聚合物和包括该聚合物的有机发光装置 |
|||||||
| 申请号 | CN201110087383.7 | 申请日 | 2011-04-06 | 公开(公告)号 | CN102212193B | 公开(公告)日 | 2014-12-17 |
| 申请人 | 三星显示有限公司; | 发明人 | 李在镛; 金喜妍; 梁承珏; 郭允铉; 李贞仁; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种由下面的式1表示的 聚合物 和一种包括该聚合物的有机发光装置：式1其中，官能团和n如在 说明书 中所定义的。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种聚合物，所述聚合物由下面的式1表示： |
||||||
| 说明书全文 | 聚合物和包括该聚合物的有机发光装置技术领域[0002] 一些实施例涉及一种聚合物化合物和一种包括该聚合物化合物的有机发光装置。 背景技术[0003] 有机电致发光装置可制成重量轻且薄的，可实现各种颜色，可具有快速的开关速度，并可在低驱动电压下实现高亮度。因此，关于这类装置的性能，已经在短时间段内实现了卓著的成果，例如，通过多层结构来平衡电荷注入、通过掺杂改善颜色调整并提高量子效率以及使用合金开发了新电极材料。 [0004] 当向作为π共轭聚合物的示例的聚1，4-苯撑乙烯撑(PPV)加电时，发射光。π共轭聚合物具有单键(或σ键)和双键(或π键)交替存在的化学结构，因此具有不处于旁侧而是可以沿键链自由移动的π电子。根据半导体的这样的特性，可以将π共轭聚合物应用于有机电致发光装置的发射层，并且可以通过分子设计容易地获得整个可见光区域中的与HOMO-LUMO带隙对应的光。另外，薄膜可以通过旋涂或印刷简单地形成，使得制造装置的工艺是简单的，并且其成本低。另外，π共轭聚合物具有高玻璃化转变温度，因此，可以提供具有优异的机械性能的薄膜。 [0005] 然而，在包括聚合物的有机电致发光装置中，会发生诸如色纯度劣化、高驱动电压和低效率的问题，为了克服此类问题已经展开了广泛的研究。例如，已经提出了通过使含有氟的聚合物共聚合或将含有氟的聚合物共混来提高电致发光性能。然而，提高的程度仍然不足。因此，需要开发具有优异的性能的聚合物材料。当前实施例克服了以上问题中的一个或多个，还提供了其它优点。发明内容 [0006] 实施例提供一种具有优异的空穴传输能力的聚合物。 [0007] 实施例提供一种包括所述聚合物的有机发光装置。 [0008] 根据本发明的一方面，提供了一种由下面的式1表示的聚合物： [0009] 式1 [0010] [0011] 其中， [0012] n为大约0.01至大约0.99的范围内的实数， [0013] X为O或S， [0014] R1为H、直链C1-C20烷基、支链C1-C20烷基、环状C3-C20烷基或C6-C14芳基，其中，芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基，其中，支链C1-C20烷基可以为支链C3-C20烷基，[0015] R2和R3均独立地为C6-C26芳基或C1-C26杂芳基，其中，芳基或杂芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基， [0016] Ar为直链C1-C20亚烷基、支链C1-C20亚烷基、C6-C26亚芳基或C1-C26亚杂芳基，其中，C6-C26亚芳基或C1-C26亚杂芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基，其中，支链C1-C20亚烷基可以为支链C3-C20亚烷基。 [0017] Ar可以是由下面的式2表示的基团中的一个基团： [0018] 式2 [0019] [0020] [0021] 其中，m为大约1至大约4的范围内的正数，R为C1-C20烷基。 [0022] R1、R2和R3均可以独立地为苯基。 [0023] 所述聚合物的重均分子量可以在大约10,000至大约300,000的范围内。 [0024] 所述聚合物可以由下面的式3至式9中的一个来表示： [0025] 式3 [0026] [0027] 式4 [0028] [0029] 式5 [0030] [0031] 式6 [0032] [0033] 式7 [0034] [0035] 式8 [0036] [0037] 式9 [0038] [0039] 所述聚合物的分子量分散度可以在大约1.5至大约4的范围内。 [0040] 所述聚合物可以用在有机发光装置中。 [0041] 根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：第一电极；第二电极；有机层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述有机层包括含有上面的所述聚合物的至少一层。 [0042] 所述有机层可以包括空穴传输层。 [0044] 通过参照附图描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征及优点将变得更加明显，在附图中： [0045] 图1是一般的有机发光装置的剖视图； [0046] 图2是对比示例1的有机发光装置的剖视图； [0047] 图3是示例1的有机发光装置的剖视图。 具体实施方式[0048] 现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。 [0049] 根据实施例的聚合物可以由下面的式1表示： [0050] 式1 [0051] [0052] 其中，n为大约0.01至大约0.99的范围内的实数， [0053] X为O或S， [0054] R1为H、直链C1-C20烷基、支链C1-C20烷基、环状C3-C20烷基或C6-C14芳基，其中，芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基，其中，支链C1-C20烷基可以为支链C3-C20烷基，[0055] R2和R3均独立地为C6-C26芳基或C1-C26杂芳基，其中，芳基或杂芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基。 [0056] 现在将描述式1的聚合物化合物中的取代基R1、R2和R3。 [0057] 在式1中，R2和R3可以彼此相同，或者R1、R2和R3可以彼此相同。在下文中，现在将定义参照式1描述的取代基。 [0058] 在式1中，直链或支链C1-C20烷基的示例可以包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、壬基或十二烷基，但不限于此。烷基中的至少一个氢原子可以被氘原子、氚原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C6-C16芳基和C4-C16杂芳基取代。 [0059] 在式1中，环状C3-C20烷基中的至少一个氢原子可以被与直链或支链C1-C20烷基的取代基相同的取代基取代。 [0060] 在式1中，Ar可以为直链C1-C20亚烷基、支链C1-C20亚烷基、C6-C26亚芳基或C1-C26亚杂芳基，其中，亚芳基或亚杂芳基可以取代有C1-C20烷基或C1-C20烷氧基。支链C1-C20亚烷基可以为支链C3-C20亚烷基。 [0061] 在式1中，芳基是指含有至少一个环的碳环芳香体系。当碳环芳香体系包括至少两个环时，所述至少两个环可以彼此稠合或者通过单键彼此链接。术语“芳”包括芳香体系，例如苯基、萘基或蒽基。芳基中的至少一个氢原子可以被与直链或支链C1-C20烷基的取代基相同的取代基取代。 [0062] 芳基的示例包括苯基、C1-C10烷基苯基(例如，乙基苯基)、卤代苯基(例如，邻氟苯基、间氟苯基和对氟苯基、二氯苯基)、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、C1-C10烷基联苯基、C1-C10烷氧基联苯基、邻甲苯基、间甲苯基和对甲苯基、邻异丙苯基、间异丙苯基和对异丙苯基、 基、苯氧基苯基、(α，α-二甲基苯)苯基、(N，N′-二甲基)氨基苯基、(N，N′-二苯基)氨基苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、卤代萘基(例如，氟代萘基)、C1-C10烷基萘基(例如，甲基萘基)、C1-C10烷氧基萘基(例如，甲氧基萘基)、氰基萘基、蒽基、甘菊环基、庚搭烯基、苊基、周萘基、芴基、蒽醌基、甲基蒽基、菲基、苯并[9，10]菲基、芘基、 基、乙基 基、茜基、苝基、氯代苝基、戊芬基、并五苯基、四邻亚苯基、己芬基、并六苯基、玉红省基(rubicenyl group)、蔻基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基和卵苯基，但不限于此。 [0063] 在式1中，杂芳基包括选自于N、O、P和S的一个、两个、三个或更多个杂原子。至少两个环可以彼此稠合，或者可以通过单键彼此链接。杂芳基的示例可以包括吡唑基、咪唑基、 唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、二 唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基等。杂芳基中的至少一个氢原子可以被与直链或支链C1-C20烷基的取代基相同的取代基取代。 [0064] 这里使用的烷氧基是具有-OA结构的基团，其中，A为如上描述的直链或支链C1-C20烷基。烷氧基的示例可以包括甲氧基、乙氧基、丙氧基和异丙氧基，但不限于此。烷氧基的至少一个氢原子可以被如上结合烷基描述的相同取代基取代。 [0065] 式1中的Ar的直链C1-C20亚烷基、支链C1-C20亚烷基、C6-C26亚芳基和C1-C26亚杂芳基可以分别与如上描述的直链C1-C20烷基、支链C1-C20烷基、C6-C26芳基和C1-C26杂芳基对应。 [0066] Ar可以是由下面的式2表示的基团中的一个基团： [0067] 式2 [0068] [0069] [0070] 在式2中，m为大约1至大约4的正数，R为C1-C20烷基。 [0071] 根据实施例，R1、R2和R3均可以独立地为苯基，该聚合物的重均分子量可以为大约10,000至大约300,000，该聚合物的分子量分散度可以为大约1.5至大约4。 [0072] 当重均分子量和分子量分散度在以上范围内时，加工性能是优异的，由此有助于操作，并产生优异的性能。 [0073] 在一些实施例中，聚合物化合物可以由下面的式3至式9中的一个来表示： [0074] 式3 [0075] [0076] 式4 [0077] [0078] 式5 [0079] [0080] 式6 [0081] [0082] 式7 [0083] [0084] 式8 [0085] [0086] 式9 [0087] [0088] n为如上所述。 [0089] 根据一些实施例的聚合物包括在主链上直接连接到吩噁嗪或吩噻嗪的胺基。由于胺基，所以根据实施例的聚合物是稳定的，并具有优异的空穴传输能力。因此，该聚合物可以有效地用在有机发光装置中。 [0090] 根据实施例的有机发光装置包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，该有机层含有上面描述的式1的聚合物。 [0091] 含有式1的聚合物的有机层可以是空穴传输层或发射层。 [0093] 在下文中，将描述制造图1的一般的有机发光装置的方法。图1示出了一般的有机发光装置的结构。参照图1，一般的有机发光装置包括基底、第一电极(例如，阳极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和第二电极(例如，阴极)。 [0094] 首先，通过使用沉积或溅射方法在基底上形成第一电极。第一电极可以包括具有高逸出功的第一电极材料。第一电极可以是阳极或阴极。基底可以是在有机发光装置中通常使用的基底，并可以包括例如具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。第一电极材料的示例可以包括具有优异的导电性且可以形成透明或反射电极的材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)。 [0095] 然后，可以通过使用旋涂、浇铸、Langmuir Blodgett(LB)沉积等在第一电极上形成HIL。 [0096] 当使用旋涂来形成HIL时，涂覆条件可根据用于形成HIL的化合物以及将要形成的HIL的结构和热性能而改变。例如，涂覆条件可以包括大约1000rpm至大约5000rpm的涂覆速度和大约80℃至大约250℃的热处理温度，其中，热处理用于在涂覆之后去除溶剂。 [0097] HIL可以包括通常用于形成HIL的任何材料。可用于形成HIL的材料的示例可包括酞菁化合物(例如，铜酞菁)、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚4-苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚4-苯乙烯磺酸盐(PANI/PSS)，但是不限于此。 [0098] [0099] HIL的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，HIL的厚度可以为大约 至大约 当HIL的厚度在以上范围内时，HIL可以具有优异的空穴注入特 性而不会增大驱动电压。 [0100] 然后，可以使用旋涂、浇铸、Langmuir-Blodgett(LB)沉积等在HIL上形成HTL。当使用旋涂来形成HTL时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HTL的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。 [0101] HTL材料可以包括上面描述的式1的聚合物。可选地，公知的HTL材料可以与式1的聚合物一起使用。HTL材料的示例可以包括：咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；具有芳香缩合环的胺衍生物，例如NPB、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)或N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)； 三苯胺类材料，例如4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)，但不限于此。 [0102] [0103] HTL的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，HTL的厚度可以为至大约 当HTL的厚度在以上范围内时，HTL可以具有优异的空穴传输特性而不 会显著增大驱动电压。 [0104] 然后，可以通过使用旋涂、浇铸、LB沉积等在HTL上形成EML。当使用旋涂来形成EML时，虽然用于沉积的条件可根据用于形成EML的材料而改变，但是用于沉积的条件与用于形成HIL的沉积条件类似。 [0105] EML可以包括由上面描述的式1表示的聚合物。例如，由式1表示的聚合物可以在蓝色EML中用作主体或掺杂剂。可以使用除了由式1表示的聚合物之外的各种公知的发光材料来形成EML，并且还可以使用公知的主体和掺杂剂来形成EML。用于形成EML的掺杂剂可以包括荧光掺杂剂或磷光掺杂剂，这在本领域中是广泛知晓的。 [0106] 主体的示例可以包括Alq3、4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(CPB)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和二苯乙烯基亚芳基化合物(DSA，distyrylarylene)，但不限于此。 [0107] 公知的红色掺杂剂的示例可以包括八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)和DCJTB，但不限于此。 [0108] [0109] [0110] 公知的绿色掺杂剂的示例可以包括Ir(ppy)3(其中，“ppy”表示苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3和C545T，但不限于此。 [0111] [0112] 公知的蓝色掺杂剂的示例可以包括F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴、4，4’-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基苝(TBPe)，但不限于此。 [0113] [0114] [0115] 基于100重量份的EML材料(等同于主体和掺杂剂的总重量)，掺杂剂的量可以为大约0.1重量份至大约20重量份；在一些实施例中，掺杂剂可以为大约0.5重量份至大约12重量份。当掺杂剂的量在以上范围内时，可以基本上防止浓度猝灭。 [0116] EML的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，EML的厚度可以为大约 至大约 当EML的厚度在以上范围内时，EML可以具有优异的发光特性而不会 显著增大驱动电压。 [0117] 当EML含有磷光掺杂剂时，可以在EML上形成空穴阻挡层(HBL，在图1中未示出)，从而防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。在这种情况下，HBL可以包含通常用于形成HBL的任何材料。这样的HBL材料的示例可包括 二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、Balq和BCP，但不限于此。 [0118] HBL的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，HBL的厚度可以为大约 至大约 当HBL的厚度小于大约 时，空穴阻挡特性会劣化。另一方面，当 HBL的厚度大于大约 时，有机发光装置的驱动电压会增大。 [0119] 然后，可以通过使用旋涂、浇铸等在HBL或EML上形成ETL。当使用旋涂来形成ETL时，虽然沉积和涂覆条件可根据用于形成ETL的材料而改变，但是沉积或涂覆条件可以与用于形成HIL的沉积或涂覆条件类似。 [0120] ETL材料可以包括上面描述的式1的杂环化合物。可选地，ETL可以包括在本领域中广泛知晓的任何材料。ETL材料的示例可以包括喹啉衍生物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ和Balq，但不限于此。 [0121] [0122] ETL的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，ETL的厚度可以为大约 至大约 当ETL的厚度在以上范围内时，ETL可以具有优异的电子传输特性而 不会显著增大驱动电压。 [0123] 另外，可以在ETL上形成有助于电子从阴极注入的EIL。 [0124] EIL材料可以包括上面描述的式1的杂环化合物。可选地，可以使用公知的EIL材料(例如，LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO)来形成EIL。虽然沉积和涂覆条件可根据用于形成EIL的材料而改变，但是用于形成EIL的沉积或涂覆条件可以与形成HIL所应用的沉积或涂覆条件类似。 [0125] EIL的厚度可以为大约 至大约 在一些实施例中，EIL的厚度可以为大约至大约 当EIL的厚度在以上范围内时，EIL可以具有优异的电子注入特性而不会显著增大驱动电压。 [0126] 最后，可以使用例如真空沉积、溅射等在EIL上形成第二电极。第二电极可以构成阴极或阳极。第二电极的材料可以包括均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的混合物。这样的材料的示例可包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)，但不限于此。另外，为了制造顶部发射型有机发光装置，可以使用包括诸如ITO或IZO的透明材料的透明阴极作为第二电极。 [0127] 根据当前实施例的有机发光装置可以包括在各种类型的平板显示设备中，例如包括在无源矩阵有机发光显示设备中或包括在有源矩阵有机发光显示设备中。具体地说，当有机发光装置包括在含有薄膜晶体管的有源矩阵有机发光显示设备中时，基底上的第一电极可以用作电连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极的像素电极。此外，有机发光装置还可以包括在具有双面屏幕的平板显示设备中。 [0128] 在下文中，将描述由式3和式4表示的聚合物的合成示例和示例。然而，本发明不限于下面的示例。 [0129] 单体的合成 [0130] 吩 嗪单体c的合成 [0131] [0132] (1)化合物a的合成 [0133] 将 10g(54mmol)吩 嗪、8.48g(54mmol) 溴 苯、7.4g(77mmol) 叔 丁 醇 钠、0.61g(1.1mmol)Pd2(dba)3[三(二亚苄基丙酮)二钯(0)]和0.22g(1.1mmol)三(叔丁基)膦溶于200mL二甲苯中，然后在80℃回流12小时。 [0134] 在反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，然后以二甲苯与水的体积比为1∶1通过加入200mL蒸馏水进行萃取。收集有机相，使用MgSO4进行干燥，然后浓缩。使用硅胶柱色谱来提纯浓缩的产物，其中，使用体积比为1∶2的甲苯和己烷的混合物作为洗脱剂。然后，将得到的流出物进行浓缩和干燥，以获得15.2g化合物a，产率为71％。 [0135] (2)化合物b的合成 [0136] 将15g(57.8mmol)化合物a溶于200mL CHCl3中，从而获得溶解溶液，并将2当量的溴(Br)18.5g缓慢地加入到该溶解溶液中，同时保持该溶解溶液在0℃。将混合物搅拌大约40分钟，并停止反应。 [0137] 将少量的丙酮加入到反应混合物中，然后在使溴Br猝灭之后使用体积比为2∶1的水和CHCl3进行萃取。收集有机相，使用MgSO4进行干燥，然后浓缩。将浓缩的产物在MeOH中再沉淀，从而获得17g化合物b，产率为70.5％。 [0138] (3)化合物c的合成 [0139] 将17g(41mmol) 化 合 物 b、7.6g(82mmol) 苯 胺、7.4g(77mmol) 叔 丁 醇 钠、0.61g(1.1mmol)Pd2(dba)3[三(二亚苄基丙酮)二钯(0)]和0.22g(1.1mmol)三(叔丁基)膦溶于200mL二甲苯中，然后在60℃回流1小时。 [0140] 在反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，然后以二甲苯与水的体积比为1∶1通过加入200mL蒸馏水进行萃取。收集有机相，使用MgSO4进行干燥，然后浓缩。使用硅胶柱色谱来提纯浓缩的产物，其中，使用体积比为1∶1的甲苯和己烷的混合物作为洗脱剂。然后，将得到的流出物进行浓缩和干燥，以获得8g化合物c，产率为44.2％。 [0141] 1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ4.08(s，2H)，δ5.87～7.01(m，20H) [0142] 吩噻嗪单体d也可以按照以上方法来制备。 [0143] [0144] 聚合物的合成 [0145] 式3的聚合物的合成 [0146] [0147] 将8g(18mmol)化合物c、8.5g(18mmol)2，7-二溴螺芴、7.4g(77mmol)叔丁醇钠、0.61g(1.1mmol)Pd2(dba)3[三(二亚苄基丙酮)二钯(0)]和0.22g(1.1mmol)三(叔丁基)膦溶于200mL二甲苯中，然后在80℃回流2天。 [0148] 在反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，然后以二甲苯与水的体积比为1∶1通过加入200mL蒸馏水进行萃取。收集有机相，使用MgSO4进行干燥，然后浓缩。使用硅胶柱色谱来提纯浓缩的产物，其中，使用甲苯作为洗脱剂。然后，将得到的流出物溶于甲苯中，并在4L MeOH中沉淀。洗涤沉淀的所得物，在减压下干燥，并在甲苯/MeOH中沉淀三次。因此，获得淡黄色固体形式的8.8g由式3表示的聚合物。 [0149] 使用凝胶渗透色谱(GPC)来分析得到的聚合物。结果是，聚合物的重均分子量(Mw)为38,000，分子量分散度为2.8。 [0150] 式4的聚合物的合成 [0151] [0152] 将5g(11mmol)化合物d、5.2g(11mmol)2，7-二溴螺芴、5.4g(60mmol)叔丁醇钠、0.61g(1.1mmol)Pd2(dba)3[三(二亚苄基丙酮)二钯(0)]和0.22g(1.1mmol)三(叔丁基)膦溶于150mL二甲苯中，然后在80℃回流2天。 [0153] 在反应完成之后，将反应混合物冷却至室温，然后以二甲苯与水的体积比为1∶1通过加入150mL蒸馏水进行萃取。收集有机相，使用MgSO4进行干燥，然后浓缩。使用硅胶柱色谱来提纯浓缩的产物，其中，使用甲苯作为洗脱剂。通过加入800mL乙醇来沉淀得到的流出物。将如上获得的有机材料进行浓缩，溶于l 00mL THF中，并在2L MeOH中沉淀。洗涤沉淀的所得物，在减压下干燥，并在甲苯/MeOH中沉淀三次。因此，获得淡黄色固体形式的3.1g由式4表示的聚合物。 [0154] 使用凝胶渗透色谱(GPC)来分析得到的聚合物。结果是，聚合物的重均分子量(Mw)为40,000，分子量分散度为3.2。 [0155] 示例1 [0156] 如图3所示来制造有机发光装置。将15Ω/cm2 ITO玻璃基底(可获自于Corning Co.)切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，并使用异丙醇将ITO玻璃基底超声波清洗5分钟，然后使用纯水超声波清洗5分钟，然后再使用UV臭氧清洗20分钟。然后，在ITO膜上将来自H.C.Stark Co.的CH8000作为导电缓冲层涂覆至大约 的厚度，然后在200℃烘焙大约20分钟。然后，将3mg如上制备的式3的聚合物溶于1ml甲苯中，从而获得聚合物溶液，并在旋涂之前通过使用0.2μm过滤器来过滤该聚合物溶液。将过滤的聚合物溶液旋涂在缓冲层上，然后在200℃烘焙大约10分钟，由此形成聚合物HTL。通过调节聚合物溶液的浓度和旋涂速度，所形成的聚合物HTL具有大约 的厚度。在形成HTL之后，使用作为磷光主体的DSA和作为掺杂剂的3％TBPe，并且进行真空沉积，由此形成厚度为大约 的EML。然后，将Alq3真空沉积在EML上，从而形成厚度为大约 的ETL。 在ETL上顺序地真空沉积厚度为大约 的LiF和厚度为大约 的Al，从而形成LiF/ Al电极。在沉积期间使用晶体传感器来调节层的厚度和层的生长速度。 [0157] 示例2 [0158] 除了使用由式4表示的聚合物作为HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。 [0159] 对比示例1 [0160] 如图2所示来制造有机发光装置。除了没有形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。 [0161] 对比示例2 [0162] 除了使用由式10表示的聚合物作为HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。 [0163] 式10 [0164] [0165] 通过 使 用PR650(光 谱 扫 描)源 测 量 单元 (PR650(Spectroscan)Source Measurement Unit)测量示例和对比示例的每个有机发光装置的电流密度(mA/cm2)、驱动电压(V)、亮度(cd/m2)和发光效率(cd/A)，并还测量其半寿命(小时)(@100cd/m2)(Mc Science Co.)。结果示出在下面的表1中。 [0166] 表1 [0167]发光效率(cd/A) 半寿命(小时)(@100cd/m2) 示例1(式3) 5.15 1500 示例2(式4) 4.88 2500 对比示例1 1.86 13 对比示例2 2.50 800 [0168] 参照表1，在对比示例1的有机发光装置中，没有在缓冲层上设置中间层。因此，与具有中间层的示例1和对比示例2的有机发光装置相比，对比示例1的有机发光装置具有低的发光效率和减少的寿命。因此，需要中间层。 [0169] 与不含有芳基胺基的吩 嗪聚合物(对比示例2)相比，在吩 嗪中含有芳基胺基的聚合物化合物(示例1)具有优异的空穴传输能力和高稳定性，因此具有优异的效率和长寿命。 [0170] 这里使用的吩 嗪或吩噻嗪具有极好的电荷迁移率和能隙，因此，作为用于形成蓝色EML、HIL、HTL、ETL或EIL的材料，可以提高有机发光装置的性能。 [0171] 具体地说，芳基胺包含在吩 嗪单体和/或吩噻嗪单体的两侧，从而提高了空穴迁移率，因此作为用于形成HTL的材料是优异的。 |
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈