1.一种化合物，包括作为锚定基团的方形酸基团，所述化合物具有通式2
其中n是1，以及
其中A1选自
2.根据权利要求1所述的化合物用于改变或影响传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的下述中的应用：
-逸出功；
-表面能；
-隧道势垒；和/或
-光吸收能力。
3.根据权利要求2所述的应用，其中所述应用包括将所述至少一种化合物吸附到所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上。
4.根据权利要求3所述的应用，其中通过将所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底暴露于包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液，发生所述吸附。
5.根据权利要求3所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液蒸发或旋涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。
6.根据权利要求3所述的应用，其中通过将至少一种根据权利要求1所述的化合物热蒸发或升华在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。
7.根据权利要求3所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1所述的化合物的溶液或基质刮涂或滴涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，或通过将至少一种根据权利要求1所述的化合物刮涂或滴涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述逸出功和所述光吸收能力。
9.根据权利要求8所述的应用，用于朝向真空能级转移所述逸出功，并且改进所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述光吸收能力。
10.根据权利要求2至7中任一项所述的应用，其中使用两种或三种根据权利要求1所述的化合物。
11.一种电子器件，包括至少一种根据权利要求1所述的化合物。
12.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述器件选自发光器件、肖特基势垒二极管、整流器、场效应晶体管、光伏器件、光化学器件、存储器件、传感器、显示器、或光催化的水分解器件。
13.一种用于电子器件中的组件，所述组件包括：
a)传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底，所述衬底具有表面，b)在所述表面上的包括方形酸基团的至少一种化合物的层，其中，所述层经由所述方形酸基团共价地附着至所述表面，并且其中包括方形酸基团的所述化合物根据权利要求1所限定，以及
c)沉积在所述层上的有机层、无机层、或电解质层。
14.一种用于电子器件中的组件，所述组件包括：
a)为传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底的第一衬底，所述第一衬底具有为第一表面的表面，
b)在所述第一表面上的包括方形酸基团的至少一种化合物的第一层，其中，所述第一层经由所述方形酸基团共价地附着至所述第一表面，并且其中包括方形酸基团的所述化合物根据权利要求1所限定，以及
c)为传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底的第二衬底，所述第二衬底具有为第二表面的表面，
d)在所述第二表面上的包括方形酸基团的至少一种化合物的第二层，其中，所述第二层经由所述方形酸基团共价地附着至所述第二表面，并且其中包括方形酸基团的所述化合物根据权利要求1所限定，
其中，b)和d)的所述化合物可以是相同的或不同的，
其中，所述第一衬底和所述第二衬底可以是相同的或不同的。
15.根据权利要求14所述的用于电子器件中的组件，其中，所述第一衬底和所述第二衬底彼此不接触。
16.根据权利要求14所述的用于电子器件中的组件，其中，所述第一层和所述第二层(i)可以彼此接触或(ii)另外的层在所述第一层和所述第二层之间。
17.一种包括根据权利要求13或14所述的组件的电子器件，其中，所述器件选自发光器件、肖特基势垒二极管、整流器、场效应晶体管、光伏器件、光化学器件、存储器件、传感器、显示器、或光催化的水分解器件。
18.一种改变传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的逸出功、表面能、隧道势垒和/或光吸收能力的方法，所述方法包括以下步骤：
a)将根据权利要求1所限定的化合物吸附在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，所述吸附根据权利要求4至7中任一项中所限定，和
b)将有机层、无机层、或电解质层沉积在所述层上。