可溶于溶剂的高分子量发光材料及电荷输送材料可通过涂布法在发 光元件上形成有机层，人们已对此进行了各种研究，作为其例子，已知的 是含有二苯基氨基蒽二基、含有芴二基的高分子化合物(国际公开第 2005/49546号小册子)。
但是存在以下问题，即，上述高分子化合物的耐热性、荧光强度不一 定充分，用上述高分子化合物形成的发光元件的元件寿命、发光效率等元 件特性也不一定充分。

本发明的目的是提供可用作发光材料或电荷输送材料、耐热性、荧光 强度等优异的高分子化合物及用其形成的元件寿命、发光效率等元件特性 优异的高分子发光元件。
即，本发明提供一种高分子化合物，其中含有1种以上下述式(1) 表示的重复单元和1种以上选自下述式(2)及(3)中的重复单元。

(式中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或一价芳香族杂环基，Ar2表示 可以具有取代基的亚芳基或二价芳香族杂环基。Z表示具有稠环结构的二 价芳香族基，该基团可以具有取代基。两个Ar1可以相同或不同，两个 Ar2可以相同或不同。)

(式中，A环及B环各自独立地表示可以具有取代基的芳香烃环，但A 环及B环中的至少一个是由多个苯环稠合而成的芳香烃环，两个结合手 分别存在于A环或B环上，Rw及Rx各自独立地表示氢原子、烷基、烷 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫 基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基，Rw和Rx也可以相互结合形成环。)

(式中，C环及D环各自独立地表示可以具有取代基的芳香环，两个结 合手分别存在于C环或D环上，Y表示氧原子、硫原子或-O-C(RK)2 -。RK表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨 基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺 基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。两个RK可 以相同或不同。)

本发明的高分子化合物含有1种或2种以上上述式(1)表示的重复 单元。
式(1)中，Ar1表示可以具有取代基的芳基或一价芳香族杂环基。 两个Ar1可以相同或不同。Ar1优选表示芳基。
此处的芳基是指从芳香烃上除去一个氢原子后得到的原子团，包括 具有独立苯环或稠环的基团。芳基的碳数通常为6～60左右，优选为6～48， 更优选为6～30，进一步优选为6～18，更进一步优选为6～10，特别优选为 6。该碳数不含取代基的碳数。作为芳基的具体例子，可以列举苯基、1- 萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、9-菲基、1-并四苯基、 2-并四苯基等，优选苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基，更 优选苯基、1-萘基、2-萘基，进一步优选苯基。
一价芳香族杂环基是指从芳香族杂环化合物上除去一个氢原子后残 留的原子团，碳数通常为4～60左右，优选为4～20，更优选为4～9，进一 步优选为4～5。还有，一价芳香族杂环基的碳数中不含取代基的碳数。此 处的杂环化合物是指具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅限 于碳，环内还含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。作为一价芳香 族杂环基的具体例子，可以例示2-噻吩基、3-噻吩基、2-吡咯基、3-吡咯 基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-喹啉基、4- 喹啉基、5-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、6-异喹啉基等，优选2-噻 吩基、3-噻吩基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-喹啉基、4-喹啉基、 5-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、6-异喹啉基，更优选2-噻吩基、3- 噻吩基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基，进一步优选2-吡啶基、3-吡啶 基、4-吡啶基。
Ar1具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性 等方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、 取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优选选自烷 基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代甲硅 烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选为选自烷基、烷氧基、芳基、 芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，进而优选为选自烷基、烷氧基、 芳基，特别优选烷基。
此处的烷基可以是直链、支化或环状中的任意一种，碳数通常为1～20 左右，优选碳数为1～15，更优选为1～10，作为其具体例子，可以列举甲 基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、 环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂 基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。从元件特 性、合成容易性等方面看来和从与耐热性的平衡上考虑，可以列举甲基、 乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、辛 基、2-乙基己基、癸基、3，7-二甲基辛基。
烷氧基可以是直链、支化或环状中的任意一种，碳数通常为1～20左 右，优选碳数为1～15，作为其具体例子，可以列举甲氧基、乙氧基、丙 氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己 氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛 氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、 全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基、2-乙氧基乙氧基等，从对 有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来和从与耐热性的平 衡上考虑，可以列举戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、 3，7-二甲基辛氧基。
烷硫基可以是直链、支化或环状中的任意一种，碳数通常为1～20左 右，优选碳数为3～20，作为其具体例子，可以列举甲硫基、乙硫基、丙 硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己 硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛 硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合 成容易性等方面看来和从与耐热性的平衡上考虑，可以列举戊硫基、己硫 基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。
芳基是指从芳香烃上除去一个氢原子后得到的原子团，包括具有稠 环的基团、独立苯环或2个以上稠环直接或通过亚乙烯基等基团结合的基 团。芳基的总碳数通常为6～60左右，优选为7～48。作为其具体例子，可 以例示苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等基 团，这些基团上还可以具有烷基、烷氧基、烷氧羰基等取代基。从对有机 溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选具有1个以上碳 数为1～12的烷基和/或碳数为1～12的烷氧基和/或烷氧羰基作为取代基的 苯基，作为其具体例子，可以列举3-甲基苯基、4-甲基苯基、3，5-二甲基 苯基、4-丙基苯基、基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、 4-叔丁基苯基、4-戊基苯基、4-异戊基苯基、4-己基苯基、2，6-二甲基-4- 叔丁基苯基、4-庚基苯基、4-辛基苯基、4-壬基苯基、4-癸基苯基、4-十 二烷基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、3，5-二甲氧基苯基、4-丙氧 基苯基、4-异丙氧基苯基、4-丁氧基苯基、4-异丁氧基苯基、4-叔丁氧基 苯基、4-己氧基苯基、3，5-二己氧基苯基、4-庚氧基苯基、4-辛氧基苯基、 4-壬氧基苯基、4-(甲氧基甲氧基)苯基、3-(甲氧基甲氧基)苯基、4- (2-乙氧基乙氧基)苯基、3-(2-乙氧基乙氧基)苯基、3，5-二(2-乙氧基 乙氧基)苯基、3-甲氧羰基苯基、4-甲氧羰基苯基、3，5-二甲氧羰基苯基、 3-乙氧羰基苯基、4-乙氧羰基苯基、3-乙氧羰基-4-甲氧基苯基、3-乙氧羰 基-4-乙氧基苯基、3-乙氧羰基-4-己氧基苯基等。
芳氧基的碳数通常为6～60左右，优选为7～48，作为其具体例子，可 以例示苯氧基、C1～C12烷氧基苯氧基(C1～C12表示碳数为1～12。下同)、 C1～C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，从对有机溶剂 的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选C1～C12烷氧基苯氧 基、C1～C12烷基苯氧基。作为C1～C12烷氧基，可以具体地例示甲氧基、 乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己 氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7- 二甲基辛氧基、月桂氧基等。
作为C1～C12烷基苯氧基，可以具体地例示甲基苯氧基、乙基苯氧基、 二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异 丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、 异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸 基苯氧基、十二烷基苯氧基等。
芳硫基的碳数通常为3～60左右，作为其具体例子，可以例示苯硫基、 C1～C12烷氧基苯硫基、C1～C12烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯 硫基等，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来，可 以列举C1～C12烷氧基苯硫基、C1～C12烷基苯硫基。
芳烷基的碳数通常为7～60左右，优选为7～48，作为其具体例子，可 以例示苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯 基-C1～C12烷基、1-萘基-C1～C12烷基、2-萘基-C1～C12烷基等，从对有机溶 剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选C1～C12烷氧基苯 基C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基。
芳基烷氧基的碳数通常为7～60左右，优选为7～48，作为其具体例子， 可以例示苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧 基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-C1～C12烷氧基，C1～C12烷氧基苯基 -C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基、1-萘基-C1～C12烷氧基、 2-萘基-C1～C12烷氧基等，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易 性等方面看来，优选C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基 -C1～C12烷氧基。
芳基烷硫基的碳数通常为7～60左右，优选为7～48，作为其具体例子， 可以例示苯基-C1～C12烷硫基，C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷硫基、C1～C12 烷基苯基-C1～C12烷硫基、1-萘基-C1～C12烷硫基、2-萘基-C1～C12烷硫基等， 从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选C1～C12 烷氧基苯基-C1～C12烷硫基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷硫基。
芳基烯基的碳数通常为8～60左右，作为其具体例子，可以例示苯基 -C2～C12烯基，C1～C12烷氧基苯基-C2～C12烯基、C1～C12烷基苯基-C2～C12 烯基、1-萘基-C2～C12烯基、2-萘基-C2～C12烯基等，从对有机溶剂的溶解 性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选C1～C12烷氧基苯基-C2～C12 烯基、C2～C12烷基苯基-C1～C12烯基。
芳基炔基的碳数通常为8～60左右，作为其具体例子，可以例示苯基 -C2～C12炔基，C1～C12烷氧基苯基-C2～C12炔基、C1～C12烷基苯基-C2～C12 炔基、1-萘基-C2～C12炔基、2-萘基-C2～C12炔基等，从对有机溶剂的溶解 性、元件特性、合成容易性等方面看来，优选C1～C12烷氧基苯基-C2～C12 炔基、C1～C12烷基苯基-C2～C12炔基。
作为取代氨基，可以列举被选自烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基 中的1个或2个以上基团取代的氨基，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环 基也可以具有取代基。取代氨基的碳数不含该取代基的碳数，通常为1～60 左右，优选碳数为2～48。
具体来说，可以列举甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨 基、二丙氨基、异丙氨基、二异丙氨基、丁氨基、异丁氨基、叔丁氨基、 戊氨基、己氨基、环己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨基、 癸氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、 环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二三氟甲基氨基苯基氨 基、二苯基氨基、C1～C12烷氧基苯基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基)氨基、 二(C1～C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、 吡啶氨基、哒嗪氨基、嘧啶氨基、吡嗪氨基、三嗪氨基苯基-C1～C12烷基 氨基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷 基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基)氨基、二(C1～C12烷基苯 基-C1～C12烷基)氨基、1-萘基-C1～C12烷基氨基、2-萘基-C1～C12烷基氨基 等。
作为取代甲硅烷基，可以列举被选自烷基、芳基、芳烷基或1价杂 环基中的1、2或3个基团取代的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳数通常为 1～60左右，优选碳数为3～48。还有，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环 基也可以具有取代基。
具体来说，可以例示三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲 硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅 烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲 基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基二 甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基 辛基二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基甲硅烷 基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷 基甲硅烷基、1-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、 苯基-C1～C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三对二甲苯基甲硅 烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、 二甲基苯基甲硅烷基等。
作为卤原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
酰基的碳数通常为2～20左右，优选碳数为2～18，作为其具体例子， 可以例示乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、三甲基乙酰基、苯甲酰基、 三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。
酰氧基的碳数通常为2～20左右，优选碳数为2～18，作为其具体例子， 可以例示乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、三甲基乙酰氧基、 苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。
亚胺残基的碳数为2～20左右，优选碳数为2～18，作为其具体例子， 可以例示以下结构式表示的基团等。

酰胺基的碳数通常为2～20左右，优选碳数为2～18，作为其具体例子， 可以例示甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟 乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二 丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟苯甲酰胺基等。
酰亚胺基可以列举从酰亚胺上除去氮原子上结合的氢原子而得到的 残基，碳原子数为4～20左右，具体来说，可以例示以下所示的基团等。


1价杂环基是指从杂环化合物上除去一个氢原子后残留的原子团，碳 数通常为4～60左右，优选为4～20。还有，杂环基的碳数中不包括取代基 的碳数。此处的杂环化合物是指具有环式结构的有机化合物中，构成环的 元素不仅是碳，环内还含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。具体 来说，可以例示噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、 C1～C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，可以列举噻吩基、 C1～C12烷基噻吩基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基。
作为取代羧基，可以列举被烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基取代 的羧基，碳数通常为2～60左右，优选碳数为2～48，作为其具体例子，可 以列举甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、异丙氧羰基、丁氧羰基、异丁氧 羰基、叔丁氧羰基、戊氧羰基、己氧羰基、环己氧羰基、庚氧羰基、辛氧 羰基、2-乙基己氧羰基、壬氧羰基、癸氧羰基、3，7-二甲基辛氧羰基、月 桂氧羰基、三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、全氟丁氧羰基、全氟己氧羰基、 全氟辛氧羰基、苯氧羰基、萘氧羰基、吡啶氧羰基等。还有，该烷基、芳 基、芳烷基或1价杂环基也可以具有取代基。取代羧基的碳数不包括该取 代基的碳数。
式(1)中，Ar2表示可以具有取代基的亚芳基或二价芳香族杂环基。 两个Ar2可以相同或不同。Ar2优选为亚芳基。
此处的亚芳基指从芳香烃上除去两个氢原子后得到的原子团，包括 具有独立苯环或稠环的基团。亚芳基的碳数通常为6～60左右，优选为 6～48，更优选为6～30，进一步优选为6～18，更进一步优选为6～10，特别 优选为6。该碳数不含取代基的碳数。作为亚芳基的具体例子，可以列举 1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘 基、1，4-亚蒽基、1，5-亚蒽基、2，6-亚蒽基、9，10-亚蒽基、2，7-亚菲基、1，7- 亚并四苯基、2，8-亚并四苯基等，优选1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯 基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4-亚蒽基、1，5-亚蒽基、2，6-亚蒽基、9，10- 亚蒽基，进一步优选1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基、1，5-亚萘基、 2，6-亚萘基，更进一步优选1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基，特别优 选1，4-亚苯基。
二价芳香族杂环基是指从芳香族杂环化合物上除去两个氢原子后残 留的原子团，碳数通常为4～60左右，优选为4～20，更优选为4～9，进一 步优选为4～5。作为二价芳香族杂环基的具体例子，可以例示2，5-噻吩基、 2，5-吡咯基、2，5-呋喃基、2，4-吡啶基、2，6-吡啶基、2，4-喹啉基、2，6-喹啉 基、1，4-异喹啉基、1，5-异喹啉基等，优选2，5-噻吩基、2，4-吡啶基、2，6- 吡啶基、2，4-喹啉基、2，6-喹啉基、1，4-异喹啉基、1，5-异喹啉基，更优选 2，5-噻吩基、2，4-吡啶基、2，6-吡啶基，优选2，4-吡啶基、2，6-吡啶基。
Ar2具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性 等方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、 取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优选选自烷 基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代甲硅 烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选为选自烷基、烷氧基、芳基、 芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，再进一步优选选自烷基、烷氧 基、芳基，特别优选烷基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
式(1)中的Z表示具有稠环结构的二价芳香族基团。该基团可以具 有取代基。此处的具有稠环结构的二价芳香族基团是从具有稠环的芳香烃 化合物或芳香族杂环化合物上除去两个氢原子后形成的原子团。该二价芳 香族基团的碳数通常为6～60左右，优选为6～48，更优选为10～30，进一 步优选为10～22，更进一步优选为10～18，其中优选12～16，特别优选为 14。该碳数不含取代基的碳数。作为该二价芳香族基团的具体例子，可以 列举1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6- 蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-亚菲基、1，7-亚并四苯基、2，8-亚并四苯基、2，7- 芴二基、2，7-芘二基、4，10-芘二基、2，6-喹啉二基、1，5-异喹啉二基、5，8- 喹喔啉二基、4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、4，7-苯并噻唑二基、2，7-咔唑二 基、3，7-二苯并呋喃二基、3，7-二苯并噻吩二基、3，7-吩噁嗪二基等，优选 1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二 基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基、5，8-喹喔啉二基、4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二 基、4，7-苯并噻唑二基、2，7-咔唑二基、3，7-二苯并呋喃二基、3，7-二苯并 噻吩二基、3，7-吩噁嗪二基，更优选1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、 1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基、4，7-苯并 [1，2，5]噻二唑二基，进一步优选1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4- 蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基，更进一步优 选1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基，其中 优选9，10-蒽二基、2，7-芴二基，特别优选9，10-蒽二基。
Z具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等 方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取 代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优选选自烷 基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代甲硅 烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选为选自烷基、烷氧基、芳基、 芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，再进一步优选选自烷基、烷氧 基、芳基，特别优选烷基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
作为式(1)的重复单元，具体来说，可以列举以下的单元(S-1～S-51)、 在以下单元上具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷 基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、 甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、 酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取代基的单元。
还有，在以下内容中，芳香烃环上的结合手表示可以采取任意位置。



作为式(1)表示的重复单元，优选S-1～S-3、S-6～S-9、S-11～S-20、 S-31～S-34、S-37～S-40、S-43～S-46、S-48、S-50及在S-1～S-3、S-6～S-9、 S-11～S-20、S-31～S-34、S-37～S-40、S-43～S-46、S-48、S-50上分别具有 烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、 芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲 硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂 环基、羧基、取代羧基或氰基等取代基的单元。更优选S-1～S-3、S-6～S-9、 S-11～S-20、S-34、S-40、S-46、S-50及在S-1～S-3、S-6～S-9、S-11～S-20、 S-34、S-40、S-46、S-50上分别具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、 氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚 胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取代 基的单元。进一步优选在S-1～S-3、S-6～S-9、S-11～S-20上分别具有烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基等取代基的单元。更进一步优选S-1～S-3、S-6～S-9、 S-14～S-15及在S-1～S-3、S-6～S-9、S-14～S-15上分别具有烷基、烷氧基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳 基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、 酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代 羧基或氰基等取代基的单元。其中优选S-9、S-14～S-15及在S-9、S-14～S-15 上分别具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳 基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷 基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺 基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取代基的单元。
从能够发绿色光等方面考虑，特别优选S-9及在S-9上具有烷基、烷 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫 基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基等取代基的单元，例如可以列举下述式(S-52)表示 的二价基团。

(式中，RD、RE、RF、RG、RH及RI各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯 基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰 基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧 基或氰基。RD、RE、RF、RG、RH及RI分别存在多个时，彼此可以相同或 不同。d、e、f及g各自独立地表示0～4的整数，h及i各自独立地表示 0～5的整数。)
式(S-52)中的RD、RE、RF、RG、RH及RI表示的烷基、烷氧基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳 基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、 亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基的定义、具体例与 上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的定义、具体例相同。从 溶解性、合成容易性、元件特性等方面来看，作为式(S-52)中RD、RE、 RF、RG、RH及RI表示的取代基，优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、 芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基， 更优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧 基，进一步优选选自烷基、烷氧基、芳基，更进一步优选为烷基、烷氧基， 特别优选为烷基。
式(S-52)中的d、e、f及g各自独立地表示0～4的整数，优选为0～2 的整数，更优选为0～1的整数，进一步优选为0。
式(S-52)中的h及i各自独立地表示0～5的整数，从元件特性、溶 解性方面考虑，优选为1～3的整数，更优选为1。
从化合物的稳定性方面考虑，优选R1及RH存在于氮原子的对位。
另外，从能够发蓝色光方面考虑，更优选S-4及在S-4上具有烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基等取代基的单元，例如可以列举下述式(S-53)表示 的二价基团。

(式中，RM1、RM2、RM3及RM4各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、 芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、 酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或 氰基。RM1、RM2、RM3及RM4分别存在多个时，彼此可以相同或不同。 m1及m3各自独立地表示0～4的整数，m2及m4各自独立地表示0～5的 整数。RL1及RL2各自独立地表示烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基。)
式(S-53)中的RM1、RM2、RM3及RM4表示的烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、 芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、 酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基的定义、具体例与上述式(1) 中Ar1具有取代基时取代基中它们的定义、具体例相同。从溶解性、合成 容易性、元件特性等方面来看，作为式(S-53)中的RM1、RM2、RM3及 RM4表示的取代基，优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳 基烷氧基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，更优选选 自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，进一 步优选选自烷基、烷氧基、芳基，更进一步优选为烷基、烷氧基，特别优 选为烷基。
式(S-53)中的m1及m3各自独立地表示0～4的整数，优选为0～2 的整数，更优选为0～1的整数，进一步优选为0。
式(S-53)中的m2及m4各自独立地表示0～5的整数，从元件特性、 溶解性方面考虑，优选为1～3的整数，更优选为1。
式(S-53)中的RL1及RL2表示的烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基 的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的定义、 具体例相同。从溶解性、合成容易性、元件特性等方面来看，作为式(S-53) 中的RL1及RL2表示的取代基，优选烷基、芳基。
本发明的高分子化合物含有一种以上选自上述式(2)及式(3)的 重复单元。
式(2)中，A环及B环各自独立地表示可以具有取代基的芳香烃环， 但是其中至少一个是多个苯环稠合形成的芳香烃环。该芳香烃环还可以是 苯环以外的芳香烃环和/或非芳香烃类稠环状化合物缩合而成。本发明的 高分子化合物的A环中的芳香烃环和B环中的芳香烃环可以是彼此相同 的环结构，也可以是不同的环结构，但是从耐热性、荧光强度方面考虑， 优选A环中的芳香烃环和B环中的芳香烃环是不同环结构的芳香烃环。
作为芳香烃环，优选单独的苯环或多个苯环缩合形成的环，作为其 例子，可以列举苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、芘环、菲环等 芳香烃环，优选列举苯环、萘环、蒽环、菲环。
作为A环和B环的组合，可以优选列举苯环和萘环、苯环和蒽环、 苯环和菲环、萘环和蒽环、萘环和菲环、蒽环和菲环的组合，更优选苯环 和萘环的组合。
还有，A环中的芳香烃环和B环中的芳香烃环是不同环结构是指用 平面结构式表示式(2)中的

时，A环中的芳香烃环和B环中该环相对于连接结构式中央的5元环顶 点和与顶点相对的边的中点的对称轴(虚线)是非对称的。
例如，当A环及B环为萘环时，在

的情况下A环和B环的环结构不同。
另一方面，同样当A环及B环为萘环时，在

的情况下A环和B环的环结构相同。
当芳香烃环具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合 成容易性等方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、 氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚 胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优 选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、 取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选为选自烷基、烷氧基、 芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，再进一步优选选自烷基、 烷氧基、芳基，特别优选烷基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
式(2)中，RW及RX各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯 基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰 基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧 基或氰基，RW及RX分别可以相互结合成环。
对于RW及RX，烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取 代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1 价杂环基、取代羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时 取代基中它们的定义、具体例相同。
从荧光强度、元件发光效率等方面考虑，RW及RX形成碳数或其它 元素总数为5～20的环时是优良的。
作为式(2)的重复单元，具体来说，可以列举以下的单元 (1A-1～1A～64、1B-1～1B～64、1C-1～1C～64、1D-1～1D～18)、在以下单元 上具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、 取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、 1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取代基的单元。
还有，在以下内容中，芳香烃环上的结合手表示可以采取任意位置。














(式中，RW及RX表示与上述相同的意义。)
在上述(2)所示的重复单元中，从耐热性、荧光强度等方面考虑， 优选两个结合手分别在A环及B环上各存在一个，更优选A环和B环分 别由苯环和萘环的组合构成。
其中优选下述式(1-1)、(1-2)表示的重复单元、(1-3)、(1-4)表示 的重复单元。

(式中，Rp1、Rq1、Rp2、Rq2、Rp3、Rq3、Rp4及Rq4各自独立地表示烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基。a表示0～3的整数，b表示0～5的整数。Rp1、Rq1、 Rp2、Rq2、Rp3、Rq3、Rp4及Rq4分别存在多个时，彼此可以相同或不同。 Rw1、Rx1、Rw2、Rx2、Rw3、Rx3、Rw4及Rx4各自独立地表示氢原子、烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基或氰基，Rw1和Rx1、Rw2和Rx2、Rw3和Rx3、Rw4和Rx4分别 可以相互结合成环。)
在上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)中，从对有机溶剂的溶解 性、元件特性、合成容易性等方面考虑，Rp1、Rq1、Rp2、Rq2、Rp3、Rq3、 Rp4及Rq4优选为烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷 基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、氟原子、酰基、 酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基，更优 选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基。
在上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)中，从对有机溶剂的溶解 性、元件特性、合成容易性等方面考虑，Rw1、Rx1、Rw2、Rx2、Rw3、Rx3、 Rw4及Rx4优选为烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷 基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、氟原子、酰基、 酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基，更优 选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基，进 一步优选烷基、烷氧基、芳基。
作为烷基、烷氧基、芳基，更具体来说，可以例示甲基、乙基、丙 基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚 基、环己基甲基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月 桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等碳数通常 为1～20左右的直链、支化或环状烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙 氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧 基、环己基甲氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲 基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧 基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基等碳数通常为1～20左 右的烷氧基；苯基、C1～C12烷氧基苯基、C1～C12烷基苯基、1-萘基、2-萘 基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等碳数通常为6～60左右的芳基 等。此处，作为C1～C12烷氧基，具体来说可以例示甲氧基、乙氧基、丙 氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己 氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛 氧基、月桂氧基等，作为C1～C12烷基苯基，具体来说可以例示甲基苯基、 乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、基(mesityl)、甲基乙基苯基、异 丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、 己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。
作为上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)表示的重复单元的具体 例子，Rw1和Rx1、Rw2和Rx2、Rw3和Rx3、Rw4和Rx4分别彼此结合成环的 重复单元可以例示下述式组(1-1-2)、(1-2-2)、(1-3-2)及(1-4-2)。这 些结构也可以进一步具有取代基。

在上述式(1-1)及(1-2)中，从高分子量化的观点及耐热性方面考虑， 优选a＝b＝0。
在本发明的高分子化合物中，从原料化合物的合成容易性上考虑， 优选含有式(1-1)、(1-3)及(1-4)所示重复单元的高分子化合物，更优 选式(1-1)。
从提高合成的高分子化合物对有机溶剂的溶解性及与耐热性的平衡 方面考虑，优选Rw1、Rx1为烷基，更优选碳数为3以上，进一步优选为7 以上，更进一步优选为8以上。特别优选正辛基、下述式(1E-1)所示的 结构。

式(3)中，C环及D环各自独立地表示具有取代基的芳香环。
作为该芳香环，可以列举苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、 芘环、菲环等芳香烃环；吡啶环、二吡啶环、菲咯啉环、喹啉环、异喹啉 环、噻吩环、呋喃环、吡咯环等杂芳香环。此处，C环及D环的芳香环 的种类可以相同或不同。作为该芳香环，优选为苯环、萘环、蒽环、并四 苯环、并五苯环、芘环、菲环，更优选为苯环、萘环、蒽环，进一步优选 为苯环。
当该芳香环具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合 成容易性等方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、 氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚 胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优 选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、 取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选为选自烷基、烷氧基、 芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，再进一步优选选自烷基、 烷氧基、芳基，特别优选选自烷基、烷氧基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
式(3)中Y表示氧原子、硫原子或-O-C(RK)2-。
式(3)中的Y表示的-O-C(RK)2-中的RK表示氢原子、烷基、烷 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫 基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、 卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧 基、取代羧基、硝基或氰基。两个RK可以相同或不同。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。从溶解性、合成容易性、元件特性等方面来看，作为 RK表示的取代基，优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳 基烷氧基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，更优选选 自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，进一 步优选选自烷基、烷氧基、芳基，更进一步优选选自烷基、烷氧基，特别 优选选自烷基。
作为式(3)表示的重复单元，具体来说，可以列举以下的单元 (G-1～G-26、H-1～H-26、K-1～K-26)、在以下单元上具有烷基、烷氧基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳 基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、 酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代 羧基或氰基等取代基的单元。
还有，在以下内容中，芳香环上的结合手表示可以采取任意位置。





(式中，RK表示与式(3)中的RK相同的意义。)
作为式(3)表示的重复单元，优选G-1～G-22、H-1～H-22、K-1～K-22 及在G-1～G-22、H-1～H-22、K-1～K-22上分别具有烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、 芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、 酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或 氰基等取代基的单元，更优选G-1～G-12、H-1～H-12、K-1～K-12及在 G-1～G-12、H-1～H-12、K-1～K-12上分别具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳 基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰 氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰 基等取代基的单元，进一步优选G-1～G-2、H-1～H-2、K-1～K-2及在 G-1～G-2、H-1～H-2、K-1～K-2上分别具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔 基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、 亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取 代基的单元，更进一步优选G-1、H-1、K-1及在G-1、H-1、K-1上分别 具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧 基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取 代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1 价杂环基、羧基、取代羧基或氰基等取代基的单元，特别优选下述式 (G-27)表示的二价基团。

(式中，Y表示与式(3)中的Y相同的意义，Rs及Rt各自独立地 表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧 基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取 代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1 价杂环基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。Rs及Rt分别存在多个时，彼 此可以相同或不同。m及n各自独立地表示0～3的整数。)
式(G-27)中的Rs及Rt表示的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、 取代氨基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、 酰亚胺基、1价杂环基、取代羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1 具有取代基时取代基中它们的定义、具体例相同。从溶解性、合成容易性、 元件特性等方面来看，作为式(G-27)中的Rs及Rt表示的取代基，优选 选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取 代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，更优选选自烷基、烷氧基、芳基、 芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，进一步优选选自烷基、烷氧基、 芳基，更进一步优选为烷基、烷氧基，特别优选为烷氧基。
式(G-27)中的m及n各自独立地表示0～3的整数，优选为1～2的 整数，更优选为1。
相对于本发明的高分子化合物所含的全部重复单元，式(1)表示的 重复单元和式(2)表示的重复单元和式(3)表示的重复单元的合计比例 通常为1～100摩尔％，优选为10～100摩尔％，更优选为30～100摩尔％， 进一步优选为40～100摩尔％，更进一步优选为40～80摩尔％，再进一步 优选为40～70摩尔％，特别优选为40～60摩尔％。
从荧光强度、元件特性方面考虑，式(1)表示的重复单元与式(2) 表示的重复单元和式(3)表示的重复单元的合计的摩尔比优选为 0.01∶99.99～70.00∶30.00，更优选为0.10∶99.90～50.00∶50.00。
从改变发光波长、提高发光效率、提高耐热性方面考虑，本发明的 高分子化合物优选含有上述式(1)、(2)及(3)表示的重复单元以外的 至少一种重复单元。作为上述式(1)、(2)及(3)表示的重复单元以外 的重复单元，优选下述式(4)和/或下述式(5)表示的重复单元。
-Ar3-     (4)
(式中，Ar3表示可以具有取代基的二价芳香族基团。)

(式(5)中，Ar6、Ar7、Ar8及Ar9各自独立地表示1，4-亚苯基或者4，4’- 亚联苯基。Ar10、Ar11及Ar12各自独立地表示芳基。Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、 Ar10、Ar11及Ar12可以具有取代基。x及y各自独立地表示0或正整数。)
式(4)中，Ar3表示可以具有取代基的二价芳香族基团。
此处的二价芳香族基团是指芳香烃化合物或芳香族杂环化合物上除 去两个氢原子后得到的原子团。该二价芳香族基团的碳数通常为5～60左 右，优选为5～48，更优选为6～30，进一步优选为6～22，特别优选为6～14。 该碳数不含取代基的碳数。
作为二价芳香族基团的具体例子，可以列举1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、 1，2-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4-蒽二基、1，5-蒽二 基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-亚菲基、1，7-亚并四苯基、2，8-亚并四 苯基、2，7-芴二基、2，7-芘二基、4，10-芘二基、2，6-吡啶基、2，5-噻吩基、 2，5-呋喃基、2，6-喹啉二基、1，5-异喹啉二基、5，8-喹喔啉二基、4，7-苯并[1，2，5] 噻二唑二基、4，7-苯并噻唑二基、2，7-咔唑二基、3，7-吩噁嗪二基等。优选 1，4-亚苯基、1，4-亚萘基、1，5-亚萘基、2，6-亚萘基、1，4-蒽二基、1，5-蒽二 基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基、5，8-喹喔啉二基、4，7-苯并[1，2，5] 噻二唑二基、4，7-苯并噻唑二基、2，7-咔唑二基、3，7-吩噁嗪二基，更优选 2，7-芴二基、3，7-吩噁嗪二基。
二价芳香族具有取代基时，从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合 成容易性等方面来看，优选取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、 氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚 胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优 选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、 取代甲硅烷基、酰基、取代羧基及氰基，进一步优选选自烷基、烷氧基、 芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基及取代羧基，更进一步优选选自烷基、 烷氧基、芳基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
式(5)中的Ar10、Ar11及Ar12各自独立地表示芳基，此处的芳基是 指从芳香烃上除去一个氢原子后得到的原子团，包括具有独立苯环或稠环 的基团。芳基的碳数通常为6～60左右，优选为6～48，更优选为6～30， 进一步优选为6～18，更进一步优选为6～10，特别优选为6。该碳数不含 取代基的碳数。作为芳基的具体例子，可以列举苯基、1-萘基、2-萘基、 1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基等， 优选苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基，更优选苯基、1- 萘基、2-萘基，特别优选苯基。
式(5)中的Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、Ar11及Ar12具有取代基时， 从对有机溶剂的溶解性、元件特性、合成容易性等方面来看，优选取代基 选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧 基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取 代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1 价杂环基、羧基、取代羧基及氰基。更优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳 氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、取代羧基 及氰基，进一步优选选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷 氧基及取代羧基，更进一步优选选自烷基、烷氧基、芳基，特别优选为烷 基。
烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷 氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤 原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、取代 羧基的定义、具体例与上述式(1)中Ar1具有取代基时取代基中它们的 定义、具体例相同。
作为式(5)表示的重复单元的具体例子，可以列举下述式(5-1)～ (5-4)。此处，R各自独立地表示氢原子、或选自烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、 芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、 酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基及 氰基的基团。

从元件特性考虑，更优选本发明的高分子化合物含有一种以上式(1) 表示的重复单元、且含有一种以上式(2)表示的重复单元、含有一种以 上式(4)表示的重复单元，进一步优选含有一种式(1)表示的重复单元、 且含有一种式(2)表示的重复单元、含有一种式(4)表示的重复单元。 更优选的组合是式(S-52)表示的重复单元的一种和式(1-1)表示的重 复单元、和具有取代基的2，7-芴二基的一种和具有取代基的3，7-吩噁嗪二 基的一种构成的组合。
本发明的高分子化合物的通过体积排除色谱法(以下称为SEC)测 定的聚苯乙烯换算数均分子量(Mn)通常为103～108左右，优选为104～106。 另外，聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)通常为103～108左右，从成膜性 及形成元件时的效率方面考虑，优选为5×104～5×106，更优选为105～106。
另外，如果本发明的高分子化合物的端基上直接残留聚合活性基团， 则形成元件时发光特性及寿命可能变差，因此优选用稳定基团进行保护。 优选具有主链共轭结构和连续共轭结构，例如可以例示通过碳-碳键结合 了芳基或杂环基的结构。具体来说，可以例示日本特开平9-45478号公报 的化10记载的取代基等。
本发明的高分子化合物作为发光材料或电荷输送材料等使用时，也 可以与其它高分子化合物混合使用。
以下对本发明的高分子化合物的优选制造方法进行说明。
本发明的高分子化合物可以通过例如使用下述式(a)表示的化合物 和下述式(b)表示的化合物，以及必要时采用的下述式(c)表示的化合 物作为原料进行缩聚而进行制造。

(式(a)中，Ar1、Ar2及Z分别表示与式(1)中的Ar1、Ar2及Z相同 的意义。Y1各自独立地表示卤原子、式(a-1)表示的磺酸酯基、甲氧基、 硼酸酯基、硼酸基、式(a-2)表示的基团、式(a-3)表示的基团或式(a-4) 表示的基团。)
Y1-Ar13-Y1     (b)
(式(b)中，Ar13表示式(2)或式(3)所示的二价基团。Y1表示与式 (a)中的Y1相同的意义。)
Y1-Ar14-Y1     (c)
(式(c)中，Ar14表示式(4)或式(5)所示的二价基团。Y1表示与式 (a)中的Y1相同的意义。)

(式(a-1)中，R2表示可以具有取代基的烷基或芳基。)
-MgXA          (a-2)
(式(a-2)中，XA表示卤原子。作为卤原子，可以列举氯原子、溴原子 及碘原子。)
-ZnXA          (a-3)
(式(a-3)中，XA表示卤原子。作为卤原子，可以列举氯原子、溴原子 及碘原子。)
-SnRa        (a-3)
(式(a-3)中，Ra表示与式(a-1)中的Ra相同的意义。)
式(a)、(b)、(c)中的Y1各自独立地表示卤原子、式(a-1)所示 的磺酸酯基、甲氧基、硼酸酯基、硼酸基(即，B(OH)2表示的基团)、式 (a-2)表示的基团、式(a-3)表示的基团或式(a-4)表示的基团。
作为Y1中的卤原子，可以列举氯原子、溴原子及碘原子。
作为Y1中的硼酸酯基，例如可以例示下述式表示的基团。

作为式(a-1)中的Ra上的烷基或芳基的定义、具体例，分别与式(1) 中Ar1具有取代基时烷基或芳基的定义、具体例相同。作为式(a-1)表 示的磺酸酯基，例如可以列举甲烷磺酸酯基、三氟甲烷磺酸酯基、苯基磺 酸酯基、4-甲基苯基磺酸酯基等。
式(a)、(b)、(c)表示的化合物可以使用预先合成、分离而得的化 合物，也可以在反应体系中制备并直接使用。
关于式(a)、(b)、(c)中的Y1，从合成简便性、处理容易性、毒性 等方面考虑，优选为卤原子、硼酸酯基、硼酸基。
作为缩聚方法，可以列举对于式(a)、(b)、(c)所示的单体，必要 时使用适当的催化剂或适当的碱，使其进行反应的方法。
作为缩聚催化剂，例如可以列举钯[四(三苯基膦)]、[三(二亚苄基丙 酮)]二钯、醋酸钯等钯络合物，镍[四(三苯基膦)]、[1，3-双(二苯基膦)丙烷] 二氯镍、[双(1，4-环辛二烯)]镍等镍络合物等过渡金属络合物，和必要时另 外采用的三苯基膦、三(叔丁基磷)、三环己基膦、二苯基膦基丙烷、二吡 啶等配位体构成的催化剂。
作为该催化剂，可以使用预先合成的催化剂，也可以使用在反应体 系中制备的催化剂。在本发明中，该催化剂可以单独使用或两种以上混合 使用。
该催化剂可以按任意量使用，但是通常相对于式(a)、(b)、(c)所 示的化合物的摩尔数之和，过渡金属化合物的量优选为0.001～300摩尔％， 更优选为0.005～50摩尔％，进一步优选为0.01～20摩尔％。
必要时，缩聚中可能使用碱。作为碱，可以列举碳酸钠、碳酸钾、 碳酸铯、氟化钾、氟化铯、磷酸三钾等无机碱，氟化四丁基铵、氯化四丁 基铵、溴化四丁基铵、氢氧化四丁基铵等有机碱。
该碱可以按任意量使用，但是通常相对于式(a)、(b)、(c)所示的 化合物的摩尔数之和，优选为0.5～20当量，更优选为1～10当量。
缩聚也可以在不存在溶剂的情况下进行，但通常在有机溶剂的存在 下进行。
作为所使用的有机溶剂，可以列举甲苯、二甲苯、均三甲基苯、四 氢呋喃、1，4-二噁烷、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲 酰胺等。这些有机溶剂可以单独使用，也可以混合两种以上组合使用。
关于有机溶剂的使用量，通常按照使单体浓度达到0.1～90重量％的 比例进行使用。优选比例为1～50重量％，更优选的比例为2～30重量％。
有机溶剂根据所使用的化合物或根据反应而变化，通常为了抑制副 反应，最好进行脱氧处理。
实施缩聚的反应温度没有特别的限制，只要是使反应介质保持液态 的范围即可。优选的温度范围为-100℃～200℃，更优选为80℃～150℃， 进一步优选为0℃～120℃。
反应时间随反应温度等反应条件变化，但是通常为1小时以上，优 选为2～500小时。
必要时可能希望缩聚在脱水条件下进行。特别是式(a)、(b)、(c) 中的Y1是式(a-2)表示的基团时，必须在脱水条件下进行。
作为缩聚条件，例如可以例示利用Suzuki反应的聚合方法(Chem. Rev.，第95卷，2457页(1995年))、利用Grignard反应的聚合方法(共 立出版，高分子机能材料シリ一ズ第2卷，高分子の合成と反应(2)， 432～433页)、利用山本聚合法的聚合方法(Prog.Polym.Sci.，第17卷， 1153～1205页，1992年)等。
后处理可以按公知的方法进行。例如，将甲醇等低级醇添加到反应 溶液中，过滤析出的沉淀，进行干燥，从而可以得到目标高分子化合物。
当由上述后处理得到的高分子化合物的纯度低时，可以通过重结晶、 索格利特萃取器连续萃取、柱色谱等通常的方法进行精制。
以下，对本发明的高分子发光元件进行说明。
本发明的高分子发光元件的特征在于，在由阳极和阴极构成的电极 之间具有有机层，该有机层含有本发明的高分子化合物。
有机层可以是发光层、空穴输送层、空穴注入层、电子输送层、电 子注入层、中间层等中的任意层，但优选有机层为发光层。
此处，发光层是指具有发光功能的层，空穴输送层是指具有输送空 穴功能的层，电子输送层是具有电子输送功能的层。另外，中间层是指在 发光层和阳极之间靠近发光层而存在的、起着隔离发光层和阳极、或隔离 发光层和空穴注入层或空穴输送层的功能的层。还有，电子输送层和空穴 输送层统称为电荷输送层。另外，电子注入层和空穴注入层统称为电荷注 入层。发光层、空穴输送层、空穴注入层、电子输送层及电子注入层可以 各自独立地使用两个层以上。
有机层为发光层时，作为有机层的发光层也可以进一步含有空穴输 送性材料、电子输送性材料或发光性材料。此处的发光性材料是指显示荧 光和/或磷光的材料。
将本发明的高分子化合物和空穴输送性材料进行混合时，相对于该 全部混合物，空穴输送性材料的混合比例为1wt％～80wt％，优选为 5wt％～60wt％。将本发明的高分子材料和电子输送性材料进行混合时，相 对于该全部混合物，电子输送性材料的混合比例为1wt％～80wt％，优选为 5wt％～60wt％。而且，将本发明的高分子化合物和发光性材料混合时，相 对于全部混合物，发光性材料的混合比例为1wt％～80wt％，优选为 5wt％～60wt％。将本发明的高分子化合物和发光性材料、空穴输送性材料 和/或电子输送性材料混合时，相对于该全部混合物，发光性材料的混合 比例为1wt％～50wt％，优选为5wt％～40wt％，空穴输送性材料和电子输送 性材料按它们的合计为1wt％～50wt％，优选为5wt％～40wt％。因此，本发 明的高分子化合物的含量为98wt％～1wt％，优选为90wt％～20wt％。
所混合的空穴输送性材料、电子输送性材料、发光性材料可以使用 公知的低分子化合物、三重态发光络合物或高分子化合物，但优选使用高 分子化合物。
作为高分子化合物型空穴输送性材料、电子输送性材料及发光性材 料，可以例示WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、 WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、 WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、 WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、 WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、 WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、 日本特开平2001-181618、特开平2001-123156、特开平2001-3045、特开 平2000-351967、特开平2000-303066、特开平2000-299189、特开平 2000-252065、特开平2000-136379、特开平2000-104057、特开平 2000-80167、特开平10-324870、特开平10-114891、特开平9-111233、特 开平9-45478等中公开的聚芴、其衍生物及共聚物、聚亚芳基、其衍生物 及共聚物、聚芳基亚乙烯基、其衍生物及共聚物、芳香胺及其衍生物的(共) 聚合物。
作为低分子化合物荧光性材料，例如可以使用萘衍生物、蒽或其衍生物、 苝或其衍生物、聚甲炔类、呫吨酮类、香豆素类、花青类等色素类、8- 羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、芳香胺、四苯基环戊二烯或其衍生物、 或四苯基丁二烯或其衍生物等。
具体来说，例如可以使用日本特开昭57-51781号、特开昭59-194393 号公报中记载的物质等公知物质。
作为三重态发光络合物，例如可以列举以铱为中心金属的Ir(ppy)3、 Btp2Ir(acac)、以铂为中心金属的PtOEP、以铕为中心金属的Eu(TTA)3phen 等。

作为三重态发光络合物，例如记载于Nature，(1998)，395，151、Appl. Phys.Lett.(1999)，75(1)，4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001)， 4105(Organic Light-Emitting Materials and Devices IV)，119、J.Am.Chem. Soc.，(2001)123，4304、Appl.Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596、Syn.Met.， (1998)，94(1)，103、Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361、Adv.Mater.，(1999)， 11(10)，852、Jpn.J.Appl.Phys.，34，1883(1995)等中。
本发明的高分子组合物含有选自空穴输送材料、电子输送材料、发 光材料的至少一种材料和本发明的高分子化合物，可以作为发光材料及电 荷输送材料使用。
所述选自空穴输送材料、电子输送材料、发光材料的至少一种材料 和本发明的高分子化合物的含有比率根据用途确定，但是用作发光材料用 途时，优选与上述发光层具有相同的含有比率。
本发明的高分子组合物的聚苯乙烯换算数均分子量通常为103～108左 右，优选为104～106。另外，聚苯乙烯换算重均分子量通常为103～108左 右，从成膜性及形成元件时的效率方面考虑，优选为1×104～5×106。此 处，高分子组合物的平均分子量是对于将两种的以上高分子化合物混合得 到的组合物，用GPC分析求出的值。
作为具有本发明的高分子发光元件的发光层的膜厚，最佳值随所使 用的材料而异，可以按照使驱动电压和发光效率达到适度值的方式进行选 择，例如为1nm至1μm，优选2nm～500nm，更优选5nm～200nm。
作为发光层的形成方法，例如可以列举从溶液成膜的方法。作为从 溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版印刷涂布法、凹版印 刷涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、网版印刷法、 柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。从容易形成图案及涂 布多种颜色方面考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷 墨印刷法等印刷法。
作为印刷法等中使用的溶液(墨水组合物)，至少含有一种本发明的 高分子化合物即可，另外，还可含有本发明的高分子化合物以外的空穴输 送材料、电子输送材料、发光材料、溶剂、稳定剂等添加剂。
该墨水组合物中的本发明的高分子化合物的比例，通常相对于除去 溶剂外的组合物的总重量为20wt％～100wt％，优选为40wt％～100wt％。
另外，墨水组合物中含有溶剂时，溶剂的比例相对于组合物总重量 为1wt％～99.9wt％，优选为60wt％～99.5wt％，更优选为80wt％～99.0wt％。
墨水组合物的粘度随印刷方法而异，在喷墨法等中墨水组合物经过 喷出装置的情况下，为了防止喷出时孔道堵塞和飞行弯曲，粘度优选在 25℃下为1～20mPa·s。
本发明的溶液中除了本发明的高分子化合物外，还可含有用于调节 粘度和/或表面张力的添加剂。作为该添加剂，适当地组合使用用于提高 粘度的高分子量的高分子化合物(增粘剂)及不良溶剂、用于降低粘度的 低分子量化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等即可。
作为上述高分子量的高分子化合物，只要是与本发明的高分子化合 物在相同的溶剂中具有可溶性、不阻碍发光及电荷输送的高分子化合物即 可。例如可以使用高分子量聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、或本发明的高 分子化合物中分子量大的品种等。重均分子量优选为50万以上，更优选 为100万以上。
也可以使用不良溶剂作为增粘剂。即，可以通过添加少量对于溶液 中的固体组分为不良溶剂的物质来提高粘度。在基于该目的添加不良溶剂 时，在溶液中的固体组分不析出的范围内选择溶剂种类和添加量即可。如 果考虑贮存时的稳定性，优选不良溶剂的量相对于全部溶液为50wt％以 下，更优选为30wt％以下。
另外，对于本发明的溶液，为了改善贮存稳定性，除本发明的高分 子化合物外，还可以含有抗氧化剂。作为抗氧化剂，只要是与本发明的高 分子化合物在相同的溶剂中具有可溶性、不阻碍发光及电荷输送的抗氧化 剂即可，可以例示酚类抗氧化剂、磷类抗氧化剂等。
作为形成墨水组合物时使用的溶剂，没有特别的限定，优选可以使 构成该墨液组合物的溶剂以外的材料进行溶解或均匀分散的溶剂。作为该 溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、 邻二氯苯等氯类溶剂，四氢呋喃、二噁烷、茴香酰等醚类溶剂，甲苯、二 甲苯等芳香烃类溶剂，环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、 正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃类溶剂，丙酮、甲乙酮、环己酮、二苯 甲酮、苯乙酮等酮类溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯、苯 甲酸甲酯、醋酸苯酯等酯类溶剂，乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙 基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二 醇单乙基醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、 异丙醇、环己醇等醇类溶剂，二甲基亚砜等亚砜类溶剂，N-甲基-2-吡咯 烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独 使用，也可以是多种组合使用。
从高分子化合物等的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等方面考 虑，在这些溶剂中优选芳香烃类溶剂、醚类溶剂、脂肪烃类溶剂、酯类溶 剂、酮类溶剂，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、正丙苯、异 丙苯、正丁苯、异丁苯、仲丁苯、正己苯、环己苯、1-甲基萘、四氢化萘、 茴香酰、乙氧基苯、环己烷、二环己基、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、 正己基环己烷、十氢萘、苯甲酸甲酯、环己酮、2-丙基环己酮、2-庚酮、 3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己酮、苯乙酮、二苯甲 酮。
从成膜性及元件特性等方面考虑，溶液中的溶剂的种类优选为2种 以上，更优选为2～3种，进一步优选为2种。
溶液中含有2种溶剂时，其中一种溶剂也可以在25℃下为固态。从 成膜性上考虑，优选1种溶剂为沸点在180℃以上的溶剂，更优选沸点在 200℃以上的溶剂。另外，从粘度方面考虑，优选两种溶剂均能在60℃下 溶解1wt％以上的芳香族聚合物，优选两种溶剂中的一种溶剂能在25℃下 溶解1wt％以上的芳香族聚合物。
溶液中含有两种以上溶剂时，从粘度及成膜性上来看，沸点最高的 溶剂优选为溶液中的全部溶剂重量的40～90wt％，更优选为50～90wt％， 进一步优选为65～85wt％。
溶液中所含的本发明的高分子化合物可以为1种，也可以为2种以 上，还可以在不损害元件特性等的范围内含有本发明的高分子化合物以外 的高分子化合物。
本发明的溶液中还可以含有1～1000ppm的水、金属及其盐。作为金 属，可以具体列举锂、钠、钙、钾、铁、铜、镍、铝、锌、铬、锰、钴、 铂、铱等。另外，还可含有1～1000ppm的硅、磷、氟、氯和/或溴。
可以使用本发明的溶液，通过旋涂法、浇铸法、微凹版印刷涂布法、 凹版印刷涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、网版 印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等制作薄膜。其中，优 选将本发明的溶液用于采用网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷 墨印刷法成膜的用途，更优选被用于采用喷墨法成膜的用途。
使用本发明的溶液制作薄膜时，由于溶液中所含的高分子化合物的 玻璃化转变温度高，可以在100℃以上的温度下烘烤，即使在130℃的温 度下烘烤，元件特性的降低也非常小。另外，取决于高分子化合物的种类， 也可以在160℃以上的温度下烘烤。
作为可以使用本发明的溶液制作的薄膜，可以例示发光性薄膜、导 电性薄膜及有机半导体薄膜。
本发明的导电性薄膜的表面电阻优选为1KΩ/□以下。通过在薄膜中 掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可以提高电导率。更优选表面电阻为 100Ω/□以下，进一步优选为10Ω/□以下。
本发明的有机半导体薄膜的电子迁移度或空穴迁移度均是越大越 好，优选为10-5cm2/V/秒以上。更优选为10-3cm2/V/秒以上，进一步优选 为10-1cm2/V/秒以上。
在形成了SiO2等绝缘膜和门电极的Si基板上形成该有机半导体薄 膜，通过用Au等形成源极电极和漏极电极，可以制成有机晶体管。
作为本发明的高分子发光元件，从元件的辉度等方面考虑，优选在 阳极和阴极间施加3.5V以上的电压时最大外部量子收率为1％以上，优 选为1.5％以上。
另外，作为本发明的高分子发光元件，可以列举在阴极和发光层之 间设置电子输送层的高分子发光元件、在阳极和发光层之间设置空穴输送 层的高分子发光元件、在阴极和发光层之间设置电子输送层，并且在阳极 和发光层之间设置空穴输送层的高分子发光元件等。
例如，可以具体地例示以下a)～d)的结构。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子输送层/阴极
d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
(此处的/表示各层相邻层叠。以下相同)
另外，关于这些结构中的每一种，还可以例示在发光层和阳极间， 与发光层相邻设置中间层的结构。即，可以例示以下a’)～d’)的结构。
a’)阳极/中间层/发光层/阴极
b’)阳极/空穴输送层/中间层/发光层/阴极
c’)阳极/中间层/发光层/电子输送层/阴极
d’)阳极/空穴输送层/中间层/发光层/电子输送层/阴极
本发明的高分子发光元件具有空穴输送层时，所使用的空穴输送性 材料可以例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链 上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、 三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其 衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙 烯基)或其衍生物等。
具体来说，作为该空穴输送材料，可以例示日本特开昭63-70257号 公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361 号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184 号公报中记载的材料等。
在这些材料中，作为用于空穴输送层的空穴输送材料，优选聚乙烯 基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链上具有芳香胺化合物 基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对 亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生 物等高分子空穴输送性材料，更优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或 其衍生物、侧链或主链上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物。
另外，作为低分子化合物空穴输送材料，可以例示吡唑啉衍生物、 芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物。在低分子空穴输送性材料的 情况下，优选使其分散于高分子粘结剂中。
作为混合的高分子粘结剂，优选不会极度阻碍电荷输送的品种，另 外，也最好使用不对可见光产生强烈吸收的品种。作为该高分子粘结剂， 可以例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、 聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其 衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚 苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
聚乙烯基咔唑或其衍生物可以通过例如由乙烯基单体进行阳离子聚 合或自由基聚合而得到。
作为聚硅烷或其衍生物，可以例示Chem.Rev.，第89卷，1359页(1989 年)、英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也 可以使用这些文献中记载的方法，特别优选使用Kipping法。
聚硅氧烷或其衍生物在硅氧烷骨架中基本没有空穴输送性，因此最 好使用侧链或主链上具有上述低分子空穴输送性材料的结构的品种。可特 别地例示侧链或主链上具有空穴输送性芳香胺的聚硅氧烷。
空穴输送层的成膜方法没有限制，对于低分子空穴输送性材料，可 以例示由其与高分子粘结剂的混合溶液成膜的方法。另外，对于高分子空 穴输送性材料，可以例示由溶液成膜的方法。
作为由溶液成膜中使用的溶剂，优选可以溶解或均匀地分散空穴输 送性材料的溶剂。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、 1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯类溶剂、四氢呋喃、二噁烷等醚类 溶剂，甲苯、二甲苯等芳香烃类溶剂，环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正 己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃类溶剂，丙酮、甲乙酮、 环己酮等酮类溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯类溶剂， 乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基 乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙基醚、甘油、1，2-己二醇等 多元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇类溶剂，二 甲基亚砜等亚砜类溶剂，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺 类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用，也可以是多种组合使用。
作为由溶液成膜的方法，可以使用基于溶液的旋涂法、浇铸法、微 凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂 法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂 布法。
作为空穴输送层的膜厚，最佳值随所使用的材料而异，按照使驱动 电压和发光效率达到适度值的方式进行选择即可，必须具有至少不发生针 孔的那种厚度，如果太厚，则元件的驱动电压高，是不可取的。因此，作 为该空穴输送层的厚度，例如为1nm至1μm，优选为2nm～500nm，更优 选为5nm～200nm。
本发明的高分子发光元件具有电子输送层时，作为使用的电子输送 性材料，可以使用公知的材料，可以例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其 衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽 醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯 酚合苯醌衍生物、或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其 衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
具体来说，可以例示日本特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860 号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平 2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记 载的材料等。
其中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或 8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其 衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4- 噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
电子输送层的成膜方法没有特别限制，对于低分子电子输送性材料， 可以例示基于粉末的真空蒸镀法、或从溶液或熔融状态成膜的方法，对于 高分子电子输送材料，可以例示由溶液或熔融状态成膜的方法。由溶液或 熔融状态成膜时，也可以同时并用上述高分子粘结剂。
作为由溶液成膜时使用的溶剂，优选可以溶解或均匀地分散电子输 送材料和/或高分子粘结剂的溶剂。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲 烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯类溶剂，四氢呋 喃、二噁烷等醚类溶剂，甲苯、二甲苯等芳香烃类溶剂，环己烷、甲基环 己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃类溶 剂，丙酮、甲乙酮、环己酮等酮类溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤 剂醋酸酯等酯类溶剂，乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二 醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙基醚、 甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环 己醇等醇类溶剂，二甲基亚砜等亚砜类溶剂，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N- 二甲基甲酰胺等酰胺类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用，也可以 是多种组合使用。
作为由溶液或熔融状态成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微 凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂 法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂 布法。
作为电子输送层的膜厚，最佳值随所使用的材料而异，按照使驱动 电压和发光效率达到适度值的方式进行选择即可，必须具有至少不发生针 孔的那种厚度，如果太厚，则元件的驱动电压高，是不可取的。因此，作 为该电子输送层的厚度，例如为1nm至1μm，优选为2nm～500nm，更优 选为5nm～200nm。
另外，与电极相邻设置的电荷输送层中，具有改善从电极注入电荷 的效率的功能、具有降低元件的驱动电压效果的部分有时通常被专门称为 电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
为了进一步改善与电极的粘附性及从电极注入电荷，也可以与电极 相邻地设置上述电荷注入层或膜厚为2nm以下的绝缘层，另外，为了提 高界面的粘附性及防止混合等，也可以在电荷输送层及发光层的界面上插 入薄的缓冲层。
关于所层叠的层的顺序及数量，以及各层的厚度，可以考虑发光效 率及元件寿命进行适当地使用。
在本发明中，作为设置电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)的 高分子发光元件，可以列举与阴极相邻设置电荷注入层的高分子发光元 件、与阳极相邻设置电荷注入层的高分子发光元件。
例如，可以具体列举以下的e)～p)的结构。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极
i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极
l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴 极
另外，关于这些结构中的每一种，还可以例示在发光层和阳极间， 与发光层相邻设置中间层的结构。还有，在这种情况下，中间层还可兼作 空穴注入层和/或空穴输送层。
作为电荷注入层的具体例子，可以例示：含导电性高分子的层；设 置于阳极和空穴输送层之间，包含具有阳极材料和空穴输送层中含有的空 穴输送性材料的中间值离子化电势的材料的层；设置于阴极和电子输送层 之间，包含具有阴极材料和电子输送层中含有的电子输送性材料的中间值 电子亲和力的材料的层等。
上述电荷注入层是含有导电性高分子的层时，该导电性高分子的电 导率优选为10-5S/cm以上103以下，为了减小发光像素之间的漏电流，更 优选为10-5S/cm以上102以下，进一步优选为10-5S/cm以上101以下。
通常，为了使该导电性高分子的电导率达到10-5S/cm以上103以下， 在该导电性高分子中掺杂适量的离子。
所掺杂的离子的种类对于空穴注入层是阴离子，对于电子注入层是 阳离子。作为阴离子的例子，可以列举聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离 子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可以列举锂离子、钠离子、钾 离子、四丁基铵离子等。
作为电荷注入层的厚度，例如为1nm～100nm，优选2nm～50nm。
电荷注入层中使用的材料可以根据其与电极或相邻层材料的关系进 行适当选择，可以例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及 其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生 物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主链或侧链上具有芳香胺 结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(酞菁铜等)、碳等。
膜厚为2nm以下的绝缘层是具有使电荷注入变得容易的功能的层。 作为上述绝缘层的材料，可以列举金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材 料等。作为设置膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子发光元件，可以列举 与阴极相邻设置膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子发光元件、与阳极相 邻设置膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子LED。
具体来说，例如可列举以下q)～ab)的结构。
q)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极
s)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层 /阴极
t)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极
u)阳极/空穴输送层/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极
v)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/膜厚为2nm 以下的绝缘层/阴极
w)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极
x)阳极/发光层/电子输送层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极
y)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/膜厚为2nm 以下的绝缘层/阴极
z)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/ 阴极
aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚为2nm以下的绝缘层/ 阴极
ab)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/ 膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极
另外，关于这些结构中的每一种，还可以例示在发光层和阳极间， 与发光层相邻设置中间层的结构。还有，在这种情况下，中间层还可兼作 空穴注入层和/或空穴输送层。
关于在上述结构a)～ab)中应用中间层的结构，作为中间层，设置 于阳极和发光层之间，优选由以下材料构成，该材料具有阳极或空穴注入 层或空穴输送层，和构成发光层的高分子化合物的中间的离子化电势。
作为用于中间层的材料，可以例示聚乙烯基咔唑或其衍生物、侧链 或主链上具有芳香胺的聚亚芳基衍生物、芳胺衍生物、三苯基二胺衍生物 等含芳香胺的聚合物。
中间层的成膜方法没有限制，例如在使用高分子材料时，可例示从 溶液成膜的方法。
作为从溶液成膜中使用的溶剂，优选可以溶解或均匀地分散中间层 中使用的材料的溶剂。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯 乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯类溶剂，四氢呋喃、二噁烷 等醚类溶剂，甲苯、二甲苯等芳香烃类溶剂、环己烷、甲基环己烷、正戊 烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃类溶剂，丙酮、 甲乙酮、环己酮等酮类溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等 酯类溶剂，乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、 二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙基醚、甘油、1，2- 己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇类 溶剂，二甲基亚砜等亚砜类溶剂，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰 胺等酰胺类溶剂。另外，这些有机溶剂可以单独使用，也可以是多种组合 使用。
作为从溶液成膜的方法，可以使用基于溶液的旋涂法、浇铸法、微 凹版印刷涂布法、凹版印刷涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂 法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂 布法。
作为中间层的膜厚，最佳值随所使用的材料而异，可以按照使驱动 电压和发光效率达到适度值的方式进行选择，例如1nm至1μm，优选 2nm～500nm，更优选5nm～200nm。
将该中间层与发光层相邻设置时，特别是用涂布法形成两种层时， 有时两种层的材料会混合而对元件特性等造成不良影响。用涂布法形成中 间层后，用涂布法形成发光层时，作为减少两种层的材料混合的方法，可 以列举用涂布法形成中间层后，加热该中间层使其达到相对于制作发光层 中使用的有机溶剂不溶，然后形成发光层的方法。加热温度通常为 150℃～300℃左右，时间通常为1分钟～1小时左右。在这种情况下，为了 除去即使加热也不溶于溶剂的成分，可以在加热后，形成发光层之前，用 形成发光层时使用的溶剂漂洗该中间层，从而进行去除。当通过加热充分 进行了溶剂不溶化时，可以省略溶剂漂洗。为了通过加热进行充分地溶剂 不溶化，作为用于中间层的高分子化合物，优选使用分子内含有至少一个 可聚合基团的高分子化合物。而且可聚合基团的数目优选相对于分子内的 结构单元数为5％以上。
形成本发明的高分子发光元件的基板只要是在形成电极、形成有机 物层时不产生变化的基板即可，例如可以例示玻璃、塑料、高分子膜、硅 基板等。在采用不透明基板的情况下，优选配对电极是透明或半透明的。
通常，本发明的高分子发光元件所具有的阳极或阴极中的至少一方 是透明或半透明的。优选阳极侧是透明或半透明的。
作为该阳极的材料，可以使用导电性金属氧化物膜、半透明的金属 薄膜等。具体来说，可以使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、以及作为它们 的复合物的铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等构成的导电性玻 璃制成的膜(NESA等)，以及金、铂、银、铜等，优选ITO、铟·锌·氧 化物、氧化锡。作为制作方法，可以列举真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、 镀敷法等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或 其衍生物等有机透明导电膜。
阳极的膜厚可以考虑透光性和电导率进行适当选择，例如为10nm至 10μm，优选20nm至1μm，更优选50nm至500nm。
另外，为了容易进行电荷注入，也可以在阳极上设置由酞菁衍生物、 导电性高分子、碳等构成的层，或由金属氧化物或氟化物、有机绝缘材料 等构成的平均膜厚为2nm以下的层。
作为本发明的高分子发光元件中使用的阴极材料，优选功函数小的 材料。例如可以列举锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、 钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，或其中2种以上金属的合 金，或其中1种以上金属和金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中 的1种以上金属的合金，或石墨或石墨层状化合物等。作为合金的例子， 可以列举镁银合金、镁铟合金、镁铝合金、铟银合金、锂铝合金、锂镁合 金、锂铟合金、钙铝合金等。也可以使阴极形成2层以上的层叠结构。
阴极的膜厚可以考虑电导率和耐久性进行适当选择，例如为10nm至 10μm，优选20nm至1μm，更优选50nm至500nm。
作为阴极的制造方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、或热压合金 属薄膜的层叠法等。另外，也可以在阴极和有机物层之间设置由导电性高 分子构成的层、或由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平 均膜厚为2nm以下的层，制作阴极后，还可以装备保护该高分子发光元 件的保护层。为了长期稳定地使用该高分子发光元件，优选装备从外部保 护元件的保护层和/或保护罩。
作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、 金属硼化物等。另外，作为保护罩，可以使用金属板、玻璃板、表面施加 了低透水率处理的塑料板等，最好采用通过热固化树脂或光固化树脂将该 罩体贴合在元件基板上进行密封的方法。如果用隔离物保持空间，则容易 防止元件形成损伤。如果在该空间中封入氮气或氩气之类的惰性气体，则 可以防止阴极的氧化，而且通过在该空间中设置氧化钡等干燥剂，就容易 抑制在制造工序中吸附的水分或直通固化树脂而浸入的微量水分对元件 造成损坏。优选采用其中任意一种以上的方法。
本发明的高分子发光元件可以作为面状光源、分段型显示装置、点 阵显示装置、液晶显示装置的背光灯等使用。
为了使用本发明的高分子发光元件得到面状光源，只要使面状阳极 和阴极以叠合方式配置即可。另外，为了得到图案状发光，有在上述面状 发光元件表面设置安装了图案状窗户的掩模的方法、使非发光部分的有机 物层形成极厚厚度达到实质不发光的方法、使阳极或阴极中的任一个或两 个电极形成图案的方法。在这些方法中的任一种方法中，通过形成图案， 按照能够独立地进行开/关的方式设置一些电极，可以得到能够显示数字 或文字、简单的符号等的分段型显示元件。而且，为了形成点阵元件，使 阳极和阴极均形成条状进行垂直设置即可。通过分别涂布多种发光颜色不 同的高分子荧光体的方法，以及使用滤色片或荧光变换滤光器的方法，可 以进行部分色彩显示、多色彩显示。点阵元件可以是无源驱动，也可以是 与TFT等组合进行有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、便 携终端、便携电话、汽车导航系统、摄像机的取景器等显示装置使用。
而且，上述面状发光元件是自发光薄层型，适合用于液晶显示装置 的背光灯用面状光源、或面状照明用光源。另外，如果使用柔性基板，也 可以用作曲面状光源或显示装置。
以下，通过实施例对本发明进行更详细地说明，但本发明并不受这 些实施例的限定。
(数均分子量及重均分子量)
此处，关于数均分子量和重均分子量，通过GPC(岛津制作所制造： LC-10Avp)求出聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量。使测定的聚 合物溶解在四氢呋喃中形成约0.5wt％的浓度，向GPC中注入50μL。GPC 的流动相使用四氢呋喃，按0.6mL/min的流速流动。柱是将TSKgel SuperHM-H(东SOH制)2根和TSKgel SuperH2000(东SOH制)1根 串联连接。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制，RID-10A)。
(荧光光谱)
荧光光谱的测定按以下方法进行。将聚合物的0.8wt％甲苯溶液旋涂 在石英上，制作聚合物薄膜。用350nm的波长对该薄膜进行激发，用荧 光分光光度计(堀场制作所制造的Fluororlog)测定荧光光谱。为了获得 薄膜上的相对荧光强度，以水的拉曼线强度为基准进行波数绘图得到荧光 光谱，将其在光谱的测定范围内进行积分，用采用分光光度计(Varian公 司制造的Cary5E)测定的激发波长下的吸光度分配，求出该值。
(玻璃化转变温度)
玻璃化转变温度通过DSC(DSC2920，TA Instruments制)求出。
<合成例1>
[化合物(J1)的合成]
在惰性气体氛围下，向三口烧瓶添加9，10-二溴蒽37.6g(0.11mol)、 N-(4-叔丁基苯基)苯胺50.4g(0.22mol)、叔丁醇钠25.8g(0.27mol)、[三(二 亚苄基丙酮)]二钯2.1g(2.2mmol)、三叔丁基膦1.8g(9mmol)、脱水甲 苯91mL，在100℃下搅拌。然后，将反应溶液冷却至室温，一边搅拌一 边添加1N盐酸水溶液6.2g、甲醇1250mL，过滤析出的结晶，用MeOH、 蒸馏水洗涤，减压干燥得到粗产物。用己烷对该粗产物进行重结晶，得到 目标化合物(J1)61g(收率100％，HPLC面积百分率99.3％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：1.27(s，18H)，6.86(m，2H)，7.08(m，8H)， 7.20(m，8H)，7.36(m，4H)，8.21(m，4H)
LC-MS(APPI-MS(posi))：625[M+H]+

[化合物(J2)的合成]
在惰性气体氛围下，向三口烧瓶添加化合物(J1)50.0g(80mmol)、 氯仿1167mL，形成均匀的溶液，一边在25～35℃下搅拌一边添加由N- 溴琥珀酰亚胺29.4g(165mmol)和脱水N，N-二甲基甲酰胺67mL组成的 溶液，再在25～35℃下搅拌。然后对反应混合物进行加热回流，冷却至 25℃，滴加甲醇1330mL，过滤析出的结晶，用甲醇洗涤，减压干燥得到 目标化合物(J2)59g(收率95％，HPLC面积百分率99.2％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：1.27(s，18H)，6.90(m，4H)，7.08(m，4H)， 7.25(m，8H)，7.39(m，4H)，8.16(m，4H)
LC-MS(APPI-MS(posi))：781[M+H]+

<合成例2>
[化合物(J3)的合成]
在惰性气体氛围下，向三口烧瓶添加9，10-二溴蒽15.0g(44.6mmol)、 N-(4-甲基苯基)苯胺16.4g(89.2mmol)、叔丁醇钠10.3g(107.0mmol)、[三 (二亚苄基丙酮)]二钯0.82g(0.89mmol)、三叔丁基膦0.75g(3.57mmol)、 脱水甲苯100mL，在100℃下搅拌5小时。然后，将反应溶液冷却至室温， 用1N盐酸水溶液中和，一边搅拌一边添加甲醇500mL，过滤析出的结晶， 用MeOH、蒸馏水洗涤，减压干燥得到目标化合物(J3)22.7g(收率93％， HPLC面积百分率98.5％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：2.26(s，6H)，6.86(m，2H)，7.03(m，12H)， 7.17(m，4H)，7.34(m，4H)，8.18(m，4H)
LC-MS(APPI-MS(posi))：541[M+H]+

[化合物(J4)的合成]
在惰性气体氛围下，向三口烧瓶添加化合物(J3)5.0g(9.2mmol)、 氯苯150mL，加热形成均匀的溶液，一边在25～35℃下搅拌一边添加由 N-溴琥珀酰亚胺3.4g和脱水N，N-二甲基甲酰胺8mL组成的溶液，再在 25～35℃下搅拌4小时。然后对反应混合物进行加热回流，冷却至25～35 ℃，过滤析出的结晶，减压干燥得到粗产物。使粗产物悬浮在甲醇中，然 后过滤结晶，用甲醇洗涤，通过减压干燥得到目标化合物(J4)6.0g(收 率92.3％，HPLC面积百分率99.7％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：2.26(s，6H)，6.87(m，4H)，7.03(m，8H)， 7.26(m，4H)，7.37(m，4H)，8.11(m，4H)
LC-MS(APPI-MS(posi))：696[M]+

<合成例3>
[2，6-二叔丁基蒽的合成]
将蒽153g、叔丁醇191g、三氟醋酸860mL在80～84℃下搅拌24小 时后，冷却至4℃，过滤析出的沉淀物，用甲苯洗涤，用己烷洗涤，得到 灰色固体。用甲苯使该固体重结晶，从而得到作为目标的2，6-二叔丁基蒽 76.2g(收率30.5％，HPLC面积百分率99.1％)。
[9，10-二溴-2，6-二叔丁基蒽的合成]
在24～30℃下于1小时内，向由2，6-二叔丁基蒽76.2g及四氯化碳2.4L 组成的溶液中，滴加由溴82.5g及四氯化碳240mL组成的溶液，再搅拌3 小时。然后在冰浴中，于1.5小时内滴加10％的氢氧化钠水溶液1L，从 有机层中分离水层。对得到的有机层进行水洗，减压馏去四氯化碳直至体 积变为500mL，一边搅拌得到的溶液一边冷却至7℃，滤出析出的结晶， 得到作为目标的9，10-二溴-2，6-二叔丁基蒽110g(收率95％，HPLC面积 百分率99.7％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：1.49(s，18H)，7.70(d，2H)，8.45(s，2H)， 8.50(d，2H)
[化合物(J5)的合成]
在惰性气体氛围下，添加9，10-二溴-2，6-二叔丁基蒽50.0g、N-(4-叔 丁基苯基)苯胺50.0g、叔丁醇钠25.7g、[三(二亚苄基丙酮)]二钯2.0g、三 叔丁基膦1.8g、脱水甲苯300mL，在90℃下搅拌1小时。然后，将反应 溶液冷却至室温，用1N盐酸水溶液318mL中和，一边搅拌一边添加甲 醇1L，过滤析出的结晶，用MeOH洗涤。将该结晶溶解在甲苯900mL 中，添加己烷900mL搅拌2hr，过滤析出的结晶，减压干燥得到目标化合 物(J5)45.1g(收率55％，HPLC面积百分率99.0％)。

LC-MS(APPI-MS(posi))：737[M+H]+
[化合物(J6)的合成]
在惰性气体氛围下，添加化合物(J5)40.0g、氯苯840mL，加热形 成均匀的溶液，一边在30℃下搅拌一边添加由N-溴琥珀酰亚胺17.7g和 脱水N，N-二甲基甲酰胺40mL组成的溶液，再在7℃下搅拌12小时。然 后在反应混合物中添加己烷3360mL搅拌1小时，通过过滤除去析出的沉 淀，浓缩滤液直至总量为200mL，滤出析出的固体。用甲苯使该固体重 结晶，从而得到目标化合物(J6)25.7g(收率53％，HPLC面积百分率 99.3％)。
1H-NMR(299.4MHz，CDCl3)：1.21(s，18H)，1.26(s，18H)，6.89(m，4H)， 7.07(m，4H)，7.25(m，8H)，7.42(d，2H)，8.01(m，4H)
LC-MS(APPI-MS(posi))：893[M+H]+

<比较例1>
[高分子化合物1的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J2)0.188g(0.24mmol)、下 述化合物(J13)2.06g(3.76mmol)、下述化合物(J14)2.10g(3.96mmol)、 醋酸钯(2.7mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(29.6mg)、Aliquat336(0.52g， Aldrich制)、甲苯(40ml)，加热至105℃。在该反应溶液中滴加2M的 Na2CO3水溶液(10.9ml)，回流2小时。反应后添加苯基硼酸(50mg)， 再回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2 小时。冷却后用水(52ml)洗涤2次，用3％醋酸水溶液(52ml)洗涤2 次，用水(52ml)洗涤2次，将得到的溶液滴加到甲醇(620ml)中，通 过过滤得到沉淀物。将沉淀物溶解在甲苯(124ml)中，使其通过氧化铝 柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(620ml)中，搅拌 后，滤出得到的沉淀物，进行干燥。得到的高分子化合物1的产量为2.54g。
高分子化合物1的聚苯乙烯换算数均分子量为1.1×105，聚苯乙烯换 算重均分子量为2.5×105。荧光强度为4.5，玻璃化转变温度为73℃。

<实施例1>
[高分子化合物2的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J2)0.188g(0.24mmol)、下 述化合物(J8)2.25g(3.76mmol)、下述化合物(J9)2.74g(3.96mmol)、 醋酸钯(2.7mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(29.6mg)、Aliquat336(0.52g， Aldrich制)、甲苯(40ml)，加热至105℃。在该反应溶液中滴加2M的 Na2CO3水溶液(10.9ml)，回流4.5小时。反应后添加苯基硼酸(50mg)， 再回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2 小时。冷却后用水(52ml)洗涤2次，用3％醋酸水溶液(52ml)洗涤2 次，用水(52ml)洗涤2次，将得到的溶液滴加到甲醇(620ml)中，通 过过滤得到沉淀物。将该沉淀物溶解在甲苯(124ml)中，使其通过氧化 铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(620ml)中，搅 拌后，滤出得到的沉淀物，进行干燥。得到的高分子化合物2的产量为 2.55g。
高分子化合物2的聚苯乙烯换算数均分子量为1.0×105，聚苯乙烯换 算重均分子量为2.3×105。荧光强度为7.1，玻璃化转变温度为136℃。 与比较例1记载的高分子化合物1相比，本发明中的高分子化合物2的荧 光强度高、耐热性优异。
还有，化合物(J8)及(J9)通过国际公开专利WO2005/056633的 第148～150页记载的方法合成。

<实施例2>
[高分子化合物3的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J2)0.157g(0.20mmol)、下 述化合物(J10)1.835g(3.15mmol)、下述化合物(J14)1.777g(3.35mmol)、 醋酸钯(2.3mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(24.8mg)、Aliquat336(0.43g， Aldrich制)、甲苯(34ml)，加热至105℃。在该反应溶液中滴加2M的 Na2CO3水溶液(9.1ml)，回流1.5小时。反应后添加苯基硼酸(41mg)， 再回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2 小时。冷却后用水(44ml)洗涤2次，用3％醋酸水溶液(44ml)洗涤2 次，用水(44ml)洗涤2次，将得到的溶液滴加到甲醇(520ml)中，通 过过滤得到沉淀物。将该沉淀物溶解在甲苯(104ml)中，使其通过氧化 铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(520ml)中，搅 拌后，滤出得到的沉淀物，进行干燥。得到的高分子化合物3的产量为 2.19g。
高分子化合物3的聚苯乙烯换算数均分子量为1.1×105，聚苯乙烯换 算重均分子量为3.3×105。
还有，化合物(J10)通过专利文献日本特开2004-59899的第90页 记载的方法合成。

<实施例3>
配制高分子化合物2的1.2wt％二甲苯溶液。在用溅射法以150nm厚 度粘附了ITO膜的玻璃基板上，用聚(亚乙基二氧化噻吩)/聚苯乙烯磺 酸的溶液(Bayer，Baytron P)通过旋涂形成50nm厚的膜，用加热板在 200℃下干燥10分钟。接着，使用上述配制的二甲苯溶液，通过旋涂在 900rpm的转速下成膜。膜厚约100nm。在氮气氛下将其在130℃下干燥1 小时，然后蒸镀作为阴极的钡约5nm，接着蒸镀铝约80nm，制作EL元 件。还有，真空度达到1×10-4Pa以下后，开始金属蒸镀。通过在得到的 元件上施加电压，可得到绿色的EL发光(峰值波长为525nm)。该元件 在5.5V下显示100cd/m2的发光，得到辉度约6000cd/m2以上的高辉度。
用49mA/cm2的恒定电流密度驱动该元件时，半衰寿命为48小时， 与在同样的电流密度下驱动的下述比较例2相比，本发明的高分子化合物 2具有长寿命。
<实施例4>
配制高分子化合物3的1.0wt％二甲苯溶液，按与实施例3相同的方 式制作EL元件。发光层是通过旋涂在4000rpm的转速下成膜。膜厚约 80nm。通过在得到的元件上施加电压，可得到绿色的EL发光(峰值波长 为530nm)。该元件在6V下显示100cd/m2的发光，得到最大辉度约 12000cd/m2以上的高辉度。
用49mA/cm2的恒定电流密度驱动该元件时，半衰寿命为250小时 以上，与在同样的电流密度下驱动的下述比较例2相比，本发明的高分子 化合物3具有长寿命。
<比较例2>
用高分子化合物1代替实施例3记载的高分子化合物2，配制1.2％ 二甲苯溶液，按与实施例3相同的方式用其制作EL元件。发光层是通过 旋涂在1300rpm的转速下成膜。通过在得到的元件上施加电压，可得到 绿色的EL发光(峰值波长为525nm)。
用49mA/cm2的恒定电流密度驱动该元件时，半衰寿命为0.07小时。
<比较例3>
[高分子化合物4的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J6)0.157g(0.17mmol)、下 述化合物(J13)1.50g(2.74mmol)、下述化合物(J14)1.55g(2.92mmol)、 醋酸钯(2.0mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(21.6mg)、Aliquat336(0.38g， Aldrich制)、甲苯(29ml)，加热至105℃。在该反应溶液中滴加2M的 Na2CO3水溶液(7.9ml)，回流4.5小时。反应后添加苯基硼酸(36mg)， 再回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2 小时。冷却后用水(38ml)洗涤2次，用3％醋酸水溶液(38ml)洗涤2 次，用水(38ml)洗涤2次，将得到的溶液滴加到甲醇(450ml)中，通 过过滤得到沉淀物。将该沉淀物溶解在甲苯(90ml)中，使其通过氧化 铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(450ml)中，搅 拌后，滤出得到的沉淀物，进行干燥。得到的高分子化合物4的产量为 1.75g。
高分子化合物4的聚苯乙烯换算数均分子量为8.3×104，聚苯乙烯换 算重均分子量为1.9×105。荧光强度为4.5，玻璃化转变温度为78℃。

<实施例5>
[高分子化合物5的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J6)0.180g(0.20mmol)、下 述化合物(J8)1.89g(3.15mmol)、下述化合物(J9)2.32g(3.35mmol)、 醋酸钯(2.3mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(24.8mg)、Aliquat336(0.43g， Aldrich制)、甲苯(34ml)，加热至105℃。在该反应溶液中滴加2M的 Na2CO3水溶液(9.1ml)，回流2小时。反应后添加苯基硼酸(41mg)，再 回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2 小时。冷却后用水(44ml)洗涤2次，用3％醋酸水溶液(44ml)洗涤2 次，用水(44ml)洗涤2次，将得到的溶液滴加到甲醇(520ml)中，通 过过滤得到沉淀物。将沉淀物溶解在甲苯(104ml)中，使其通过氧化铝 柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(520ml)中，搅拌 后，滤出得到的沉淀物，进行干燥。得到的高分子化合物5的产量为1.48g。
高分子化合物5的聚苯乙烯换算数均分子量为8.8×104，聚苯乙烯换 算重均分子量为1.8×105。荧光强度为8.1，玻璃化转变温度为138℃。 与比较例3记载的高分子化合物4相比，本发明中的所述高分子化合物5 的荧光强度高、耐热性优异。

<实施例6>
配制高分子化合物5的1.2wt％二甲苯溶液，按与实施例3相同的方 式制作EL元件。发光层是通过旋涂在1400rpm的转速下成膜。膜厚约 80nm。通过在得到的元件上施加电压，可得到绿色的EL发光(峰值波长 为520nm)。该元件在5V下显示100cd/m2的发光，得到最大辉度约 12000cd/m2以上的高辉度。
用49mA/cm2的恒定电流密度驱动该元件时，半衰寿命为3小时， 与在同样的电流密度下驱动的下述比较例4相比，本发明的高分子化合物 5具有长寿命。
<比较例4>
用高分子化合物4代替实施例6记载的高分子化合物5，配制1.2％ 二甲苯溶液，按与实施例3相同的方式用其制作EL元件。发光层是通过 旋涂在900rpm的转速下成膜。通过在得到的元件上施加电压，可得到绿 色的EL发光(峰值波长为525nm)。
用49mA/cm2的恒定电流密度驱动该元件时，半衰寿命为0.02小时。
<实施例7>
[高分子化合物6的合成]
在惰性气体氛围下，混合下述化合物(J7)0.630g(0.69mmol)、下 述化合物(J8)0.276g(0.46mmol)、下述化合物(J9)0.810g(1.17mmol)、 醋酸钯(0.8mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(4.9mg)、20wt％四乙基氢氧化铵 水溶液(8.5g)、甲苯(13ml)，加热至105℃，回流3小时。反应后添加 4-叔丁基溴苯(123mg)，再回流2小时。接着添加二乙基二硫氨基甲酸 钠水溶液，在65℃下搅拌2小时。冷却后用2N的盐酸(26ml)洗涤2 次，用10％醋酸钠水溶液(26ml)洗涤2次，用水(26ml)洗涤2次， 使其通过硅藻土，将得到的溶液滴加到甲醇(510ml)中，通过过滤得到 沉淀物。将沉淀物溶解在甲苯(104mL)中，将得到的甲苯溶液滴加到甲 醇(520ml)中，搅拌后，将滤出得到的沉淀物并进行干燥的操作进行两 次。得到的高分子化合物6的产量为0.95g。
高分子化合物6的聚苯乙烯换算数均分子量为2.8×104，聚苯乙烯换 算重均分子量为5.2×104。荧光强度为4.9，玻璃化转变温度为125℃。
还有，化合物(J7)通过国际公开专利WO2005/049546的第12页记 载的方法合成。

<实施例8>
[利用高分子化合物6制作发光元件]
配制高分子化合物6的1.8wt％二甲苯溶液，按与实施例3相同的方 式制作EL元件。发光层是通过旋涂在900rpm的转速下成膜。膜厚约 90nm。通过在得到的元件上施加电压，可得到蓝色的EL发光(峰值波长 为460nm)。
<实施例9>
[高分子化合物7的合成]
在100mL的二口烧瓶中，添加下述化合物(J4)0.0312g(0.044mmol)、 下述化合物(J9)1.524g(2.20mmol)、下述化合物(J11)1.254g(1.92mmol)、 下述化合物(J12)0.103g(0.22mmol)、作为相转移催化剂的 AliquatTM0.34g，用氩气对烧瓶内进行置换。接着，添加甲苯19mL，一边 搅拌一边鼓入Ar气30分钟。然后添加二氯双(三苯基膦)钯1.9mg、2M 的碳酸钠水溶液4.5mL，在100℃下搅拌2.5小时，然后追加二氯双(三 苯基膦)钯2.9mg，再在100℃下搅拌3小时。然后添加4-叔丁基苯基硼 酸0.20g、甲苯15mL，在100℃下搅拌1.5小时。冷却至室温后，添加甲 苯80mL、水50mL并搅拌后，使有机层和水层分离。在该有机层中加水 搅拌后，将与水层分离的有机层滴加到甲醇500mL中，将得到的沉淀物 过滤干燥。将该沉淀物溶解在甲苯100mL中，使其通过硅胶和氧化铝柱， 再滴加到甲醇800mL中，将得到的沉淀物过滤、干燥，得到1.7g高分子 化合物7。聚苯乙烯换算数均分子量及重均分子量分别为Mn＝1.0×105， Mw＝2.3×105。

<实施例10>
[利用高分子化合物7制作发光元件]
在用溅射法粘附了ITO膜的玻璃基板上，用聚(3，4)乙烯二氧化噻 吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，Bytron P CH 8000)的悬浊液通过旋涂形成 80nm厚的膜，在电热板上在200℃下干燥15分钟，接着形成中间层。然 后，使实施例9中得到的高分子化合物7溶解在二甲苯中。此时，配制成 固体组分浓度约为1.5wt％。使用该二甲苯溶液，通过旋涂形成90nm厚 的膜。然后在氮气氛下和130℃下干燥1小时，之后蒸镀钡作为阴极，再 蒸镀铝，制作有机EL元件。在得到的元件上施加电压时，显示高分子化 合物7产生的峰值波长525nm的绿色发光。另外，在该元件上施加7.4V 的电压时，最大发光效率显示为11.5cd/A，此时的色度坐标C.I.E.1931 (x，y)＝(0.291，0.585)。
<实施例11>
[高分子化合物8的合成]
除了使用化合物(J4)0.080mmol、化合物(J9)4.04mmol、化合物 (J12)0.40mmol、下述化合物(J16)3.52mmol作为单体外，按与实施 例9相同的配方得到3.2g高分子化合物8。聚苯乙烯换算数均分子量及重 均分子量分别为Mn＝1.4×105，Mw＝2.9×105。

<实施例12>
[利用高分子化合物8制作发光元件]
在用溅射法粘附了ITO膜的玻璃基板上，用聚(3，4)乙烯二氧化噻 吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，Bytron P CH 8000)的悬浊液通过旋涂形成 80nm厚的膜，在加热板上在200℃下干燥15分钟，接着形成中间层。然 后，将高分子化合物8溶解在二甲苯中。此时，配制成固体组分浓度约为 1.5wt％。使用该二甲苯溶液，通过旋涂形成85nm厚的膜。然后在氮气氛 下和130℃下干燥1小时，之后蒸镀钡作为阴极，再蒸镀铝，制作有机 EL元件。在得到的元件上施加电压时，显示高分子化合物8产生的峰值 波长525nm的绿色发光。另外，在该元件上施加7.4V的电压时，最大发 光效率显示为12.2cd/A，此时的色度坐标C.I.E.1931(x，y)＝(0.271， 0.565)。
<比较例5>
在用溅射法粘附了ITO膜的玻璃基板上，用聚(3，4)乙烯二氧化噻 吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，Bytron P CH 8000)的悬浊液通过旋涂形成 80nm厚的膜，在加热板上在200℃下干燥15分钟，接着形成中间层。然 后，将采取与专利文献1(国际公开第2005/49546号小册子)的第21页 实施例8相同的配方，使下述化合物(J4)0.60mmol、化合物(J14) 6.12mmol、化合物(J15)5.40mmol进行缩聚得到的高分子化合物9溶解 在二甲苯中。此时，配制成固体组分浓度约为1.5wt％。使用该二甲苯溶 液，通过旋涂形成90nm厚的膜。然后在氮气氛下和130℃下干燥1小时， 之后蒸镀钡作为阴极，再蒸镀铝，制作有机EL元件。在得到的元件上施 加电压时，显示高分子化合物9产生的峰值波长535nm的绿色发光。另 外，在该元件上施加4.8V的电压时，最大发光效率显示为8.5cd/A，此时 的色度坐标C.I.E.1931(x，y)＝(0.354，0.609)。
如上所述，与不含有式(2)表示的重复单元的高分子化合物9相比， 实施例10及实施例12中分别使用的高分子化合物7及高分子化合物8 显示了高效率，本发明中的高分子化合物是作为高分子发光元件具有优异 的性质的物质。

产业上的可利用性
本发明的高分子化合物可用作发光材料或电荷输送材料，耐热性、荧 光强度等优异，使用该高分子化合物形成的发光元件的元件寿命、发光效 率等性能优异。因此，含有本发明的高分子化合物的高分子LED可以用 作液晶显示器的背光灯或照明用的曲面状及平面状光源、分段型显示元 件、点阵平面显示器等。