开始温度或发热量及光吸收能力(消光系数)κ控制在最佳范围，可 以得到对应于最慢和最快使用速度(例如标准线速度(1×)～16倍速 (16×))的大范围记录速度区域、特别是16×的DVD、更优选为DVD -R的光信息记录介质，本发明提供一种光信息记录介质，该光信息记 录介质具有以下部分：具有透光性且形成了预制沟槽(pre-groove)的 基板，设置在上述基板上、包含吸收激光的色素的光记录层，设置在所 述光记录层上、反射上述激光的光反射层；通过上述基板对上述光记录 层照射上述激光来记录可光学读取的信息；其特征为，上述激光的记录 速度在最高速时的调制度和在最低速时的调制度之比(最高速记录时的 调制度/最低速记录时的调制度)为1.1～1.7。
上述激光的记录速度在最高速时的调制度和在最低速时的调制度之 比(最高速记录时的调制度/最低速记录时的调制度)可以为1.1～1.6。
在上述预制沟槽内，该光信息记录介质的直径方向的截面中上述光 记录层所占的截面积相对于上述预制沟槽的截面积的比率(沟槽内色素 比率)可以为30％～63％。
上述光记录层的热分解开始温度可以为190～260℃，发热量可以为 20～150cal/g。
上述激光的记录再现波长处上述光记录层的消光系数κ可以为0.2 或0.2以下。
作为上述色素，可以使用下述结构式表示的色素化合物。

(该结构式表示相对于2分子偶氮色素结合1分子2价金属阳离 子(M2+)形成的金属配位化合物，式中，环A表示由其键合的碳原 子与氮原子一同形成的杂环，环B表示可以被取代的苯环，环C表 示包含其键合的氮原子的杂环，也可以与环B形成键，X表示可以具 有活性氢的基团。)
本发明的光信息记录介质将记录时光记录层内色素的热分解开始温 度及发热量、以及光吸收能力(消光系数)κ控制在最佳范围，因此能 够得到在标准线速度(1×)～16倍速(16×)的广泛记录速度区域内 适当确保LPP信号及调制度的光信息记录介质。
附图说明
图1为本发明的一个实施例中光信息记录介质1的要部放大截面图。
图2为表示该实施例中光反射层4侧形状的测定结果的曲线图。
图3为将图2中得到的曲线近似成直线的表示光反射层4的截面形 状的曲线图。
图4示出该实施例中沟槽内色素比率、及沟槽内光反射层比率的计 算式。
图5为表示该实施例中DC抖晃和沟槽内色素比率的曲线图。
图6为表示该实施例中色素的热分解开始温度(色素分解开始温度) 和16倍速与1倍速的调制度之比的关系的曲线图。
图7为表示该实施例中色素的消光系数κ和记录能量(16×记录时) 的关系的曲线图。
图8为表示该实施例中色素的发热量和记录灵敏度(记录能量)(16 ×记录时)的关系的曲线图。
图9为表示该实施例中满足本发明的光信息记录介质1的热分解开 始温度、发热量及消光系数κ等的范围的有机色素材料(偶氮色素)的 一般结构式的说明图。
图10为列举图9中“A”的具体例的说明图。
图11为列举图9中“B”的具体例的说明图。
图12为列举图9中“X”的具体例的说明图。
图13为列举图9中“C”的具体例的说明图。
图14为列举图9中“M2+”的具体例的说明图。
图15为表示实施例1中使用的色素化合物I(偶氮色素)的结构式 的说明图。
图16为表示比较例1、2中使用的色素化合物II(偶氮色素)的结 构式的说明图。
附图标记
1  光信息记录介质(实施例、图1)
2  基板
3  光记录层(光吸收层)
4  光反射层
5  保护层
6  虚设基板
7  预制沟槽
8  岸台
9  激光(记录光、再现光)
10 记录凹坑
11 第1层界
12 第2层界
13 第3层界
14 第4层界
15 开口部水平线

本发明使激光的记录速度在最高速时的调制度和在最低速时的调制 度之比(最高速记录时的调制度/最低速记录时的调制度)为1.1～1.7， 因此即使在最高使用速度(16×)下也能够适用，特别是在DVD-R的 情况下也能够取得良好的AR(Aperture Ratio：振幅降低率指标)，从 而能够实现适应低速至高速的大范围记录线速度的光信息记录介质。
本发明的光信息记录介质特别适用于DVD-R，但是并不限定于此， 例如也可以适用于CD-R、DVD+R、Blu-Ray、HD DVD等。
实施例
下面，基于图1～图16说明作为本发明的一个实施例的光信息记录 介质1。
图1为圆盘状的光信息记录介质1的要部放大截面图，模式地示出 表示光信息记录介质1在直径方向的截面的截面图，即，与刻制有预制 沟槽7的面垂直、且与预制沟槽7的方向垂直地截断得到的截面图。
光信息记录介质1具有透光性基板2、形成在上述基板2上的光记 录层3(光吸收层)、形成在上述光记录层3上的光反射层4、形成在 上述光反射层4上的保护层5。另外，在保护层5的上层叠规定厚度的 虚设基板6，形成DVD标准中必需的规定厚度。
在上述基板2上螺旋状地形成预制沟槽7。在上述预制沟槽7的左 右为上述预制沟槽7以外的部分，即，岸台8。
如图所示，对光信息记录介质1照射激光9(记录光)时，光记录 层3吸收上述激光9的能量而发热，在基板2侧发生热变性，形成记录 凹坑10。另外，虽然省略图示，但是在岸台8上形成用作地址信息的上 述岸台预制凹坑(LPP)。
另外，基板2和光记录层3由第1层界11彼此连接。
光记录层3和光反射层4由第2层界12连接。
光反射层4和保护层5由第3层界13连接。
保护层5和虚设基板6由第4层界14连接。
透光性的基板2是对激光的折射率在例如1.5～1.7左右的范围内的 高透明度材料，主要由耐冲击性优良的树脂形成，例如使用聚碳酸酯板、 玻璃板、丙烯酸树脂板、环氧树脂板等。
光记录层3是形成在基板2上的由含有色素的吸光性物质(吸光 物质)构成的层，是通过照射激光9而发热、熔融、升华、变形或变 性的层。上述光记录层3是例如将溶解在溶剂中的偶氮类色素、酞菁 类色素等采用旋涂法等方法均匀地涂布在基板2的表面而形成的。
光记录层3中使用的材料可以采用任意的光记录材料，本发明中 必须具有规定的热分解温度及发热量，详细情况如下所述。
光反射层4为导热率及反光性高的金属膜，例如将金、银、铜、 铝、或包含上述金属的合金利用蒸镀法、溅镀法等方法而形成金属膜。
保护层5是采用与基板2具有相同的耐冲击性、粘合性优良的树 脂形成的。例如利用旋涂法涂布紫外线固化树脂，对其照射紫外线使 其固化而形成。
虚设基板6由与上述基板2相同的材料形成，确保约1.2mm的规 定厚度。
首先说明光信息记录介质1的放热特性。
图1中，如图所示地设定了光信息记录介质1各部分的尺寸。
特别是在预制沟槽7中，基板2和光记录层3的第1层界11处，图 1中，将预制沟槽7的左上拐角部表示为A点，左下拐角部表示为B点， 右下拐角部表示为C点，右上拐角部表示为D点。
而且，将位于岸台8上的光反射层4的左上拐角部表示为E点，将 在预制沟槽7的开口部与从岸台8开始的第1层界11同一水平地延伸 的开口部水平线15(假想线)和光反射层的左侧倾斜部的交点表示为F 点，在预制沟槽7内向基板2的方向突出的光反射层4的左下拐角部表 示为G点、右下拐角部表示为H点，将开口部水平线15和光反射层的 右侧倾斜部的交点表示为I点，将位于岸台8上的光反射层4的右上拐 角部表示为J点。
将光反射层4朝向预制沟槽7的凹陷部的最大宽度(光信息记录介 质1直径方向的宽度)表示为Wdt(直线EJ的长度)。
将光反射层4朝向预制沟槽7的凹陷部的最小宽度表示为Wdb(直 线GH的长度)。
将光记录层3在预制沟槽7内的最大宽度表示为Wst(直线AD的 长度)。
将光记录层3在预制沟槽7内的最小宽度表示为Wsb(直线BC的 长度)。
将光反射层4朝向岸台8的凸部的宽度表示为Wdl(直线JE1的长 度)。
将光记录层3在岸台8上的宽度表示为Wsl(直线DA1的长度)。
将在光记录层3和光反射层4之间的岸台8的第1层界11的水平上 的光记录层3的宽度表示为Wx(直线AF、ID的长度)。
将光反射层4在岸台8上的第2层界12至预制沟槽7内的第2层界 12间的深度(色素沟槽深度)表示为Hdg(直线JE和直线GH间的长 度)。
将光记录层3在岸台8上的深度表示为Hd1(直线JE和直线DA间 的长度)。
将预制沟槽7的深度(基板沟槽深度)表示为Hsg(直线DA和直 线BC间的长度)。
将预制沟槽7内光记录层3和光反射层4间的深度表示为Hsd(直 线GH和直线BC间的长度)。
将光反射层4在光记录层3内的倾斜部的角度(沟槽色素角度)表 示为α。
另外，将光记录层3在基板2内的倾斜部的角度(沟槽基板角度) 表示为β。
为了测定该光信息记录介质1的截面形状及各尺寸，从光信息记录 介质1中央的孔插入金属制抹刀，剥离光记录层3和光反射层4间的第 2层界12部分，进行分解。
然后，用乙醇洗去附着在光反射层4侧的色素层(光记录层3)， 除去剥离时被抹刀损坏的部分，作为色素层形状的测定样品用于测定。
再用乙醇洗去附着在基板2侧的色素层，除去剥离时被抹刀损坏的 部分，作为基板2形状的测定样品用于测定。
测定各部分的形状时，使用AFM(Thermomicroscopes制、Autoprobe M5)。
图2为表示光反射层4侧形状的测定结果的曲线图，实际的测定形 状为曲线，为了容易使用深度、半宽度及角度的数据进行计算而将其近 似为直线。
即，图3为将图2中得到的曲线近似成直线的表示光反射层4的截 面形状的曲线图，点线表示实际的测定形状，实线表示近似形状。
另外，也可以采用与上述相同的方法测定基板2的形状。
下面说明本发明中高速记录时的热控设计，利用在光信息记录介质 1上进行记录时激光9的激光能量迅速加热预制沟槽7内的色素，各种 热通过光记录层3或光反射层4被扩散。
被扩散的热移动至邻接部分的轨道间或预制沟槽7内，该部分被加 热至某种程度，处于所谓的预热状态。如果在该预热状态下，照射用于 随后的记录的激光9，则形成与处于非预热状态、即冷却状态的记录膜 不同的记录凹坑10。
另外，激光9的激光能量越强，即，越进行高速记录，产生的热量 越多。例如，对于普通的DVD-R介质，以1倍速记录(约3.5m/s)时 其记录能量(激光强度)为6～10mW左右，以4倍速记录时为15～20mW 左右，以8倍速记录时为25～30mW左右，以16倍速记录时推测需要 40mW或40mW以上的记录激光能量。
总之，对于适应高速记录的介质，在上述记录时产生的热不影响邻 接部分变得越来越重要。
控制光信息记录介质1记录时产生的热的因素大致分为发热控制及 放热控制。
发热控制与光记录层3材料本身的发热量或分解温度等材料物性因 素有关，放热控制与光记录层3或基板2等的形状因素、即、光记录层 3的厚度或光记录层3和光反射层4之间的第2层界12的形状密切相关。
例如，将有机色素材料薄膜的光记录层3夹在金属薄膜的光反射层 4和聚碳酸酯材料的基板2之间。在导热性方面，明显是金属(光反射 层4)优于作为塑料材料的聚碳酸酯(基板2)，放热控制与形状因素 密切相关。
特别是以下项目中的光记录层3的形状对高速记录时的热控制(放 热控制)影响力较大。而且，项目(1)及(2)的影响力特别大。
(1)预制沟槽7内的色素比率(沟槽内色素比率)、即、上述沟槽 内色素比率实际是预制沟槽7内色素量的容积比例，等价于图1中梯形 FGHI的面积与梯形ABCD的面积之比。
图4示出上述沟槽内色素比率的计算式。
(2)预制沟槽7内的反射膜突出深度(Hsg-Hsd)。
(3)预制沟槽7内色素的厚度(沟槽内色素厚度)Hsd。
(4)预制沟槽7内的沟槽色素角度α。
(5)色素水平值(Hsg-Hdg)÷Hsg。
(6)预制沟槽7内光反射层4的比率(沟槽内光反射层比率)，即， 本发明也与沟槽内色素比率有关，着眼于预制沟槽7内光反射层4的比 率。根据图4所示的计算式，可以与沟槽内色素比率同样地定义沟槽内 光反射层比率。
本发明中，为了使其适应8倍速或8倍速以上的高速记录，(1)的 沟槽内色素比率优选为30％～63％。
不足30％时，无法形成足够大的记录凹坑10。
超过63％时，由基于图5的后续说明可知，无法将DC抖晃控制在 标准值以内。
然后，给出基板2、光记录层3及光反射层4等的形状(特别是沟 槽内色素比率)对介质的高速记录特性造成何种影响的研究结果数据。
图5为表示DC抖晃和沟槽内色素比率的曲线图，以DC抖晃超过 13％的不平衡值(asymmetrical value)为横轴、沟槽内色素比率为纵轴。
此处，“DC抖晃(jitter)”是指“Data to Clock Jitter”，为光信息 记录介质1旋转一周时的抖晃值，表示记录凹坑10的起伏。该DC抖晃 如果超过13％，则用作DVD-R时，标准中规定的错误信号(PI错误) 容易超过其标准值280。
“不平衡值”是表示DVD-R中记录凹坑10的凹坑长度3T至14T 的长度平均值与本来应记录位置的偏差。
实验证实为了进一步提高记录介质的记录灵敏度，设计上尽可能使 上述不平衡值向正值侧偏移，因此，作为不平衡值，在高速记录的情况 下，优选在-5％～15％的范围内，例如采用8倍速时，优选由-5％向 正值侧偏移，采用16倍速时，优选从5％向正值侧偏移。
图5基于进行1倍速、2倍速、4倍速、6倍速及8倍速的记录得到 的DC抖晃结果预测16倍速的记录结果，如图所示，沟槽内色素比率越 少(沟槽光反射层比率越高)，DC抖晃超过13％的不平衡值越向正值 侧偏移。即，预制沟槽7内光反射层4突出的比例越高(当然存在上限 值，例如70％)，越能够使记录时产生的热量被光反射层4的金属膜快 速释放扩散。
由图5的曲线图可以证明，不平衡值为-5％时的沟槽内色素比率优 选为63％或63％以下，不平衡值为+5％时的沟槽内色素比率优选为57 ％或57％以下。
下面说明色素材料的热分解开始温度、发热量、消光系数κ与调制 度、记录灵敏度或记录能量的关系。
图6为表示色素的热分解开始温度(色素分解开始温度)和、16倍 速与1倍速的调制度之比的关系的曲线图，可知热分解开始温度越低， 低速记录及高速记录的记录凹坑10的大小越接近，即，高速记录与低 速记录的调制度比变小。通过降低热分解开始温度，以较低的激光能量 即可将色素充分分解，在高速记录时，也可以与低速记录时同样地将激 光能量抑制在较低水平，因此能够不使记录凹坑10的大小出现不均地 进行控制。
在采用DVD的基本光法则(basic light strategy)时，满足低速记录 即1倍速记录(1×记录)的调制度为50％或50％以上，在考虑记录驱 动中半导体激光以外的个体差异等产生的影响的情况下，为了稳定地确 保其记录特性，1倍速记录时的调制度优选为55％或55％以上。
用于确保高速记录、即、16倍速记录(16×记录)时的LPP信号的 调制度为85％或85％以下，因此必须将16×/1×的调制度比(16×记 录的调制度/1×记录的调制度)控制在1.7或1.7以下、优选为1.6或1.6 以下。另外，用于满足1×以外的记录的调制度为60％或60％以上，因 此必须使16×的调制度至少为60％或60％以上，必须使16×/1×的调 制度比至少为1.1或1.1以上。
由图6的曲线图可知，必须使调制度比在1.1～1.7的范围内、特别 是在1.1～1.6的范围内，使色素的热分解开始温度在190～260℃、优选 200～250℃的范围内。如果热分解开始温度远低于190℃，则影响记录； 如果远高于260℃，则无法获得高速记录时的AR。由于本发明的光信息 记录介质1如上所述地调整调制度比，因此能够稳定地适应1×～16×的 广泛记录速度范围。
而且，利用在光信息记录介质1上进行记录时的激光能量迅速加热 预制沟槽7内的色素，在热的作用下形成记录凹坑10。色素的消光系数 κ、色素的热分解开始温度、发热量等色素物性、或光记录层3中色素 膜厚等形状使记录能量发生变化，也改变了形成的记录凹坑10的大小。
半导体激光本身的记录激光能量有限，因此建议在16×记录时将记 录能量控制在40～50mW左右。
另外，为了确保反射率(标准为45％或45％以上)，必须使消光系 数κ为某一固定值或该值以下。而且，在16×记录时，因上述高记录激 光能量的影响，而必须控制产生的热，使其不影响邻接的记录凹坑10 部分等，为了控制上述产生的热，基于图1～图5论述的通过光反射层 4的放热控制是有效的，将上述热分解开始温度控制在190～260℃的范 围内，同时使沟槽内色素比率为30％～63％，由此可以将发热时的调制 度比限定在所希望的范围内。
图7为表示色素的消光系数κ和记录能量(16×记录时)的关系的曲 线图，如图所示，消光系数κ越小，记录能量越高(记录灵敏度变差)。 为了满足16×记录，记录能量的目标值为作为标准的50mW或50mW以 下，优选为47mW或47mW以下，由图7的曲线图可知，对应于记录能 量(记录灵敏度)的可控制范围，在激光的记录再现波长(例如DVD 的660nm)处，消光系数κ为0.09或0.09以上。另外，为了得到45％ 或45％以上的标准反射率，激光的记录再现波长处的色素的消光系数κ 必须为0.15或0.15以下。另外，对于本发明中消光系数κ的指标，作 为检测波长之一，有660nm，但是本发明的对象并不限定于DVD。
下面验证消光系数κ相同时的色素发热量和16×记录灵敏度的关系。
图8为表示色素的发热量和记录灵敏度(记录能量)(16×记录时) 关系的曲线图，如图所示，消光系数κ相同时(κ＝0.09、κ＝0.06)， 色素的发热量越小，记录灵敏度越发生大幅度恶化(记录能量增加)。 本发明中，色素的发热量必须为20～150cal/g、优选为50～100cal/g、更 优选为70～100cal/g。
即，作为记录能量，用于满足16×记录的记录灵敏度的目标值为 47mW或47mW以下，由图8的曲线图可知，为了能够控制上述记录灵 敏度，必须使色素的发热量至少为20cal/g或20cal/g以上。如果低于 20cal/g，则必须提高激光输出功率。
另外，由实验结果可知，即使降低热分解开始温度，如果发热量超 过150cal/g，则色素的分解也将过度进行，结果导致调制度变得过大。
作为满足上述本发明光信息记录介质1的热分解开始温度、发热量 及消光系数κ等范围的色素之一例，可以举出图9所示的有机色素材料 (偶氮色素)。
另外，图10为列举图9中“A”的具体例的说明图。其中，实用上 优选图中左上部所示二个环以外的基团。
图11为列举图9中“B”的具体例的说明图。
图12为列举图9中“X”的具体例的说明图。其中，实用上优选图 中左上部所示的二个基团。
图13为列举图9中“C”的具体例的说明图。其中，实用上优选图 中左右上部示出的五个单环基团以外的基团。
图14为列举图9中“M2+”的具体例的说明图。其中，实用上优选 Ni2+。
下面说明具体实施例。
(实施例1)
将图15示出的色素化合物I(偶氮色素)0.25g溶解在10ml 2，2， 3，3-四氟-1-丙醇中，配制涂布溶液。
使用TG-DTA((株)理学电机制)分析上述色素化合物I的热分 解开始温度时，确认在温度为251.4℃时开始发生热分解。
使用DSC(Macscience社制)分析色素化合物I的分解发热量时， 确认发热量为71.4cal/g。
色素化合物I的消光系数κ在记录波长660nm处为0.13。
在聚碳酸酯制、具有连续的导向沟(预制沟槽7)的外径120mm、 厚度0.6mm的圆盘状基板2上，采用旋涂法，以2000rpm的转速涂布上 述色素化合物I的涂布溶液，形成平均色素膜厚度约50nm的光记录层3。
再在上述光记录层3上溅镀银(Ag)，形成厚度为100nm的光反射 层4。
再在光反射层4上旋涂紫外线固化树脂SD-318(大日本INK化学 工业制)后，对其照射紫外线，使其固化，形成保护层5。
在上述保护层5的表面涂布紫外线固化树脂制粘合剂，贴合材质及 形状与上述相同的虚设基板6，对上述粘合剂照射紫外线，使其固化而 粘合，制成追记型光信息记录介质1。
使用搭载了波长660nm的半导体激光(NA＝0.65)的PULSTEC工 业社制的光盘评价装置(DDU-1000)，在如上所述地形成了光记录层 3的光信息记录介质1上，以3.49m/s(1倍速)的线速度记录EFM信 号，结果，激光能量为6.5mW。
记录后，使用同一评价装置，将激光输出功率改为0.7mW，对信号 进行再现，测定反射率、调制度、错误率与抖晃水平时，均显示良好的 值。
另外，以28m/s(8倍速)的线速度进行高速记录时，激光能量为 24.5mW。
记录后，使用同一评价装置，将激光输出功率改为0.7mW，对信号 进行再现，测定反射率、调制度、错误率与抖晃水平时，均显示良好的 值。特别是对于调制度，记录速度为最高速(8倍速)时的调制度和最 低速(1倍速)时的调制度之比(最高速记录时的调制度/最低速记录时 的调制度)为1.6。
(比较例1)
使用图16所示的色素化合物II(偶氮色素)代替图15所示的色素 化合物I(偶氮色素)，除此之外与实施例1相同。
上述色素化合物II的热分解开始温度为275.1℃，分解发热量为 121.5cal/g，消光系数κ在记录波长660nm处为0.14。
与上述实施例1同样地使用涂布溶液制成追记型光信息记录介质1， 进行评价时，由于热分解开始温度过高，因此1×记录时的调制度降低至 42％，因此无法得到充分的特性。
(比较例2)
将比较例1中的色素膜厚由约50nm改为60nm，除此之外，与比较 例1相同。
上述色素化合物II的热分解开始温度、分解发热量及消光系数κ分 别与比较例1的情况相同。
与上述实施例1同样地使用涂布溶液制成追记型光信息记录介质1， 进行评价时，由于色素膜厚形成得足够厚，因此1×记录时的调制度降低 至49％，16×记录时的调制度为87％，过高，最高速(8倍速)时的调 制度和最低速(1倍速)时的调制度之比(最高速记录时的调制度/最低 速记录时的调制度)为1.8，岸台预制凹坑(LPP)信号的信号振幅降低， AR变为0，因此无法获得充分的特性。
另外，对于上述结果，希望预先考虑测定误差，即，优选在上述测 定结果得到的数值中加入±5％左右的测定误差。
另外，光信息记录介质的最高速或最低速只要从上述记录介质或 包装上标注的可记录速度范围中选择即可，但是并不限定于此，也可 以从实际进行记录时可记录的速度范围中选择。