화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 레지스트 패턴 형성방법, 회로 패턴 형성방법, 및, 정제방법 |
|||||||
| 申请号 | KR20187001903 | 申请日 | 2016-07-15 | 公开(公告)号 | KR20180034412A | 公开(公告)日 | 2018-04-04 |
| 申请人 | 发明人 | ||||||
| 摘要 | 하기식(1)로표시되는화합물또는수지.(식(1) 중, X는, 각각독립적으로, 산소원자, 황원자또는무가교인것을나타내고, R은, 각각독립적으로, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 수산기, 티올기, 복소환기, 탄소원자수 1~30의알킬기, 탄소원자수 2~30의알케닐기, 탄소원자수 6~40의아릴기, 및이들의조합으로이루어진군으로부터선택되고, 여기서, 이알킬기, 이알케닐기및 이아릴기는, 에테르결합, 케톤결합또는에스테르결합을포함하고있을수도있고, R는, 각각독립적으로, 탄소수 1~30의알킬기, 탄소수 6~40의아릴기, 탄소수 2~30의알케닐기, 티올기또는수산기이고, 여기서, R의적어도 1개는수산기또는티올기를포함하는기이고, m은, 각각독립적으로, 0~7의정수이고(여기서, m의적어도 1개는 1~7의정수이다.), p는각각독립적으로 0 또는 1이고, q는 0~2의정수이고, n은 1 또는 2이다.) | ||||||
| 权利要求 | |||||||
| 说明书全文 | |||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈