1.式A-B-A(I)或者A-B(II)的嵌段共聚物，
其中嵌段A是烯丙基缩水甘油醚的聚合物，其中所述烯丙基中的一个或多个被1,2-二羟基丙基或式-(CH2)a-S-(CH2)b-X的基团代替，其中a为3且b为1至3，并且X选自酸性基团、碱性基团、阳离子、阴离子、两性离子、卤素、羟基、酰基、酰氧基、烷基硫基、烷氧基、醛基、酰氨基、氨基甲酰基、脲基、氰基、硝基、环氧基、式-C(H)(COOH)(NH2)的基团和式-C(H)(COOH)(NHAc)的基团或其盐；和
嵌段B是芳族疏水性聚合物链段。
+ 1 2 -
2.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述两性离子是式-N (RR)(CH2)cSO3的季铵烷基磺酸根基，其中R1和R2是烷基，且c为1至3。
3.根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物，其中所述芳族疏水性聚合物链段选自聚砜、聚醚砜、聚苯醚、聚氧化亚苯基、聚碳酸酯、聚(酞嗪酮醚砜酮)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺和聚酰胺-酰亚胺。
4.根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物，其中所述芳族疏水性聚合物链段是聚醚砜。
5.根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物，其具有以下结构之一：
其中n、m1和m2独立地为10至1000。
6.根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物，其中嵌段A以20％至60mol％的量存在，嵌段B以40％至80mol％的量存在。
7.根据权利要求6所述的嵌段共聚物，其中嵌段A以40％至55mol％的量存在，嵌段B以
45％至60mol％的量存在。
8.式A-B-A(I)或者A-B(II)的嵌段共聚物的制备方法，其中嵌段A是烯丙基缩水甘油醚的聚合物，其中所述烯丙基中的一个或多个被1,2-二羟基丙基或式-(CH2)a-S-(CH2)b-X的基团代替，其中a为3且b为1至3，并且X为选自以下的基团：酸性基团、碱性基团、阳离子、阴离子、两性离子、卤素、羟基、酰基、酰氧基、烷基硫基、烷氧基、醛基、酰氨基、氨基甲酰基、脲基、氰基、硝基、环氧基、式-C(H)(COOH)(NH2)的基团和式-C(H)(COOH)(NHAc)的基团或其盐；和
嵌段B是芳族疏水性聚合物链段；
所述方法包括：
(i)提供式A-B-A(Ia)或者A-B(IIa)的嵌段共聚物，其中嵌段A是烯丙基缩水甘油醚的聚合物，所述聚合物具有烯丙基；和嵌段B是芳族疏水性聚合物链段；和
(ii)使(i)中所述嵌段共聚物的烯丙基中的一个或多个与选自以下的试剂反应：氧化剂，羧基烷硫醇或其盐，磺酸烷硫醇或其盐，(二烷基氨基)烷硫醇或其盐，卤代烷硫醇，羟基烷硫醇，酰基烷硫醇，烷氧基烷硫醇，烷硫基烷硫醇，醛基烷硫醇，酰氨基烷硫醇，氨基甲酰基烷硫醇，脲基烷硫醇，氰基烷硫醇，硝基烷硫醇，环氧基烷硫醇，半胱氨酸，酰基半胱氨酸，氨基烷硫醇或其盐，烷基氨基烷硫醇，二烷基氨基烷硫醇，和磺酸烷基铵烷硫醇或其盐。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述芳族疏水性聚合物链段选自聚砜、聚醚砜、聚苯醚、聚氧化亚苯基、聚碳酸酯、聚(酞嗪酮醚砜酮)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺和聚酰胺-酰亚胺。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述芳族疏水性聚合物链段是聚醚砜。
11.多孔膜，其包含芳族疏水性聚合物和根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物。
12.包含芳族疏水性聚合物和根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物的多孔膜的制备方法，所述方法包括：
(i)制备包含溶剂、所述芳族疏水性聚合物和所述嵌段共聚物的聚合物溶液；
(ii)使所述聚合物溶液流延为薄膜；
(iii)使所述薄膜经历相转化，得到多孔膜；和任选地
(iv)洗涤所述多孔膜。
13.多孔膜，其包含芳族疏水性聚合物和嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有以下结构之一：
其中n、m1和m2独立地为10至1000。
14.多孔膜的制备方法，所述多孔膜包含芳族疏水性聚合物和嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有以下结构之一：
其中n、m1和m2独立地为10至1000，所述方法包括：
(i)制备包含溶剂、所述芳族疏水性聚合物和所述嵌段共聚物的聚合物溶液；
(ii)使所述聚合物溶液流延为薄膜；
(ii i)使所述薄膜经历相转化，得到多孔膜；和任选地
(iv)洗涤所述多孔膜。