[0001] 本发明涉及树脂片。

[0002] 近年来，LSI的安装技术中，CSP(Chip Size/Scale Package)技术受到关注。该技术之中，以WLP(Wafer Level Package)为代表的不使用常规电路基板的仅芯片的形态的封装是在小型化和高集成方面尤其受到关注的封装形态之一。作为WLP的制造方法，可以举出使布线电路基板的导体部分与半导体芯片的电极位置对应并将两者连接的方法。

[0003] 上述布线电路基板由于其挠性的性质，在芯片安装等的制造工序中的可操作性不好。因此，以往，如专利文献1、2等所示的那样，使用如下方法：首先，在支承基板上形成挠性的布线电路基板而制成具有适当刚性的该布线电路基板，在改善了工序中的可操作性的状态下进行芯片安装，在将作为刚性体的芯片安装后除去支承基板。

[0004] 与仅露出电极焊盘的裸片相比，芯片安装于布线电路基板且将支承基板除去后的状态的半导体装置是具备易于进行与外部导体(外部电路等)的连接或安装的连接用导体的一种半导体装置。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2000-349198号公报

[0008] 专利文献2：日本特开2001-44589号公报

[0009] 发明要解决的问题

[0010] 上述布线电路基板可以通过对在支承体上形成有基底绝缘层的基底材料应用半加成法、减成法等以往公知的电路基板或内插器的制造技术来形成。然而，这种方法中，由于使用各种溶剂，因而期望基底绝缘层的高溶剂耐性。

[0011] 用于解决问题的手段

[0012] 本申请发明人等为了解决上述以往的问题点，对用于形成布线电路基板的树脂片进行了研究。其结果发现，通过采用下述的构成，能够提高耐溶剂性，从而完成了本发明。

[0013] 即，本发明涉及的树脂片的特征在于，是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片，

[0014] 所述树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。

[0015] 根据上述构成，树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下，因此可以说在甲乙酮中的溶出受到了抑制。因此，若使用在甲乙酮中的溶出受到抑制且具有耐溶剂性的上述树脂片，则能够制造精度高的布线电路基板。

[0016] 上述构成中，优选在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下。上述布线电路基板的制造中有时使用酸(例如氢氟酸)。若热固化后在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下，则还具有耐酸性。其结果，如果使用上述树脂片，则能够制造精度更高的布线电路基板。

[0017] 上述构成中，优选在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下。上述布线电路基板的制造中有时使用碱(例如四甲基氢氧化铵水溶液)。若热固化后在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下，则还具有耐碱性。其结果，如果使用上述树脂片，则能够制造精度更高的布线电路基板。
附图说明

[0018] 图1是本实施方式涉及的树脂片的剖面示意图。

[0019] 图2是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0020] 图3是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0021] 图4是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0022] 图5是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0023] 图6是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0024] 图7是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0025] 图8是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0026] 图9是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0027] 图10是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0028] 图11是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0029] 图12是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0030] 参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于这些例子。图1是本实施方式涉及的树脂片的剖面示意图。需要说明的是，在本说明书中，图中省略说明所不需要的部分，另外，为了便于说明，有进行放大或缩小等来进行图示的部分。需要说明的是，本发明中使用的“上表面”、“下表面”等表示上下的词句仅是用于说明层的位置关系，不限定布线电路基板或半导体装置实际的上下姿态。

[0031] 树脂片20a(参见图1)是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片。需要说明的是，对于使用树脂片20a形成布线电路基板的方法、使用布线电路基板制造半导体装置的方法，下文中使用图2～图12进行详述。

[0032] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。在甲乙酮中浸渍后的上述重量减少率优选为0.8重量％以下。另外，在甲乙酮中浸渍后的上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下，因此可以说在甲乙酮中的溶出受到了抑制。因此，若使用在甲乙酮中的溶出受到抑制且具有耐溶剂性的树脂片20a，则能够制造精度高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0033] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率优选为1.0重量％以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，在0.5重量％氢氟酸中浸渍后的上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用酸(例如氢氟酸)。若热固化后在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下，则还具有耐酸性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0034] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，在3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍后的上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用碱(例如四甲基氢氧化铵水溶液)。若热固化后在20℃以上且
25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下，则还具有耐碱性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0035] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的SC-1(组成以重量比计，氨水(15重量％)：过氧化氢：水＝1：2：5)中浸渍100秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的清洗工序中有时使用SC-1。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对SC-1的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0036] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的SC-2(组成以重量比计，盐酸(38重量％)：过氧化氢：水＝1：2：5)中浸渍160秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的清洗工序中有时使用SC-2。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对SC-2的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0037] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的30重量％的过氧化氢溶液中浸渍840秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用过氧化氢溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对过氧化氢溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0038] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的脱脂用溶液(碱、水溶性/非水溶性溶剂、表面活性剂等)中浸渍300秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用脱脂用溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对脱脂用溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。作为上述脱脂用溶液，可以列举日矿Metal Plating株式会社制的Rapid Clean P-1000。

[0039] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的70重量％的硝酸水溶液中浸渍30秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用脱脂用溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对脱脂用溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。

[0040] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的镀覆预处理液(组成：具有金属盐的碱性水溶液)中浸渍30秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用锌酸盐溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对锌酸盐溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。作为上述锌酸盐溶液，可以列举日矿Metal Plating株式会社制的SUPER ZINCATE PROCESS SZII。

[0041] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的镀镍用溶液(组成：硫酸镍、次磷酸钠、有机酸等)中浸渍1800秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用镀镍用溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对镀镍用溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。作为上述镀镍用溶液，可以列举日矿Metal Plating株式会社制的KG-535-0：KG-535-1＝3：1。

[0042] 树脂片20a在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且80℃以下的镀金用溶液(组成：磷酸化合物、亚硫酸化合物、胺化合物等)中浸渍1200秒后的重量减少率优选为1.0％重量以下、更优选为0.8重量％以下、进一步优选为0.6重量％以下。另外，上述重量减少率优选较少，例如为0重量％以上、0.01重量％以上。布线电路基板的制造中有时使用镀镍用溶液。若上述重量减少率为1.0％重量以下，则还具有对镀镍用溶液的耐性。其结果，能够制造精度更高的布线电路基板。对于上述重量减少率而言，通过降低弹性体的含量、或者使用高玻璃化转变温度的树脂、或者提高热固化后的交联密度，能够使上述重量减少率下降。作为上述镀金用溶液，可以列举日矿Metal Plating株式会社制的CF-500SS。

[0043] 对于树脂片20a而言，在180℃进行1小时热固化后的玻璃化转变温度优选为100℃以上、更优选为110℃以上、进一步优选为120℃以上。由于树脂片20a具备上述的构成，因此能够有效地发挥耐溶剂性、耐酸性、耐碱性等。

[0044] 形成树脂片20a的树脂组合物只要具有上述特性并能够用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板，就没有特别限定，作为优选的树脂组合物，可以举出例如含有如下A成分至E成分的环氧树脂组合物。需要说明的是，C成分根据需要可以添加也可以不添加。

[0045] A成分：环氧树脂

[0046] B成分：酚醛树脂

[0047] C成分：弹性体

[0048] D成分：无机填充剂

[0049] E成分：固化促进剂

[0050] (A成分)

[0051] 作为环氧树脂(A成分)，没有特别限定。可以使用例如三苯甲烷型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、苯酚酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用也可以合用2种以上。

[0052] 从确保环氧树脂的固化后的韧性以及环氧树脂的反应性的观点出发，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的在常温下为固态的环氧树脂，其中，从可靠性的观点出发，优选三苯甲烷型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。

[0053] 另外，从低应力性的观点出发，优选具有缩醛基、聚氧化烯基等柔软性骨架的改性双酚A型环氧树脂，具有缩醛基的改性双酚A型环氧树脂为液体状且操作性良好，因此可以特别适宜使用。

[0054] 环氧树脂(A成分)的含量优选设定成相对于环氧树脂组合物整体为1～10重量％的范围。

[0055] (B成分)

[0056] 酚醛树脂(B成分)只要可与环氧树脂(A成分)之间发生固化反应就没有特别限定。可以使用例如苯酚酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、甲酚酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以合用2种以上。

[0057] 作为酚醛树脂，从与环氧树脂(A成分)的反应性的观点出发，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂，其中从固化反应性高的观点出发，可以适宜地使用苯酚酚醛树脂。另外，从可靠性的观点出发，可以适宜地使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酚醛树脂。

[0058] 从固化反应性的观点出发，环氧树脂(A成分)和酚醛树脂(B成分)的配合比例优选按照酚醛树脂(B成分)中的羟基的合计相对于环氧树脂(A成分)中的环氧基1当量为0.7～1.5当量的方式配合，更优选为0.9～1.2当量。

[0059] (C成分)

[0060] 与环氧树脂(A成分)和酚醛树脂(B成分)一同使用的弹性体(C成分)对环氧树脂组合物赋予对被粘物的追随性(嵌入(埋め込み)性)所需的挠性，只要能发挥这样的作用，就对其结构没有特别限定。可以使用例如：聚丙烯酸酯等各种丙烯酸系共聚物；苯乙烯丙烯酸酯系共聚物、丁二烯橡胶、丁苯橡胶(SBR)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、异戊二烯橡胶、丙烯腈橡胶等橡胶质聚合物。其中，从易于向环氧树脂(A成分)中分散并且与环氧树脂(A成分)的反应性也高，因此可以提高所得到的树脂片20a的耐热性、强度的观点出发，优选使用丙烯酸系共聚物。它们可以单独使用，也可以合用2种以上。

[0061] 需要说明的是，丙烯酸系共聚物例如可以通过将设成规定混合比后的丙烯酸系单体混合物利用常规方法进行自由基聚合来合成。作为自由基聚合的方法，可以使用以有机溶剂作为溶剂而进行的溶液聚合法、使原料单体分散在水中同时进行聚合的悬浮聚合法。作为此时使用的聚合引发剂，可以使用例如2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮双-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈、其它偶氮系或重氮系聚合引发剂、过氧化苯甲酰和过氧化甲乙酮等过氧化物系聚合引发剂等。需要说明的是，悬浮聚合的情况下，理想的是加入例如聚丙烯酰胺、聚乙烯醇之类的分散剂。

[0062] 弹性体(C成分)的含量优选为环氧树脂组合物整体的15～30重量％。弹性体(C成分)的含量为15重量％以上时，容易得到树脂片20a的柔软性和挠性。另一方面，上述含量为30重量％以下时，可以抑制树脂片20a的固化体的强度和耐热性的下降。

[0063] 另外，弹性体(C成分)相对于环氧树脂(A成分)的重量比例(C成分的重量/A成分的重量)优选设定为3～4.7的范围。上述重量比例为3以上时，易于控制树脂片20a的流动性，4.7以下时，能够使树脂片20a的粘接性良好。

[0064] (D成分)

[0065] 无机填充剂(D成分)没有特别限定，可以使用以往公知的各种填充剂，可以举出例如石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅等的粉末。它们可以单独使用，也可以合用2种以上。

[0066] 其中，从耐溶剂性、耐酸性、耐碱性的方面出发，优选使用二氧化硅粉末，二氧化硅粉末之中更优选使用熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以举出球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，从流动性的观点出发，特别优选使用球状熔融二氧化硅粉末。其中，优选使用平均粒径为0.1～30μm的范围的粉末，特别优选使用0.3～15μm的范围的粉末。

[0067] 需要说明的是，平均粒径可以如下方式导出：使用从抽样总体中任意抽选的试样，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定。

[0068] 无机填充剂(D成分)的含量优选为环氧树脂组合物整体的70～95重量％、更优选为72～93重量％、进一步优选为75～90重量％。通过使无机填充剂(D成分)的含量为70重量％以上，能够使耐溶剂性、耐酸性、耐碱性良好。另一方面，通过使上述含量为90重量％，能够抑制树脂片20a的柔软性和流动性的变差。

[0069] (E成分)

[0070] 固化促进剂(E成分)只要促进环氧树脂和酚醛树脂的固化就没有特别限定，从固化性和保存性的观点出发，优选使用三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯(テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート)等有机磷系化合物、咪唑系化合物。这些固化促进剂可以单独使用，也可以与其它固化促进剂合用。

[0071] 固化促进剂(E成分)的含量相对于环氧树脂(A成分)和酚醛树脂(B成分)的合计100重量份优选为0.1～5重量份。

[0072] (其它成分)

[0073] 另外，环氧树脂组合物中除A成分～E成分以外还可以加入阻燃剂成分。作为阻燃剂成分，可以使用例如氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物。从能够以较少的添加量发挥阻燃性的方面和成本的观点出发，优选使用氢氧化铝或氢氧化镁，特别优选使用氢氧化铝。

[0074] 作为金属氢氧化物的平均粒径，从对环氧树脂组合物进行了加热时确保适当流动性的观点出发，优选平均粒径为1～10μm、进一步优选为2～5μm。金属氢氧化物的平均粒径小于1μm时，难以在环氧树脂组合物中均匀分散，并且在环氧树脂组合物的加热时有无法充分得到流动性的趋势。另外，平均粒径大于10μm时，金属氢氧化物(E成分)的单位添加量的表面积变小，因此可看到阻燃效果下降的趋势。

[0075] 另外，作为阻燃剂成分，在上述金属氢氧化物以外还可以使用磷腈化合物。作为磷腈化合物，能够获得例如作为市售品的SPR-100、SA-100、SP-100(以上、大塚化学株式会社)、FP-100、FP-110(以上、株式会社伏见制药所)等。

[0076] 从即使少量也可发挥阻燃效果的观点出发，优选由式(1)或式(2)表示的磷腈化合物，这些磷腈化合物中含有的磷元素的含量优选为12重量％以上。

[0077] 【化1】

[0078]1 2

[0079] (式(1)中，n为3～25的整数，R和R 相同或不同，是具有选自烷氧基、苯氧基、氨基、羟基和烯丙基中的官能团的一价有机基。)

[0080] 【化2】

[0081]

[0082] (式(2)中，n和m各自独立地为3～25的整数。R3和R5相同或不同，是具有选4
自烷氧基、苯氧基、氨基、羟基和烯丙基中的官能团的一价有机基。R是具有选自烷氧基、苯氧基、氨基、羟基和烯丙基中的官能团的二价有机基。)

[0083] 另外，从稳定性以及抑制空隙(ボイド)生成的观点出发，优选使用由式(3)表示的环状磷腈低聚物。

[0084] 【化3】

[0085]

[0086] (式(3)中，n为3～25的整数，R6和R7相同或不同，为氢、羟基、烷基、烷氧基或缩水甘油基。)

[0087] 上述由式(3)表示的环状磷腈低聚物能够获得例如作为市售品的FP-100、FP-110(以上、株式会社伏见制药所)等。

[0088] 磷腈化合物的含量优选为包含环氧树脂组合物中含有的环氧树脂(A成分)、酚醛树脂(B成分)、弹性体(D成分)、固化促进剂(E成分)和磷腈化合物(其它成分)的有机成分整体的10～30重量％。即，磷腈化合物的含量小于有机成分整体的10重量％时，可看到树脂片20a的阻燃性下降的趋势。上述含量大于有机成分整体的30重量％时，树脂片20a的表面容易产生发粘，可看到作业性下降的趋势。

[0089] 另外，也可以合用上述金属氢氧化物和磷腈化合物，从而能够在确保片封装所需的挠性的同时得到阻燃性优异的树脂片20a。通过合用两者，可以得到仅使用金属氢氧化物时的充分阻燃性、和仅使用磷腈化合物时的充分的挠性。

[0090] 对于合用金属氢氧化物和磷腈化合物时的两者的含量而言，优选两成分的合计量为环氧树脂组合物整体的70～90重量％、更优选为75～85重量％。上述合计量小于70重量％时，树脂片20a难以得到充分的阻燃性，大于90重量％时，树脂片20a的表面上变得容易产生发粘，可看到作业性下降的趋势。

[0091] 需要说明的是，环氧树脂组合物在上述各成分以外还可以根据需要适当配合以炭黑为代表的颜料等其它添加剂。

[0092] (树脂片的制作方法)

[0093] 下面说明树脂片20a的制作方法。首先，通过将上述各成分混合来制备环氧树脂组合物。混合方法只要是将各成分均匀地分散混合的方法就没有特别限定。之后，例如涂布将各成分溶解或分散于有机溶剂等中而成的清漆，来形成片状。或者，也可以利用捏合机等直接对各配合成分进行混炼来制备混炼物，将如此得到的混炼物挤出形成片状。

[0094] 作为使用清漆的具体制作步骤，依照常规方法将上述A～E成分和根据需要的其它添加剂适当混合，均匀地溶解或分散于有机溶剂中，从而制备清漆。接着，将上述清漆涂布于聚酯等支承体上并使之干燥，由此可以得到树脂片20a。然后，根据需要也可以为了保护树脂片20a的表面而贴合聚酯膜等剥离片。

[0095] 作为上述有机溶剂，没有特别限定，可以使用以往公知的各种有机溶剂，例如甲乙酮、丙酮、环己酮、二氧六环、二乙基酮、甲苯、乙酸乙酯等。它们可以单独使用，也可以合用2种以上。另外，通常优选按照清漆的固体成分浓度达到30～60重量％的范围方式使用有机溶剂。

[0096] 有机溶剂干燥后的片的厚度没有特别限制，从厚度的均匀性和残留溶剂量的观点出发，通常优选设定为5～100μm、更优选为20～70μm。

[0097] 另一方面，在使用混炼的情况下，使用混合器等公知的方法将上述A～E成分和根据需要的其它添加剂的各成分混合，之后，进行熔融混炼，由此制备混炼物。作为熔融混炼的方法，没有特别限定，可以举出通过例如混合辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行熔融混炼的方法等。作为混炼条件，只要温度为上述各成分的软化点以上就没有特别限制，例如30～150℃，若考虑环氧树脂的热固化性，则优选为40～140℃、进一步优选为60～120℃，时间例如为1～30分钟、优选为5～15分钟。由此，能够制备混炼物。

[0098] 通过利用挤出成形对所得到的混炼物进行成形，可以得到树脂片20a。具体来说，通过在不冷却熔融混炼后的混炼物而保持高温状态下进行挤出成形，可以形成树脂片20a。作为这样的挤出方法，没有特别限制，可以举出T模挤出法、辊压延法、辊混炼法、共挤出法、压延机成型法等。作为挤出温度，只要是上述各成分的软化点以上就没有特别限制，若考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃、优选为50～140℃、进一步优选为70～120℃。由此，可以形成树脂片20a。

[0099] 如此得到的树脂片20a也可以根据需要而按照成为所期望的厚度的方式层叠后使用。即，树脂片20a可以以单层结构使用，也可以以层叠成2层以上的多层结构而成的层叠体的形式使用。

[0100] (半导体装置的制造方法)

[0101] 以下，参照图2～图12，对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个示例进行详细说明。图2～图12是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

[0102] (具有剥离层的支承体的准备)

[0103] 首先，制备支承体1(参见图2)。支承体1优选具有一定以上的强度。

[0104] 作为支承体1，没有特别限定，可以举出：硅晶片、SiC晶片、GaAs晶片等化合物晶片；玻璃晶片、SUS、6-4Alloy；Ni箔、Al箔等金属箔；等等。采用俯视观察时为圆形的情况下，优选硅晶片或玻璃晶片。另外，俯视观察时为矩形的情况下，优选SUS板或玻璃板。

[0105] 另外，作为支承体1，还可以使用例如：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚体树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳香族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃纤维布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、硅树脂、纸等。

[0106] 支承体1可以单独使用，也可以组合使用2种以上。支承体的厚度没有特别限定，例如通常为10μm～20mm左右。

[0107] 接着，在支承体1上形成剥离层5。

[0108] 剥离层5在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中浸渍60秒钟，在150℃干燥30分钟后的重量减少率优选为1.0重量％以上、更优选为1.2重量％以上、进一步优选为1.3重量％以上。另外，上述重量减少率优选较大，但例如为50重量％以下、30重量％以下。在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中浸渍60秒钟，在150℃干燥30分钟后的重量减少率为1重量％以上，因此剥离层5溶出于N-甲基-2-吡咯烷酮，可以说重量充分减少。其结果为，能够利用N-甲基-2-吡咯烷酮容易地将剥离层5剥离。剥离层5的上述重量减少率例如能够通过原材料在NMP中的溶解性来进行控制。即，作为原材料，越是选择在NMP中溶解性高的原材料，使用该原材料得到的剥离层对NMP的溶解性越高。

[0109] 剥离层5的冲击硬度优选为10以下、更优选为9以下、进一步优选为8以下。另外，上述冲击硬度优选较小，例如为0.001以上。上述冲击硬度为10以下时，能够使剥离层5对被粘物有足够粘接力。

[0110] 剥离层5的表面硬度优选为10GPa以下、更优选为8GPa以下、进一步优选为6GPa以下。另外，上述表面硬度优选较小，但例如为0.05GPa以上。上述表面硬度为10GPa以下时，能够控制该剥离层5与被粘物的粘接力。

[0111] 剥离层5在3％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍5分钟后的重量减少率优选小于1重量％、更优选小于0.9重量％、进一步优选小于0.8重量％。另外，上述重量减少率优选较小，例如为0重量％以上、0.001重量％以上。在3％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍
5分钟后的重量减少率小于1重量％时，在3％的四甲基氢氧化铵水溶液中的溶出少，因此能够提高耐溶剂性(尤其是对四甲基氢氧化铵水溶液的耐溶剂性)。剥离层5的上述重量减少率例如可以通过所使用的二胺的组成(二胺对四甲基氢氧化铵水溶液的溶解性)来进行控制。

[0112] 剥离层5在贴合于硅晶片后进行了剥离时的、硅晶片面上的0.2μm以上的颗粒的增加量，相对于贴合于硅晶片前优选少于1000个/6英寸晶片、更优选少于900个/6英寸晶片、进一步优选少于800个/6英寸晶片。贴合于硅晶片后进行了剥离时的、硅晶片面上的0.2μm以上的颗粒的增加量，相对于贴合于硅晶片前少于1000个/6英寸晶片时，能够抑制剥离后的粘合剂残留。

[0113] 剥离层5在200℃保持1分钟后的、对该温度的硅晶片的剪切粘接力优选为0.25kg/5×5mm以上、更优选为0.30kg/5×5mm以上、进一步优选为0.50kg/5×5mm以上。
另外，剥离层5在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度保持3分钟后的、对该温度的硅晶片的剪切粘接力优选小于0.25kg/5×5mm、更优选小于0.10kg/5×5mm、进一步优选小于0.05kg/5×5mm。在200℃保持1分钟后的对该温度的硅晶片的剪切粘接力为
0.25kg/5×5mm以上，在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度保持3分钟后的、对该温度的硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm时，可以形成在更高温度下表现出剥离性的剥离层5。剥离层的上述剪切粘接力例如能够通过剥离层所含的官能团数来进行控制。

[0114] 另外，上述剥离层对硅晶片的剪切粘接力实现小于0.25kg/5×5mm(优选为小于0.10kg/5×5mm、更优选为小于0.05kg/5×5mm)的温度，只要是大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度就没有特别限定，优选为大于220℃且480℃以下，更优选为大于
240℃且450℃以下。

[0115] 需要说明的是，对于上述剥离层而言，即便在200℃以下但长时间保持时，对硅晶片的上述剪切粘接力有时小于0.25kg/5×5mm。另外，上述剥离层即便保持在大于200℃的温度，但如果是短时间的话，则对硅晶片的上述剪切粘接力有时也不会小于0.25kg/5×5mm。

[0116] 即，“在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度保持3分钟后的、对该温度的硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm”是评价高温下的剥离性的指标，并不是表示设为“大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度”时，对硅晶片的剪切粘接力就立即变得小于0.25kg/5×5mm。另外，也不是表示如果不设为“大于200℃且500℃以下的温度区域中的任一温度”就无法表现出剥离性。

[0117] 对于剥离层5而言，只要在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中浸渍60秒钟、在150℃干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上，其形成材料就没有特别限定，可以列举聚酰亚胺树脂、硅树脂、丙烯酸系树脂、氟树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、橡胶树脂等。

[0118] 上述聚酰亚胺树脂通常可以通过对作为其前体的聚酰胺酸进行酰亚胺化(脱水缩合)来得到。作为对聚酰胺酸进行酰亚胺化的方法，可以采用例如以往公知的加热酰亚胺化法、共沸脱水法、化学酰亚胺化法等。其中，优选加热酰亚胺化法。采用加热酰亚胺化法的情况下，为了防止聚酰亚胺树脂的因氧化导致的劣化，优选在氮气氛下、真空中等不活泼气氛下进行加热处理。

[0119] 上述聚酰胺酸可以如下得到：在适当选择的溶剂中按照实质上等摩尔比的方式投入酸酐和二胺，使之反应。

[0120] 作为上述聚酰亚胺树脂，优选具有来自二胺的构成单元，该二胺具有醚结构。上述具有醚结构的二胺，只要是具有醚结构、且具有至少两个具备胺结构的末端的化合物，就没有特别限定。上述具有醚结构的二胺之中，优选具有二醇骨架的二胺。在上述聚酰亚胺树脂具有如下构成单元的情况下，若将剥离层加热至高温(例如200℃以上)时，则能够降低剪切粘接力，所述构成单元为来自具有醚结构的二胺的构成单元、特别是来自具有二醇骨架的二胺的构成单元。关于该现象，本发明人推测：由于被加热至高温，因此上述醚结构或上述二醇骨架从构成溶剂脱模片的树脂脱离，剪切粘接力因该脱离而下降。

[0121] 需要说明的是，对于上述醚结构或上述二醇骨架从构成溶剂脱模片的树脂脱离这一点而言，例如可以通过比较在300℃加热30分钟前后的FT-IR谱图，2800～3000的谱图在加热前后减少的情形来进行确认。

[0122] 作为上述具有二醇骨架的二胺，可以列举例如：具有聚丙二醇结构且在两个末端各自具有一个氨基的二胺、具有聚乙二醇结构且在两个末端各自具有一个氨基的二胺、具有聚丁二醇结构且在两个末端各自具有一个氨基的二胺。另外，可以列举具有多个上述二醇结构且在两个末端各自具有一个氨基的二胺。

[0123] 上述具有醚结构的二胺的分子量优选为100～5000的范围内、更优选为150～4800。上述具有醚结构的二胺的分子量为100～5000的范围内时，容易得到低温下的粘接力高且在高温发挥剥离性的剥离层5。

[0124] 上述聚酰亚胺树脂的形成中，除具有醚结构的二胺以外，还能够合用不具有醚结构的其它的二胺。作为不具有醚结构的其它的二胺，可以列举脂肪族二胺、芳香族二胺。通过合用不具有醚结构的其它的二胺，能够控制与被粘物的密合力。作为具有醚结构的二胺和不具有醚结构的其它的二胺的混合比例，以摩尔比计优选为100：0～20：80、更优选为99：1～30：70。

[0125] 作为上述脂肪族二胺，可以举出例如乙二胺、己二胺、1,8-二氨基辛烷、1,10-二氨基癸烷、1,12-二氨基十二烷、4,9-二氧杂-1,12-二氨基十二烷、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(α、ω-双氨基丙基四甲基二硅氧烷)等。上述脂肪族二胺的分子量通常为50～1,000,000、优选为100～30,000。

[0126] 作为芳香族二胺，可以举出例如4,4’-二氨基二苯醚、3,4’-二氨基二苯醚、3,3’-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4,4’-二氨基二苯基丙烷、3,3’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯硫醚、3,3’-二氨基二苯硫醚、4,4’-二氨基二苯砜、3,3’-二氨基二苯砜、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、4,4’-二氨基二苯甲酮等。上述芳香族二胺的分子量通常为50～1000、优选为100～500。需要说明的是，本说明书中，分子量是指利用GPC(凝胶渗透色谱)进行测定、通过聚苯乙烯换算算出的值(重均分子量)。

[0127] 作为上述酸酐，可以举出例如3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-联苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-氧基双邻苯二甲酸二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)砜二酐、双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、均苯四甲酸二酐、乙二醇双偏苯三酸二酐等。它们可以单独使用，也可以合用2种以上。

[0128] 作为使上述酸酐和上述二胺反应时的溶剂，可以列举N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、环戊酮等。它们可以单独使用，也可以混合使用多种。另外，为了调整原材料、树脂的溶解性，可以适当混合使用甲苯、二甲苯等非极性的溶剂。

[0129] 剥离层5例如如下进行制作。首先，制作含有上述聚酰胺酸的溶液。接着，将上述溶液按照规定厚度涂布在基材上形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下进行干燥。作为上述基材，能够使用：SUS304、6-4合金、铝箔、铜箔、Ni箔等金属箔；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行表面涂覆后的塑料膜或纸等。另外，作为涂布方法，没有特别限定，可以举出例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布、旋涂等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度50～150℃、干燥时间3～30分钟的范围内进行。由此，可得到本实施方式涉及的剥离层5。

[0130] 对于具有剥离层5的支承体1而言，能够将剥离层5转印至支承体1来制作具有剥离层5的支承体1。另外，具有剥离层5的支承体1也可以如下制作：将含有聚酰胺酸的溶液直接涂布于支承体1形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下进行干燥。

[0131] (布线电路基板的形成)

[0132] 接着，在支承体1的剥离层5上形成布线电路基板2。在具有剥离层的支承体上形成布线电路基板的方法也可以应用半加成法、减成法等以往公知的电路基板或内插器的制造技术。由于在支承体上形成布线电路基板，因而在制造工序中，尺寸稳定性变得良好，另外薄布线电路基板的可操作性变好。下面示出布线电路基板的形成方法的一个示例。

[0133] (基底绝缘层的形成)

[0134] 如图3所示，将作为基底绝缘层的树脂片20a粘贴在支承体1的剥离层5上。树脂片20a的厚度优选为3～50μm。

[0135] 接着，在应形成外部连接用导体部22的位置形成开口h1(参见图4)。作为开口h1的形成方法，能够采用以往公知的方法。例如，通过使用感光性材料进行曝光显影，能够形成开口h1。开口形状没有特别限定，优选为圆形，直径也可适当设定，但可以设为例如5μm～500μm。之后，进行热固化。作为热固化的条件，作为加热温度优选为20℃～150℃、更优选为40℃～120℃，作为加热时间优选采用0.5分钟～60分钟、更优选采用1分钟～
30分钟。

[0136] (接点用的金属膜的形成)

[0137] 接着，在开口h1形成接点用的金属膜211(参见图5)。通过形成金属膜211，能够更好地进行电连接，提高耐蚀性。金属膜211的形成方法没有特别限定，优选为镀覆，作为该金属膜的材料，可以举出铜、金、银、铂、铅、锡、镍、钴、铟、铑、铬、钨、钌等单一金属、或者由上述2种以上构成的合金等。它们之中，作为优选材料，可以举出金、锡、镍等，作为优选的金属膜的方案，可以举出底层为Ni、表层为Au的双层结构等。

[0138] (种膜(日文：種膜)、下侧的导电路径、导体层的形成)

[0139] 接着，根据需要在导体层23和将成为导电路径25的部分的壁面形成用于使金属材料良好堆积的种膜(金属薄膜)23a(参见图6)。种膜23a例如能够通过溅射来形成。作为种膜的材料，可使用例如铜、金、银、铂、铅、锡、镍、钴、铟、铑、铬、钨、钌等单一金属、或者由上述2种以上构成的合金等。导体层23的厚度没有特别限定，可以在1～500nm的范围中适当选择。另外，对于导电路径25而言，圆柱状是优选的形状，其直径为5～500μm、优选为5～300μm。之后，形成具有规定的布线图案的导体层23、导电路径25。布线图案例如能够通过电镀形成。之后，除去没有导体层23的部分的种膜。

[0140] 接着，如图7所示，利用耐电镀抗蚀剂r1覆盖导体层23之上(不包括将形成导电路径的部分)，且利用抗蚀剂r2覆盖支承体1的整个下表面，通过电镀形成导电路径24。

[0141] (胶粘剂层的形成)

[0142] 接着，除去耐电镀抗蚀剂r1、r2，按照包埋露出的导体层23和导电路径24的方式形成以环氧和聚酰亚胺为主要成分的胶粘剂层20b，利用碱性溶液等对该粘接层进行蚀刻，使得导电路径24的上端面作为端子部露出于粘接层上表面(参见图8)。

[0143] (连接用导体部的在端面上的金属膜的形成)

[0144] 接着，如图9所示，在导电路径24的上端面通过例如电解镀敷形成连接用导体部21。连接用导体部21例如利用镍膜、金膜等来形成。由此形成布线电路基板。上述布线电路基板的形成工序中有时使用各种溶剂(特别是甲乙酮)。然而，树脂片20a在180℃进行
1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。因此，可以说在甲乙酮中的溶出受到了抑制。其结果，如果使用树脂片20a，则能够制造精度高的布线电路基板。

[0145] 另外，树脂片20a中，在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下时，还具有耐酸性。此时，即便在上述布线电路基板的形成工序中使用酸，也能够制造精度更高的布线电路基板。

[0146] 另外，树脂片20a中，在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下时，还具有耐碱性。此时，即便在上述布线电路基板的形成工序中使用碱，也能够制造精度更高的布线电路基板。

[0147] (安装工序、剥离工序、划片(Dicing))

[0148] 接着，对上文中得到的布线电路基板2(以可剥离的方式带有支承体1)安装芯片。具体来说，将半导体芯片3的电极31按照与布线电路基板2的连接用导体部21对置的方式配置后(参见图10)，连接两者，在布线电路基板2上安装半导体芯片3(参见图11)。需要说明的是，图11的图示中省略了安装后的连接用导体部21、电极31各自的突起。之后，进行胶粘剂层20b的老化，进而对布线电路基板2上的各芯片3实施树脂封装(未图示)。
需要说明的是，树脂封装可以使用片状的封装用树脂片，也可以使用液状的树脂封装材。之后，以剥离层5的与支承体1相反一侧的面作为界面，将支承体1连同剥离层5剥离。作为剥离方法，可以举出使用N-甲基-2-吡咯烷酮的溶剂剥离、利用加热的剥离。利用加热的剥离的情况下，加热温度的下限值可以设为例如50℃、80℃、100℃、150℃、180℃。另外，上述剥离工序时的温度的上限优选为260℃、更优选为230℃、进一步优选为200℃。另外，上述剥离工序中维持在上述温度条件下的时间根据温度而不同，但优选为0.05～120分钟、更优选为0.1～30分钟。需要说明的是，上述安装工序以后的工序中优选不暴露于260℃以上的热。由此，能够抑制焊料等发生熔融。由此，可得到在布线电路基板2上安装有半导体芯片3的半导体装置。

[0149] 需要说明的是，也可以对剥离支承体1后的布线电路基板2实施赋予焊料球之类的加工。

[0150] 以上，对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一个示例进行了说明，但本发明中的半导体装置的制造方法不限于上述例子，能够在本发明的主旨的范围内进行适当变更。

[0151] 实施例

[0152] 下面，以举例的方式具体说明本发明的优选的实施例。但是，只要没有特别的限定性记载，该实施例所记载的材料、配合量等并不意在将本发明的主旨仅限定于这些材料、配合量等。另外，份是指重量份。

[0153] (实施例1)

[0154] ＜树脂片的制作＞

[0155] 使下述(a)～(f)溶于甲乙酮，得到了浓度26.8重量％的树脂组合物溶液。将该树脂组合物溶液涂布在进行了硅脱模处理后的由厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜构成的脱模处理膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，制作了厚度100μm的树脂片。

[0156] (a)丙烯酸系树脂(Nagase ChemteX株式会社制、Teisan Resin SG-70L)50份[0157] (b)甲酚酚醛型环氧树脂(日本化药株式会社制、EOCN 1020-4P)4.752份

[0158] (c)亚联苯基型酚醛树脂(明和化成株式会社制、MEH-7851SS)4.848份

[0159] (d)二氧化硅填料(Admatechs株式会社制、SE2050MC(60％))17.78份

[0160] (e)硅烷偶联剂((信越化学工业株式会社制、KBM-303)0.08份

[0161] (f)作为固化促进剂的咪唑化合物(四国化成株式会社制、2PHZ-PW)0.101份[0162] (实施例2)

[0163] ＜树脂片的制作＞

[0164] 利用混合器混合下述(a)～(f)，利用双螺杆混炼机在120℃的条件下混炼2分钟，接着，从模具挤出，由此得到厚度20μm的树脂片。

[0165] (a)环氧树脂(新日铁化学公司制、YSLV-80XY)280份

[0166] (b)酚醛树脂(明和化成公司制、MEH-7851-SS)300份

[0167] (c)二氧化硅填料(电化学工业公司制、FB-9454)330份

[0168] (d)硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制、KBM-403)10份

[0169] (e)固化促进剂(四国化成工业公司制、2P4MHZ-PW)6份

[0170] (f)碳(三菱化学公司制、#40)10份

[0171] (在氢氟酸中浸渍时的重量减少率的测定)

[0172] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的0.5％的氢氟酸(HF)中浸渍60秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0173] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0174] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0175] (在四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0176] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的3％的四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)中浸渍5分钟。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0177] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0178] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0179] (在SC-1中浸渍时的重量减少率的测定)

[0180] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的SC-1(组成以重量比计为氨水(15重量％)：过氧化氢：水＝1：2：5)中浸渍100秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0181] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0182] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0183] (在SC-2中浸渍时的重量减少率的测定)

[0184] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的SC-2(组成以重量比计为盐酸(38重量％)：过氧化氢：水＝1：2：5)中浸渍160秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0185] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0186] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0187] (在过氧化氢溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0188] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的30％的过氧化氢溶液中浸渍840秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0189] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0190] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0191] (在甲乙酮中浸渍时的重量减少率的测定)

[0192] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的甲乙酮(MEK)中浸渍2400秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0193] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0194] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0195] (在脱脂用溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0196] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在50℃的脱脂用溶液(日矿Metal Plating株式会社制、Rapid Clean P-1000)中浸渍300秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0197] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0198] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0199] (在硝酸水溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0200] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的70％的硝酸水溶液中浸渍30秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0201] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0202] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0203] (在镀覆预处理液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0204] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在23℃的镀覆预处理液(日矿Metal Plating株式会社制、SUPER ZINCATE PROCESS SZII)中浸渍30秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0205] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0206] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0207] (在镀镍用溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0208] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在80℃的镀镍用溶液(日矿Metal Plating株式会社制、KG-535-0：KG-535-1＝3：1)中浸渍1800秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0209] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0210] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0211] (在镀金用溶液中浸渍时的重量减少率的测定)

[0212] 首先，将实施例1和实施例2涉及的树脂片裁切成30mm×100mm，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍前的重量)。接着，在75℃的镀金用溶液(日矿Metal Plating株式会社制、CF-500SS)中浸渍1200秒。在室温(23℃)用超纯水进行两次3分钟的清洗后，在120℃干燥30分钟。之后，在干燥器内恢复到室温，测定了重量(浸渍后的重量)。

[0213] 重量减少率根据下述式求出。结果示于表1。

[0214] (重量减少率(重量％))＝[1-((浸渍后的重量)/(浸渍前的重量))]×100

[0215] 【表1】

[0216]

[0217] (树脂片的玻璃化转变温度(Tg)的测定)

[0218] 拉伸储能模量的测定使用固体粘弹性测定装置(Rheometric Scientific公司制：型式：RSA-III)进行。具体来说，使树脂片在180℃加热1小时进行热固化，以样品尺寸为长度400mm×宽度10mm×厚度200μm从该固化物得到测定试样后，将测定试样安装于膜拉伸测定用夹具，在频率1Hz、升温速度10℃/分钟的条件下测定在-50～300℃的温度范围内的拉伸储能模量和损耗模量，通过计算tanδ(G”(损耗模量)/G’(储能模量))的值来得到玻璃化转变温度(Tg)。其结果，实施例1的树脂片的玻璃化转变温度为105℃。另外，实施例2的树脂片的玻璃化转变温度为110℃。

[0219] 符号说明

[0220] 1 支承体

[0221] 2 布线电路基板

[0222] 20a 树脂片(基底绝缘层)

[0223] 20b 胶粘剂层

[0224] 21 连接用导体部

[0225] 22 外部连接用导体部

[0226] 23 导体层

[0227] 23a 种膜

[0228] 24 导电路径

[0229] 25 导电路径

[0230] 211 金属膜

[0231] 3 半导体芯片

[0232] 31 电极

[0233] 4 半导体装置

[0234] 5 剥离层

[0235] r1 抗蚀剂

[0236] r2 抗蚀剂